JPS6217737A - 光ヘテロダイン検波装置 - Google Patents
光ヘテロダイン検波装置Info
- Publication number
- JPS6217737A JPS6217737A JP60155965A JP15596585A JPS6217737A JP S6217737 A JPS6217737 A JP S6217737A JP 60155965 A JP60155965 A JP 60155965A JP 15596585 A JP15596585 A JP 15596585A JP S6217737 A JPS6217737 A JP S6217737A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mode
- light
- signal
- optical
- signal light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ヘテロダイン通信システムに利用される光
ヘテロダイン検波装置に関する。
ヘテロダイン検波装置に関する。
単一モードファイバを用いた光ヘテロダイン通信システ
ムでは、光ヘテロダイン検波を行う際信号光と局部発振
光の各偏光状態が一致していることが必要である。とこ
ろが、温度変化などの外乱により単一モードファイバ伝
搬後の信号光の偏光状態が変化し、上記２つの光の偏光
状態が不一致となってビート信号強度が変動することが
ある。
ムでは、光ヘテロダイン検波を行う際信号光と局部発振
光の各偏光状態が一致していることが必要である。とこ
ろが、温度変化などの外乱により単一モードファイバ伝
搬後の信号光の偏光状態が変化し、上記２つの光の偏光
状態が不一致となってビート信号強度が変動することが
ある。
これによれば、通信システムの信頼性の低下を招き、場
合によって信号光の検出が不可能になることもある。そ
こで、通信システムの信頼性を確保するために、信号光
と局部発振光の各偏光状態を常に一致させる偏光制御機
能を備えた光ヘテロダイン検波装置が必要となる。また
一方においてこの先ヘテロゲイン検波装置は、信頼性、
小型・軽量化、低電圧化、量産性等の点から、上記偏光
制御機能を含めて全体を光集積化したもの又は偏光制御
機能をも一体化して構成したものが求められている。
合によって信号光の検出が不可能になることもある。そ
こで、通信システムの信頼性を確保するために、信号光
と局部発振光の各偏光状態を常に一致させる偏光制御機
能を備えた光ヘテロダイン検波装置が必要となる。また
一方においてこの先ヘテロゲイン検波装置は、信頼性、
小型・軽量化、低電圧化、量産性等の点から、上記偏光
制御機能を含めて全体を光集積化したもの又は偏光制御
機能をも一体化して構成したものが求められている。
従来、上記の如く偏光制御機能を含んで光集積化又は一
体化された光ヘテロダイン検波装置の報告例はない。し
かしこれに関連する技術として、例えばＲ，Ｃ，アルフ
ァーネス等により報告された導波路型の偏光制御素子が
ある（アプライド・フィジックス・レターズ、３８巻、
１９８１年、６５５〜６５７頁）。この偏光制御素
子は、電気光学効果を利用した位相変調器とモード変換
器により構成され、入射光の任意の偏光状態を所望の偏
光状態に変換する。この偏光制御素子に光結合器、光検
出器等を加え一体化して光ヘテロダイン検波装置を構成
することが可能である。
体化された光ヘテロダイン検波装置の報告例はない。し
かしこれに関連する技術として、例えばＲ，Ｃ，アルフ
ァーネス等により報告された導波路型の偏光制御素子が
ある（アプライド・フィジックス・レターズ、３８巻、
１９８１年、６５５〜６５７頁）。この偏光制御素
子は、電気光学効果を利用した位相変調器とモード変換
器により構成され、入射光の任意の偏光状態を所望の偏
光状態に変換する。この偏光制御素子に光結合器、光検
出器等を加え一体化して光ヘテロダイン検波装置を構成
することが可能である。
しかし、前記偏光制御素子においては、モード変換器が
効率よく動作する波長、すなわち中心波長を精度よく制
御することが制作上困難であり、且つモード変換器のモ
ード変換効率の波長帯域が半値全幅で数十式程度と狭い
こと、更にモート変換器の中心波長の温度に対する変化
率が波長１．５μｍ付近で約１０人／℃と大きいこと等
の性質を有する。従って、上記モード変換器を用いた導
波路型偏光制御素子を実際に光ヘテロダイン検波装置に
