JPS62188317A - 位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ方法

Info

Publication number
JPS62188317A
JPS62188317A JP61030516A JP3051686A JPS62188317A JP S62188317 A JPS62188317 A JP S62188317A JP 61030516 A JP61030516 A JP 61030516A JP 3051686 A JP3051686 A JP 3051686A JP S62188317 A JPS62188317 A JP S62188317A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
light
mark
wafer
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61030516A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0685387B2 (ja
Inventor
Mitsuo Tabata
光雄 田畑
Toru Tojo
東条 徹
Hiroaki Shimozono
裕明 下薗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokyo Optical Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Optical Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61030516A priority Critical patent/JPH0685387B2/ja
Priority to KR1019870001083A priority patent/KR900003250B1/ko
Priority to CN87100831A priority patent/CN1018866B/zh
Priority to EP87301323A priority patent/EP0233089B1/en
Priority to DE8787301323T priority patent/DE3780838T2/de
Publication of JPS62188317A publication Critical patent/JPS62188317A/ja
Priority to US07/214,821 priority patent/US4811062A/en
Publication of JPH0685387B2 publication Critical patent/JPH0685387B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049Technique, e.g. interferometric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、2つの物体の位置合わせ方法に係わり、特に
パターン転写に用いられるマスクとウェハとのアライメ
ント等に好適する位置合わせ方法に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、LSI等の半導体素子の回路のパターンの微細化
に伴い、パターン転写手段として、高解像性能を有する
光学式投影露光装置が広く使用されるようになっている
。この装置を用いて転写を行う場合、露光に先立ってマ
スクとウェハとを高精度で位置合わせ(マスクアライメ
ント)する必要がある。
マスクアライメントを行う方法としては、投影光学系と
は異なる他の光学系(oHaxis顕微鏡〉を用い、ウ
ェハ上に予め形成したマークを検出してウェハを位置決
めし、その後ウェハを投影光学系の視野内の所定の位置
に高精度に移動させて予め正確に位置決めされたマスク
との位置合わせを行うoff−axis方式と、マスク
とウェハに予め形成された位置合わせマークを投影光学
系を通して検出し、直接マスクとウェハとを位置合わせ
するT T L (through the 1ens
)方式とがある。
off−axis方式は、アライメントの回数が少ない
ため、アライメントに要する時間が少なく、スループッ
ト(処理速度)が大きいと云う利点を持つ。しかし、位
置合わせされたウェハを転写すべき位置まで正確な距離
だけ移動させる必要があり、他に絶対測長系を設けなく
てはならず、誤差要因が増え、高い精度で位置合わせを
することが難しい。そこで最近では、より高精度なアラ
イメントを行うために、TTL方式のようにマスク及び
ウェハのマークを投影光学系を通して検出し、直接アラ
イメントする方式が有力となっている。
TTL方式のアライメント方法の一つとして、2つのグ
レーティングマークを重ね合わせる方法(文献G 、 
D ubroeucq、1980 M E 、 W 、
 R。
T rutna、J r、1984  S P I E
等)がある。これは、第15図に示す如く、グレーティ
ング状マーク21.22’が形成され投影レンズ3を挟
んで対向配置されたマスク2とウェハ4に対し、アライ
メント用の光を入射させ2つのマーク21.22′で回
折した光を、光電検出器16により検出することによっ
て、2つのグレーティングマーク21.22’の重なり
