JPS6217380B2 - - Google Patents
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- JPS6217380B2 JPS6217380B2 JP3714679A JP3714679A JPS6217380B2 JP S6217380 B2 JPS6217380 B2 JP S6217380B2 JP 3714679 A JP3714679 A JP 3714679A JP 3714679 A JP3714679 A JP 3714679A JP S6217380 B2 JPS6217380 B2 JP S6217380B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、とくに自動車の電源に使用するオル
タネータ（alternator）のレクチフアイヤブリツ
ジ（rectifier bridge）用の半導体素子パワーダ
イオード（semi−conductor element power
diode）に関する。
タネータ（alternator）のレクチフアイヤブリツ
ジ（rectifier bridge）用の半導体素子パワーダ
イオード（semi−conductor element power
diode）に関する。
前記したような形成のレクチフアイヤブリツジ
は一般に、パワーダイオードを受け入れる穴を形
成した放熱板として使用する金属板を備えている
ことがよく知られている。この種のダイオード
は、半導体素子を内部に配置した密封金属ケース
を備えることが極めて多い。このケースの側壁は
その両端部の一方を極めて厚い底部従つて高い機
械的剛性を持つ底部により閉じてある。この底部
は同時に熱交換作用を促進する。このケースの底
部は、このためにレクチフアイヤブリツジの放熱
板に形成した穴の１つの中に圧力ばめしてある。
又良好な機械的連結ができるようにこの底部にみ
ぞを形成することが極めて多い。この底部の反対
側のダイオードケース端部は、開放し電気絶縁材
から作つた閉鎖部片により密封してふさぐことが
できる。半導体結晶の２個所の電気結線の一方は
金属ケースにより形成するが、他方の電気結線は
このケースの閉鎖部片を貫通する導線により得ら
れる。
は一般に、パワーダイオードを受け入れる穴を形
成した放熱板として使用する金属板を備えている
ことがよく知られている。この種のダイオード
は、半導体素子を内部に配置した密封金属ケース
を備えることが極めて多い。このケースの側壁は
その両端部の一方を極めて厚い底部従つて高い機
械的剛性を持つ底部により閉じてある。この底部
は同時に熱交換作用を促進する。このケースの底
部は、このためにレクチフアイヤブリツジの放熱
板に形成した穴の１つの中に圧力ばめしてある。
又良好な機械的連結ができるようにこの底部にみ
ぞを形成することが極めて多い。この底部の反対
側のダイオードケース端部は、開放し電気絶縁材
から作つた閉鎖部片により密封してふさぐことが
できる。半導体結晶の２個所の電気結線の一方は
金属ケースにより形成するが、他方の電気結線は
このケースの閉鎖部片を貫通する導線により得ら
れる。
前記したようなパワーダイオードは一般に、そ
の動作に関する限りは満足が得られる。しかしこ
れ等のパワーダイオードに放熱板を組付けること
がむずかしい。その理由は圧力ばめ作業に先だつ
て対応する穴に関係的な各パワーダイオードの相
対的位置決めを確実にするすなわち穴の軸線とパ
ワーダイオードの軸線とを実質的に整合するよう
に配置することによりパワーダイオードを穴内に
正確に心合わせしなければならないからである。
この場合圧力ばめ作業は容易に実施することがで
きる。
の動作に関する限りは満足が得られる。しかしこ
れ等のパワーダイオードに放熱板を組付けること
がむずかしい。その理由は圧力ばめ作業に先だつ
て対応する穴に関係的な各パワーダイオードの相
対的位置決めを確実にするすなわち穴の軸線とパ
ワーダイオードの軸線とを実質的に整合するよう
に配置することによりパワーダイオードを穴内に
正確に心合わせしなければならないからである。
この場合圧力ばめ作業は容易に実施することがで
きる。
本発明の目的は、パワーダイオードを受入れる
穴内のパワーダイオードの自動心合わせが確実に
できる形状を持つダイオードケースを提供しよう
とするにある。本発明によればケースの外側面を
２つの区域に分ける環状の肩部を形成してある。
これ等の区域は第１にダイオードの圧力ばめに先
だつてこのダイオードを穴内で自動心合わせする
小さい方の断面を持つ区域と第２に底部側に配置
した大きい方の断面を持つみぞ付き区域とであ
る。位置決めが一層容易になるほかに本発明パワ