用いるためには、偏光制御素子を±０．１℃程度の精度
で温度制御をすることによりモード変換器の中心波長を
信号光や局部発振光の波長に一致させなければならない
という問題点がある。
効率よく動作する波長、すなわち中心波長を精度よく制
御することが制作上困難であり、且つモード変換器のモ
ード変換効率の波長帯域が半値全幅で数十式程度と狭い
こと、更にモート変換器の中心波長の温度に対する変化
率が波長１．５μｍ付近で約１０人／℃と大きいこと等
の性質を有する。従って、上記モード変換器を用いた導
波路型偏光制御素子を実際に光ヘテロダイン検波装置に
用いるためには、偏光制御素子を±０．１℃程度の精度
で温度制御をすることによりモード変換器の中心波長を
信号光や局部発振光の波長に一致させなければならない
という問題点がある。
本発明の目的は、モード変換による波長帯域制御を受け
ないようにすることによって制御を容易とし、動作信頼
性が高く且つ小型・軽量に製作することのできる光ヘテ
ロゲイン検波装置を提供することにある。
ないようにすることによって制御を容易とし、動作信頼
性が高く且つ小型・軽量に製作することのできる光ヘテ
ロゲイン検波装置を提供することにある。
本発明の光ヘテロダイン検波装置は、信号光を入射し信
号光のＴＥモードとＴＭモードの位相を変換する位相変
調器と、前記信号光と異なる偏光角を有する局部発振光
を出射する局部発振光源と、前記信号光を互いに偏光角
が直交するＴＥモード成分トＴ Ｍモード成分に分ける
第１のモードスプリッタと、前記局部発振光を互いに偏
光角が直交するＴＥモード成分とＴＭモード成分に分け
る第２のモードスプリッタと、前記第１及び第２のモー
ドスプリッタから出射されるＴＥモード成分を結合する
第１の光結合器と、前記第１及び第２のモードスプリッ
タから出射されるＴＥモード成分を結合する第２の光結
合器と、前記第１及び第２の光結合器から出射される光
を電気信号に変換する第１及び第２の光検出器と、この
第１及び第２の光検出器の出力する信号を相加する混合
回路とから成ることを特徴としている。
号光のＴＥモードとＴＭモードの位相を変換する位相変
調器と、前記信号光と異なる偏光角を有する局部発振光
を出射する局部発振光源と、前記信号光を互いに偏光角
が直交するＴＥモード成分トＴ Ｍモード成分に分ける
第１のモードスプリッタと、前記局部発振光を互いに偏
光角が直交するＴＥモード成分とＴＭモード成分に分け
る第２のモードスプリッタと、前記第１及び第２のモー
ドスプリッタから出射されるＴＥモード成分を結合する
第１の光結合器と、前記第１及び第２のモードスプリッ
タから出射されるＴＥモード成分を結合する第２の光結
合器と、前記第１及び第２の光結合器から出射される光
を電気信号に変換する第１及び第２の光検出器と、この
第１及び第２の光検出器の出力する信号を相加する混合
回路とから成ることを特徴としている。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による光ヘテロダイン検波装置のブロッ
ク回路図である。■は信号光で、信号光１は位相変調器
２に入射する。位相変調器２の出力光は第１のモードス
プリッタ３に入射し、このモートスブリック３で信号光
１は互いに直交するＴＥモード成分ＩＡとＴＭモード成
分ＩＢに分けられる。ＴＥモード成分ＩＡは第１の光結
合器４に、他方ＴＭモード成分ＩＢは第２の光結合器５
にそれぞれ入射される。一方６は局部発振光源であり、
局部発振光源６の出力である局部発振光７は第２のモー
ドスプリッタ８に入射する。モードスプリッタ８では局
部発振光７を互いに直交するＴＥモード成分７ＡとＴＭ
モード成分７Ｂに分ける。このＴＥモード成分７Ａは光
結合器４に、ＴＭモード成分７Ｂは光結合器５にそれぞ
れ入射される。光結合器４は信号光のＴＥモード成分Ｉ
Ａと局部発振光のＴＥモード成分７Ａを合波する。
ク回路図である。■は信号光で、信号光１は位相変調器
２に入射する。位相変調器２の出力光は第１のモードス
プリッタ３に入射し、このモートスブリック３で信号光
１は互いに直交するＴＥモード成分ＩＡとＴＭモード成
分ＩＢに分けられる。ＴＥモード成分ＩＡは第１の光結
合器４に、他方ＴＭモード成分ＩＢは第２の光結合器５
にそれぞれ入射される。一方６は局部発振光源であり、
局部発振光源６の出力である局部発振光７は第２のモー
ドスプリッタ８に入射する。モードスプリッタ８では局