状態、つまり相対位置を検出する方法である。
この方法によれば、第16図に示す如く2つのグレーテ
ィングマーク21.22’ が重なり合った状態(或い
は半ピツチずれた状態)で、信号強度が最大く或いは最
小)となる。従って、最大値(或いは最小値)を精度良
く検出できる信号処理(例えば振動型同期検波処理等)
によって高精度なアライメントが可能となる。
ところで、このようなグレーティングマークを用いたT
TLアライメント方式では、以下に示すような問題があ
った。つまり、通常の投影レンズは露光波長についての
み全ての収差が最小になるように設計されているが、そ
の他の波長に対しては色収差が存在する。一方、上記の
アライメント方式では、光源としてはコヒーレント性の
良いレーザが用いられるが露光用光源には水銀ランプを
用いるため、2つの光源の波長を全く同一とすることは
難しい。このため、アライメント光に対しては色収差が
無視できなくなり、結像位置関係、即ちフォーカス位置
で露光波長とは異なり、デフォーカスした状態で位置検
出をしなければならない。従来、このようにデフォーカ
ス状態で位置検出すると、十分な検出感度が得られず再
現性も悪−〇− かった。また、2つの波長の違いが大きくなると、光路
長を補正する等の収差補正手段が必要となり、装置が複
雑化し誤差要因も増える。即ち、アライメント用光の波
長を露光波長と同一にすることができないことによって
、投影レンズの収差の影響を受けることが大きな問題と
なっていた。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、位置合わせ用の光の波長が光学系に合
った波長と異なった場合でも、2つの物体の相対位置を
高精度に検出することができ、位置合わせ精度の向上を
はかり得る位置合わせ方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、位置合わせマークを用いたTTLアラ
イメント方式において、アライメント光として光学系に
合った波長と異なる波長の光を用いても、光学系(投影
レンズ)の色収差の影響を無視できるように、位置合わ
せマークを市松状に形成したことにある。
即ち本発明は、(光学系を介して)第1の物体側にある
パターンと第2の物体側のパターンとの位置合わせを行
う方法において、第1の物体側にあるパターンの所定位
置に位置合わせマークとしてグレーティングパターンを
設け、第2の物体側にあるパターンの上記位置と共役な
関係にある位置に位置合わせマークとして市松状グレー
ティングパターンを設けておき、露光用照明光等とは波
長の異なる位置合わせ用の光で第2の物体側のマークを
照明し、該マークからの回折光を(前記光学系を通して
)第1の物体側のマークに導き、その回折光の光強度を
検出して前記2つのパターンの相対位置を検出するよう
にした方法である。
(発明の効果) 本発明によれば、位置合わせ用光に対する光学系(投影
レンズ〉の色収差によって生じるデフォーカスの影響を
無くす、若しくは極めて少なくすることができる。この
ため、投影レンズの色収差に起因する位置検出誤差の発
生を未然に防止することができ、2つの物体の位置合わ
ぜを高精度に行うことができる。しかも、第2の物体側
の位置合わせマークとして市松状パターンを用いている
ので、同じパターンサイズのマークで従来の2倍の検出
感度が得られ、高精度の位置検出に極めて有効である。
また、2つの物体間に光学系がない場合であっても、該
物体間の距離の変動に起因する位置検出誤差の発生を未
然に防止することができ、高精度の位置検出に有効であ
る。
また、マスク・ウェハのアライメントに適用した場合、
アライメント光の波長を露光用照明光の波長とは異なる
ものとすることができるので、ウェハ上のレジスト内で
のアライメント光の吸収を防ぐことができ、アライメン
ト時によるレジストの露光を防止すると共に、光電検出
器等の受光光量を十分大きクシ得る等の利点がある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する 第1図は本発明の一実論例方法に使用した縮小投影露光
装置を示す概略構成図である。図中1は露光用照明光学
系、2は第1の物体としてのマスク(或いはレチクル)
、3は縮小投影レンズ、4は第2の物体としてのウェハ
、5は移動テーブルである。10はアライメント信号検
出系であり、このアライメント信号検出系10はアライ
メント用レーザ光源11.空間フィルタリングミラー1
2、光偏向機構140反射ミラー15.光電検出器16
及び信号処理回路17等から構成される。
また、マスク2及びウェハ4には、それぞれ位置合わせ
用のマーク21.22が形成されている。
ここで、マスク2に設けられたマーク21は第2図に示
す如きグレーティングパターンであり、ウェハ4に設け
られたマーク22は第3図に示す如く市松状のグレーテ
ィングパターンである。
一方、アライメント光の光路は次のようになっている。
アライメント用照明系10のレーザ光源11から出た光
は、ハーフミラ−として機能する空間フィルタリングミ
ラー12及び投影レンズ3を経て、ウェハ4上に設けら
れたマーク22を照明する。その反射光は再び投影レン
ズ3及び空間=10− フィルタリングミラー12を通り、光偏向機構14を経
てマスク2に設けられたマーク21上に達し、そこでウ
ェハマーク22の像を結ぶ。そして、マスクマーク21
からの回折光が反射ミラー15を介して光電検出器16
