JPS62173594A - 熱感知器 - Google Patents
熱感知器Info
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- JPS62173594A JPS62173594A JP1500586A JP1500586A JPS62173594A JP S62173594 A JPS62173594 A JP S62173594A JP 1500586 A JP1500586 A JP 1500586A JP 1500586 A JP1500586 A JP 1500586A JP S62173594 A JPS62173594 A JP S62173594A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 235000011511 Diospyros Nutrition 0.000 description 1
- 244000236655 Diospyros kaki Species 0.000 description 1
- 101100298295 Drosophila melanogaster flfl gene Proteins 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野ｊ
本発明は、火災などの熱を感知するサーミスタと、この
サーミスタの熱応答より遅い時定数を持ったＣ Ｉ＜積
分回路とで構成された差動特性を有する［背景技術］ 第４図は従来のサーミスタ方式の熱感知器を示す図であ
り、これはダイオードブリッジＤｒ３を介して供給され
る電源電圧を定電圧化するトランジスタＱ ＋ 、抵抗
Ｒ１％ツェナダイオードＺＤ、、コンデンサＣ１からな
る定電圧回１８１と、火災などの熱を感知するサーミス
タＴ Ｉ、このサーミスタＴ Ｈの熱応答より遅い時定
数を持ったＣＲＭｔ分回路４と、及び上記サーミスタＴ
Ｈを介して電流が供給される抵抗Ｒ９の両端電圧が温度
の急変によりＣＲ積分回路４のコンデンサＣ１の両端電
圧以上に上昇したとき感知出力を生じる比較スイッチ回
路であるＰＵＴＱ、とで構成され差動特性を有する感知
回路２と、感知回路２出力にてダイオードブリッジＤＢ
出力の両端を短絡し入力端に火災等であることを示す検
知信号を出力する短絡回路３とで構成されている。さら
に詳しくは、感知回路２は、定電圧回路１出力にサーミ
スタＴＩＩと抵抗Ｒ５との直列回路を接続するとともに
、抵抗Ｒ，１％トランジスタ０１．乃び抵抗Ｒ９の直η
ｌ１ｎｎ蕗本扮井し、トランジスタＱ３のベースをサー
ミスタＴＨと抵抗Ｒ３との接続点に接続し、サーミスタ
Ｔ Ｈと抵抗Ｒ３の接続点と抵抗Ｒ７とトランジスタＱ
３の接続点とにＰＵＴＱ５の７ノードとデートを接続し
て構成してあり、トランジスタＱ、と抵抗Ｒ６の直列回
路の両端には抵抗Ｒ２とともにＣＲ積分回路４を構成す
るコンデンサＣＩが接続しである。
サーミスタの熱応答より遅い時定数を持ったＣ Ｉ＜積
分回路とで構成された差動特性を有する［背景技術］ 第４図は従来のサーミスタ方式の熱感知器を示す図であ
り、これはダイオードブリッジＤｒ３を介して供給され
る電源電圧を定電圧化するトランジスタＱ ＋ 、抵抗
Ｒ１％ツェナダイオードＺＤ、、コンデンサＣ１からな
る定電圧回１８１と、火災などの熱を感知するサーミス
タＴ Ｉ、このサーミスタＴ Ｈの熱応答より遅い時定
数を持ったＣＲＭｔ分回路４と、及び上記サーミスタＴ
Ｈを介して電流が供給される抵抗Ｒ９の両端電圧が温度
