JPS62176198A - Ｈｉｃ基板における素子実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高周波ＨＩ　Ｃ（Ｉｌｙｂｒｉｄ　Ｉ（：）
のＣ０Ｂ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）の製造方法に
関する。

（従来の技術） 従来、高周波帯、高出力、高効率のＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏ
ｗａｖｅ　ＩＣ）化電力増幅器において、その増幅器の
機能調整に関する技術が、先の特開昭５９−２０２７１
０号公報に記載のｒＭＩｃ化電力増電力増幅器方法」に
開示されている。この特許出願は、ＭＩＣ化電力増幅器
の集中定数回路により組み込まれた内のコンデンサ２個
に島状の電極で形成したＭＯＳ又はＭＯＭタイプの調整
コンデンサを組み込んだ状態において、ワイヤボンダに
より電極間を接続しコンデンサ容量を微小に増大させな
がら回路機能の調整を行うことを特徴とするものである
。これによって電力増幅器の最適な特性を得て回路の良
品率を向上させている。

第３図は、前述のようなワイヤボンダにより電極間を接
続されたコンデンサを有する高周波、高出力のＨＩＣの
増幅器を示す図である。同図に示すように、電力増幅器
は、トランジスタ３段（ｑｌ。

Ｃ２，Ｃ３）のＣ級動作方式を用いている。回路の整合
は、入力、出力及び段間ともインダクタンス（Ｌ）とコ
ンデンサ（Ｃ）の同調により、インピーダンスマツチン
グを行っている。Ｌは太さ３０μφの金線であり、Ｃは
シリコンウェファに形成されたＭＯＳタイプの固定コン
デンサ（但しＣ５はアイランド方式の調整コンデンサ）
である。このように、当該ＨＩＣ電力増幅器は、集中定
数方式により調整作業がないことを特徴とし、コンデン
サを固定定数として組み込みを行うものである。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記構成のＨＩＣ電力増幅器では、次の
ような問題点があった。

第４図は、第３図の電力増幅器の実装状態を示す図であ
るが、同図に示すようにトランジスタＱ！〜Ｑ３のベー
ス近傍の固定コンデンサの取付位置が（図中点線から実
線）ずれると、ワイヤインダクタンス（Ｃ１に対してＬ
２の△Ｌ２．Ｃ：ｌに対してＬ４の△Ｌ４．［：５に対
してＬ６の△Ｌ６　）が変動し、パワーアンプ特性のバ
ラツキが大きくなってしまうという問題点があった。

本発明は、上記問題点を解決し、基板に実装される素子
の位置精度が優れたＨＩＣ基板における素子実装方法を
提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明に係るＨＩＣ基板の素子実装方法は、前記問題点
を解決するために、基板状に搭載される素子の位置決め
用のマークを該基板状に設けて、該マークに基づいて前
記素子を取付けるようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、以上のようにＨＩＣ基板における素子
実装方法を構成したので、作用は次のようになる。

ＨＩＣ製造にあたって、先ずＨＩＣの基板パターンが形
成される。この形成とともに基板に取付けられるべき素
子（例えばコンデンサ）の位置決め用のマークが形成さ
れる。このマークは取付ける素子に対して該素子の位置
を確定できるように設けられる。（例えば素子の対角線
状の角となるような位置にマークを２つ設ける）。次に
、基板状に設けられた位置決め用のマークに基づいて素
子の取付けが行われる。このため、取付けられる素子は
マークによって高位置精度に実装することができるため
、例えばワイヤポンディングにより接続されたコンデン
サのワイヤインダクタンスのバラツキを非常に少なくす
ることができる。従って前記問題点を解決できるのであ
る。

（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。

第１図は、本実施例による高周波ＨＩＣ電力増幅器の基
板パターン図である。同図における基板パターンは、前
述の第３図に示すＨＩＣの増幅器に対応するものである
。基板の構造はＡＩｔ□０３（厚さ０．８０１［＋１）
の基板上にＣｕ−Ｎｉ−Ａｕパターンを形成し、これと
ともにコンデンサに対する取付位置マーク１を付与して
いる。取付位置マーク１は一辺が０　、１ｍｍの正方形
であり、１チツプのコンデンサ辺りに１対の取付位置マ
ーク１を用いている。１対の取付位置マーク１の各々の
位置関係は、基板に取付けられるコンデンサの対角線状
の角である。

第２図は、基板状の取付位置マーク１に合わせてコンデ
ンサを実装した図である。先ず、コンデンサを取付ける
前に、マニアルダイスボンダーのコレットを取付位置マ
ーク１に合わせる。次に、コンデンサを取付はスクライ
ブ後コレットを取付位置マーク１の外側に合わせること
によりコンデンサの角は取付位置マーク１の中央に取付
けられる。

このように、本実施例では基板上に（：ｕ−Ｎｉ−Ａｕ
パターンとともに取付位置マーク１を形成することによ
り、コンデンサの取付位置か精度よく均一になることか
ら、各々のワイヤインダクタンスＬ２．Ｌ４．Ｌ６．Ｌ
、のバラツキを非常に小さくすることができる。

尚、本実施例では、取付位置マーク１の形状を正方形と
したが、これに限定する必要はない。例えば、取付位置
マークはかぎ状（四等の種々の形状のマークであっても
良い。

又、本実施例では、取付位置マーク１を１チツプのコン
デンサに対し２個設けたが、その数に限定される必要は
ない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように本発明によればＨＩＣ基板
における素子実装方法において、基板状に素子（例えば
コンデンサ）の取付位置マークを設けたので、コンデン
サの取付位置精度を±０．０５（ｍｍ）以内にすること
ができる。このため、コンデンサを接続するワイヤイン
ダクタンスのバラッキを非常に少なくすることができ、
これによって例えばＨＩＣの増幅器のパワーアンプ特性
及び効率特性か安定し製品の歩留り向上か可能となる。

更にＨＩＣの増幅器のチップ取付位置のずれの外観チェ
ックは、取付位置マークとチップの間隔（取付位置マー
クの中心にチップの角が位置しているかどうか）を目視
するだけで良く簡略化できる。又、チップの取付位置精
度を向上させることが可能なことから、ＨＩＣの全ての
分野において適用可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例による高周波ＨＩＣ増幅器
の基板パターン図、第２図は第１図の基板にコンデンサ
を実装した図、第３図は従来の高周波ＨＩＣの増幅器を
示す図、第４図は第３図の回路の実装状態を示す図であ
る。 １・・・取付位置マーク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に搭載される素子の位置決め用のマークを該基
   板上に設けて、該マークに基づいて前記素子を取付ける
   ことを特徴とするＨＩＣ基板における素子実装方法。