により検出され、信号処理回路17により信号処理され
ることによって、位置合わせマーク21.22の相対位
置が検出されるものとなっている。
ここで、上記空間フィルタリングミラー12は、第4図
に示す如く透過領域12aと反射領域12bとの2つで
構成されている。また、この空間フィルタリングミラー
12は、パターン露光の際には影響しないように、露光
光に対しては全透過となるダイクロイックミラーである
か、或いは露光の際に第1図中の実線破線矢印方向に露
光領域外まで移動可能なものとなっている。
次に、上記構成の投影露光装置を用いたアライメント方
法について説明する。
レーザ光8111から出たレーザ光24は、空間フィル
タリングミラー12で反射し、投影レンズ3を経てウェ
ハ4上のマーク22を照明する。ウェハ4で反射した回
折光は再び投影レンズ3.空間フィルタリングミラー1
2、さらに光偏向機構14を通ってマスク2上のマーク
21の位置に結像される。ここで、ウェハマーク22を
第3図に示す如く市松状グレーティングパターンとした
ときに、投影レンズ3のフーリエ変換面における回折格
子パターンは、±1次光までをとると第5図に示す如く
なる。即ち、2次元的なパターンとなり、(±1.0>
、(0,±1)次光の強度はゼロで、(0,0)、(±
1.±1)次光のみとなる。これらの回折光23は空間
フィルタリングミラー12を通るが、このミラー12で
は第4図に示すように一部分の回折光しか透過できない
。従って、空間フィルタリングミラー12を透過し、強
度がゼロでない回折光は2つ、例えば(1゜1)、(−
1,1)だけとなり、この2つの回折光が光偏向機構1
4を経てマスクマーク21上に達する。そこで再びマス
クマーク21のグレーティングで回折し、その透過回折
光は光電検出器16で検出され、信号処理回路17で処
理される。
このように変則的ではあるが、2つのマークの重ね合わ
せにより、従来知られている(文献G。
D ubroeucq、1980.M E 、 W、 
R、T rutra、J r。
1984.5PIE)211回折格子を利用したアライ
メント法と同様に高精度な位置検出ができる。即ち、マ
スクマーク21を透過した2重回折光には、2つの位置
合わせマーク21.22の位置情報、つまりマスク2と
ウェハ4との位置ずれ情報が含まれており、回折光強度
を調べることにより、その位置情報を得ることができる
。例えば、0次回折光強度と位置ずれ量との関係は第6
図に示す如くなる。つまり、O次回折光強度が最大とな
るよう位置補正を行うことにより、マスク2とウェハ4
とを高精度に位置合わせすることが可能となる。
従って、この回折光を検出する光電検出器16の信号を
元に信号処理回路17により信号処理を行うことによっ
て、位置検出信号を得ることができる。このときの信号
処理の手法としては、−例として光束を一定の周波数で
振動させて信号を変調し、その周波数について同期検波
検波する方法がある。本実施例では、その振動機構(前
記光偏向機構14)として第8図に示す如くプレーンパ
ラレルを振動させている。つまり、振動するプレーンパ
ラレル14をマスク2とウェハ4との間に配置し、ウェ
ハ4で反射して戻ってくるアライメント光の光路が振動
に同期して変化するようにする。光電検出器16で得ら
れる信号は、この振動数に同期した変m信号となるので
、第8図のような構成(振動プレーンパラレル14の発
振源である発振器33からの参照信号を元に光電検出器
アンプ31からの出力信号を同期検波回路32により同
期検波処理する構成)とすることにより、信号の同期検
波処理が可能となる。同期検波処理後の出力は、例えば
O次光強度について考えると、位置ずれ最に対して第9
図に示すようなS次曲線となり、特に位置ずれ量ゼロを
クロスする直線となるため、非常に高精度な位置合わせ
をすることが可能となる。
ところで、本実施例における特徴は、ウエハマ−ク22
のパターンを市松状としたために回折パターンが第5図
に示すようなパターンとなること、ウェハ4からの回折
光の一部分のみを利用することにある。このため、マス
ク2に入射するウェハ4からの反射光の結像状態は第7
図に示す如く2光束の干渉となり、デフォーカスに対す
る許容度が極めて大きくなる。その結果、前:!シた投
影レンズ3の色収差によってアライメント光に対するフ
ォーカス位置がf1或いはf2になったとしても、アラ
イメントの検出信号は殆ど光の影響を受けない。ちなみ
に、第17図に示すような従来のウェハマークとして用
いられている2次元パターンをマークを用いた場合のマ
スクを透過したO次回折光強度は理論解析によれば次式
1oで与えられ、デフォーカスZに大きく依存する。
一方、本実施例に示すように市松状グレーティングパタ
ーンをウェハマーク22として用い、2光束のみを利用
した場合のマスク2を透過した0次回折光強度は次式I
cで与えられ、デフォーカスに依存しない。
但し、上式において、Ioは回折効率で決定される光量
、Pは回折格子のピッチ、λはアライメント光の波長、
Xはマスク2とウェハ4との相対位置、Zはデフォーカ
ス量である。従って、アライメント光に対する投影レン
ズ3の色収差による位置検出誤差の発生を未然に防止す
ることができる。
また、上式からも判るように本実施例方法によれば、回
折光強度1cの検出位置Xに対する変化は(2X/P)
の周期関数、即ち1ピツチの中に2周期現われることに
なる。つまり、従来法が(x/P)の周期関数、即ち1
