JPH0376026B2 - - Google Patents

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JPH0376026B2
JPH0376026B2 JP57057971A JP5797182A JPH0376026B2 JP H0376026 B2 JPH0376026 B2 JP H0376026B2 JP 57057971 A JP57057971 A JP 57057971A JP 5797182 A JP5797182 A JP 5797182A JP H0376026 B2 JPH0376026 B2 JP H0376026B2
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lid
case
terminals
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parallel
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Thomson CSF SA
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Publication date
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Publication of JPH0376026B2 publication Critical patent/JPH0376026B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体用ケースに係る。
パワー半導体ケースを使用装置に装着するため
に種々の方法が使用されているが、昨今では特に
平坦タグを備えたケース、特にフアーストン
Fastonを備えたケースを使用する場合が増えて
いる。フアーストン端子とは、所定規格に適合し
た直線寸法と厚みとを有しており、雌コネクタに
よつて迅速な配線ができるように形成された端子
である。通常は、特別な装置内での取付け、特に
直列又は並列取付けに必要な条件を満足させてい
る別の形状の平坦端子付ケースがユーザーによつ
て要求されているが従来のフアーストン端子を備
えたケースは、封止プラスチツク材料の成形後に
接続端子を別の立体配置に変更することが容易で
なく、従つて、ユーザーが特定の配線方法に合う
ように接続端子の立体配置を任意に変えることは
できない。
本発明の目的は、導電バーと接続端子及び異な
る半導体用ケースの接続端子相互間の短絡を阻止
し得る半導体用ケースを提供することである。
本発明によれば前記目的は、板状の金属ベース
と、前記金属ベースの面に装着された板状の絶縁
部材と、前記絶縁部材の表面に装着された少なく
とも一つの半導体素子と、前記半導体素子を被覆
すべく前記金属ベースに装着されており上面と相
互に対向する側面部とを有する絶縁性の蓋と、前
記蓋の前記側面部の夫々に形成されるとともに金
属ベースの面に直交する側端面を規定するように
前記蓋の前記側面部及び前記上面に開口してお
り、前記金属ベースの面に平行な水平面と前記水
平面に当接しかつ前記側端面に平行な平行面とに
よつて規定される二つの凹所と、夫々一端が前記
半導体素子の少なくとも一つの連結されており、
他端が前記凹所を介して前記平行面から前記金属
ベースの面に沿つて突出したのち水平方向に関し
て前記蓋の外郭の外側に突出しないように上方に
かつ前記水平面に垂直に延伸する金属性の接続端
子の複数とを備えた半導体用ケースによつて達成
される。
本発明においては、接続端子は夫々他端が凹所
を介して平行面から金属ベースの面に沿つて突出
してのち、水平方向に関して蓋の外郭の外側に突
出しないように上方にかつ水平面に垂直に延伸す
るが故に、導電バーを蓋の側面部に接して配置し
ても導電バーと導電バー等との短絡を阻止すべき
接続端子との短絡を防止し得るとともに複数のケ
ースを相互に密接して配置しても相互に非接触状
態を維持すべき一つのケースの接続端子と該一つ
のケースに隣接する他のケースの接続端子とが相
互に接触することがなくケース間に絶縁用の間隔
を設けなくても一つの平面上に複数のケースを相
互に密接して配置し得、限定された設置場所を有
効に利用し得る。
本発明の特徴と利点とをより十分に理解するた
めに、本発明を説明する前に従来の構造のフアー
ストン端子付ケースの１例を第１図及び第２図に
基いて説明する。
第１図は、プラスチツク材料内に封入する前の
中間製造段階に於ける従来の平坦端子付ケースの
斜視図である。ケースは、熱伝導性の良い金属例
えば銅製のベース１を含んでおり、、ベースは、
溶接し易くするための金属層で被覆されている。
ベースは更に、放熱子に容易に取付けるための貫
通孔２を有し得る。電気絶縁材から成り可能な限
り熱伝導製の良いプレート４、例えば両方の主面
が金属化されたアルミナプレートがベース上に配
置されている。熱伝導性が極めて良く通常は導電
性の材料例えば銅から成るプレート５が電気絶縁
プレート４の上に配置されている。
プレート５は、ろう付けを容易にするための材
料で被覆されている。