部発振光７を互いに直交するＴＥモード成分７ＡとＴＭ
モード成分７Ｂに分ける。このＴＥモード成分７Ａは光
結合器４に、ＴＭモード成分７Ｂは光結合器５にそれぞ
れ入射される。光結合器４は信号光のＴＥモード成分Ｉ
Ａと局部発振光のＴＥモード成分７Ａを合波する。
光結合器５は信号光のＴＭモード成分ＩＢと局部発振光
のＴＭモード成分７Ｂを合波する。光結合器４．５の出
力光は、それぞれ第１の光検出器９、第２の光検出器１
０で電気信号に変換され、その後混合回路１１で相加さ
れる。これによって混合回路１１の出力において光ヘテ
ロダイン検波信号１２を取出することができる。
のＴＭモード成分７Ｂを合波する。光結合器４．５の出
力光は、それぞれ第１の光検出器９、第２の光検出器１
０で電気信号に変換され、その後混合回路１１で相加さ
れる。これによって混合回路１１の出力において光ヘテ
ロダイン検波信号１２を取出することができる。
上記において、偏光角がθｒａｄ、互いに直交するＴＥ
モードとＴＭモードの間の位相差がψｒａｄである光の
偏光状態を（θ、ψ）で表わすとき、偏光状態が（θ、
ψ）である信号光１は位相変調器２によって（θ、０）
に変換される。またモードスプリッタ３によって分けら
れるＴＥモード成分ＩＡとＴＭモード成分ＩＢの強度の
比はｃｏｓθ：ｓｉｎθとなる。一方局部発振光源６か
ら出射される局部発振光７の偏光状態は（θ０．０）で
あり、またモードスプリッタ８によって分けられるＴＥ
モード成分７ＡとＴＭモード成分７Ｂの強度の比はＣＯ
Ｓθｏ：ｓｉｒ＋ｅ□である。ここで、θ、ψは任意の
値であり、θ０は０くθ０くπ／２（ｒａｄ）なる定数
である。
モードとＴＭモードの間の位相差がψｒａｄである光の
偏光状態を（θ、ψ）で表わすとき、偏光状態が（θ、
ψ）である信号光１は位相変調器２によって（θ、０）
に変換される。またモードスプリッタ３によって分けら
れるＴＥモード成分ＩＡとＴＭモード成分ＩＢの強度の
比はｃｏｓθ：ｓｉｎθとなる。一方局部発振光源６か
ら出射される局部発振光７の偏光状態は（θ０．０）で
あり、またモードスプリッタ８によって分けられるＴＥ
モード成分７ＡとＴＭモード成分７Ｂの強度の比はＣＯ
Ｓθｏ：ｓｉｒ＋ｅ□である。ここで、θ、ψは任意の
値であり、θ０は０くθ０くπ／２（ｒａｄ）なる定数
である。
上記構成によれば、光結合器４において信号光のＴＥモ
ード成分ＩＡと局部発振光のＴＥモード成分７Ａは偏光
状態が一致した状態にて合波され、光結合器５において
信号光のＴＭモード成分ＩＢと局部発振光のＴＭモード
成分７Ｂは偏光状態が一致した状態にて合波される。こ
の結果、混合回路１１の出力において光ヘテロダイン検
波信号１２を１尋ることかできる。
ード成分ＩＡと局部発振光のＴＥモード成分７Ａは偏光
状態が一致した状態にて合波され、光結合器５において
信号光のＴＭモード成分ＩＢと局部発振光のＴＭモード
成分７Ｂは偏光状態が一致した状態にて合波される。こ
の結果、混合回路１１の出力において光ヘテロダイン検
波信号１２を１尋ることかできる。
以上のように、本発明による光ヘテロダイン検波装置で
は、モード変換器を用いないためモード変換による波長
帯域制限を受けず、任意の偏光状態の信号光ｌに対して
局部発振光７の偏光状態を常に一致した状態で光ヘテロ
ダイン検波を行うことが可能となる。
は、モード変換器を用いないためモード変換による波長
帯域制限を受けず、任意の偏光状態の信号光ｌに対して
局部発振光７の偏光状態を常に一致した状態で光ヘテロ
ダイン検波を行うことが可能となる。
前記光ヘテロゲイン検波装置において、位相変調器２に
よって信号光１のＴＥモードとＴＭモードの間の位相差
を０としたのは、もしこのように位相差ψを補償しない
とすると、光検出器９．１０の出力信号間に位相差が生
じ、これらの信号を相加した際に強度の損失を生じるか
ら、これを回避するためにである。光検出器９，１０の
出力信号間の位相差を補償することは、信号光のＴＥモ
ード成分ＩＡの位相を信号光のＴＭモード成分ＩＢの位
相に一致させるか、又は合波光であるＴＥモード成分１
３の位相をＴＭモード成分１４の位相に一致させること
によって実現される。
よって信号光１のＴＥモードとＴＭモードの間の位相差
を０としたのは、もしこのように位相差ψを補償しない
とすると、光検出器９．１０の出力信号間に位相差が生
じ、これらの信号を相加した際に強度の損失を生じるか
ら、これを回避するためにである。光検出器９，１０の