ピツチの中に1周期現われるのに比較すると、本実施例
では同じパターンサイズのマークで従来の2倍の検出感
度が得られることになる。マークを形成するパターンサ
イズの微細化には限界があることから考えて、このこと
はマスク・ウェハのアライメントの高精度化に対して極
めて有益となる。
さらに、本実施例方法によれば、アライメント光の波長
を露光波長とはかなり異なった波長とすることができる
ので、アライメント検出中にウェハ4上のレジストが感
光するのを防ぐことができる。このため、アライメント
光はレジスト内で殆ど吸収されず、信号の検出に十分な
光量を得ることができる。また、マーク部が露光されな
いためにマークの保護が容易になる等の利点がある。
かくして本実施例方法によれば、位置合わせマークを用
いたTTLアライメント法で従来問題となっていたアラ
イメント光に対する投影レンズ3の色収差に起因する位
置検出誤差の発生を防止若しくは極めて少なくすること
ができ、マスク2とウェハ4との相対位置を極めて高精
度で検出することができ、高精度な位置合わせが可能と
なる。
さらに、上述した如く数多くの付加的な利点を有し、投
影露光装置の性能を大幅に向上させることができる。
第10図は本発明の他の実施例方法を説明するためのも
ので、縮小投影露光装置を示す概略構成図である。なお
、第1図と同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。
この実施例方法が先に説明した実施例方法と異なる点は
、空間フィルタリングミラー12の代りにハーフミラ−
18を設けた点と、検出光学系の光路の途中に折返しミ
ラー13a、13bを設けた点である。折返しミラー1
3a、13bは第11図に拡大して示すように、ウェハ
マーク22からの反射回折光23の一部分のみを反射す
る構造となっている。その他の構成については、先の実
施例と同じであり、マスク2上の位置合わせマーク22
及びウェハ4上の位置合わせマーク22のパターンとも
前記第2図及び第3図に示すものと同様のパターンであ
る。
このような構成とすれば、先の実施例方法と略同様のア
ライメントが可能となる。即ち、この実施例方法では空
間フィルタリングミラー12の代りにハーフミラ−18
を用いているため、ここではウェハ4から反射し投影レ
ンズ3に入射する全ての回折光を透過するが、その後の
ハーフミラ−13a、13bでは一部の回折光、例えば
(1゜1)、(−1,1)次光だけが反射するようにな
っている。このため、マスク2上に結像する像は、先の
実施例と同様に第7図に示す如き2光束の干渉となり、
やはりデフォーカスに対する許容度が大きくなる。従っ
てこの実施例方法によっても、先の実施例方法と同様の
効果を得ることができ、高精度な位置合わせが可能とな
る。
なお、本発明は上述した各実施例方法に限定されるもの
ではない。例えば、最初の実施例において空間フィルタ
リングミラーの代りに単純なハーフミラ−を使用しても
よい。この場合には、ウェハからの反射回折光は全て(
但し投影レンズに入射可能な次数まで)マスク上の位置
合わせマークに達するので、2光束の干渉とはならない
。このために、デフォ−・カスに対する影響の効果は少
なくなるが、回折光強度の検出位置Xに変化は先の実施
例と同様に1ピツチの中に2周期現われることには変り
ない。従って、アライメントの検出感度を2倍に高める
ことができ、アライメント検出の高精度化に大いに役立
つ。
また、前記ウェハのアライメントマークを照明する手段
としては、第12図に示す如き方法を用いることができ
る。第12図(a)はアライメント照明光がマスク2を
透過してハーフミラ−18を透過し、投影レンズ3を経
てウェハマークを照明している。第12図(b)はハー
フミラ−18の下からアライメント光を入射させてミラ
ー13b、投影レンズ3を経てウェハマークを照明して
いる。第12図(C)はハーフミラ−18の上からアラ
イメント光を入射させて検出側と丁度逆の光路を通って
ウェハマークを照明している。
これらの照明方法の違いがあっても、検出信号の出力特
性は本質的に違わない。これ以外にも、種々の照明方法
が可能である。
一方、信号の変調方法としては実施例ではプレーンパラ
レルを振動させて光の位置を振動させる方法を取ってい
るが、振動ミラーを用いても同様のことである。光の位
置を振動させる代りに、マスク或いはウェハを水平方向
に振動させることもできる。また、位相の異なる2組の
マークを交互に照明することによっても、光の位置を振
動させる方法と同じ効果を得ることができる。さらに、
実施例ではマスク上の位置合わせマークのパターンを1
次元的なものとしたが、これを第3図に示すような市松
状パターン、或いは第17図に示すような2次元的パタ
ーンとしてもよい。また、実施例ではウェハ上の位置合
わせマークのパターンは第3図に示す如く正方形の組合
わせで構成される市松状パターンとしたが、第13図に
示すように長方形の組合わせで構成される市松状グレー
ティングパターンとしてもよい。
また、マスク・ウェハの位置合わせに限らず、光学系を
介して対向配置された2つの物体間の位置合わせに適用
することが可能である。さらに、2つの物体間に光学系
が存在しなくても、第14図<a)に示す如く第1及び
第2の物体2.4が近接配置されている場合には、本発
明を適用することができる。この場合、少なくとも第2
の物体4側のマーク22を市松状グレーティングパター
ンとすることにより、2つの物体2,4間の距離の変動
