JPS62182536U - - Google Patents
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- JPS62182536U JPS62182536U JP6874686U JP6874686U JPS62182536U JP S62182536 U JPS62182536 U JP S62182536U JP 6874686 U JP6874686 U JP 6874686U JP 6874686 U JP6874686 U JP 6874686U JP S62182536 U JPS62182536 U JP S62182536U
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- JP
- Japan
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- thin film
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- ion source
- substrate
- production device
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す説明図、第２
図は第１図の一部拡大断面図である。 １……イオン源、２……真空容器、３……電子
ビーム蒸着装置、４……基板、５……基板ホルダ
ー、６……遮蔽体、７……ルツボ、８……イオン
ビーム、９，１０，１１……イオンビーム引き出
し電極。
図は第１図の一部拡大断面図である。 １……イオン源、２……真空容器、３……電子
ビーム蒸着装置、４……基板、５……基板ホルダ
ー、６……遮蔽体、７……ルツボ、８……イオン
ビーム、９，１０，１１……イオンビーム引き出
し電極。
Claims (1)
- イオンビーム引き出し電極が多孔電極であるイ
オン源と粒子源と薄膜形成用の基板を備えた薄膜
製作装置において、粒子源から見て基板を直視し
、イオン源を直視しない遮蔽体をイオン源と粒子
源のあいだに設けたことを特徴とする薄膜製作装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6874686U JPS62182536U (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6874686U JPS62182536U (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182536U true JPS62182536U (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=30908846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6874686U Pending JPS62182536U (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182536U (ja) |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP6874686U patent/JPS62182536U/ja active Pending
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