JPS62182264A - 溶射被膜の封孔処理方法 - Google Patents
溶射被膜の封孔処理方法Info
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- JPS62182264A JPS62182264A JP2290486A JP2290486A JPS62182264A JP S62182264 A JPS62182264 A JP S62182264A JP 2290486 A JP2290486 A JP 2290486A JP 2290486 A JP2290486 A JP 2290486A JP S62182264 A JPS62182264 A JP S62182264A
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、溶射被膜の封孔処理方法に関し、さらに詳し
くは基材にプラズマ溶射されたサーメッ）・溶射？２！
！膜表面の気孔を高周波誘導加熱装置を使用することに
よって封孔処理する方法に関するものである。
くは基材にプラズマ溶射されたサーメッ）・溶射？２！
！膜表面の気孔を高周波誘導加熱装置を使用することに
よって封孔処理する方法に関するものである。
基材の耐高温腐食性や爾摩耗性、断熱性などを向＝ヒさ
せ−ろ目的で基材の表面にプラズマ溶射により溶射被膜
を形成することが一般に行われている。
せ−ろ目的で基材の表面にプラズマ溶射により溶射被膜
を形成することが一般に行われている。
例えばセラミックス溶射の場合、セラミックス系溶射材
料は融点が高く、比重が小さいためにその溶射被膜には
ピンホールのような気孔が生成される。かかる気孔が多
数生成されると、いわゆるポーラスなものとなり基材の
耐食性が劣化することになる。また、セラミックス系溶
射材料のうち窒化物系のものではプラズマの高熱によっ
て液状に溶融されず直接気化すなわち昇華してしまうた
めに溶射被膜ができにくいという無点があった。
料は融点が高く、比重が小さいためにその溶射被膜には
ピンホールのような気孔が生成される。かかる気孔が多
数生成されると、いわゆるポーラスなものとなり基材の
耐食性が劣化することになる。また、セラミックス系溶
射材料のうち窒化物系のものではプラズマの高熱によっ
て液状に溶融されず直接気化すなわち昇華してしまうた
めに溶射被膜ができにくいという無点があった。
このため、セラミックスと金属の混合物を溶射すなわち
、サーメット材料の溶射を行って溶射被膜の金属部にバ
インダの役割を行わせろようにしていたが、この場合で
も気孔率が高く問題があった。
、サーメット材料の溶射を行って溶射被膜の金属部にバ
インダの役割を行わせろようにしていたが、この場合で
も気孔率が高く問題があった。
そこで、上記の問題点を解決するために、第３図に示す
ようなレーザ光を利用した溶射被膜の封孔処理方法が考
えられている。
ようなレーザ光を利用した溶射被膜の封孔処理方法が考
えられている。
この封孔処理法は、基材１の表面にセラミックス系材料
２と金属３の混合糸ｑ４材料をプラズマ溶射して形成さ
れたサーメット溶射波膜４にレーザ光５を照射して溶ｒ
４を波膜４の一部又は殆ど全部を再溶融しその表面層の
気孔６を封↑口処理しようとするものである。
２と金属３の混合糸ｑ４材料をプラズマ溶射して形成さ
れたサーメット溶射波膜４にレーザ光５を照射して溶ｒ
４を波膜４の一部又は殆ど全部を再溶融しその表面層の
気孔６を封↑口処理しようとするものである。
しかしながら、従来のレーザによる封孔処理法てはし・
−ザ光の吸収能に差異があるため、第４図（ａ）に示す
ようにレーザ光５を溶射被膜４の金属部３に照射すると
、セラミックス系材料２はレーザ光の吸収能が大きいた
め高温となり分解、溶解或いは昇華してしまうが、金属
部３はレーザ光の吸収能が小さいためあまりＩＱ度が上
昇せず溶融しない。そのため、第４図（ｂ）に示すよう
に溶射波膜４の表面が凹凸状となって封孔処理も充分て
ないばかりか、かえって逆効果になるという問題点があ
った。
−ザ光の吸収能に差異があるため、第４図（ａ）に示す
ようにレーザ光５を溶射被膜４の金属部３に照射すると
、セラミックス系材料２はレーザ光の吸収能が大きいた
め高温となり分解、溶解或いは昇華してしまうが、金属
部３はレーザ光の吸収能が小さいためあまりＩＱ度が上
昇せず溶融しない。そのため、第４図（ｂ）に示すよう
に溶射波膜４の表面が凹凸状となって封孔処理も充分て
ないばかりか、かえって逆効果になるという問題点があ
った。
本発明に係る溶射被膜の封孔処理方法は、基材の表面に
プラズマ溶射されたサーメット溶射被膜を高周波誘導加
熱装置により加熱することにより前記サーメット溶射？
２！！膜表面の金属部を再溶融して気孔を消失せしめる
ものである。
プラズマ溶射されたサーメット溶射被膜を高周波誘導加
熱装置により加熱することにより前記サーメット溶射？
２！！膜表面の金属部を再溶融して気孔を消失せしめる
ものである。
本発明においては、高周波誘導加熱装置によりサーメッ
）・溶射波膜の表面の金属部が加熱領域の全般にわたっ
て再溶融するので、該溶射波膜表面の気孔を消失させる
のである。
）・溶射波膜の表面の金属部が加熱領域の全般にわたっ
て再溶融するので、該溶射波膜表面の気孔を消失させる
のである。
以下、本発明による溶射被膜の封孔処理方法を図面を参
照しながら具体的に説明する。
照しながら具体的に説明する。
第１図は本発明方法の説明図で、図中、１は基材、４は
サーメット溶射被膜、４ａはサーメット溶射被膜４の再
溶融部、７は高周波誘導加熱装置を示す。
サーメット溶射被膜、４ａはサーメット溶射被膜４の再
溶融部、７は高周波誘導加熱装置を示す。
第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明方法の実施前及び
実施後のサーメット溶射被膜の模式的拡大断面図である
。すなわち、基材１の表面には第２図（、）に示すよう
にプラズマ溶射によりサーメット溶射被膜４が溶射され
、サーメット溶射被膜４は多数の気孔６を生成している
。
実施後のサーメット溶射被膜の模式的拡大断面図である
。すなわち、基材１の表面には第２図（、）に示すよう
にプラズマ溶射によりサーメット溶射被膜４が溶射され
、サーメット溶射被膜４は多数の気孔６を生成している
。
乙の溶射被膜４の表面を封孔処理するには、第１図に示