プレート５の目的は、ベース１から放出すべき
熱フラツクスをプレート４に移る前にできるだけ
分散させることである。金属被覆面を有する裸チ
ツプの形状の１個以上の半導体素子６，７がプレ
ート上に配置されている。これらの素子は例えば
トランジスタでもよく、伝導性プレート５との接
触面がコレクタに相当し、上面がベース端子及び
エミツタ端子を含んでいる。この場合、コレクタ
端子は金属プレート５を介して相互接続されてい
る。電気絶縁プレート４の上面縁端部は、上面の
主金属層から離れた金属層を含む。
小金属板１０〜１３の近い末端部が前述の縁端
金属層にろう付けされており、遠い末端部は特定
のフアーストン端子規格に従つて付形されてい
る。各半導体素子６，７の選択端子は、結線１４
を介して平坦端子即ちタグ１０〜１３の近端部の
領域に接続されている。
第１図はダーリントン回路の内部配線の１例を
示す。該回路に於いて、素子６は駆動トランジス
タ、素子７は出力トランジスタ、結線１１は駆動
トランジスタのベース、結線１２は出力段のベー
ス、結線１０はエミツタ、結線１３はコレクタで
ある。
次の製造段階の結果を第２図に示す。
該製造段階では、端子１０〜１３がベースの表
面に直角に上に折り曲げられて、全体がプラスチ
ツク材料例えばエポキシ樹脂のブロツク１６にモ
ールドされている。
処理は、１個のケース又は１組のケースを選択
形状のモールド型に入れて行なうトランスフア成
形、又は、開孔１７を有するキヤツプをベース上
に置きキヤツプ内に樹脂又はプラスチツク材料を
流し込むローストモールド法によつて行なわれ
る。
第１図及び第２図に基いて説明したケースは、
従来のフアーストンに端子付ケースとしてはすぐ
れている。しかし乍ら、封止プラスチツク材料の
成形後に接続端子を別の立体配置に変更すること
は容易でなく、従つて、ユーザーが特定の配線方
法に合うように接続端子の立体配置を任意に変え
ることはできない。
本発明の前記の目的、特徴及び利点は、添付図
面に示す実施例に基く以下の記載より明らかにさ
れるであろう。
第３図は、本発明の実施例のケースの斜視図で
ある（接続端子は折曲げられていない）。該ケー
スは第１図のケースと同じく、取付用開孔２を有
するベース１を含み得る。ケース内でのベース上
での半導体素子の取付けは第３図には示していな
いが第１図と同様に行なわれ得る。共通部分に於
ける第３図の第１図との違いは、主として、第１
図に示した中間製造段階では第３図のケースの接
続端子がいかなる特定形状をも有すること無く、
後述する如く種々の選択パターンに合わせて裁断
又は穿孔が可能な形状を有することである。
第２図に示した従来技術のケースと第３図のケ
ースとの違いは、接続端子２０〜２３が平坦に維
持されているときに通常はエポキシ樹脂から成る
プラスチツク材料の封入用ブロツクが形成される
ことである。蓋としての絶縁材ブロツク３０は、
接続端子２０〜２３が平行面３１から突出する場
所でベースの両側面に対して後退しており凹所が
形成されている（図では該側面が縦方向で示され
ている）。該凹所は、蓋の上面及び側面部に開口
しており、水平面３６と水平面３６に当接しかつ
側端面３５に平行な平行面３１とによつて規定さ
れる。接続端子は、絶縁材ブロツク３０の側端面
３５から外側方向に突出しないように上方に折曲
げられ得る。更に、プラスチツク材料ブロツク
は、接続端子２０〜２３を突出させた部分の両側
のベースの側面と共面上にある縦方向突出面３２
を含む。このような面は第３図でブロツクの両端
に示されている。更に端子２２と２３との間に突
出面を設けることも可能である。これらの突出面
によつても、導電バーを絶縁材ブロツク３０の側
面部に横向きに配設して端子２２と２３又は２０
と２１とを短絡させ得る状態としたときに接続端
子を上方に折曲げることによつて導電バー等との
短絡を阻止すべき端子の短絡の発生を阻止し得
る。絶縁材ブロツク３０の上面は、ナツトを受容
するための１個以上の凹部３３を含んでおり、着
脱作業間の凹部３３はナツトの回転を阻止し得る
形状を有する。
第４Ａ図から第６Ｂ図は、第３図の如きケース
の接続端子の種々のパターンを示す。該ケースで
は４個の接続端子２０〜２３が備えられており、
２個の端子２０，２２は主電極に相当し、別の２
個の端子は、より弱い電流を流す二次端子に相当
する。例えば端子２０，２２は、ダーリントン型
又は同型の１個のトランジスタ又は組合せトラン
ジスタのエミツタ及びコレクタ端子に相当する。
Ａ図は各ケースの平面図を示しており、Ｂ図は対
応するＡ図のＢ線に添つた断面図を示す。第４Ａ
図のケースに於いて端子２０，２２は、固定ネジ
を貫通せしめる孔４０の開設後に平坦に維持され
ている。端子２１，２３は第４Ｂ図において折り
曲げられている。この形状は、数個の等しい素子
をバー群間で互いに並列に接続するために構成さ
れており、ケースアセンブリの端子２０全部は第
１バーに接続されており、ケースアセンブリの端
子２２全部は第２バーに接続されている。このよ
うなアセンブリに於いて、一方で端子２１及び他
方で端子２３は、別のバーを介するか又はフアー
ストンコネクタによる配線を介して互いに接続さ
れ得る。図示のケースに於いては、端子２１，２
