JPS62190872A - 受光素子の製造方法 - Google Patents
受光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62190872A JPS62190872A JP61034682A JP3468286A JPS62190872A JP S62190872 A JPS62190872 A JP S62190872A JP 61034682 A JP61034682 A JP 61034682A JP 3468286 A JP3468286 A JP 3468286A JP S62190872 A JPS62190872 A JP S62190872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- receiving section
- manufacturing
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、受光素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、固体撮像素子は、ビデオカメラにおける撮像管に
かわるものとして、すでに実用段階にはいっている。
かわるものとして、すでに実用段階にはいっている。
そして、この様な固体撮像素子はビデオカメラに使用さ
れ、市場に普及するとともに、次の３点に対する要望が
強くなってきた。
れ、市場に普及するとともに、次の３点に対する要望が
強くなってきた。
１、高感度
２、低残像
３、光があたっていない部分に光がもれこんで発生する
偽信号（以下スミアと呼ぶ） 従来、前記１，３１７？項目を目的として、第５図のよ
うな構成がしばしばとられていた。１はシリコン基板、
２は受光部、３は信号転送部、４はＴＧ、ｓはチャンネ
ルストッパー、６はＬＯＣＯ５゜７はゲート酸化膜、８
はポリシリコン、９は層間絶縁膜、１ｏは光遮へい膜、
１１は保護膜である。
偽信号（以下スミアと呼ぶ） 従来、前記１，３１７？項目を目的として、第５図のよ
うな構成がしばしばとられていた。１はシリコン基板、
２は受光部、３は信号転送部、４はＴＧ、ｓはチャンネ
ルストッパー、６はＬＯＣＯ５゜７はゲート酸化膜、８
はポリシリコン、９は層間絶縁膜、１ｏは光遮へい膜、
１１は保護膜である。
以上のように受光部を凹構造にすれば、受光部の表面積
を大きくすることができるので、感度は大きくなる。ま
た、斜めに入射してきた九人も、受光部で信号となるの
で、スミアも少なくなる。
を大きくすることができるので、感度は大きくなる。ま
た、斜めに入射してきた九人も、受光部で信号となるの
で、スミアも少なくなる。
前記のような構成の受光素子の製造方法としては、従来
、受光部をほるためにドライエツチングなどの方法がよ
くとられていた。また、受光部を形成するとき、シリコ
ン基板１がｐ型シリコン基板の場合、受光部２はｎ型で
形成しなければならない。
、受光部をほるためにドライエツチングなどの方法がよ
くとられていた。また、受光部を形成するとき、シリコ
ン基板１がｐ型シリコン基板の場合、受光部２はｎ型で
形成しなければならない。
シリコン基板をほった後、受光部２を形成するには、イ
オン注入法では均一なｎ型層を形成することができない
ので、受光部２をほった後、高濃度にｎ型不純物をドー
プしたポリシリコンを堆積して、このポリシリコンから
ｎ型不純物を拡散する固相−固相拡散法がよく用いられ
てきた。
オン注入法では均一なｎ型層を形成することができない
ので、受光部２をほった後、高濃度にｎ型不純物をドー
プしたポリシリコンを堆積して、このポリシリコンから
ｎ型不純物を拡散する固相−固相拡散法がよく用いられ
てきた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前記のような製造方法では、まず第１に
受光部２にエツチングダメージが残るため、・暗電流の
原因になるという問題があった。第２に、前記のような
固相−固相拡散法で受光部を形成した場合、受光部の容
量は大きくなり、残像がふえるという問題があった。
受光部２にエツチングダメージが残るため、・暗電流の
原因になるという問題があった。第２に、前記のような
固相−固相拡散法で受光部を形成した場合、受光部の容
量は大きくなり、残像がふえるという問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、受光部にダ
メージを残すことなく溝をほり、しかも受光部上に光が
集光されるようにし、さらに受光部の容量を小さくして
残像を低減するための、受光素子の製造方法を提供する
ものである。
メージを残すことなく溝をほり、しかも受光部上に光が
集光されるようにし、さらに受光部の容量を小さくして
残像を低減するための、受光素子の製造方法を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するため、シリコン基板上に
、窒化膜を形成したのち、受光部を形成する部分をエツ
チングして窓をあけ、前記受光部にイオン注入法により
ｎ型あるいはｐ型の不純物を注入し、しかるのちに受光
部上に厚いシリコン酸化膜を形成するものである。
、窒化膜を形成したのち、受光部を形成する部分をエツ
チングして窓をあけ、前記受光部にイオン注入法により
ｎ型あるいはｐ型の不純物を注入し、しかるのちに受光
部上に厚いシリコン酸化膜を形成するものである。
作用
本発明の構成による作用は次のようになる。すなわち、
受光部はシリコン酸化膜を形成することによって溝を形
成するのであるからダメージはない。また、前記シリコ
ン酸化膜は、受光部上にのみ形成されるので、レンズ状
の形状になるため、受光部上への大なる集光効果をもた
らし、感度の向上、スミアの低減をもたらす。さらに、
イオン注入された不純物を熱酸化過程中に活性化するの
で、受光部活性層は深くしかも低濃度となる。従って受
光部容量は小さくなるので、残像も低減することができ
る。
受光部はシリコン酸化膜を形成することによって溝を形
成するのであるからダメージはない。また、前記シリコ
ン酸化膜は、受光部上にのみ形成されるので、レンズ状
の形状になるため、受光部上への大なる集光効果をもた
らし、感度の向上、スミアの低減をもたらす。さらに、
イオン注入された不純物を熱酸化過程中に活性化するの
で、受光部活性層は深くしかも低濃度となる。従って受
光部容量は小さくなるので、残像も低減することができ
る。
実施例
第１図は、本発明の受光素子の製造方法の一実施例を示
したものである。１１はシリコン基板１．１２は受光部
、１３は信号転送部、１４はＴＧ１１６はチャンネルス
トッパー、１６はシリコン酸化膜、１７はＬＯＧＯ８，
