JP2743452B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2743452B2 JP2743452B2 JP7527889A JP7527889A JP2743452B2 JP 2743452 B2 JP2743452 B2 JP 2743452B2 JP 7527889 A JP7527889 A JP 7527889A JP 7527889 A JP7527889 A JP 7527889A JP 2743452 B2 JP2743452 B2 JP 2743452B2
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板の裏面にリンを拡散させたリンゲ
ッタリングを行う半導体装置の製造方法に関する。
ッタリングを行う半導体装置の製造方法に関する。
本発明は、半導体基体の他方の主面にリンを導入して
不純物のゲッタリングを行う半導体装置の製造方法にお
いて、半導体基体の一方の主面にウェル領域の形成のた
めの不純物を導入した後、その他方の主面にリンを導入
し、熱酸化や電極形成を行うことにより、基体内の不純
物のゲッタリング効果の低下を防止する方法である。
不純物のゲッタリングを行う半導体装置の製造方法にお
いて、半導体基体の一方の主面にウェル領域の形成のた
めの不純物を導入した後、その他方の主面にリンを導入
し、熱酸化や電極形成を行うことにより、基体内の不純
物のゲッタリング効果の低下を防止する方法である。
シリコンウエハ等の半導体基体については、素子特性
に悪影響を与える金属等の不純物を除去することが望ま
しい。そのため、基体内の不純物を吸収するために、各
種のゲッタリング技術が半導体製造プロセスに適用され
ている。
に悪影響を与える金属等の不純物を除去することが望ま
しい。そのため、基体内の不純物を吸収するために、各
種のゲッタリング技術が半導体製造プロセスに適用され
ている。
このゲッタリング技術の１つとして、リン拡散を用い
たリンゲッタリング法がある。これは半導体基体の裏面
にリンを高濃度に拡散させ、不純物を吸収するものであ
る。
たリンゲッタリング法がある。これは半導体基体の裏面
にリンを高濃度に拡散させ、不純物を吸収するものであ
る。
最近の半導体装置においては、ｐウェルやｎウェル等
の領域を半導体基体に形成することが一般に行われてい
る。これらｐウェルやｎウェル等の領域を半導体基体に
形成するためには、通常、高温（例えば1100℃以上）の
ドライブイン拡散が行われる。
の領域を半導体基体に形成することが一般に行われてい
る。これらｐウェルやｎウェル等の領域を半導体基体に
形成するためには、通常、高温（例えば1100℃以上）の
ドライブイン拡散が行われる。
ところが、高温処理が行われるドライブイン拡散工程
をリンゲッタリング工程の後に行った場合、その高温処
理によって、基体の裏面のリンが拡散する。そのリンの
拡散の結果、基体裏面のリン濃度が低くなり、ゲッタリ
ング効果が低下してしまう。このようにゲッタリング効
果が低下したときでは、素子形成領域で結晶欠陥が生じ
易くなり、素子特性の劣化や歩留りの低下等の問題が発
生することになる。
をリンゲッタリング工程の後に行った場合、その高温処
理によって、基体の裏面のリンが拡散する。そのリンの
拡散の結果、基体裏面のリン濃度が低くなり、ゲッタリ
ング効果が低下してしまう。このようにゲッタリング効
果が低下したときでは、素子形成領域で結晶欠陥が生じ
易くなり、素子特性の劣化や歩留りの低下等の問題が発
生することになる。
そこで、本発明は上述の技術的な課題に鑑み、ゲッタ
リング効果の低下を防止するような半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
リング効果の低下を防止するような半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の半導体装置の
製造方法は、半導体基体の一方の主面にウェル領域形成
のための不純物を導入し、その半導体基体の他方の主面
にリンを導入し、その半導体基体の一方の主面上に熱酸
化膜を形成し、その熱酸化膜上に電極を形成することを
特徴とする。
製造方法は、半導体基体の一方の主面にウェル領域形成
のための不純物を導入し、その半導体基体の他方の主面
にリンを導入し、その半導体基体の一方の主面上に熱酸
化膜を形成し、その熱酸化膜上に電極を形成することを