３は開孔を有するか又は折曲げ以前にフアースト
ン端子の規格に合せて裁断され得る。
第５Ａ図及び第５Ｂ図のケースでは、全部の端
子がフアーストン端子の規格に合せて裁断され上
方に折曲げられており、第２図に基いて説明した
ケースと同様に使用されるケースが形成されてい
る。
第６Ａ図及び第６Ｂ図のケースでは、各めくら
孔３３にナツト６０が挿入されている。主端子
は、図示の如く２回折曲げられてケースの上壁に
折返されてナツト６０を締付けるように裁断され
ており開孔６１を備えている。開孔は該ナツトの
ネジ孔と正合して配置される。バー群を介して図
示の如きケース複数個を直列又は並列に簡単に組
合せることが可能である。図示のケースでは、端
子２１，２３が平坦に維持されているが、ケース
の組立て方に基いてどのような形状に維持しても
よい。
第３図に示す如き標準ケースを製造し、次にユ
ーザーの要求に従つて選択された形状を接続端子
に与えることが可能である。接続端子の形成が貯
蔵後に行なわれてもよい。これにより貯蔵が簡単
になり、種々の用途に合う端子を一度に製造し得
る。
勿論本発明の実施例は、多数の変形が可能であ
る。図示の具体例ではベース１が、封止材料によ
り被覆された領域外で台形延長部を有していた
が、ベースは長方形で封止ケーシングの被覆領域
に限定されていてもよく、又は、別の選択形状を
有していてもよい。ケースの内部が第１図とは異
なる構造を有してもよい。例えば、伝導性プレー
ト５に変えて、絶縁プレート上の２個の電気絶縁
領域にろう付けされた２個のプレートを使用して
もよい。ケースが２個の素子例えば２個のダイオ
ードを内蔵していてもよく、該素子が互いに完全
に絶縁されていてもよい。
半導体素子の実装の分野では通常、プレート２
０〜２３は（絶縁部材を介して）ベース１に順次
別々に固着されるのでなく、逆に、複数の接続プ
レートを“リードフレーム”によつて互いに固定
し製造中の数個のケースに対する多数の接着処理
を１回の同時処理で行なう。種々のプレートは、
分離すべき場所にのみギヤツプを有して互いに固
定されている。従つて、各プレートに所望形状を
与え所定寸法の孔を開設するための例えば打抜き
による裁断段階は、従来のケース製造段階への付
加段階を構成しない。各接続端子又はタグを“リ
ードフレーム”から分離するための打抜き段階は
元から必要な段階であつたからである。
【図面の簡単な説明】
第１図は平坦端子を有するケースの中間製造段
階の斜視図、第２図は、フアーストン端子を有す
るケースの斜視図、第３図は本発明のケースの実
施例の斜視図、第４Ａ，５Ａ，６Ａ図は接続端子
の種々の形状の平面図、第４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ図は
対応する形状の側面図である。 １……ベース、２……貫通孔、４……絶縁プレ
ート、５……金属プレート、６，７……半導体素
子、１０，１１，１２，１３，２０，２１，２
２，２３……接続端子、３０……絶縁材ブロツ
ク、３３……凹部、６０……ナツト、６１……
孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 板状の金属ベースと、前記金属ベースの面に
    装着された板状の絶縁部材と、前記絶縁部材の表
    面に装着された少なくとも一つの半導体素子と、
    前記半導体素子を被覆すべく前記金属ベースに装
    着されており上面と相互に対向する側面部とを有
    する絶縁性の蓋と、前記蓋の前記側面部の夫々に
    形成されるとともに金属ベースの面に直交する側
    端面を規定するように前記蓋の前記側面部及び前
    記上面に開口しており、前記金属ベースの面に平
    行な水平面と前記水平面に当接しかつ前記側端面
    に平行な平行面とによつて規定される二つの凹所
    と、夫々一端が前記半導体素子の少なくとも一つ
    に連結されており、他端が前記凹所を介して前記
    平行面から前記金属ベースの面に沿つて突出して
    のち水平方向に関して前記蓋の外郭の外側に突出
    しないように上方にかつ前記水平面に垂直に延伸
    する金属性の接続端子の複数とを備えた半導体用
    ケース。 ２ 前記接続端子の前記他端は前記水平面に垂直
    に延伸してのち前記蓋の上方にかつ前記蓋の前記
    上面に平行に延伸する端部を有する特許請求の範
    囲第１項に記載の半導体用ケース。 ３ 前記接続端子の前記端部には貫通孔が形成さ
    れており、前記蓋の前記上面において前記接続端
    子の前記端部を係止すべく前記蓋の前記上面には
    前記貫通孔に挿入されたねじを受容する孔が形成
    されている特許請求の範囲第２項に記載の半導体
    用ケース。 ４ 前記接続端子がフアーストン端子である特許
    請求の範囲第１項から第３項のいずれか一項に記
    載の半導体用ケース。
JP57057971A 1981-04-08 1982-04-07 Case for middle output semiconductor element and method of producing same Granted JPS57177547A (en)