１８はゲート酸化膜、１９はポリシリコン、１１ｏは層
間絶縁膜、１１１は光しゃへい膜、１１２は保護膜であ
る。
したものである。１１はシリコン基板１．１２は受光部
、１３は信号転送部、１４はＴＧ１１６はチャンネルス
トッパー、１６はシリコン酸化膜、１７はＬＯＧＯ８，
１８はゲート酸化膜、１９はポリシリコン、１１ｏは層
間絶縁膜、１１１は光しゃへい膜、１１２は保護膜であ
る。
第１図を形成するまでの製造方法を以下に説明する。平
面図も断面図と合せて記しである。まずｐ型シリコン基
板に５００人の熱酸化シリコン酸化膜及び９５０人のシ
リコン窒化膜を形成する（第２図）。次に、受光部のｎ
型層を形成するためにレジストマスクを形成し、シリコ
ン窒化膜を除去した後、リンイオンを注入する（第３図
）。
面図も断面図と合せて記しである。まずｐ型シリコン基
板に５００人の熱酸化シリコン酸化膜及び９５０人のシ
リコン窒化膜を形成する（第２図）。次に、受光部のｎ
型層を形成するためにレジストマスクを形成し、シリコ
ン窒化膜を除去した後、リンイオンを注入する（第３図
）。
レジストを除去した後、１０００°ＣｄｒｙＨ２、ｄｒ
ｙ０２混合ガス（パイロ）雰囲気中に４時間おき、受光
部上にシリコン熱酸化膜を形成する（第４図）。
ｙ０２混合ガス（パイロ）雰囲気中に４時間おき、受光
部上にシリコン熱酸化膜を形成する（第４図）。
最後にシリコン窒化膜を除去する。受光部以外は、従来
と同一方法で形成する。
と同一方法で形成する。
前記のような製造方法で受光部を形成すれば、シリコン
基板は熱酸化によって溝が形成されているので、ダメー
ジという問題はない。また、受光部上には、レンズ形状
のシリコン熱酸化膜が形成されるので、受光部上への大
なる集光効果をもたらし、感度向上、スミア低減を実現
できる。さらに、イオン注入とその後の熱酸化過程で受
光部の活性層を形成するので、受光部は低容景となる。
基板は熱酸化によって溝が形成されているので、ダメー
ジという問題はない。また、受光部上には、レンズ形状
のシリコン熱酸化膜が形成されるので、受光部上への大
なる集光効果をもたらし、感度向上、スミア低減を実現
できる。さらに、イオン注入とその後の熱酸化過程で受
光部の活性層を形成するので、受光部は低容景となる。
従って残像を低減することができる。同時に、受光部の
活性層深さを従来より深くすることができるので、スミ
アが従来よυ減ることはいうまでもない。
活性層深さを従来より深くすることができるので、スミ
アが従来よυ減ることはいうまでもない。
発明の効果
以上のべてきたように、本発明によれば、きわめて簡単
な方法で、集光効率が高くしかも残像が少ない受光部を
形成することができるので、実用的にきわめて有効な方
法である。
な方法で、集光効率が高くしかも残像が少ない受光部を
形成することができるので、実用的にきわめて有効な方
法である。
第１図は本発明の一実施例による受光素子の断面図、第
２図、第３図、第４図は第１図に示した受光素子を形成
するまでの製造方法を説明した平面図及び断面図、第６
図は従来の方法を示した受光素子の断面図である。 １２ 、４６・・・受光部、１６ 、２２ 、３２ 、
４２・・・・・・シリコン熱酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１イ
ー−”シリコン器冬々 Ｔ２−−−々光弁 Ｔ３−−一話テ庫±秦含や Ｔ４−−−Ｔ１１７ ２１、ｊｌ、４１−１”！シリコン基！！第４図 （−−−シソコン幕微 キー受先＃ｐ・５卵慢−１相１賊部（ＴＧ）Ｂ−ｃリシ
リコン
２図、第３図、第４図は第１図に示した受光素子を形成
するまでの製造方法を説明した平面図及び断面図、第６
図は従来の方法を示した受光素子の断面図である。 １２ 、４６・・・受光部、１６ 、２２ 、３２ 、
４２・・・・・・シリコン熱酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１イ
ー−”シリコン器冬々 Ｔ２−−−々光弁 Ｔ３−−一話テ庫±秦含や Ｔ４−−−Ｔ１１７ ２１、ｊｌ、４１−１”！シリコン基！！第４図 （−−−シソコン幕微 キー受先＃ｐ・５卵慢−１相１賊部（ＴＧ）Ｂ−ｃリシ
リコン
Claims (1)
- 半導体基板上に、表面に窒化膜が載置された酸化膜を形
成する工程と、前記窒化膜の一部を除去して窓を開け、
前記窓の部分に不純物イオンを注入する工程と、しかる
のち窓の部分に熱酸化膜を形成する工程とを有すること
を特徴とする受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034682A JPS62190872A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034682A JPS62190872A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 受光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190872A true JPS62190872A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12421176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034682A Pending JPS62190872A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7381584B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-06-03 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and a method for fabricating the same |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034682A patent/JPS62190872A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7381584B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-06-03 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and a method for fabricating the same |
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