JPS62177955A - 薄膜抵抗の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗の製造方法Info
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- JPS62177955A JPS62177955A JP1810086A JP1810086A JPS62177955A JP S62177955 A JPS62177955 A JP S62177955A JP 1810086 A JP1810086 A JP 1810086A JP 1810086 A JP1810086 A JP 1810086A JP S62177955 A JPS62177955 A JP S62177955A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回路基板に形成する薄膜抵抗の製造方法に関し
、特にこの抵抗を所望の抵抗値に調整することのできる
製造方法に関する。
、特にこの抵抗を所望の抵抗値に調整することのできる
製造方法に関する。
一般に電子機器を構成する際に利用される回路基板では
、絶縁性の基板上に導体配線とともに薄膜抵抗を形成す
ることがあり、蒸着法或いはその他の方法によって基板
表面に被着した膜状の抵抗材料を、所要厚さにまた所要
の幅及び長さを有する平面パターンに形成して薄膜抵抗
を構成している。ところが、通常ではこの薄膜抵抗の厚
さ１幅。
、絶縁性の基板上に導体配線とともに薄膜抵抗を形成す
ることがあり、蒸着法或いはその他の方法によって基板
表面に被着した膜状の抵抗材料を、所要厚さにまた所要
の幅及び長さを有する平面パターンに形成して薄膜抵抗
を構成している。ところが、通常ではこの薄膜抵抗の厚
さ１幅。
長さ等の寸法は予め設計に基づいて所定の値に設定して
いるために、その抵抗値は大略において平面パターン形
状に依存しており、したがってこの抵抗値を変更する必
要が生じた場合には次のような方法を用いて調整を行っ
ている。
いるために、その抵抗値は大略において平面パターン形
状に依存しており、したがってこの抵抗値を変更する必
要が生じた場合には次のような方法を用いて調整を行っ
ている。
即ち、第２図に示すように、アルミナ等の基板１１上に
導体配線１３とともに形成した薄膜抵抗１２の表面を熱
酸化法によって酸化させ、この表面部位を絶縁膜１２ａ
に変換させる。このため、薄膜抵抗１２の実質的な厚さ
は図示ｔの厚さにまで低減され、断面積が低減されて薄
膜抵抗の抵抗値が増大される。
導体配線１３とともに形成した薄膜抵抗１２の表面を熱
酸化法によって酸化させ、この表面部位を絶縁膜１２ａ
に変換させる。このため、薄膜抵抗１２の実質的な厚さ
は図示ｔの厚さにまで低減され、断面積が低減されて薄
膜抵抗の抵抗値が増大される。
上述した従来の薄膜抵抗では、所定のパターンをした薄
膜抵抗の抵抗値を調整する場合には、厚さを変えること
が必要であり、このためには前記した熱酸化処理を行う
か、または予め厚さを変えて薄膜抵抗の蒸着を行うかの
いずれかの方法が考えられる。しかしながら、一つの回
路基板りの一部の薄膜抵抗の熱酸化処理や蒸着の条件を
他の薄膜抵抗と相違させることは技術的に難しいととも
に工程の複雑化を招くことになる。このため、抵抗値を
変える場合には、薄膜抵抗の幅や長さ等平面パターンそ
のものを変更する必要があり、薄膜抵抗のバターニング
から設計をやり直さなＩｄればならない等の不具合があ
る。
膜抵抗の抵抗値を調整する場合には、厚さを変えること
が必要であり、このためには前記した熱酸化処理を行う
か、または予め厚さを変えて薄膜抵抗の蒸着を行うかの
いずれかの方法が考えられる。しかしながら、一つの回
路基板りの一部の薄膜抵抗の熱酸化処理や蒸着の条件を
他の薄膜抵抗と相違させることは技術的に難しいととも
に工程の複雑化を招くことになる。このため、抵抗値を
変える場合には、薄膜抵抗の幅や長さ等平面パターンそ
のものを変更する必要があり、薄膜抵抗のバターニング
から設計をやり直さなＩｄればならない等の不具合があ
る。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜抵抗の製造方法は、所定の厚さ及びパター
ン形状に形成された薄膜抵抗の抵抗値を夫々独立して調