ーダイオードには付加的な２つの利点がある。ケ
ースの小さい方の区域は組立て後に放熱板に関係
的に突出し従つて熱交換を促進する冷却フインと
して作用する。さらにこのケースの小さに方の断
面区域は、このケースを密封するように電気絶縁
性樹脂を射出する場合に成形容器又は空洞を形成
する。
穴内のパワーダイオードの自動心合わせが確実に
できる形状を持つダイオードケースを提供しよう
とするにある。本発明によればケースの外側面を
２つの区域に分ける環状の肩部を形成してある。
これ等の区域は第１にダイオードの圧力ばめに先
だつてこのダイオードを穴内で自動心合わせする
小さい方の断面を持つ区域と第２に底部側に配置
した大きい方の断面を持つみぞ付き区域とであ
る。位置決めが一層容易になるほかに本発明パワ
ーダイオードには付加的な２つの利点がある。ケ
ースの小さい方の区域は組立て後に放熱板に関係
的に突出し従つて熱交換を促進する冷却フインと
して作用する。さらにこのケースの小さに方の断
面区域は、このケースを密封するように電気絶縁
性樹脂を射出する場合に成形容器又は空洞を形成
する。
本発明は、軸線のまわりのほぼ回転面である側
面を外部に持ち、半導体素子を内部に配置したケ
ースを備え、このケースの両端部のうちの一方の
端部は、底部により閉じられるが、開放したその
他端部は、電気絶縁性閉鎖部片によりふさがれ、
前記半導体素子の電気結線の一方を形成する導線
を、前記電気絶縁性閉鎖部片を貫通させ、他方の
電気結線を前記ケースにより形成し、このケース
の底部部分を、放熱板として作用する金属板に形
成した穴内に圧力ばめするようにした、とくに自
動車の電源に使用するオルタネータのレクチフア
イヤブリツジ用の半導体素子パワーダイオードに
おいて、前記ケースの側面に、環状肩部を形成
し、この環状肩部により前記ケースを２つの区域
に分けた、すなわち、第１に、このケースの開放
側に位置し、前記圧力ばめに先だつて前記金属板
の穴内の前記半導体素子パワーダイオードの位置
決めを行なうことにより、前記ケースの軸線を、
前記穴の内壁により形成されたスリーブの軸線に
実質的に合致するようにし、前記ケースの軸線に
平行に測つて前記スリーブの高さに対し等しいか
又は一層大きい高さを持つ小さい方の断面の区域
と、第２に、前記底部の側に位置し、前記スリー
ブ内に圧力ばめするようにした大きい方の断面の
区域との２つの区域に分けたことを特徴とする半
導体素子パワーダイオードにある。
面を外部に持ち、半導体素子を内部に配置したケ
ースを備え、このケースの両端部のうちの一方の
端部は、底部により閉じられるが、開放したその
他端部は、電気絶縁性閉鎖部片によりふさがれ、
前記半導体素子の電気結線の一方を形成する導線
を、前記電気絶縁性閉鎖部片を貫通させ、他方の
電気結線を前記ケースにより形成し、このケース
の底部部分を、放熱板として作用する金属板に形
成した穴内に圧力ばめするようにした、とくに自
動車の電源に使用するオルタネータのレクチフア
イヤブリツジ用の半導体素子パワーダイオードに
おいて、前記ケースの側面に、環状肩部を形成
し、この環状肩部により前記ケースを２つの区域
に分けた、すなわち、第１に、このケースの開放
側に位置し、前記圧力ばめに先だつて前記金属板
の穴内の前記半導体素子パワーダイオードの位置
決めを行なうことにより、前記ケースの軸線を、
前記穴の内壁により形成されたスリーブの軸線に
実質的に合致するようにし、前記ケースの軸線に
平行に測つて前記スリーブの高さに対し等しいか
又は一層大きい高さを持つ小さい方の断面の区域
と、第２に、前記底部の側に位置し、前記スリー
ブ内に圧力ばめするようにした大きい方の断面の
区域との２つの区域に分けたことを特徴とする半
導体素子パワーダイオードにある。
好適とする実施側ではケースの側面は２個の基
部円筒体を形成する。対応する穴を持つスリーブ
も又形状が円筒形である。ケースの小さい方の区
域の外径は穴を持つスリーブの内径よりわずかに
小さい。しかしこのケースの大きい方の区域の直
径はスリーブの内径よりわずかに大きい。環状の
肩部はケースの軸線に直交して延びている。半径
方向に測つた環状肩部の幅は約0.1mmないし約0.4
mmである。ケースの大きい方の断面区域の側壁に
は、ケースの軸線に平行に並べて配置したみぞを
形成してある。環状肩部は、２条の次々のみぞの
間に配置した歯により形成してある。ケースの開
いた端部は、このケース内に成形した電気絶縁性
樹脂せんにより閉じてある。ケースの側面は、そ
の底部の反対側の自由端区域をつち打ちにより成
形してある。
部円筒体を形成する。対応する穴を持つスリーブ
も又形状が円筒形である。ケースの小さい方の区
域の外径は穴を持つスリーブの内径よりわずかに