すように高周波誘導加熱装置７でもってサーメット溶射
被膜４の表面を順次加熱（７ていく。
すように高周波誘導加熱装置７でもってサーメット溶射
被膜４の表面を順次加熱（７ていく。
そうすると、第２図（ｂ）に示すようにサーメット溶射
被膜４の表面の金属部３が再溶融して気孔６を消失せし
めるのである。その結果、サーメット溶射被膜４の表面
には気孔６の殆どない再溶融部４ａが形成され耐食性を
向上させることができる。
被膜４の表面の金属部３が再溶融して気孔６を消失せし
めるのである。その結果、サーメット溶射被膜４の表面
には気孔６の殆どない再溶融部４ａが形成され耐食性を
向上させることができる。
次に、本発明方法による封孔処理の成果を示す。
溶射条件は次のとおりである。
溶射材料： Ｃｒ５Ｃｚ−２５ＮｉＣｒプラズマ出カニ
６５０ＡＸ８０Ｖ プラズマガス：Ａｒ＋５％Ｈ。
６５０ＡＸ８０Ｖ プラズマガス：Ａｒ＋５％Ｈ。
雰囲気圧：２５０ｔｏｒｒ
封孔処理条件は、高周波誘導加熱装置の周波数を４００
ｋｔｌｚとして実施した。
ｋｔｌｚとして実施した。
腐食試験の条件は次のとおりである。
溶液濃度： ５％ｌ（ＣＩに浸漬した。
；品度＝ ２０℃
以上の条件下で腐食減−ｂｔ Ｊｅ測測定た結果、従来
のプラズマ溶射法のみでは９，０ｍｍ７年の腐食減量を
示したのに対し、本発明方法では０ｍｍ７年であった。
のプラズマ溶射法のみでは９，０ｍｍ７年の腐食減量を
示したのに対し、本発明方法では０ｍｍ７年であった。
以上のように本発明によれば、プラズマ溶射したサーメ
ッ１−溶射被膜の表面を高周波誘導加熱装置によって加
熱し該溶射被膜表面の金属部を再溶融ものであるから、
サーメット溶射被膜の殆ど全域にわたって気孔を消失さ
せることが、でき、極めて簡単な方法で耐食性を著しく
向上させ得る。
ッ１−溶射被膜の表面を高周波誘導加熱装置によって加
熱し該溶射被膜表面の金属部を再溶融ものであるから、
サーメット溶射被膜の殆ど全域にわたって気孔を消失さ
せることが、でき、極めて簡単な方法で耐食性を著しく
向上させ得る。
第１図は本発明方法の説明図、第２図（、）（ｂ）はそ
れぞれ本発明方法の実施前及び実施後におけるサーメッ
ト溶射被膜の模式的拡大断面図、第３図は従来のし・−
ザによる溶射被膜の封孔処理方法の説明図、第４図（ｎ
）（ｈ）はそれぞれ同法の実施前及び実施後のサーメッ
１−溶射被膜の模式的拡大断面図である。 に基キイ、２：サーメット系材料、３：金属部、４：サ
ーメット溶射波膜、６：気孔、７：高周波請導加熱装置
。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第３図
れぞれ本発明方法の実施前及び実施後におけるサーメッ
ト溶射被膜の模式的拡大断面図、第３図は従来のし・−
ザによる溶射被膜の封孔処理方法の説明図、第４図（ｎ
）（ｈ）はそれぞれ同法の実施前及び実施後のサーメッ
１−溶射被膜の模式的拡大断面図である。 に基キイ、２：サーメット系材料、３：金属部、４：サ
ーメット溶射波膜、６：気孔、７：高周波請導加熱装置
。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第３図
Claims (1)
- 基材の表面にプラズマ溶射されたサーメット溶射被膜を
高周波誘導加熱装置により加熱することにより前記サー
メット溶射被膜表面の金属部を再溶融して気孔を消失さ
せることを特徴とする溶射被膜の封孔処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290486A JPS62182264A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 溶射被膜の封孔処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2290486A JPS62182264A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 溶射被膜の封孔処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182264A true JPS62182264A (ja) | 1987-08-10 |
Family
ID=12095626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290486A Pending JPS62182264A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 溶射被膜の封孔処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04251829A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子用半導体 |
| JP2007084902A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Akihisa Inoue | 金属ガラス溶射被膜及びその形成方法 |
| JP2007084901A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Akihisa Inoue | 金属ガラス薄膜積層体 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2290486A patent/JPS62182264A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04251829A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子用半導体 |
| JP2007084902A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Akihisa Inoue | 金属ガラス溶射被膜及びその形成方法 |
| JP2007084901A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Akihisa Inoue | 金属ガラス薄膜積層体 |
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