整して所望の値に設定することを可能とするものである
。
ン形状に形成された薄膜抵抗の抵抗値を夫々独立して調
整して所望の値に設定することを可能とするものである
。
本発明の薄膜抵抗の製造方法は、薄膜抵抗を所要の厚さ
及びパターンに形成した後に、薄膜抵抗の少なくとも一
部を開口するマスクを被着形成し、このマスクを通して
薄膜抵抗の−・部を熱酸化処理して抵抗値の調整を行な
っている。
及びパターンに形成した後に、薄膜抵抗の少なくとも一
部を開口するマスクを被着形成し、このマスクを通して
薄膜抵抗の−・部を熱酸化処理して抵抗値の調整を行な
っている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例をｌｒ程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
先ず、同図（ａ）のようζこアルミナセラミック製の基
板１．−ｔ−に所要の平面パターン形状に窒化タンタル
（Ｔ ａ ｚ Ｎ）からなる薄膜抵抗２及びアルミニウ
ム（Ａ１）等の導体配線３を形成する。この場合、複数
箇所に形成される薄膜抵抗２ば抵抗材料の被着及びその
バターニング等の工程によって形成でき、したがって各
薄膜抵抗２の厚さ番；１全て同じになっている。
板１．−ｔ−に所要の平面パターン形状に窒化タンタル
（Ｔ ａ ｚ Ｎ）からなる薄膜抵抗２及びアルミニウ
ム（Ａ１）等の導体配線３を形成する。この場合、複数
箇所に形成される薄膜抵抗２ば抵抗材料の被着及びその
バターニング等の工程によって形成でき、したがって各
薄膜抵抗２の厚さ番；１全て同じになっている。
次いで、同図（ｂ）のようにスパッタ法によりシリコン
酸化膜等の絶縁膜４を全面に被着する。
酸化膜等の絶縁膜４を全面に被着する。
さらに、この−１６にフォトレジスト膜５を形成し、こ
のフォトレジスト膜４をバターニングし°（前記薄膜抵
抗２及び導体配線３の二ｚンタクト形成Ｙ定箇所に窓を
あけ、しかる上で同図（Ｃ）のようにこのフォトレジス
ト膜５をマスクにして前記絶縁膜４に開１−１６を開設
する。この場合、前記薄膜抵抗２の中、抵抗値を大きく
したい抵抗箇所では開口６の面積を大きくし、抵抗値を
それ程大きくしない抵抗箇所では開口６の面積は小さい
ものとする。
のフォトレジスト膜４をバターニングし°（前記薄膜抵
抗２及び導体配線３の二ｚンタクト形成Ｙ定箇所に窓を
あけ、しかる上で同図（Ｃ）のようにこのフォトレジス
ト膜５をマスクにして前記絶縁膜４に開１−１６を開設
する。この場合、前記薄膜抵抗２の中、抵抗値を大きく
したい抵抗箇所では開口６の面積を大きくし、抵抗値を
それ程大きくしない抵抗箇所では開口６の面積は小さい
ものとする。
そして、この状態で熱酸化処理を行うと、同図（ｄ）の
ように前記開口６を通して薄膜抵抗２の表面が酸化され
五酸化タンタル（’ｒａ２０Ｓ ）からなる絶縁性の酸
化膜２ａに変化される。このため、各抵抗２では抵抗層
の実質的な厚さが低減され、その断面積が低減されて抵
抗が増大される。
ように前記開口６を通して薄膜抵抗２の表面が酸化され
五酸化タンタル（’ｒａ２０Ｓ ）からなる絶縁性の酸
化膜２ａに変化される。このため、各抵抗２では抵抗層
の実質的な厚さが低減され、その断面積が低減されて抵
抗が増大される。
この酸化膜２ａの厚さば各抵抗２において等しいが、厚
さが低減される面積は開口６の面積の相違に伴って夫々
相違されるため、各抵抗における抵抗値は夫々相違する
ことになる。
さが低減される面積は開口６の面積の相違に伴って夫々
相違されるため、各抵抗における抵抗値は夫々相違する
ことになる。
したがって、各抵抗２においてはフォトレジスト膜５の
パターニング時における窓の面積をコントロールするこ
とにより任意の抵抗値に調整することができる。このた
め、薄膜抵抗２を予め設計した厚さや平面パターンに形
成した後の工程においても各抵抗を夫々独立して任意の
抵抗値に調整することができ、工程を簡略化を達成でき
る。
パターニング時における窓の面積をコントロールするこ
とにより任意の抵抗値に調整することができる。このた
め、薄膜抵抗２を予め設計した厚さや平面パターンに形
成した後の工程においても各抵抗を夫々独立して任意の
抵抗値に調整することができ、工程を簡略化を達成でき
る。
ここで、前記実施例では上層に形成する絶縁膜をマスク
として利用しているが、この絶縁膜とは独立したマスク