小さい。しかしこのケースの大きい方の区域の直
径はスリーブの内径よりわずかに大きい。環状の
肩部はケースの軸線に直交して延びている。半径
方向に測つた環状肩部の幅は約0.1mmないし約0.4
mmである。ケースの大きい方の断面区域の側壁に
は、ケースの軸線に平行に並べて配置したみぞを
形成してある。環状肩部は、２条の次々のみぞの
間に配置した歯により形成してある。ケースの開
いた端部は、このケース内に成形した電気絶縁性
樹脂せんにより閉じてある。ケースの側面は、そ
の底部の反対側の自由端区域をつち打ちにより成
形してある。
第１の実施例によれば本発明パワーダイオード
のケースはたとえば金属の押出しにより単一の部
品として作つてある。このケースでは肩部はこの
ケースの肩部側に位置する円筒形側面部分にみぞ
を形成することにより作るのが有利である。みぞ
を形成してない部分の外径は、みぞの底で測つた
みぞ付き部分の直径と各みぞを互に隔離する各歯
の頂部で測つた同じみぞ付き部分の直径との間の
値である。肩部はこれ等の高さの半分の高さを持
つのが有利である。
のケースはたとえば金属の押出しにより単一の部
品として作つてある。このケースでは肩部はこの
ケースの肩部側に位置する円筒形側面部分にみぞ
を形成することにより作るのが有利である。みぞ
を形成してない部分の外径は、みぞの底で測つた
みぞ付き部分の直径と各みぞを互に隔離する各歯
の頂部で測つた同じみぞ付き部分の直径との間の
値である。肩部はこれ等の高さの半分の高さを持
つのが有利である。
前記実施例の変型によればダイオードケースは
２つの部品すなわち、このケースの大きい方の断
面区域を周辺により形成する金属底部と、この底
部にたとえばすべりばめにより接合したスリーブ
とを組合わせることにより得られる。このスリー
ブはケースの小さい方の断面区域を形成する。こ
のスリーブは任意適当な材料たとえばプラスチツ
ク材から作る。
２つの部品すなわち、このケースの大きい方の断
面区域を周辺により形成する金属底部と、この底
部にたとえばすべりばめにより接合したスリーブ
とを組合わせることにより得られる。このスリー
ブはケースの小さい方の断面区域を形成する。こ
のスリーブは任意適当な材料たとえばプラスチツ
ク材から作る。
以下本発明パワーダイオードの実施例を添付図
面について詳細に説明する。
面について詳細に説明する。
図示のように本発明によるパワーダイオード１
は自動車オルタネータ用のレクチフアイヤブリツ
ジの一部を形成するものである。オルタネータの
フランジの一方に位置させるようにすることが多
いこのレクチフアイヤブリツジは一般に２枚の板
部片を備えている。これ等の板部片の一方は電気
回路を形成し、他方の板部片は放熱板２として作
用する。放熱板２には、パワーダイオード１を圧
力ばめする穴３を形成してある。穴３は高さＨ及
び直径Ｄを持つ円筒形スリーブ４により形成して
ある。
は自動車オルタネータ用のレクチフアイヤブリツ
ジの一部を形成するものである。オルタネータの
フランジの一方に位置させるようにすることが多
いこのレクチフアイヤブリツジは一般に２枚の板
部片を備えている。これ等の板部片の一方は電気
回路を形成し、他方の板部片は放熱板２として作
用する。放熱板２には、パワーダイオード１を圧
力ばめする穴３を形成してある。穴３は高さＨ及
び直径Ｄを持つ円筒形スリーブ４により形成して
ある。
パワーダイオード１には、半導体結晶すなわち
半導体素子６を内部に配置した円筒形ケース５を
設けてある。ケース５は、その両端部の一方が開
放しその他端部を極めて厚い底部７により閉じて
ある。第１図の実施例では円筒形のケース５は導
電性金属ペレツトたとえば銅ペレツトの押出しに
より単一の部品として形成してある。このように
して得られるケース５は、ほぼ一定の直径を持つ
円筒形側面を外部に備えている。この側面には底
部７の周辺に普通のフライス作業によりみぞ９を
形成してある。フライス作業は、ケース５のみぞ
なし部分８の直径D1がみぞ９の底で測つたケー
スみぞ付き部分の直径D2と各みぞ９を互に隔離
する歯の頂部で測つたこの同じみぞ付き部分の直
径D3との間の値になるように行う。すなわちこ
のフライス作業によりケース５の円筒形側面に、
ケース軸線に直交して配置した環状肩部１０を形
成する。肩部１０は、２条の次々のみぞ９を互に
隔離する歯の高さの半分すなわち値（Ｄ３−Ｄ２／４） の最大厚みを持つ。
半導体素子６を内部に配置した円筒形ケース５を
設けてある。ケース５は、その両端部の一方が開
放しその他端部を極めて厚い底部７により閉じて
ある。第１図の実施例では円筒形のケース５は導
電性金属ペレツトたとえば銅ペレツトの押出しに
より単一の部品として形成してある。このように
して得られるケース５は、ほぼ一定の直径を持つ