に起因する位置検出誤差の発生を抑えることができ、位
置合わせ精度の向上をはかることが可能となる。即ち、
第14図(a)に示す状態ではX方向に対する検出出力
の変化は同図(b)中実線に示す如くなるが、マーク2
1.22が単なるグレーティングパターンであると、2
つの物体2.4間の距離dの変動により検出信号が第1
4図(b)中破線に示す如くなり、これにより位置検出
誤差が発生する。そこで、第2の物体4側のマーク22
を市松状グレーティングパターンとすることにより、距
離dの変動に起因する検出信号の変化をなくし、若しく
は少なくすることができ、位置合わせ精度の向上をはか
り得るのである。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例方法に使用した縮小投影露光
装置を示す概略構成図、第2図は位置合わせマークとし
て用いるマスクマークの形状を示す平面図、第3図は位
置合わせマークとして用いるウェハマークの形状を示す
平面図、第4図は空間フィルタリングミラーの構造を示
す概略図、第5図はウェハマークからの反射回折光の回
折像のパターンを示す平面図、第6図はO次回折光強度
の位置ずれに対する出力特性を示す模式図、第7図はマ
スク面に入射する回折光の結像状態を示す模式図、第8
図は振動プレーンパラレルを用いて信号の同期検波処理
を行うための概略構成図、第9図は同期検波出力の位置
ずれに対する出力特性を示す信号波形図、第10図は他
の実施例方法に使用した縮小投影露光装置を示す概略構
成図、第11図はウェハマークからの反射光と折返しミ
ラーとの関係を示す模式図、第12図乃至第14図はそ
れぞれ変形例を説明するための図、第15図は従来のア
ライメント検出原理を説明するための模式図、第16図
は位置ずれに対する出力特性を示す信号波形図、第17
図は従来用いられているウェハマークパターンを示す平
面図である。 1・・・露光用照明光学系、2・・・マスク(第1の物
体)、3・・・縮小投影レンズ(投影光学系)、4・・
・ウェハ(第2の物体)、5・・・移動テーブル、10
・・・アライメント信号検出系、11・・・レーザ光源
(アライメント用照明系)、12・・・空間フィルタリ
ングミラー、13・・・折返しミラー、14・・・光偏
向機構、16・・・光電検出器、17・・・信号処理回
路、21・・・グレーティングパターン(位置合わせマ
ーク)、22・・・市松状グレーティングパターン(位
置合わせマーク)。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第4図 特開口8G2−188:(17(8) 第6図 第5図 (−1,1)々i    (1,1)皮も(a) 第15図 第14図 第16図 ■閣■■■ ■■■■■ ■■■■■ 第17図 手続補正書 昭和61年4月 4日 特許庁長官  宇 賀 道 部 殿 16事件の表示 特願昭61−30516号 2、発明の名称 位置合わせ方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 (,107)  株式会社 東芝(ほか1名)4、代理
人 東京都港区虎ノ門1丁目26番5号 第17森ビル7、
補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 2、特許請求の範囲 (1)第1の物体側にあるパターンと第2の物体側にあ
るパターンとの位置合わせを行う方法において、前記第
1及び第2の物体側にあるパターンは位置合わせマーク
としてそれぞれグレーティングパターンを持ち、且つ少
なくとも第2の物体側にあるパターンは位置合わせマー
クとして市松状グレーティングパターンを持ち、位置合
わせ用の光で第2の物体側のマークを照明し、該マーク
からの回折光を第1の物体側のマークに導き、その回折
光の光強度を検出して前記2つのパターンの相対位置を
検出することを特徴とする位置合わせ方法。 (2)  前記第1及び第2の物体は、光学系を挟んで
対向配置されることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の位置合わせ方法。 (3)前記第1の物体側のマークに導かれる回折光は、
空間フィルターにより2光束に選択された光であること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載の位置合わせ方
法。 (4)前記第1の物体はパターン転写用のマスクであり
、前記第2の物体は上記マスクに対向配置されたウェハ
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項
又は第3項記載の位置合わせ方法。 (5)前記光学系は、投影露光光学系であることを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の位置合わせ方法。 (6)前記位置合わせ用の光の波長は、露光波長とは実
質的に異なることを特徴とする特許請求の範囲第5項記
載の位置合わせ方法。 (7)前記位置合わせ用の光は、レーザ光であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記
載の位置合わせ方法。 (8)前記第1の物体側にある位置合わせマークは透過
型であり、前記第2の物体側にある位置合わせマークは