を形成して抵抗の部分表面酸化を行うようにしてもよい
。また、薄膜抵抗の材料は前記以外のものを利用するこ
とも可能である。
として利用しているが、この絶縁膜とは独立したマスク
を形成して抵抗の部分表面酸化を行うようにしてもよい
。また、薄膜抵抗の材料は前記以外のものを利用するこ
とも可能である。
以り説明したように本発明は、薄膜抵抗を所要の厚さ及
びパターンに形成した後に、薄膜抵抗の少なくとも一部
を開口するマスクを被着形成し、このマスクを通して薄
膜抵抗の一部を熱酸化処理しているので、開口の面積を
変化することにより、表面熱酸化によって厚さが低減さ
れる抵抗の面積を所望の値に設定でき、これにより同時
に形成した複数の薄膜抵抗を夫々独立して任意の抵抗値
に調整することができ、しかも製造工程の簡略化を達成
することができる。
びパターンに形成した後に、薄膜抵抗の少なくとも一部
を開口するマスクを被着形成し、このマスクを通して薄
膜抵抗の一部を熱酸化処理しているので、開口の面積を
変化することにより、表面熱酸化によって厚さが低減さ
れる抵抗の面積を所望の値に設定でき、これにより同時
に形成した複数の薄膜抵抗を夫々独立して任意の抵抗値
に調整することができ、しかも製造工程の簡略化を達成
することができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を製造工程順
に示す断面図、第２図は従来構造の断面図である。 １．１１・・・絶縁膜性の基板、２．１２・・・薄膜抵
抗、２ａ＋ １２２・・・酸化膜（絶縁膜）、３．１
３・・・導体配線、４・・・絶縁膜、５・・・フォトレ
ジスト、６・・・開口。 第２図
に示す断面図、第２図は従来構造の断面図である。 １．１１・・・絶縁膜性の基板、２．１２・・・薄膜抵
抗、２ａ＋ １２２・・・酸化膜（絶縁膜）、３．１
３・・・導体配線、４・・・絶縁膜、５・・・フォトレ
ジスト、６・・・開口。 第２図
Claims (2)
- （１）絶縁性の基板上に薄膜抵抗を所要の厚さ及びパタ
ーンに形成した後に、薄膜抵抗の少なくとも一部を開口
するマスクを被着形成し、このマスクを通して前記薄膜
抵抗の一部の表面を熱酸化処理することを特徴とする薄
膜抵抗の製造方法。 - （２）前記マスクの開口を、基板上に形成した複数の薄
膜抵抗に対して夫々異なる面積に形成し、各薄膜抵抗の
表面酸化面積を相違させる特許請求の範囲第１項記載の
薄膜抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1810086A JPS62177955A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1810086A JPS62177955A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177955A true JPS62177955A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=11962205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1810086A Pending JPS62177955A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177955A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020120048A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 富士通株式会社 | 配線基板及び電子機器 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP1810086A patent/JPS62177955A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020120048A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 富士通株式会社 | 配線基板及び電子機器 |
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