円筒形側面を外部に備えている。この側面には底
部７の周辺に普通のフライス作業によりみぞ９を
形成してある。フライス作業は、ケース５のみぞ
なし部分８の直径D1がみぞ９の底で測つたケー
スみぞ付き部分の直径D2と各みぞ９を互に隔離
する歯の頂部で測つたこの同じみぞ付き部分の直
径D3との間の値になるように行う。すなわちこ
のフライス作業によりケース５の円筒形側面に、
ケース軸線に直交して配置した環状肩部１０を形
成する。肩部１０は、２条の次々のみぞ９を互に
隔離する歯の高さの半分すなわち値（Ｄ３−Ｄ２／４） の最大厚みを持つ。
通常底部７は、半導体素子６をはんだ付けした
ほぼ円筒形の脚部１１を内方に備えている。脚部
１１は半導体素子６を、底部７の穴３内への圧力
ばめに基づく底部７の変形から保護する作用をす
る。
ほぼ円筒形の脚部１１を内方に備えている。脚部
１１は半導体素子６を、底部７の穴３内への圧力
ばめに基づく底部７の変形から保護する作用をす
る。
金属ケース５は半導体素子６の２つの電気結線
の一方を形成する、他方の電気結線は導線１２に
より形成してある。導線１２は、ケース５内に入
込み半導体素子６をＳ字部分を経て接続する。導
線１２の直線形部分はほぼケース５の軸線に沿つ
て配置してある。導線１２の自由端はレクチフア
イヤブリツジの電気回路板にはんだ付けするよう
にしてある。
の一方を形成する、他方の電気結線は導線１２に
より形成してある。導線１２は、ケース５内に入
込み半導体素子６をＳ字部分を経て接続する。導
線１２の直線形部分はほぼケース５の軸線に沿つ
て配置してある。導線１２の自由端はレクチフア
イヤブリツジの電気回路板にはんだ付けするよう
にしてある。
この実施例ではケース５はたとえばエポキシ樹
脂から作つた電気絶縁性樹脂せん１４により密封
して閉じてある。樹脂せん１４はケース５内に直
接成形してある。ケース５のみぞなし部分８の自
由端縁１３をわずかにつち打ちにより成形し
（hammered out）ケース５内の樹脂せん１４の
良好な止めを形成する。
脂から作つた電気絶縁性樹脂せん１４により密封
して閉じてある。樹脂せん１４はケース５内に直
接成形してある。ケース５のみぞなし部分８の自
由端縁１３をわずかにつち打ちにより成形し
（hammered out）ケース５内の樹脂せん１４の
良好な止めを形成する。
第２図は前記したパワーダイオード１をレクチ
フアイヤブリツジの放熱板２に位置決めし組付け
る状態を示す。このためにパワーダイオード１は
放熱板２に形成した穴３に直角を挾んで位置させ
る。この場合みぞなし部分８は穴３に対向して配
置する。パワーダイオード１を穴３内に導入する
ときは、歯の頂部で測つた直径D3が穴３のスリ
ーブ４の直径Ｄよりわずかに大きい環状肩部１０
は穴３のリムに当たる。みぞなし部分８の直径
D1がスリーブ４の直径Ｄよりわずかに小さいの
で又みぞなし部分８の高さがスリーブ４の高さＨ
より高いので、パワーダイオード１が穴３内で自
動的に心合わせされすなわち穴３及びケース５の
各軸線が実質的に合致するのは明らかである。す
なわち、穴３内へのパワーダイオード１の導入に
より穴３内での自動心合わせ作用が生ずるから、
位置決め作業は極めて簡単になる。この場合底部
７をスリーブ４内に圧力ばめするには、プレスに
より底部７を押圧すれば十分である。組付けた位
置では金属ケース５のみぞなし部分８は放熱板２
に関係的に突出し従つて熱交換を容易にする冷却
フインを形成する。
フアイヤブリツジの放熱板２に位置決めし組付け
る状態を示す。このためにパワーダイオード１は
放熱板２に形成した穴３に直角を挾んで位置させ
る。この場合みぞなし部分８は穴３に対向して配
置する。パワーダイオード１を穴３内に導入する
ときは、歯の頂部で測つた直径D3が穴３のスリ
ーブ４の直径Ｄよりわずかに大きい環状肩部１０
は穴３のリムに当たる。みぞなし部分８の直径
D1がスリーブ４の直径Ｄよりわずかに小さいの
で又みぞなし部分８の高さがスリーブ４の高さＨ
より高いので、パワーダイオード１が穴３内で自
動的に心合わせされすなわち穴３及びケース５の
各軸線が実質的に合致するのは明らかである。す
なわち、穴３内へのパワーダイオード１の導入に
より穴３内での自動心合わせ作用が生ずるから、
位置決め作業は極めて簡単になる。この場合底部
７をスリーブ４内に圧力ばめするには、プレスに
より底部７を押圧すれば十分である。組付けた位
置では金属ケース５のみぞなし部分８は放熱板２
に関係的に突出し従つて熱交換を容易にする冷却
フインを形成する。
第３図にはパワーダイオードの２つの組付け部
品から作つた変型を示す。このようなケース１５
ではその形状が第１図に示したケース５の形状と
ほぼ同じである。大きい違いは、プラスチツク製