出力信号間の位相差を補償することは、信号光のＴＥモ
ード成分ＩＡの位相を信号光のＴＭモード成分ＩＢの位
相に一致させるか、又は合波光であるＴＥモード成分１
３の位相をＴＭモード成分１４の位相に一致させること
によって実現される。
第２図は具体的な光ヘテロダイン検波装置の平面図を示
し、第２図において、１〜５．８は前記構成要素と同じ
である。
し、第２図において、１〜５．８は前記構成要素と同じ
である。
１５はニオブ酸リチウム基板で、この基板上にスパック
法とフォトリングラフィ法によりパターン化されたＴ１
膜を熱拡散させて幅１０μｍのチャネル導波路１６が形
成される。このチャネル導波路１６は波長１．５５μｍ
においてＴＥモードとＴＭモードに対して基本モードを
保持する。チャネル導波路１６を形成したニオブ酸リチ
ウム基板１５の上に、ＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法
によりバッファ層であるＳｉＣ２膜、及び真空蒸着法と
フォトリソグラフィ法により電極であるＣｒ−Ａ！膜を
選択的に形成し、これによって位相変調器２、モードス
プリッタ３，８、光結合器４，５が構成される。ここで
、位相変調器２は電気光学効果を用いたものであり、電
極間隔は３μｍ、全長は１０ｍｍである。モードスプリ
ッタ３．８ は、ステップト・デルタベータ・リバーサ
ル法を用いた分布結合型で電気光学効果を用いたもので
あり、導波路間隔は３μｍ、全長１０ｍｍである。光結
合器４，５は分布結合による偏光依存性のないものであ
り、導波路間隔は５μｍ、全長は３ｍｍである。
法とフォトリングラフィ法によりパターン化されたＴ１
膜を熱拡散させて幅１０μｍのチャネル導波路１６が形
成される。このチャネル導波路１６は波長１．５５μｍ
においてＴＥモードとＴＭモードに対して基本モードを
保持する。チャネル導波路１６を形成したニオブ酸リチ
ウム基板１５の上に、ＣＶＤ法とフォトリソグラフィ法
によりバッファ層であるＳｉＣ２膜、及び真空蒸着法と
フォトリソグラフィ法により電極であるＣｒ−Ａ！膜を
選択的に形成し、これによって位相変調器２、モードス
プリッタ３，８、光結合器４，５が構成される。ここで
、位相変調器２は電気光学効果を用いたものであり、電
極間隔は３μｍ、全長は１０ｍｍである。モードスプリ
ッタ３．８ は、ステップト・デルタベータ・リバーサ
ル法を用いた分布結合型で電気光学効果を用いたもので
あり、導波路間隔は３μｍ、全長１０ｍｍである。光結
合器４，５は分布結合による偏光依存性のないものであ
り、導波路間隔は５μｍ、全長は３ｍｍである。
上記位相変調器２の入力端に形成されたチャネル導波路
１６の端面には信号光人力用単一モードファイバ１７が
結合され、上記モードスプリッタ８の入力側に形成され
たチャネル導波路１６の端面には局部発振光源であるア
イソレータ内蔵のレーザ・ダイオード１８が結合される
。ところで、光ヘテロダイン検波では信号光の検出感度
が最大となる局部発振光のパワーレベルが存在する。こ
の実施例の場合、ＴＥモードとＴＭモードの各受信系は
同一であるため、上記の最適な局部発振光のパワーレベ
ルは両モードについて等しくなる。そこで上記レーザ・
ダイオード１８はその出射光の偏光方向がニオブ酸リチ
ウム基板１５に対して４５°の角度になるよう設けられ
、これによりチャネル導波路１６にはＴＥモードとＴＭ
モードの強度が等しい局部発振光が供給される。また光
結合器４．５の出力側のチャネル導波路１６の端面には
アバランシ・フォトダイオード１９．２０が配設される
。このアバランシ・フォトダイオード１９．２０は上記
光検出器９．１０の機能を有する。
１６の端面には信号光人力用単一モードファイバ１７が
結合され、上記モードスプリッタ８の入力側に形成され
たチャネル導波路１６の端面には局部発振光源であるア
イソレータ内蔵のレーザ・ダイオード１８が結合される
。ところで、光ヘテロダイン検波では信号光の検出感度
が最大となる局部発振光のパワーレベルが存在する。こ
の実施例の場合、ＴＥモードとＴＭモードの各受信系は
同一であるため、上記の最適な局部発振光のパワーレベ
ルは両モードについて等しくなる。そこで上記レーザ・
ダイオード１８はその出射光の偏光方向がニオブ酸リチ
ウム基板１５に対して４５°の角度になるよう設けられ
、これによりチャネル導波路１６にはＴＥモードとＴＭ
モードの強度が等しい局部発振光が供給される。また光