特徴とする。
この本発明において、前記半導体基体としては、シリ
コンウエハ等の半導体基体を用いることができ、その不
純物の導入法としては例えば高温のドライブイン拡散が
挙げられる。その不純物は１種類に限定されず、多種類
でも良い。半導体基体の他方の主面にリンを導入する工
程は、PSG膜或いはPOCl3，P2O5等のガスを用いて高温で
リン拡散を行うことができる。また、イオン注入法によ
り不純物例えばリンを導入しても良い。前記熱酸化膜は
例えばゲート酸化膜である。なお、本発明では、ウエハ
領域形成のための不純物の導入の前に、予備的なゲッタ
リング（リンゲッタリングを含む。）を行うことも可能
である。また、特に本発明をCCD等を製造プロセスに適
用することができる。
コンウエハ等の半導体基体を用いることができ、その不
純物の導入法としては例えば高温のドライブイン拡散が
挙げられる。その不純物は１種類に限定されず、多種類
でも良い。半導体基体の他方の主面にリンを導入する工
程は、PSG膜或いはPOCl3，P2O5等のガスを用いて高温で
リン拡散を行うことができる。また、イオン注入法によ
り不純物例えばリンを導入しても良い。前記熱酸化膜は
例えばゲート酸化膜である。なお、本発明では、ウエハ
領域形成のための不純物の導入の前に、予備的なゲッタ
リング（リンゲッタリングを含む。）を行うことも可能
である。また、特に本発明をCCD等を製造プロセスに適
用することができる。
前記リンを半導体基体の他方の主面に導入すること
で、リンゲッタリングが行われる。ところで、ウェル領
域形成のための不純物の導入工程では所要の高温処理が
施されるが、その後にリンの導入を行うことによって、
リンの導入によるゲッタリングはウェル領域形成のため
の高温処理の影響を受けない。また、リンの導入による
ゲッタリングを熱酸化膜の形成の後に行う場合では、熱
酸化時にゲッター効果が期待できないため高品質の酸化
膜を形成できない。そこで、熱酸化膜の形成前にリンを
導入する。
で、リンゲッタリングが行われる。ところで、ウェル領
域形成のための不純物の導入工程では所要の高温処理が
施されるが、その後にリンの導入を行うことによって、
リンの導入によるゲッタリングはウェル領域形成のため
の高温処理の影響を受けない。また、リンの導入による
ゲッタリングを熱酸化膜の形成の後に行う場合では、熱
酸化時にゲッター効果が期待できないため高品質の酸化
膜を形成できない。そこで、熱酸化膜の形成前にリンを
導入する。
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例の半導体装置の製造方法では、初めに、第１
図ａに示すように、半導体基体としてのシリコンウエハ
１の表面1sにウェル領域２の形成を行う。このウェル領
域２はｐ型のウェル領域若しくはｎ型のウェル領域であ
る。ウェル領域２は、高温のドライブイン拡散によって
形成される。そのドライブイン拡散の温度は例えば1050
℃〜1100℃以上程度である。
図ａに示すように、半導体基体としてのシリコンウエハ
１の表面1sにウェル領域２の形成を行う。このウェル領
域２はｐ型のウェル領域若しくはｎ型のウェル領域であ
る。ウェル領域２は、高温のドライブイン拡散によって
形成される。そのドライブイン拡散の温度は例えば1050
℃〜1100℃以上程度である。
なお、このウェル領域２の形成のためのドライブイン
拡散の前に、シリコンウエハ１の裏面1bのゲッタリング
を行っても良い。そのゲッタリングはリンを用いたゲッ
タリングでも良い。
拡散の前に、シリコンウエハ１の裏面1bのゲッタリング
を行っても良い。そのゲッタリングはリンを用いたゲッ
タリングでも良い。
次に第１図ｂに示すように、シリコンウエハ１の他方
の主面である裏面1bにリンを高濃度に拡散させ、リンを
用いたゲッタリングを行って、重金属等の不純物元素ｍ
を吸収する。このようにドライブイン拡散を行った後
に、裏面1bに高濃度にリンを拡散させたリンゲッタリン
グを行うことで、その裏面1bのリン濃度を高濃度に保つ
ことができ、ゲッタリング効果を大きく維持することが
できる。
の主面である裏面1bにリンを高濃度に拡散させ、リンを
用いたゲッタリングを行って、重金属等の不純物元素ｍ
を吸収する。このようにドライブイン拡散を行った後
に、裏面1bに高濃度にリンを拡散させたリンゲッタリン
グを行うことで、その裏面1bのリン濃度を高濃度に保つ
ことができ、ゲッタリング効果を大きく維持することが