の円筒形のスリーブ１７と金属製の底部１６とを
スナツプ式のはめ込み（snap fit）により組立て
ることである。円筒形スリーブ１７はこのために
その周辺リムの一方に保持出張り１８を形成して
ある。保持出張り１８は底部１６の周辺に形成し
た補形的形状のみぞ１９と協働している。底部１
６の反対側のスリーブ１７の他方の自由端リムは
わずかなつち打ち成形が行われスリーブ１７を保
持するようにした樹脂せんの良好な止めを形成す
る。底部１６の円筒形側面には又その円筒面の母
線に平行なみぞを形成してある。これ等のみぞは
スリーブ１７の外側面に関係的に、第１図のケー
ス５の環状肩部１０とほぼ同様な肩部２０を形成
する。挿入したスリーブ１７は第１図のケース５
のみぞなし部分８とほぼ同じ機能すなわちケース
の密封閉鎖を確実にする樹脂せんに対する成形容
器又は空洞の機能と、圧力ばめ作業の前の穴３内
のパワーダイオードの自動心合わせの機能とを果
す。
品から作つた変型を示す。このようなケース１５
ではその形状が第１図に示したケース５の形状と
ほぼ同じである。大きい違いは、プラスチツク製
の円筒形のスリーブ１７と金属製の底部１６とを
スナツプ式のはめ込み（snap fit）により組立て
ることである。円筒形スリーブ１７はこのために
その周辺リムの一方に保持出張り１８を形成して
ある。保持出張り１８は底部１６の周辺に形成し
た補形的形状のみぞ１９と協働している。底部１
６の反対側のスリーブ１７の他方の自由端リムは
わずかなつち打ち成形が行われスリーブ１７を保
持するようにした樹脂せんの良好な止めを形成す
る。底部１６の円筒形側面には又その円筒面の母
線に平行なみぞを形成してある。これ等のみぞは
スリーブ１７の外側面に関係的に、第１図のケー
ス５の環状肩部１０とほぼ同様な肩部２０を形成
する。挿入したスリーブ１７は第１図のケース５
のみぞなし部分８とほぼ同じ機能すなわちケース
の密封閉鎖を確実にする樹脂せんに対する成形容
器又は空洞の機能と、圧力ばめ作業の前の穴３内
のパワーダイオードの自動心合わせの機能とを果
す。
以上本発明をその実施例について詳細に説明し
たが本発明はなおその精神を逸脱しないで種々の
変化変型を行うことができるのはもちろんであ
る。
たが本発明はなおその精神を逸脱しないで種々の
変化変型を行うことができるのはもちろんであ
る。
第１図は本発明パワーダイオードの１実施例を
一部を切欠いて示す側面図、第２図はレクチフア
イヤブリツジの放熱板に第１図のパワーダイオー
ドを組付ける状態を一部を横断面にして示す縮小
側面図である。第３図は第１図のパワーダイオー
ドのケースの変型を一部を切欠いて示す側面図で
ある。 １……パワーダイオード、２……放熱板、３…
…穴、４……スリーブ、５……ケース、６……半
導体素子、７……底部、８……みぞなし部分、１
０……環状肩部、１２……導線、１４……樹脂せ
ん。
一部を切欠いて示す側面図、第２図はレクチフア
イヤブリツジの放熱板に第１図のパワーダイオー
ドを組付ける状態を一部を横断面にして示す縮小
側面図である。第３図は第１図のパワーダイオー
ドのケースの変型を一部を切欠いて示す側面図で
ある。 １……パワーダイオード、２……放熱板、３…
…穴、４……スリーブ、５……ケース、６……半
導体素子、７……底部、８……みぞなし部分、１
０……環状肩部、１２……導線、１４……樹脂せ
ん。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軸線のまわりのほぼ回転面である側面を外部
に持ち、半導体素子を内部に配置たケースを備
え、このケースの両端部のうちの一方の端部は、
底部により閉じられるが、開放したその他端部
は、電気絶縁性閉鎖部片によりふさがれ、前記半
導体素子の電気結線の一方を形成する導線を、前
記電気絶縁性閉鎖部片を貫通させ、他方の電気結
線を前記ケースにより形成し、このケースの底部
部分を、放熱板として作用する金属板に形成した
穴内に圧力ばめするようにした、とくに自動車の
電源に使用するオルタネータのレクチフアイヤブ
リツジ用の半導体素子パワーダイオードにおい
て、前記ケースの側面に、環状肩部を形成し、こ
の環状肩部により前記ケースを２つの区域に分け
た、すなわち、第１に、このケースの開放側に位
置し、前記圧力ばめに先だつて前記金属板の穴内
の前記半導体素子パワーダイオードの位置決めを
行なうことにより、前記ケースの軸線を、前記穴
の内壁により形成されたスリーブの軸線に実質的
に合致するようにし、前記ケースの軸線に平行に
測つて前記スリーブの高さに対し等しいか又は一
層大きい高さを持つ小さい方の断面の区域と、第
２に、前記底部の側に位置し、前記スリーブ内に
圧力ばめするようにした大きい方の断面の区域と
