JPS62184640A - 光デイスク用透明基板 - Google Patents
光デイスク用透明基板Info
- Publication number
- JPS62184640A JPS62184640A JP61025945A JP2594586A JPS62184640A JP S62184640 A JPS62184640 A JP S62184640A JP 61025945 A JP61025945 A JP 61025945A JP 2594586 A JP2594586 A JP 2594586A JP S62184640 A JPS62184640 A JP S62184640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- epoxy
- mold
- type
- epoxy acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyloxy 2-methylprop-2-eneperoxoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OOOC(=O)C(C)=C POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 13
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 3
- -1 alkyl glycol Chemical compound 0.000 abstract description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 3
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1(C)O[SiH2]O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 ANZPUCVQARFCDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COXCGWKSEPPDAA-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)C#N COXCGWKSEPPDAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-OPQQBVKSSA-N [(1s,3r,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] prop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@H](OC(=O)C=C)C[C@H]1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-OPQQBVKSSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007869 azo polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光デイスク用透明基板に関するものである。さ
らに詳しくいえば、本発明は、光学特性。
らに詳しくいえば、本発明は、光学特性。
機械特性、温度や湿度に対する寸法安定性などに優几、
かつ成形時の硬化収縮が小さく、離型も容易な光デイス
ク用透明基板に関するものである。
かつ成形時の硬化収縮が小さく、離型も容易な光デイス
ク用透明基板に関するものである。
従来の技術
近年、光技術は、光の直進性、レーザー光のコヒーレン
ト性、あるいは伝播手段の容易性といつた点から、情報
伝達や情報処理の分野に応用さnておシ、急速にその応
用範囲が拡大しっつあシ、その応用の1つとして光メモ
リーを挙げることができる。この光メモリーは磁気メモ
リーに比べて、記憶容量で10倍以上、記憶保存期間で
10年と約3倍以上の寿命が期待できるなど優nた性能
を有している。該光メモリーの技術の1っに光ディスク
を用いた方式があシ、この方式には、現在再生専用型、
追加記録型、書き換え型の3種類がある。
ト性、あるいは伝播手段の容易性といつた点から、情報
伝達や情報処理の分野に応用さnておシ、急速にその応
用範囲が拡大しっつあシ、その応用の1つとして光メモ
リーを挙げることができる。この光メモリーは磁気メモ
リーに比べて、記憶容量で10倍以上、記憶保存期間で
10年と約3倍以上の寿命が期待できるなど優nた性能
を有している。該光メモリーの技術の1っに光ディスク
を用いた方式があシ、この方式には、現在再生専用型、
追加記録型、書き換え型の3種類がある。
この光ディスクを用いた方式の基本構成要素は光ディス
ク、回転サーボ系、元ヘッド、焦点サーボ系、トラック
サーボ系であるが、このうち光ディスクの精密製作技術
は最も重要な技術の1つである。
ク、回転サーボ系、元ヘッド、焦点サーボ系、トラック
サーボ系であるが、このうち光ディスクの精密製作技術
は最も重要な技術の1つである。
該光ディスクはプラスチック製の基板とその基板上に構
成された記録媒体から構成さnておシ、ディスクへの情
報は、一般に基板を透過した元が記録媒体に到達するこ
とによって行われ、さらに再生時には反射光が再び基板
を透過して検出部に戻ることによって記録が再生さrる
。したがって基板の性質が光ディスクの性能を大きく左
右する。
成された記録媒体から構成さnておシ、ディスクへの情
報は、一般に基板を透過した元が記録媒体に到達するこ
とによって行われ、さらに再生時には反射光が再び基板
を透過して検出部に戻ることによって記録が再生さrる
。したがって基板の性質が光ディスクの性能を大きく左
右する。
現在使用さnている基板には、アクリル樹脂製とポリカ
ーボネート樹脂製とがある。アクリル樹脂は樹脂ガラス
とも呼ばれ、その光透過率が高く、成形性にも優扛てい
て、注形や射出成形などによって任意の形に成形でき、
かつ成形温度によって着色することがないなどの長所を
有しているが。
ーボネート樹脂製とがある。アクリル樹脂は樹脂ガラス
とも呼ばれ、その光透過率が高く、成形性にも優扛てい
て、注形や射出成形などによって任意の形に成形でき、
かつ成形温度によって着色することがないなどの長所を
有しているが。
吸湿率が大きいという欠点がある。したがって、光ディ
スクの保存時に吸湿による性能低下の問題、すなわち該
ディスクの反りや湿度による伸縮などによシ正確な情報
が得らnにぐいという問題を伴う。
スクの保存時に吸湿による性能低下の問題、すなわち該
ディスクの反りや湿度による伸縮などによシ正確な情報
が得らnにぐいという問題を伴う。
一万、ポリカーボネート樹脂は吸湿性が小さくて、反り
の発生は少ないが、光デイスク成形時に分子鎖の配向や
残留応力による密度分布の異方性が起こり、と扛に起因
する複屈折が発生するという問題があり、したがってコ
ノビューターなどのメモリーとしては使用できず、オー
ディオ用のいわゆるコンパクトディスクとして使用さn
ている。
の発生は少ないが、光デイスク成形時に分子鎖の配向や
残留応力による密度分布の異方性が起こり、と扛に起因
する複屈折が発生するという問題があり、したがってコ
ノビューターなどのメモリーとしては使用できず、オー
ディオ用のいわゆるコンパクトディスクとして使用さn
ている。
このような従来の材料の欠点を克服するために、最近エ
ポキシ樹脂を光デイスク基板として用いる研究が進めら
nている。このエポキシ樹脂は優扛た耐熱性、耐水性、
低吸湿性を有し、かつ複屈折を生じにくい注型による基
板の成形が可能であるなどの理由から、今後の光デイス
ク基板用素材としては最適であると考えらnておシ、例
えば液状エポキシ樹脂を用いた透明基板から成る光ディ
スクが提案さnている(特開昭59−22248号公報
〕。
ポキシ樹脂を光デイスク基板として用いる研究が進めら
nている。このエポキシ樹脂は優扛た耐熱性、耐水性、
低吸湿性を有し、かつ複屈折を生じにくい注型による基
板の成形が可能であるなどの理由から、今後の光デイス
ク基板用素材としては最適であると考えらnておシ、例
えば液状エポキシ樹脂を用いた透明基板から成る光ディ
スクが提案さnている(特開昭59−22248号公報
〕。
しかしながら、エポキシ樹脂は一般に接着力が大きくて
、成形時の離型が困難であり、特に光デイスク用基板の
成形を行う場合、基板に必要な案内溝はピッチが約1.
6μm1深さが0.06〜0.1μm程度の極めて微細
な形状のため、薄い均一な離型膜を必要とすることから
、この離型処理が困難かつ煩雑になるのを免社ない。
、成形時の離型が困難であり、特に光デイスク用基板の
成形を行う場合、基板に必要な案内溝はピッチが約1.
6μm1深さが0.06〜0.1μm程度の極めて微細
な形状のため、薄い均一な離型膜を必要とすることから
、この離型処理が困難かつ煩雑になるのを免社ない。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、このようなエポキシ樹脂のもつ欠点を
克服し、光学特性、機械特性、温度や湿度に対する寸法
安定性に優れ、かつ成形時の硬化収縮が小さく、離型も
容易な光デイスク用透明基板を提供することにある。
克服し、光学特性、機械特性、温度や湿度に対する寸法
安定性に優れ、かつ成形時の硬化収縮が小さく、離型も
容易な光デイスク用透明基板を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、エポキシアクリレ
ート樹脂又はエポキシメタクリレート樹脂を主体とする
樹脂組成物を成形用型内で重合硬化させることによシ、
前記目的を達成しうろことを見出し、この知見に基づい
て本発明を成すに至った。
ート樹脂又はエポキシメタクリレート樹脂を主体とする
樹脂組成物を成形用型内で重合硬化させることによシ、
前記目的を達成しうろことを見出し、この知見に基づい
て本発明を成すに至った。
すなわち、本発明は、エポキシアクリレート樹脂又はエ
ポキシメタクリレート樹脂50重1%以上を含む樹脂組
成物を成形用型内で重合硬化させて成る光デイスク用透
明基板を提供するものである。
ポキシメタクリレート樹脂50重1%以上を含む樹脂組
成物を成形用型内で重合硬化させて成る光デイスク用透
明基板を提供するものである。
ここで、エポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタク
リレート樹脂とは、ビスフェノールAW、脂環式、アル
キルグリコール型などのエポキシ樹脂に、そのエポキシ
当量と実質的に等量のアクリル酸又はメタクリル酸を付
加させた樹脂をいう。
リレート樹脂とは、ビスフェノールAW、脂環式、アル
キルグリコール型などのエポキシ樹脂に、そのエポキシ
当量と実質的に等量のアクリル酸又はメタクリル酸を付
加させた樹脂をいう。
本発明においては、エポキシアクリレート樹脂又はエポ
キシメタクリレート樹脂として種々のものを用いること
ができるが、硬化樹脂の機械的物性、特に曲げ弾性、じ
ん性などの点から、ビスフェノールA型エポキシアクリ
レート又はメタクリレート樹脂が好適である。このよう
なエポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタクリレ−
)[脂は一般に粘度が150ポイズ以上であるので、成
形方法によっては取シ扱いの容易さの点から、反応性希
釈剤を用いるのが便利である。
キシメタクリレート樹脂として種々のものを用いること
ができるが、硬化樹脂の機械的物性、特に曲げ弾性、じ
ん性などの点から、ビスフェノールA型エポキシアクリ
レート又はメタクリレート樹脂が好適である。このよう
なエポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタクリレ−
)[脂は一般に粘度が150ポイズ以上であるので、成
形方法によっては取シ扱いの容易さの点から、反応性希
釈剤を用いるのが便利である。
この反応性希釈剤、とじてはラジカル重合性をもつモノ
マー類で粘度が100センチポイズ以下のものが好まし
く、例えばスチレン、メチルメタクリレート、イソブチ
ルメタクリレート、メチルアクリレート、ボルニルアク
リレート、ベンジルアクリレートなどのC−C二重結合
性の単官能モノマーや、ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチ
レンジアクリレート(例えば新中村化学社製A−4Gな
ど)、トリメチロールプロパントリアクリレートなどの
粘度の低い多官能モノマーを用いることができる。これ
らの反応性希釈剤を加える場合は、エポキシアクリレー
ト樹脂又はエポキシメタクリレート樹脂が重量基準で5
0%以上好ましくは80%以上含むようにしなければな
らない。エポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタク
リレートl脂の含有量が50重量%未満になると、耐熱
性や機械物性が下ったシ、硬化収縮が大きくなって、成
形時のヒケが著しくなる。また、800重量部上になる
と、若干金型からの離型が困難となる。このような場合
には、金型金離型処理する必要がある。
マー類で粘度が100センチポイズ以下のものが好まし
く、例えばスチレン、メチルメタクリレート、イソブチ
ルメタクリレート、メチルアクリレート、ボルニルアク
リレート、ベンジルアクリレートなどのC−C二重結合
性の単官能モノマーや、ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチ
レンジアクリレート(例えば新中村化学社製A−4Gな
ど)、トリメチロールプロパントリアクリレートなどの
粘度の低い多官能モノマーを用いることができる。これ
らの反応性希釈剤を加える場合は、エポキシアクリレー
ト樹脂又はエポキシメタクリレート樹脂が重量基準で5
0%以上好ましくは80%以上含むようにしなければな
らない。エポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタク
リレートl脂の含有量が50重量%未満になると、耐熱
性や機械物性が下ったシ、硬化収縮が大きくなって、成
形時のヒケが著しくなる。また、800重量部上になる
と、若干金型からの離型が困難となる。このような場合
には、金型金離型処理する必要がある。
この金型の離型処理としては、種々の方法を用いること
ができるが1例えば溶剤型シリコン離型剤(信越fヒ学
社製KS702、KS725など)あるいはエマルジョ
ン型シリコン離型剤(信越化学社製KM74.0など)
を溶剤、水などで3重量%以下の低濃度として塗布、浸
せきによシコートする方法や、ヘキサメチレンジクロテ
トラシロキサン、ビスジメチルアミノジメチルシラン、
ジメトキシジメチルシランなどの反応性シリコン化合物
を塗布したのち、焼付ける方法などが好ましく用いらn
る。
ができるが1例えば溶剤型シリコン離型剤(信越fヒ学
社製KS702、KS725など)あるいはエマルジョ
ン型シリコン離型剤(信越化学社製KM74.0など)
を溶剤、水などで3重量%以下の低濃度として塗布、浸
せきによシコートする方法や、ヘキサメチレンジクロテ
トラシロキサン、ビスジメチルアミノジメチルシラン、
ジメトキシジメチルシランなどの反応性シリコン化合物
を塗布したのち、焼付ける方法などが好ましく用いらn
る。
本発明においては、該エポキシアクリレート樹脂又はエ
ポキシメタクリレート樹脂50重量部以上を含む樹脂組
成物を成形用型内で重合硬化させるが、この際触媒とし
て、通常のラジカル重合開始剤を樹脂組成物に対して0
.01〜1重量%程度用いることが好ましい。このラジ
カル重合開始剤としては、例えばベンゾイルパーオキシ
ドやラウロイルパーオキシドなどの有機過酸化物や、ア
ゾビスイソブチロニトリル、 2.2’−アゾビス−
2,4−ジメチルバレロニトリルなどのアゾ系重合開始
剤が好適である。
ポキシメタクリレート樹脂50重量部以上を含む樹脂組
成物を成形用型内で重合硬化させるが、この際触媒とし
て、通常のラジカル重合開始剤を樹脂組成物に対して0
.01〜1重量%程度用いることが好ましい。このラジ
カル重合開始剤としては、例えばベンゾイルパーオキシ
ドやラウロイルパーオキシドなどの有機過酸化物や、ア
ゾビスイソブチロニトリル、 2.2’−アゾビス−
2,4−ジメチルバレロニトリルなどのアゾ系重合開始
剤が好適である。
このような樹脂組成物の成形法としては、例えば注型法
、トランスファー成形法、R工M(リアクシコンインジ
ェクション成形法)などを用いることができる。成形温
度は通常60〜150℃、好筐しぐは80〜120℃の
範囲で選ばnる。
、トランスファー成形法、R工M(リアクシコンインジ
ェクション成形法)などを用いることができる。成形温
度は通常60〜150℃、好筐しぐは80〜120℃の
範囲で選ばnる。
このようにして成形さnた透明基板の上に、直接的又は
間接的にメモリー機能膜がコートされる。
間接的にメモリー機能膜がコートされる。
間接的にコートされるとは、成形さnた透明基板の上に
、さらに同種又は異種のプラスチック層が一層以上積層
され、この上にメモリー機能膜がコートされることを意
味する。
、さらに同種又は異種のプラスチック層が一層以上積層
され、この上にメモリー機能膜がコートされることを意
味する。
該メモリー機能膜としては、Te、 Sb、 Bi。
Ge、 Ga、 AI、 Au、 Ptなどを主成分と
する金属膜や、有機色素系の薄膜などが挙げらnる。
する金属膜や、有機色素系の薄膜などが挙げらnる。
発明の効果
本発明の光デイスク用透明基板は、光透過率や複屈折な
どの光学特性に優れる、表面硬度、曲げ弾性、クリープ
性などの機械特性に優nる、温度や湿度に対する寸法安
定性に優扛る、成形時の硬化収縮が小さく、離型も容易
であるなどの優扛た特徴を有し、エラー率の低い、長期
安定性の良好なものである。
どの光学特性に優れる、表面硬度、曲げ弾性、クリープ
性などの機械特性に優nる、温度や湿度に対する寸法安
定性に優扛る、成形時の硬化収縮が小さく、離型も容易
であるなどの優扛た特徴を有し、エラー率の低い、長期
安定性の良好なものである。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
ビスフェノールA型エポキシアクリレート(犬阪有機化
学社裂ビスコ−) 540 ) 80重量部、スチレン
20重量部、 2.2’−アゾビス−2,4−ジメチ
ルバレロニトリル0.05重量部を50’Cで加温しな
がら混合した。
学社裂ビスコ−) 540 ) 80重量部、スチレン
20重量部、 2.2’−アゾビス−2,4−ジメチ
ルバレロニトリル0.05重量部を50’Cで加温しな
がら混合した。
一層よく洗浄したガラス板2枚を、シリコン離型剤KS
702(信越化学社製)の0.5重量%I−ルエン溶液
中に浸せきして引き上げ、150℃で焼付は処理を行っ
た。このガラス板2枚を型とし、塩ビ製バッキングを用
いて、前記組成物を注型し。
702(信越化学社製)の0.5重量%I−ルエン溶液
中に浸せきして引き上げ、150℃で焼付は処理を行っ
た。このガラス板2枚を型とし、塩ビ製バッキングを用
いて、前記組成物を注型し。
120℃で硬化させた。硬化物の物性は下記のとおシで
あり、元ディスク用基板としては優几たものであること
が分った。
あり、元ディスク用基板としては優几たものであること
が分った。
屈折率 1.55
複屈折 5 nm以下(at 830 nm )熱
変形温度 120℃ 曲げ弾性 300 Kg /m1!I鉛筆硬度 2
H 吸水率 0.3 %以下(24Hr水中浸せき)実
施例2 ビスフェノールA型エボキシメタクリレート(共栄社油
脂社製、エポキシエステル3002M)100重量部及
び2,2′−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリ
ル0.1重量部を混合したものをトランスファー成形機
によシ成形した。金型としては。
変形温度 120℃ 曲げ弾性 300 Kg /m1!I鉛筆硬度 2
H 吸水率 0.3 %以下(24Hr水中浸せき)実
施例2 ビスフェノールA型エボキシメタクリレート(共栄社油
脂社製、エポキシエステル3002M)100重量部及
び2,2′−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリ
ル0.1重量部を混合したものをトランスファー成形機
によシ成形した。金型としては。
光ディスク用ニッケルスタンパ−を用い、離型処理はヘ
キサメチルシクロテトラシロキサンを塗布後、120℃
、1時間の焼付けにより行った。成形は温度120℃、
射出圧100に9/dで行った。
キサメチルシクロテトラシロキサンを塗布後、120℃
、1時間の焼付けにより行った。成形は温度120℃、
射出圧100に9/dで行った。
この成形基板を用い、記録膜としてTe系相変態型感剤
を用いて光ディスクを作成した。得らnた光ディスクの
ビットエラー’iJj:3 X 10 .60℃、80
%RHでの劣化試験では100日以上の耐性を示し、P
MMA射出成形基板と比べ、吸湿による反りも著しく小
さかった。
を用いて光ディスクを作成した。得らnた光ディスクの
ビットエラー’iJj:3 X 10 .60℃、80
%RHでの劣化試験では100日以上の耐性を示し、P
MMA射出成形基板と比べ、吸湿による反りも著しく小
さかった。
Claims (1)
- 1 エポキシアクリレート樹脂又はエポキシメタクリレ
ート樹脂50重量%以上を含む樹脂組成物を成形用型内
で重合硬化させて成る光ディスク用透明基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61025945A JPS62184640A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光デイスク用透明基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61025945A JPS62184640A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光デイスク用透明基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184640A true JPS62184640A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12179893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61025945A Pending JPS62184640A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 光デイスク用透明基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62184640A (ja) |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP61025945A patent/JPS62184640A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61104346A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS62184640A (ja) | 光デイスク用透明基板 | |
JPS6198734A (ja) | 硬化性組成物 | |
JPH02289941A (ja) | 情報記録媒体用基板 | |
JPH01102502A (ja) | 光学用成形品 | |
JPH01167315A (ja) | 光ディスク基板 | |
JP3321312B2 (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPS5868251A (ja) | 光学式デイスク | |
JPS6198710A (ja) | デイスク | |
JPS6183213A (ja) | デイスク基板とその製造方法 | |
JPH01189041A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPS61266402A (ja) | 耐熱性樹脂組成物 | |
JPH033132A (ja) | 光ディスク製造用モノマー組成物 | |
JPH07130003A (ja) | 光ディスク成形基板 | |
JPS61246210A (ja) | 光デイスク基板 | |
JPS60217216A (ja) | 低ソリ性アクリル系樹脂を基盤とするデイスク盤 | |
JPS63243109A (ja) | 光学材料 | |
JPS61207408A (ja) | デイスク型記録媒体用基板 | |
JPH07161070A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
JPS61289556A (ja) | 光学式デイスク基板およびその製法 | |
JPS61142546A (ja) | 光デイスク基板およびその製造方法 | |
JPH01168713A (ja) | 光学樹脂用組成物 | |
JPS62199605A (ja) | 光学用樹脂材料 | |
JPH02118930A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JPS6176509A (ja) | 光学式デイスク |