反射型であることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項又は第3項記載の位置合わせ方法。 (9)前記検出する回折光は、ゼロ次回折光であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項
記載の位置合わせ方法。 (■0)前記市松状グレーティングパターンは、複数の
正方形パターン或いは複数の長方形パターンの組合わせ
で構成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項又は第3項記載の位置合わせ方法。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 手続補正書 昭季口     A≧20戸j、148特許庁長官  
黒 1)明 雄 殿 1、事件の表示 特願昭61−30516号 2、発明の名称 位置合わせ方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (037)  株式会社  東  芝(ほか1名)4、
代理人 東京都千代田区霞が関3丁目7番2号UBEビル6、補
正により増加する発明の数 1 8、補正の内容 (1)特許請求の範囲の記載を別紙の通りに訂正する。 (2)明細書の第15頁17〜18行目の式を下記の通
りに訂正する。 記 2、特許請求の範囲 (1〉  第1の物体側にあるパターンと第2の物体側
にあるパターンとの位置合わせを行う方法において、前
記第1及び第2の物体側にあるパターンは位置合わせマ
ークとしてそれぞれグレーティングパターンを持ち、且
つ少なくとも第2の物体側にあるパターンは位置合わせ
マークとして市松状グレーティングパターンを持ち、位
置合わせ用の光で第2の物体側のマークを照明し、該マ
ークからの回折光を第1の物体側のマークに導き、その
回折光の光強度を検出して前記2つのパターンの相対位
置を検出することを特徴とする位置合わせ方法。 (2)前記第1及び第2の物体は、光学系を挟んで対向
配置されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の位置合わせ方法。 (3)前記第1の物体側のマークに導かれる回折光は、
空間フィルターにより2光束に選択された光であること
を特徴とする特許請求の範囲第2項記載の位置合わせ方
法。 (4)前記第1の物体はパターン転写用のマスクであり
、前記第2の物体は上記マスクに対向配置されたウェハ
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項
又は第3項記載の位置合わせ方法。 (5)前記光学系は、投影露光光学系であることを特徴
とする特許請求の範囲第4項記載の位置合わせ方法。 (6)前記位置合わせ用の光の波長は、露光波長とは実
質的に異なることを特徴とする特許請求の範囲第5項記
載の位置合わせ方法。 (7)前記位置合わせ用の光は、レーザ光であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記
載の位置合わせ方法。 (8)前記第1の物体側にある位置合わせマークは透過
型であり、前記第2の物体側にある位置合わせマークは
反射型であることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項又は第3項記載の位置合わせ方法。 (9)前記検出する回折光は、ゼロ次回折光であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項
記載の位置合わせ方法。 (10)前記市松状グレーティングパターンは、複数の
正方形パターン或いは複数の長方形パターンの組合わせ
で構成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
第2項又は第3項記載の位置合わせ方法。 位置合わせ方法。
JP61030516A 1986-02-14 1986-02-14 位置合わせ方法 Expired - Fee Related JPH0685387B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61030516A JPH0685387B2 (ja) 1986-02-14 1986-02-14 位置合わせ方法
KR1019870001083A KR900003250B1 (ko) 1986-02-14 1987-02-10 제 1 물체와 제 2 물체와의 상대위치 맞춤방법 및 이 방법을 실시하기 위한 장치
CN87100831A CN1018866B (zh) 1986-02-14 1987-02-14 一种用于对准掩膜和硅片的相关位置的方法及实现该方法的装置
EP87301323A EP0233089B1 (en) 1986-02-14 1987-02-16 Method for aligning first and second objects relative to each other, and apparatus for practicing this method
DE8787301323T DE3780838T2 (de) 1986-02-14 1987-02-16 Verfahren fuer die ausrichtung eines ersten und eines zweiten objektes, sowie vorrichtung fuer die verwendung.