の２つの区域に分けたことを特徴とする半導体素
子パワーダイオード。 ２ 前記ケースの外部の側面により２個の基部円
筒体を形成し、対応する前記穴のスリーブも又形
状を円筒形にしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体素子パワーダイオード。 ３ 前記ケースの小さい方の断面の区域の外径
を、前記穴により形成されたスリーブの内径より
わずかに小さくするが、前記ケースの大きい方の
断面の区域の直径を、前記スリーブの内径よりわ
ずかに大きくしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の半導体素子パワーダイ
オード。 ４ 前記環状肩部が、前記ケースの軸線に直交し
て延び、半径方向に測つた前記環状肩部の幅を約
0.1mmないし約0.4mmにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体素子パワーダイオ
ード。 ５ 前記ケースの大きい方の断面の区域を実質的
に底部により形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半
導体素子パワーダイオード。 ６ 前記ケースの大きい方の断面の区域に、この
ケースの軸線に平行に互いに並べて配置したみぞ
を形成し、前記環状肩部を、２条の次次の前記各
みぞ間に配置した歯により形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
かに記載の半導体素子パワーダイオード。 ７ 前記ケースの開放した端部を、このケース内
に成形した電気絶縁性樹脂せんにより閉じたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項
のいずれかに記載の半導体素子パワーダイオー
ド。 ８ 前記ケースの側面を、その底部の反対側の自
由端区域でつち打ちにより形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれ
かに記載の半導体素子パワーダイオード。 ９ 前記ケースを、たとえば金属押出し作業によ
り単一の部品から形成したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載
の半導体素子パワーダイオード。 １０ 前記ケースの円筒形の側面の底部側に位置
する部分にみぞを形成することにより前記環状肩
部を形成し、みぞなし部分の外径を、前記各みぞ
の底で測つたみぞ付きの前記部分の直径と、前記
みぞを互いに隔離する前記歯の頂部で測つたこの
みぞ付きの部分の直径との間にしたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項、第２項及び第９項の
いずれかに記載の半導体素子パワーダイオード。 １１ 前記ケースを、２つの部品の組合わせによ
り形成した、すなわち、このケースの大きい方の
断面の区域を周辺により形成する金属底部と、こ
の金属底部にたとえばスナツプ式にはめこまれた
スリーブとの２つの部品の組合わせにより形成
し、このスリーブにより前記ケースの小さい方の
断面の区域を形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の半
導体素子パワーダイオード。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7809329A FR2421465A1 (fr) | 1978-03-30 | 1978-03-30 | Diode de puissance a element semi-conducteur destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54152475A JPS54152475A (en) | 1979-11-30 |
| JPS6217380B2 true JPS6217380B2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=9206456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3714679A Granted JPS54152475A (en) | 1978-03-30 | 1979-03-30 | Semiconductor element power diode |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54152475A (ja) |
| DE (1) | DE2912189C2 (ja) |