の急変によりＣＲ積分回路４のコンデンサＣ１の両端電
圧以上に上昇したとき感知出力を生じる比較スイッチ回
路であるＰＵＴＱ、とで構成され差動特性を有する感知
回路２と、感知回路２出力にてダイオードブリッジＤＢ
出力の両端を短絡し入力端に火災等であることを示す検
知信号を出力する短絡回路３とで構成されている。さら
に詳しくは、感知回路２は、定電圧回路１出力にサーミ
スタＴＩＩと抵抗Ｒ５との直列回路を接続するとともに
、抵抗Ｒ，１％トランジスタ０１．乃び抵抗Ｒ９の直η
ｌ１ｎｎ蕗本扮井し、トランジスタＱ３のベースをサー
ミスタＴＨと抵抗Ｒ３との接続点に接続し、サーミスタ
Ｔ Ｈと抵抗Ｒ３の接続点と抵抗Ｒ７とトランジスタＱ
３の接続点とにＰＵＴＱ５の７ノードとデートを接続し
て構成してあり、トランジスタＱ、と抵抗Ｒ６の直列回
路の両端には抵抗Ｒ２とともにＣＲ積分回路４を構成す
るコンデンサＣＩが接続しである。
なお、トランジスタＱ４、ダイオードＤＩ％抵抗Ｒ８、
コンデンサＣ２はコンデンサＣ１の充電回路である。ま
た、短絡回路３はダイオードブリッジＤＢの両端に接続
されたＳ ＣＲＱ、、Ｓ ＣＲＱ、のトリが用のトラン
ジスタＱ ２、抵抗Ｒ２〜Ｒ，、及ｔ／コンデンサＣ４
にて構成されている。
コンデンサＣ２はコンデンサＣ１の充電回路である。ま
た、短絡回路３はダイオードブリッジＤＢの両端に接続
されたＳ ＣＲＱ、、Ｓ ＣＲＱ、のトリが用のトラン
ジスタＱ ２、抵抗Ｒ２〜Ｒ，、及ｔ／コンデンサＣ４
にて構成されている。
以下、火災等の感知動作について説明する。温度が火災
等によｒ）急変すると、サーミスタＴＨの抵抗値が低下
し、サーミスタＴＨと抵抗Ｒ１の接続点であるＡ点の電
位が上昇する。このとき、それまではトランジスタＱ３
の導通によりＡ点の電位にトランジスタＱ、のベース・
エミッタ間電圧ＶＦＩＦを加えた電圧であった抵抗Ｒ７
とトランジスタＱ３のａ続点であるＢ点の電位もＣＲ積
分回路４の時定数に従って上テトしていく。つまりＣＲ
積分回路４の時定数をサーミスタＴＨの熱応答に比べて
遅い時定数に設定しであるため、Ａ点の電位の上昇がＢ
点の電位の上昇より速い。このため、トランジスタＱ、
がバイアスされなくなり、トランジスタＱ、がオフした
後は定電圧回路１にて抵抗Ｒ７を介してコンデンサＣ１
が充電されるので、Ｂ点の電位は抵抗Ｒ７とコンデンサ
Ｃ５の時定数に従って上昇していくものである。そして
、サーミスタＴＨの熱応答に比べて遅く充電されるよう
にＣＲ積分回路４の時定数を設定しであるから、Ａ点の
電位の上昇がＢ点の電位の上昇より速く、このためある
時点でＡ点の電位がＢ点の電位を越える。これにより、
ＰＵＴＱ、がオンし、トランジスタＱ２をオンすること
により、５ＣＲＱ６がトリ〃されて点弧する。この３
ＣＲＱ ｓの点弧によりダイオードブリッジＤＢの両端
を短絡し、この電源短絡信号を図示しない警報回路等に
て検知することで火災等を報知するものである。
等によｒ）急変すると、サーミスタＴＨの抵抗値が低下
し、サーミスタＴＨと抵抗Ｒ１の接続点であるＡ点の電
位が上昇する。このとき、それまではトランジスタＱ３
の導通によりＡ点の電位にトランジスタＱ、のベース・
エミッタ間電圧ＶＦＩＦを加えた電圧であった抵抗Ｒ７
とトランジスタＱ３のａ続点であるＢ点の電位もＣＲ積
分回路４の時定数に従って上テトしていく。つまりＣＲ
積分回路４の時定数をサーミスタＴＨの熱応答に比べて
遅い時定数に設定しであるため、Ａ点の電位の上昇がＢ
点の電位の上昇より速い。このため、トランジスタＱ、
がバイアスされなくなり、トランジスタＱ、がオフした