US07/214,821 US4811062A (en) 1986-02-14 1988-07-01 Method for aligning first and second objects relative to each other and apparatus for practicing this method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61030516A JPH0685387B2 (ja) 1986-02-14 1986-02-14 位置合わせ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62188317A true JPS62188317A (ja) 1987-08-17
JPH0685387B2 JPH0685387B2 (ja) 1994-10-26

Family

ID=12305972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61030516A Expired - Fee Related JPH0685387B2 (ja) 1986-02-14 1986-02-14 位置合わせ方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4811062A (ja)
EP (1) EP0233089B1 (ja)
JP (1) JPH0685387B2 (ja)
KR (1) KR900003250B1 (ja)
CN (1) CN1018866B (ja)
DE (1) DE3780838T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6464319A (en) * 1987-09-04 1989-03-10 Toshiba Corp Aligning device
JP2011103448A (ja) * 2009-09-29 2011-05-26 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ装置

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744101A (en) * 1989-06-07 1998-04-28 Affymax Technologies N.V. Photolabile nucleoside protecting groups
US6309822B1 (en) 1989-06-07 2001-10-30 Affymetrix, Inc. Method for comparing copy number of nucleic acid sequences
US6551784B2 (en) 1989-06-07 2003-04-22 Affymetrix Inc Method of comparing nucleic acid sequences
US6416952B1 (en) 1989-06-07 2002-07-09 Affymetrix, Inc. Photolithographic and other means for manufacturing arrays
US6919211B1 (en) 1989-06-07 2005-07-19 Affymetrix, Inc. Polypeptide arrays
US5424186A (en) 1989-06-07 1995-06-13 Affymax Technologies N.V. Very large scale immobilized polymer synthesis
US5800992A (en) 1989-06-07 1998-09-01 Fodor; Stephen P.A. Method of detecting nucleic acids
US5143854A (en) 1989-06-07 1992-09-01 Affymax Technologies N.V. Large scale photolithographic solid phase synthesis of polypeptides and receptor binding screening thereof
US6346413B1 (en) 1989-06-07 2002-02-12 Affymetrix, Inc. Polymer arrays
US5925525A (en) * 1989-06-07 1999-07-20 Affymetrix, Inc. Method of identifying nucleotide differences
US6955915B2 (en) * 1989-06-07 2005-10-18 Affymetrix, Inc. Apparatus comprising polymers
US6406844B1 (en) 1989-06-07 2002-06-18 Affymetrix, Inc. Very large scale immobilized polymer synthesis
US6506558B1 (en) 1990-03-07 2003-01-14 Affymetrix Inc. Very large scale immobilized polymer synthesis
AU1248292A (en) * 1990-12-06 1992-07-08 Affymax Technologies N.V. Sequencing by hybridization of a target nucleic acid to a matrix of defined oligonucleotides
CH683109A5 (de) * 1991-06-10 1994-01-14 Matisa Materiel Ind Sa Messeinrichtung für Geleisebaumaschinen.
US6468740B1 (en) 1992-11-05 2002-10-22 Affymetrix, Inc. Cyclic and substituted immobilized molecular synthesis
US6849462B1 (en) 1991-11-22 2005-02-01 Affymetrix, Inc. Combinatorial strategies for polymer synthesis
US6943034B1 (en) 1991-11-22 2005-09-13 Affymetrix, Inc. Combinatorial strategies for polymer synthesis
FR2704660B1 (fr) * 1993-04-27 1995-07-13 Sgs Thomson Microelectronics Masques pour une machine d'insolation double face.