| FR (1) | FR2421465A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3124692A1 (de) * | 1981-06-24 | 1983-01-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | "halbleitergleichrichter" |
| US4792204A (en) * | 1987-06-08 | 1988-12-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Process and apparatus for elimination of tolerance dependent variations of a selectable spacing between components in optical communication equipment |
| US4938054A (en) * | 1989-05-03 | 1990-07-03 | Gilbarco Inc. | Ultrasonic linear meter sensor for positive displacement meter |
| DE10141603A1 (de) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Befestigen eines elektrischen Elements sowie Baueinheit mit danach befestigtem elektrischen Element |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1188210B (de) * | 1962-05-28 | 1965-03-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| DE1489688A1 (de) * | 1965-06-26 | 1969-12-11 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiterbauelement |
| DE1564749A1 (de) * | 1966-10-27 | 1970-01-08 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleiteranordnung |
| DE1614481A1 (de) * | 1967-04-03 | 1970-07-02 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement |
| US3527971A (en) * | 1968-05-08 | 1970-09-08 | Applied Motors Inc | Apparatus for mounting brushes and diodes in a dynamoelectric machine |
| DE1944515A1 (de) * | 1969-09-02 | 1971-03-04 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung |
| GB1489603A (en) * | 1974-01-18 | 1977-10-26 | Lucas Electrical Ltd | Semi-conductor assemblies |
-
1978
- 1978-03-30 FR FR7809329A patent/FR2421465A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-03-28 DE DE19792912189 patent/DE2912189C2/de not_active Expired
- 1979-03-30 JP JP3714679A patent/JPS54152475A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2421465A1 (fr) | 1979-10-26 |
| JPS54152475A (en) | 1979-11-30 |
| FR2421465B1 (ja) | 1982-07-23 |
| DE2912189C2 (de) | 1984-12-13 |
| DE2912189A1 (de) | 1979-10-04 |
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