後は定電圧回路１にて抵抗Ｒ７を介してコンデンサＣ１
が充電されるので、Ｂ点の電位は抵抗Ｒ７とコンデンサ
Ｃ５の時定数に従って上昇していくものである。そして
、サーミスタＴＨの熱応答に比べて遅く充電されるよう
にＣＲ積分回路４の時定数を設定しであるから、Ａ点の
電位の上昇がＢ点の電位の上昇より速く、このためある
時点でＡ点の電位がＢ点の電位を越える。これにより、
ＰＵＴＱ、がオンし、トランジスタＱ２をオンすること
により、５ＣＲＱ６がトリ〃されて点弧する。この３
ＣＲＱ ｓの点弧によりダイオードブリッジＤＢの両端
を短絡し、この電源短絡信号を図示しない警報回路等に
て検知することで火災等を報知するものである。
しかし、上述の回路においては消費電流を少なくするた
め、あるいはＣＲ積分回路４の時定数を大きくするため
に、抵抗Ｒ７の値を大きくしたり、またはコンデンサＣ
１の値を大きくしたりすると、コンデンサＣ１の漏れ電
流により、コンデンサＣＩは定電圧回路１の出力電圧■
、に対しである一定の電圧までしか充電されなくなって
しまう場合がある。このため、温度が徐々に上昇し、Ａ
点の電位がゆっくり上昇しても、Ａ点の電位がＢ点の電
位を越えてしまうことがあり、火災などでないにも拘わ
らずＰ Ｕ Ｔ Ｑ ｓがオンし火災等の警報を発する
誤動作を起こす問題があった。
め、あるいはＣＲ積分回路４の時定数を大きくするため
に、抵抗Ｒ７の値を大きくしたり、またはコンデンサＣ
１の値を大きくしたりすると、コンデンサＣ１の漏れ電
流により、コンデンサＣＩは定電圧回路１の出力電圧■
、に対しである一定の電圧までしか充電されなくなって
しまう場合がある。このため、温度が徐々に上昇し、Ａ
点の電位がゆっくり上昇しても、Ａ点の電位がＢ点の電
位を越えてしまうことがあり、火災などでないにも拘わ
らずＰ Ｕ Ｔ Ｑ ｓがオンし火災等の警報を発する
誤動作を起こす問題があった。
［発明の目的１
本発明は上述の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、ＣＲ積分回路のコンデンサの漏れ電
流【こよる誤動作を防ｌにすることができろ熱感知器を
提供することにある。
的とするところは、ＣＲ積分回路のコンデンサの漏れ電
流【こよる誤動作を防ｌにすることができろ熱感知器を
提供することにある。
１発明の開示１
（実施例１）
体構成に関しては従来例と同様であるので、本実施例の
特徴とする感知回路２についてのみ説明する。本実施例
はサーミスタＴ Ｉ（と直列にツェナダイオードＺＤ２
を挿入したものであり、このツェナダイオードＺＤ２を
電圧制限回路として用いている。
特徴とする感知回路２についてのみ説明する。本実施例
はサーミスタＴ Ｉ（と直列にツェナダイオードＺＤ２
を挿入したものであり、このツェナダイオードＺＤ２を
電圧制限回路として用いている。
以下、本実施例の動作について説明する。温度がゆっく
り上昇してサーミスタＴＨの抵抗値が低下した場合、Ａ
点の電位はＯ−Ｖ、−Ｖ２Ｉ）間で変化する。このｖ
ｔ −ｖ ｚｏなる電圧はコンデンサＣ４の漏れ電流に
より制限されるＢ点の電位より低い電圧である。したが
って、緩やかな温度上昇にて定電圧回路１にてＣＲ積分
回路４が充電されてＢ点の電位が上昇し、コンデンサＣ
Ｉの漏れ電流によりコンデンサＣＩの両端電圧が定電圧
回路１の出力電圧ｖＩまで上昇せず、このときＡ点の電
位が最も高い電位になった場合であっても、Ａ、ヴの電
位はＢ点の電位以下であるから、緩やかな温度上昇によ
り、Ａ点の電位がＢ点の電位以上に上昇しで、Ｐ ［Ｊ