結合器４．５の出力側のチャネル導波路１６の端面には
アバランシ・フォトダイオード１９．２０が配設される
。このアバランシ・フォトダイオード１９．２０は上記
光検出器９．１０の機能を有する。
アバランシ・フォトダイオード１９．２０から出力され
る電気信号は、混合回路１１に与えられ、この混合回路
１１で相加される。混合回路１１の出力信号は増幅器２
１で増幅され、光ヘテロゲイン検波信号１２として取出
される。２２は位相変調器制御回路であり、光ヘテロダ
イン検波信号１２の一部を取入れ、これに基づき位相変
調器２の駆動電圧を制御する。
る電気信号は、混合回路１１に与えられ、この混合回路
１１で相加される。混合回路１１の出力信号は増幅器２
１で増幅され、光ヘテロゲイン検波信号１２として取出
される。２２は位相変調器制御回路であり、光ヘテロダ
イン検波信号１２の一部を取入れ、これに基づき位相変
調器２の駆動電圧を制御する。
上記構成において、信号光入力用単一モードファイバ１
７からチャネル導波路１６に入射した信号光ｌは、位相
変調器２によってＴＥモードとＴＭモードの位相差が補
償された後、モードスプリッタ３によりＴＥモード成分
とＴＭモード成分に分けられ、それぞれ光結合器４．５
に入射する。一方レーザ・ダイオード１８からチャネル
導波路１６に入射した局部発振光は、モードスプリッタ
８によってＴＥモード成分とＴＭモード成分に分けられ
、それぞれ光結合器４．５に入射する。光結合器４．５
では信号光及び局部発振光のＴＥモード成分及びＴＭモ
ード成分がそれぞれ合波される。それぞれの合波光は、
アバランシ・フォトダイオード１９．２０によって電気
信号に変換され、これらの信号は混合回路１１において
相加される。このときの混合比はＴＥモード側とＴＭモ
ード側の信号出力のレベル比と等しい。混合回路１１の
出力信号が光ヘテロゲイン検波信号である。以上におい
て、位相変調器制御回路２２は光ヘテロダイン検波信号
の強度が最大になるように位相変調器２２の駆動電圧を
制御し信号光の位相差を制御する。
７からチャネル導波路１６に入射した信号光ｌは、位相
変調器２によってＴＥモードとＴＭモードの位相差が補
償された後、モードスプリッタ３によりＴＥモード成分
とＴＭモード成分に分けられ、それぞれ光結合器４．５
に入射する。一方レーザ・ダイオード１８からチャネル
導波路１６に入射した局部発振光は、モードスプリッタ
８によってＴＥモード成分とＴＭモード成分に分けられ
、それぞれ光結合器４．５に入射する。光結合器４．５
では信号光及び局部発振光のＴＥモード成分及びＴＭモ
ード成分がそれぞれ合波される。それぞれの合波光は、
アバランシ・フォトダイオード１９．２０によって電気
信号に変換され、これらの信号は混合回路１１において
相加される。このときの混合比はＴＥモード側とＴＭモ
ード側の信号出力のレベル比と等しい。混合回路１１の
出力信号が光ヘテロゲイン検波信号である。以上におい
て、位相変調器制御回路２２は光ヘテロダイン検波信号
の強度が最大になるように位相変調器２２の駆動電圧を
制御し信号光の位相差を制御する。
上記光ヘテロダイン検波装置の信号光に対する挿入損失
は３ｄＢで、ニオブ酸リチウム基板１５の形状は２０
Ｘ３０ ｍ ｍ″であり、小型且つ低損失の光ヘテロゲ
イン検波装置を得ることができた。
は３ｄＢで、ニオブ酸リチウム基板１５の形状は２０
Ｘ３０ ｍ ｍ″であり、小型且つ低損失の光ヘテロゲ
イン検波装置を得ることができた。
以上説明した通り本発明によれば、光ヘテロゲイン検波
装置において、モード変換器を含まない偏光制御素子を
用いて偏光制御機能を実現し且つ装置全体を一体的に構
成するようにしたため、容易な制御によって信号光と局
部発振光の偏光状態を常に一致させることができると共
に動作信頼性を向上することができ、小型・軽量に製作
することができ、更には量産できるという効果がある。
装置において、モード変換器を含まない偏光制御素子を
用いて偏光制御機能を実現し且つ装置全体を一体的に構
成するようにしたため、容易な制御によって信号光と局
部発振光の偏光状態を常に一致させることができると共
に動作信頼性を向上することができ、小型・軽量に製作
することができ、更には量産できるという効果がある。
第１図は本発明に係る光ヘテロダイン検波装置の基本構
成を示すブロック図、 第２図は本発明に係る光ヘテロダイン検波装置の一実施
例を示す平面図である。