できる。
このようなリンゲッタリングの工程の後に、第１図ｃ
に示すように、熱酸化であるゲート酸化を行う。このゲ
ート酸化によって、シリコンウエハ１の表面1sにゲート
酸化膜３が形成される。ゲート酸化をリンゲッタリング
の後に行うことにより、その表面1sのゲート酸化膜３を
良質にすることができる。
に示すように、熱酸化であるゲート酸化を行う。このゲ
ート酸化によって、シリコンウエハ１の表面1sにゲート
酸化膜３が形成される。ゲート酸化をリンゲッタリング
の後に行うことにより、その表面1sのゲート酸化膜３を
良質にすることができる。
次に、第１図ｄに示すように、ポリシリコン層をゲー
ト酸化膜３上に形成し、そのポリシリコン層をパターニ
ングしてゲート電極４を形成する。そのゲート電極４に
より素子はMOS構造にされる。以下、通常の半導体装置
製造工程を経て、所要の半導体装置が形成される。
ト酸化膜３上に形成し、そのポリシリコン層をパターニ
ングしてゲート電極４を形成する。そのゲート電極４に
より素子はMOS構造にされる。以下、通常の半導体装置
製造工程を経て、所要の半導体装置が形成される。
本発明の半導体装置の製造方法では、ウェル領域形成
の後であって、ゲート熱酸化の前に、ゲッタリングのた
めのリンが半導体基体の他方の主面に導入される。この
ため、その他方の主面でのリン濃度が低下することもな
く、ゲッタリング効果が低下することもない。その結
果、半導体装置製造工程において、素子の特性向上や、
結晶欠陥の発生の抑制、或いは歩留り向上等を図ること
が可能となる。
の後であって、ゲート熱酸化の前に、ゲッタリングのた
めのリンが半導体基体の他方の主面に導入される。この
ため、その他方の主面でのリン濃度が低下することもな
く、ゲッタリング効果が低下することもない。その結
果、半導体装置製造工程において、素子の特性向上や、
結晶欠陥の発生の抑制、或いは歩留り向上等を図ること
が可能となる。
第１図ａ〜第１図ｄは本発明の半導体装置の製造方法の
一例をその工程に従って順に説明するためのそれぞれ工
程断面図である。 １…シリコンウエハ ２…ウェル領域 ３…ゲート酸化膜 ４…ゲート電極 ｍ…不純物元素
一例をその工程に従って順に説明するためのそれぞれ工
程断面図である。 １…シリコンウエハ ２…ウェル領域 ３…ゲート酸化膜 ４…ゲート電極 ｍ…不純物元素
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基体の一方の主面にウェル領域形成
のための不純物を導入し、その半導体基体の他方の主面
にリンを導入し、その半導体基体の一方の主面上に熱酸
化膜を形成し、その熱酸化膜上に電極を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7527889A JP2743452B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7527889A JP2743452B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252242A JPH02252242A (ja) | 1990-10-11 |
| JP2743452B2 true JP2743452B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=13571604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7527889A Expired - Fee Related JP2743452B2 (ja) | 1989-03-25 | 1989-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743452B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-25 JP JP7527889A patent/JP2743452B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02252242A (ja) | 1990-10-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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