”ｌ” Ｑ ｃがオンし、・ｋ災でないにｔ、拘わら
ず警報を発するような誤動作が起こる、二とがない。こ
のツェナダイオードＺＤ２のツェナ電圧■７ｒ）はコン
デンサＣ２の漏れ電流を考慮すれば、■。
り上昇してサーミスタＴＨの抵抗値が低下した場合、Ａ
点の電位はＯ−Ｖ、−Ｖ２Ｉ）間で変化する。このｖ
ｔ −ｖ ｚｏなる電圧はコンデンサＣ４の漏れ電流に
より制限されるＢ点の電位より低い電圧である。したが
って、緩やかな温度上昇にて定電圧回路１にてＣＲ積分
回路４が充電されてＢ点の電位が上昇し、コンデンサＣ
Ｉの漏れ電流によりコンデンサＣＩの両端電圧が定電圧
回路１の出力電圧ｖＩまで上昇せず、このときＡ点の電
位が最も高い電位になった場合であっても、Ａ、ヴの電
位はＢ点の電位以下であるから、緩やかな温度上昇によ
り、Ａ点の電位がＢ点の電位以上に上昇しで、Ｐ ［Ｊ
”ｌ” Ｑ ｃがオンし、・ｋ災でないにｔ、拘わら
ず警報を発するような誤動作が起こる、二とがない。こ
のツェナダイオードＺＤ２のツェナ電圧■７ｒ）はコン
デンサＣ２の漏れ電流を考慮すれば、■。
／２〜■、／４程度に設定すれば良い。
（実施例２）
第２図は本発明の他の実施例を示す図であり、本実施例
ではダイオードブリツノ１）Ｂ出力を定電圧化する定電
圧回路を２個設け、第１の定電圧回路５にて抵抗Ｒ７と
コンデンサＣＩとのＣＲ積分回路４に電源を供給すると
ともに、第２の定電圧回路６にてサーミスタＴ Ｉ−１
と抵抗Ｒ５との直列回路に？ｔｉ源を供給するようにし
たものであり、電圧制限回路として第２の定電圧回路６
を用いている。
ではダイオードブリツノ１）Ｂ出力を定電圧化する定電
圧回路を２個設け、第１の定電圧回路５にて抵抗Ｒ７と
コンデンサＣＩとのＣＲ積分回路４に電源を供給すると
ともに、第２の定電圧回路６にてサーミスタＴ Ｉ−１
と抵抗Ｒ５との直列回路に？ｔｉ源を供給するようにし
たものであり、電圧制限回路として第２の定電圧回路６
を用いている。
この定電圧回路５，６の出力電圧は定電圧回路５が定電
圧回路６よりも高くしであり、緩やかな温度上昇時に、
Ａ、αの電位が上述の第１の実施例と同棟にコンデンサ
Ｃ１の漏れ電流により制限されるＢ点の電位以上になら
ないようにしである。したがって、コンデンサＣ９の漏
れ電流により誤動作を生じないものである。
圧回路６よりも高くしであり、緩やかな温度上昇時に、
Ａ、αの電位が上述の第１の実施例と同棟にコンデンサ
Ｃ１の漏れ電流により制限されるＢ点の電位以上になら
ないようにしである。したがって、コンデンサＣ９の漏
れ電流により誤動作を生じないものである。
（実施例３）
第３図は本発明のさらに他の実施例を示す図であり、サ
ーミスタＴＩＥと抵抗Ｒｓとの直列回路の両端にｒ・’
Ｅ Ｔ Ｑ ７、ツェナダイオード７、 Ｄコ、抵抗
ｌテ、の直列回路を接続し、ツェナダイオードＺＤ。
ーミスタＴＩＥと抵抗Ｒｓとの直列回路の両端にｒ・’
Ｅ Ｔ Ｑ ７、ツェナダイオード７、 Ｄコ、抵抗
ｌテ、の直列回路を接続し、ツェナダイオードＺＤ。
と抵抗Ｒ５との接続点にＩ） Ｕ Ｔ Ｑ 、のア７−
ドを接続したものである。動作としてはサーミスタＴｌ
（の抵抗値の変化によるＡ、αの電位の変化にてＦ Ｅ
１゛Ｑ、に流れる電流を制御するもので、上ｊへの第１
の実施例のＡ、４の電位に相当するＤ点の電位は最高で
Ｖ Ｉ−Ｖ ７Ｄ以上には上昇しないようにしたもので
あり、その他の動作はｔｔＩｌｌの実施例と同様である
ので説明を省略する。
ドを接続したものである。動作としてはサーミスタＴｌ
（の抵抗値の変化によるＡ、αの電位の変化にてＦ Ｅ