US7378236B1 (en) 1994-06-17 2008-05-27 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method for analyzing gene expression patterns
US7323298B1 (en) 1994-06-17 2008-01-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microarray for determining the relative abundances of polynuceotide sequences
US7625697B2 (en) * 1994-06-17 2009-12-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Methods for constructing subarrays and subarrays made thereby
US6545264B1 (en) 1998-10-30 2003-04-08 Affymetrix, Inc. Systems and methods for high performance scanning
JP4414535B2 (ja) * 2000-01-13 2010-02-10 進 野田 半導体装置の製造方法
US6441895B1 (en) * 2000-09-20 2002-08-27 Nortel Networks Limited Method and apparatus for precision three-dimensional opto-mechanical assembly
KR100555939B1 (ko) * 2003-06-30 2006-03-03 주식회사 대우일렉트로닉스 홀로그래픽 디지털 데이터 저장 시스템용 디스크 정렬장치 및 그 방법
CN102375351B (zh) * 2010-08-11 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种信号归一化掩模对准系统
FR2996487B1 (fr) * 2012-10-08 2014-11-28 Snecma Procede de marquage en surface d'une piece de moteur a turbine a gaz par une representation graphique predefinie
CN103412428B (zh) * 2013-07-24 2016-01-27 北京京东方光电科技有限公司 一种对位系统
CN103955124B (zh) * 2014-05-05 2017-07-14 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 一种光学精密系统的对准装置
CN106610570B (zh) * 2015-10-21 2020-11-13 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种实现运动台定位的装置及方法
EP3586189B1 (en) * 2017-02-23 2024-01-10 Nikon Corporation Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece
CN110095955A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种对准照明模块、对准装置、光刻机和对准方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3660157A (en) * 1969-08-18 1972-05-02 Computervision Corp Enhanced contrast semiconductor wafer alignment target
US3989385A (en) * 1974-09-16 1976-11-02 International Business Machines Corporation Part locating, mask alignment and mask alignment verification system
US4052603A (en) * 1974-12-23 1977-10-04 International Business Machines Corporation Object positioning process and apparatus
JPS5212577A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Automatic location device
DE2539206A1 (de) * 1975-09-03 1977-03-17 Siemens Ag Verfahren zur automatischen justierung von halbleiterscheiben
DE2845603C2 (de) * 1978-10-19 1982-12-09 Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren
DE2900921C2 (de) * 1979-01-11 1981-06-04 Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück
DE2905635C2 (de) * 1979-02-14 1987-01-22 Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz Einrichtung zum Positionieren eines Werkstückes in Z-Richtung beim Projektionskopieren
US4353087A (en) * 1979-03-12 1982-10-05 The Perkin-Elmer Corporation Automatic mask alignment
US4442388A (en) * 1980-04-02 1984-04-10 Optimetrix Corporation X-Y Addressable workpiece positioner having an improved X-Y address indicia sensor
EP0148477B1 (en) * 1983-12-26 1991-09-04 Hitachi, Ltd. Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece
US4557599A (en) * 1984-03-06 1985-12-10 General Signal Corporation Calibration and alignment target plate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6464319A (en) * 1987-09-04 1989-03-10 Toshiba Corp Aligning device
JPH0548932B2 (ja) * 1987-09-04 1993-07-22 Tokyo Shibaura Electric Co
JP2011103448A (ja) * 2009-09-29 2011-05-26 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ装置
US8529823B2 (en) 2009-09-29 2013-09-10 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography

Also Published As

Publication number Publication date
KR870008374A (ko) 1987-09-26
DE3780838D1 (de) 1992-09-10
EP0233089A2 (en) 1987-08-19
CN87100831A (zh) 1987-12-09
DE3780838T2 (de) 1993-03-04
JPH0685387B2 (ja) 1994-10-26
EP0233089B1 (en) 1992-08-05
CN1018866B (zh) 1992-10-28
KR900003250B1 (ko) 1990-05-12
US4811062A (en) 1989-03-07
EP0233089A3 (en) 1988-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62188317A (ja) 位置合わせ方法
JP2658051B2 (ja) 位置合わせ装置,該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法
US5184196A (en) Projection exposure apparatus
KR100547437B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스
US5214489A (en) Aligning device for exposure apparatus
JPH0642448B2 (ja) 位置合わせ方法
JPH09246160A (ja) 投影露光装置
US6294296B1 (en) Method and device for mutually aligning a mask pattern formed in a mask and a substrate
JP3368266B2 (ja) 投影露光装置
JP3218581B2 (ja) 位置決め方法、該方法を用いた露光方法及びデバイス製造方法、並びに前記製造方法で製造されたデバイス
JP2002022410A (ja) 位置検出方法及び装置
JPH10239015A (ja) 表面位置検出装置
US6313916B1 (en) Position detecting system and projection exposure apparatus with the same
JPS6258626A (ja) マスクアライメント方法
JP2539047B2 (ja) 位置合せ方法
JP3305058B2 (ja) 露光方法及び装置
JPH05226224A (ja) 露光装置の位置合わせ装置
JPH05226222A (ja) 露光装置の位置合わせ装置
JPH07311009A (ja) 位置検出装置
JP2550994B2 (ja) 位置合せ方法
JPH0797545B2 (ja) 投影露光装置用の光学的位置合わせ装置
JP3060604B2 (ja) 位置検出装置、および位置検出装置の調整方法
JPH03232216A (ja) 位置合わせ装置
JPH09250904A (ja) 位置検出装置
JPH01209721A (ja) 投影露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees