JPS62183961A - リフロ−半田付装置 - Google Patents
リフロ−半田付装置Info
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- JPS62183961A JPS62183961A JP2717186A JP2717186A JPS62183961A JP S62183961 A JPS62183961 A JP S62183961A JP 2717186 A JP2717186 A JP 2717186A JP 2717186 A JP2717186 A JP 2717186A JP S62183961 A JPS62183961 A JP S62183961A
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- JP
- Japan
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- circuit board
- temperature
- heater
- main heating
- reflow soldering
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミック基板やプリント基板等に配置された
各種チップ部品及びフラットパッケージＩＣ等の面付は
部品をクリーム半田や、予備半田コートによりリフロー
半田付けを行うリフロー半田付装置に関する。
各種チップ部品及びフラットパッケージＩＣ等の面付は
部品をクリーム半田や、予備半田コートによりリフロー
半田付けを行うリフロー半田付装置に関する。
従来の技術
従来、この種のリフロー半田付装置による回路基板の温
度制御は、回路基板に近接したところに温度検出器を配
置し、温度検出器付近の雰囲気温度を温度調節器により
設定し検出した温度により加熱ヒーターを制御していた
。従来の加熱ヒーターの制御ブロック図を第４図に示す
。
度制御は、回路基板に近接したところに温度検出器を配
置し、温度検出器付近の雰囲気温度を温度調節器により
設定し検出した温度により加熱ヒーターを制御していた
。従来の加熱ヒーターの制御ブロック図を第４図に示す
。
発明が解決しようとする問題点
リフロー半田付においては本加熱ゾーンでの回路基板の
温度制御が高品質の回路基板を製造するうえで非常に重
要であり共晶半田を用いた一般的なリフロー半田付装置
内の回路基板の温度プロファイルは第３図であり、上記
従来のリフロー半田付装置のような加熱ヒーターの制御
では、本加熱ゾーンでの回路基板の温度を精密に制御す
ることは困難であり例えば回路基板の最高温度を２３０
℃になるように設定した場合回路基板の最高温度はリフ
ロー半田付装置内への投入数の多い、少ないによって２
００℃〜２６０’Ｃと大きく変動する事により、熱に弱
い半導体部品等では特性が劣化してしまう事がある。ま
た高温にさらされないようにするために設定温度を低く
設定した場合には回路基板の温度が低すぎて半田が溶融
しないという問題があり高品質の回路基板を製造する事
は困難であった。
温度制御が高品質の回路基板を製造するうえで非常に重
要であり共晶半田を用いた一般的なリフロー半田付装置
内の回路基板の温度プロファイルは第３図であり、上記
従来のリフロー半田付装置のような加熱ヒーターの制御
では、本加熱ゾーンでの回路基板の温度を精密に制御す
ることは困難であり例えば回路基板の最高温度を２３０
℃になるように設定した場合回路基板の最高温度はリフ
ロー半田付装置内への投入数の多い、少ないによって２
００℃〜２６０’Ｃと大きく変動する事により、熱に弱
い半導体部品等では特性が劣化してしまう事がある。ま
た高温にさらされないようにするために設定温度を低く
設定した場合には回路基板の温度が低すぎて半田が溶融
しないという問題があり高品質の回路基板を製造する事
は困難であった。
本発明は上記問題点を解決し、回路基板の温度を精密に
制御して、高品質の回路基板の製造を行なえるようにし
たリフロー半田付装置を提供することである。
制御して、高品質の回路基板の製造を行なえるようにし
たリフロー半田付装置を提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため本加熱ゾーンの加熱
ヒーターの制御を定電流制御方式にして安定した副射熱
による本加熱を行い半田を溶融するものである。
ヒーターの制御を定電流制御方式にして安定した副射熱
による本加熱を行い半田を溶融するものである。
作用
本発明は上記した構成によシ本加熱ゾーンの加熱ヒータ
ーより安定した副射熱で回路基板を加熱でき回路基板の
温度を精密に制御して高品質の回路基板の製造が行える
０ 実施例 第１図は本発明のリフロー半田付装置の一実施例を示す
加熱ヒーター制御のブロック図である。
ーより安定した副射熱で回路基板を加熱でき回路基板の
温度を精密に制御して高品質の回路基板の製造が行える
０ 実施例 第１図は本発明のリフロー半田付装置の一実施例を示す
加熱ヒーター制御のブロック図である。
第２図はリフロー半田付装置の構成図である。第１図に
おいて、１ｏは加熱ヒーター用電源、１１はサイリスタ
ユニット、１２は加熱ヒーターに流れる電流を検出する
電流検出器、１３は加熱ゾーン内の近赤外線ランプヒー
ター、１４はゲートユニット、加熱ヒーターの電流を設
定する出力設定器１５であり、カスケード式の定電流制
御方式である。第２図において１は回路基板を搬送する
コンベア−１２，４，５がそれぞれ予備加熱ゾーン。
おいて、１ｏは加熱ヒーター用電源、１１はサイリスタ
ユニット、１２は加熱ヒーターに流れる電流を検出する
電流検出器、１３は加熱ゾーン内の近赤外線ランプヒー
ター、１４はゲートユニット、加熱ヒーターの電流を設
定する出力設定器１５であり、カスケード式の定電流制
御方式である。第２図において１は回路基板を搬送する
コンベア−１２，４，５がそれぞれ予備加熱ゾーン。
均熱ゾーン、本加熱ゾーンで、３は遠赤外線ヒーター、
やが近赤外線ランプヒーターである。各ゾーンの出口部
にはそれぞれ排気ロアが配置される。
やが近赤外線ランプヒーターである。各ゾーンの出口部
にはそれぞれ排気ロアが配置される。
上記加熱ゾーンの加熱ヒーターの制御は、第１図に示す
カスケード式の定電流制御を用い出力設定器１６によシ
近赤外線ランプヒーター６の電流を設定する。近赤外線
ランプヒーター６からは出力設定器に応じて、常に一定
の副射熱を発生し回路基板の本加熱を行い半田を加熱溶
融する。結果、回路基板の本加熱ゾーン内での最高温度
は安定し、設定温度に対して、どのようなリフロー半田
付装置内への投入形態でも±６℃内におさまり、高品質
の回路基板の製造を実現している０ 発明の効果 以上述べたように本発明によれば、回路基板を搬送する
コンベアーからなる搬送部とクリーム半田や、予備半田
を加熱溶融する加熱部を備えたリフロー半田付装置にお
いて前記加熱部は遠赤外線ヒーターによる、予備加熱ゾ
ーンと均熱ゾーン及び近赤外線ランプヒーターからなる
本加熱ゾーンとから構成し、本加熱ゾーンの加熱ヒータ
ーの制御を定電流制御方式にして安定した副射熱による
本加熱を行う事で回路基板の最高温度を精密に制御して
、かつ安定な温度で半田を溶融でき、高品質の回路基板
の製造を実現することができる０
カスケード式の定電流制御を用い出力設定器１６によシ
近赤外線ランプヒーター６の電流を設定する。近赤外線
ランプヒーター６からは出力設定器に応じて、常に一定
の副射熱を発生し回路基板の本加熱を行い半田を加熱溶
融する。結果、回路基板の本加熱ゾーン内での最高温度
は安定し、設定温度に対して、どのようなリフロー半田
付装置内への投入形態でも±６℃内におさまり、高品質
の回路基板の製造を実現している０ 発明の効果 以上述べたように本発明によれば、回路基板を搬送する
コンベアーからなる搬送部とクリーム半田や、予備半田
を加熱溶融する加熱部を備えたリフロー半田付装置にお
いて前記加熱部は遠赤外線ヒーターによる、予備加熱ゾ
ーンと均熱ゾーン及び近赤外線ランプヒーターからなる
本加熱ゾーンとから構成し、本加熱ゾーンの加熱ヒータ
ーの制御を定電流制御方式にして安定した副射熱による
本加熱を行う事で回路基板の最高温度を精密に制御して
、かつ安定な温度で半田を溶融でき、高品質の回路基板
の製造を実現することができる０
第１図は本発明のリフロー半田付装置の近赤外線ランプ
ヒーターの制御ブロック図、第２図はリフロー半田付装
置の構成図、第３図はリフロー半田付装置内の一般的な
回路基板の温度プロファイルを示す図、第４図は従来の
リフロー半田付装置の遠赤外線ヒーター及び近赤外線ラ
ンプヒーターの制御ブロック図である。 １・・・・・・コンベア一部、２・・・・・・予備加熱
ゾーン、３・・・・・・遠赤外線ヒーター、４・・・・
・・均熱ゾーン、５・・・・・・本加熱ゾーン、６・・
・・・・近赤外線ランプヒーター、７・・・・・・排気
口、１ｏ・・・・・・加熱ヒーター電源、１１・・・・
・・サイリスタユニット、１２・・・・・・電流検出器
、１４・・・・・・ゲートユニット、１６・・・・・・
出力設定器、１６・・・・・・温度プロファイル（予備
加熱ゾーン）、１７・・・・・・温度プロファイル（均
熱ゾーン）、１８・・・・・・温度プロファイル（本加
熱ゾーン）、１９・・・・・・温度検出器、２ｏ・・・
・・・温度調節器０代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏
男 ほか１名第３図 第４図
ヒーターの制御ブロック図、第２図はリフロー半田付装
置の構成図、第３図はリフロー半田付装置内の一般的な
回路基板の温度プロファイルを示す図、第４図は従来の
リフロー半田付装置の遠赤外線ヒーター及び近赤外線ラ
ンプヒーターの制御ブロック図である。 １・・・・・・コンベア一部、２・・・・・・予備加熱
ゾーン、３・・・・・・遠赤外線ヒーター、４・・・・
・・均熱ゾーン、５・・・・・・本加熱ゾーン、６・・
・・・・近赤外線ランプヒーター、７・・・・・・排気
口、１ｏ・・・・・・加熱ヒーター電源、１１・・・・
・・サイリスタユニット、１２・・・・・・電流検出器
、１４・・・・・・ゲートユニット、１６・・・・・・
出力設定器、１６・・・・・・温度プロファイル（予備
加熱ゾーン）、１７・・・・・・温度プロファイル（均
熱ゾーン）、１８・・・・・・温度プロファイル（本加
熱ゾーン）、１９・・・・・・温度検出器、２ｏ・・・
・・・温度調節器０代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏
男 ほか１名第３図 第４図
Claims (1)
- 回路基板を搬送するコンベアーを含めてなる搬送部と
、クリーム半田や予備半田を加熱溶融する加熱部を備え
たリフロー半田付装置において、前記加熱部は遠赤外線
ヒーターによる予備加熱ゾーンと均熱ゾーン及び近赤外
線ランプヒーターを有する本加熱ゾーンを含めて構成し
、本加熱ゾーンの加熱ヒーターを定電流制御するように
構成した事を特徴とするリフロー半田付装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717186A JPS62183961A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | リフロ−半田付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2717186A JPS62183961A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | リフロ−半田付装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183961A true JPS62183961A (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=12213613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2717186A Pending JPS62183961A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | リフロ−半田付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183961A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124727A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱装置 |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP2717186A patent/JPS62183961A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124727A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱装置 |
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