Applications Claiming Priority (1)

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FR8107035A FR2503932A1 (fr) 1981-04-08 1981-04-08 Boitiers a cosses plates pour composants semi-conducteurs de moyenne puissance et procede de fabrication

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Publication Number Publication Date
JPS57177547A JPS57177547A (en) 1982-11-01
JPH0376026B2 true JPH0376026B2 (ja) 1991-12-04

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JP57057971A Granted JPS57177547A (en) 1981-04-08 1982-04-07 Case for middle output semiconductor element and method of producing same

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US (1) US4510677A (ja)
EP (1) EP0063070B1 (ja)
JP (1) JPS57177547A (ja)
DE (1) DE3260696D1 (ja)
FR (1) FR2503932A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4589195A (en) * 1981-02-27 1986-05-20 Motorola, Inc. Method of fabricating a high current package with multi-level leads
FR2553231B1 (fr) * 1983-10-10 1988-07-08 Thomson Csf Commutateur double pour onduleurs, encapsule en boitier a broches exterieures planes
IT1212780B (it) * 1983-10-21 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Contenitore in metallo e resina per dispositivo a semiconduttore adatto al fissaggio su un dissipatore non perfettamente piano e processo per la sua fabbricazione.
JPS60157243A (ja) * 1984-01-25 1985-08-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS62142856U (ja) * 1986-02-28 1987-09-09
US4792880A (en) * 1986-10-03 1988-12-20 Westinghouse Electric Corp. Terminal module
US5225897A (en) * 1991-10-02 1993-07-06 Unitrode Corporation Molded package for semiconductor devices with leadframe locking structure
US5408128A (en) * 1993-09-15 1995-04-18 International Rectifier Corporation High power semiconductor device module with low thermal resistance and simplified manufacturing
US5508888A (en) * 1994-05-09 1996-04-16 At&T Global Information Solutions Company Electronic component lead protector
US5541453A (en) * 1995-04-14 1996-07-30 Abb Semiconductors, Ltd. Power semiconductor module
JPH11317326A (ja) * 1998-03-06 1999-11-16 Rohm Co Ltd 電子部品
US20070087637A1 (en) * 2004-10-15 2007-04-19 Zart Bryan J Connector assembly for an implantable medical device and process for making
US6817905B2 (en) * 2000-06-20 2004-11-16 Medtronic, Inc. Connector assembly for an implantable medical device and process for making
JP3533159B2 (ja) * 2000-08-31 2004-05-31 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE20020392U1 (de) * 2000-12-01 2001-04-26 Trw Automotive Electron & Comp Gehäuse für ein elektronisches Überwachungsgerät an Fahrzeugteilen
DE10100882A1 (de) * 2001-01-11 2002-08-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Montage eines Halbleiterbauelementes und Halbleiterbauelement
WO2012085677A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-28 Diodes Zetex Semiconductors Limited Complementary darlington emitter follower with improved switching speed and improved cross-over control and increased output voltage

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1161488A (en) * 1965-11-15 1969-08-13 Lucas Industries Ltd Semiconductor Devices
DE1614364C3 (de) * 1966-06-01 1979-04-05 Rca Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes
US3668299A (en) * 1971-04-29 1972-06-06 Beckman Instruments Inc Electrical circuit module and method of assembly
IT960675B (it) * 1972-06-03 1973-11-30 Ates Componenti Elettron Assemblaggio per produzione di circuiti integrati con conteni tore di resina
DE2714145C2 (de) * 1976-03-31 1985-01-10 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Gestanzte Metallträgerplatte für die Herstellung von kunststoffummantelten Halbleiterbauelementen
US4386463A (en) * 1981-10-05 1983-06-07 Mostek Corporation Lead frame embedding fixture

Also Published As

Publication number Publication date
EP0063070B1 (fr) 1984-09-12
FR2503932A1 (fr) 1982-10-15
JPS57177547A (en) 1982-11-01
EP0063070A1 (fr) 1982-10-20
DE3260696D1 (en) 1984-10-18
US4510677A (en) 1985-04-16
FR2503932B1 (ja) 1983-06-10

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