成を示すブロック図、 第２図は本発明に係る光ヘテロダイン検波装置の一実施
例を示す平面図である。
Claims (1)
- （１）信号光を入射し、信号光のＴＥモードとＴＭモー
ドの位相を変換する位相変調器と、前記信号光と異なる
偏光角を有する局部発振光を出射する局部発振光源と、
前記信号光を互いに偏光角が直交するＴＥモード成分と
ＴＭモード成分に分ける第１のモードスプリッタと、前
記局部発振光を互いに偏光角が直交するＴＥモード成分
とＴＭモード成分に分ける第２のモードスプリッタと、
前記第１及び第２のモードスプリッタから出射されるＴ
Ｅモード成分を結合する第１の光結合器と、前記第１及
び第２のモードスプリッタから出射されるＴＭモード成
分を結合する第２の光結合器と、前記第１及び第２の光
結合器から出射される光を電気信号に変換する第１及び
第２の光検出器と、この第１及び第２の光検出器の出力
する信号を相加する混合回路とから成ることを特徴とす
る光ヘテロダイン検波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155965A JPS6217737A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光ヘテロダイン検波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155965A JPS6217737A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光ヘテロダイン検波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217737A true JPS6217737A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15617409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155965A Pending JPS6217737A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 光ヘテロダイン検波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6217737A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05196830A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-08-06 | Koninkl Ptt Nederland Nv | モード変換器 |
| WO1994007312A1 (de) * | 1992-09-16 | 1994-03-31 | Deutsche Aerospace Ag | Einrichtung für die erzeugung von rückkopplungssignalen zur regelung optischer überwachungskreise (pll) |
| US11946651B2 (en) | 2021-03-08 | 2024-04-02 | Lg Electronics Inc. | Portable air flow apparatus |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60155965A patent/JPS6217737A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05196830A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-08-06 | Koninkl Ptt Nederland Nv | モード変換器 |
| WO1994007312A1 (de) * | 1992-09-16 | 1994-03-31 | Deutsche Aerospace Ag | Einrichtung für die erzeugung von rückkopplungssignalen zur regelung optischer überwachungskreise (pll) |
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