１゛Ｑ、に流れる電流を制御するもので、上ｊへの第１
の実施例のＡ、４の電位に相当するＤ点の電位は最高で
Ｖ Ｉ−Ｖ ７Ｄ以上には上昇しないようにしたもので
あり、その他の動作はｔｔＩｌｌの実施例と同様である
ので説明を省略する。
」発明の効果１
本発明は上述のように、火災などの熱を感知するサーミ
スタと、このサーミスタ熱応答より遅い時定数を持った
ＣＲ＠’１分回路と、上記サーミスタを介して電流が供
給される抵抗の両端電圧が温度の急変によりＣＲ積分回
路のコンデンサの両端電圧以上に上昇したとき感知出力
を生じる比較スイッチ回路とを備えた熱感知器において
、緩やかな温度の上昇時に抵抗の両端電圧をコンデンサ
の両端電圧以下に制限する電圧制限回路を備えているの
で、温度が緩やかに上昇してサーミスタの抵抗値が低下
し、抵抗の両端電圧が上昇したとき、同時にコンデンサ
の両端電圧が上昇し、コンデンサの漏れ電流が太きくＣ
Ｒ積分回路のコンデンサの両ｉ電圧が制限され、ある電
圧以上に上昇できなくなった場合には、抵抗の画？＠電
圧がコンデンサの両端電圧以上に上昇して感知出力が生
じてしまうが、電圧制限回路にて抵抗の両端電圧がコン
デンサの漏れ電流により制限されるＣＲ積分回路のコン
デンサの両端電圧以上に上昇しないようにできるので、
感知出力が生じることがなく、火災等でないにも拘わら
ず警報を発するような誤動作を防１１−できる効果を奏
する。
スタと、このサーミスタ熱応答より遅い時定数を持った
ＣＲ＠’１分回路と、上記サーミスタを介して電流が供
給される抵抗の両端電圧が温度の急変によりＣＲ積分回
路のコンデンサの両端電圧以上に上昇したとき感知出力
を生じる比較スイッチ回路とを備えた熱感知器において
、緩やかな温度の上昇時に抵抗の両端電圧をコンデンサ
の両端電圧以下に制限する電圧制限回路を備えているの
で、温度が緩やかに上昇してサーミスタの抵抗値が低下
し、抵抗の両端電圧が上昇したとき、同時にコンデンサ
の両端電圧が上昇し、コンデンサの漏れ電流が太きくＣ
Ｒ積分回路のコンデンサの両ｉ電圧が制限され、ある電
圧以上に上昇できなくなった場合には、抵抗の画？＠電
圧がコンデンサの両端電圧以上に上昇して感知出力が生
じてしまうが、電圧制限回路にて抵抗の両端電圧がコン
デンサの漏れ電流により制限されるＣＲ積分回路のコン
デンサの両端電圧以上に上昇しないようにできるので、
感知出力が生じることがなく、火災等でないにも拘わら
ず警報を発するような誤動作を防１１−できる効果を奏
する。
４、図面）ｆｌｆｌ Ｑｔ ｆｔ ｍ 門弟１図は本発
明の一実施例を示す要部回路構成図、第２図は池の実施
例を示す要部回路構成図、杭３ＭけＳムｒ柿ｎ宙謝αａ
ル翁で十亜文に１１１歌鳩−間第４図は従来例を示す回
路構成図である。
明の一実施例を示す要部回路構成図、第２図は池の実施
例を示す要部回路構成図、杭３ＭけＳムｒ柿ｎ宙謝αａ
ル翁で十亜文に１１１歌鳩−間第４図は従来例を示す回
路構成図である。
ＴＨはサーミスタ、２は感知回路、４はＣＲ積分回路、
Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃ３はコンデンサ、Ｑ５はＰＵＴで
ある。
Ｒ，、Ｒ，は抵抗、Ｃ３はコンデンサ、Ｑ５はＰＵＴで
ある。
代理人 弁理士 百 １）艮 七
第１図
第２図
第３図
Claims (1)
- （１）火災などの熱を感知するサーミスタと、このサー
ミスタ熱応答より遅い時定数を持ったＣＲ積分回路と、
上記サーミスタを介して電流が供給される抵抗の両端電
圧が温度の急変によりＣＲ積分回路のコンデンサの両端
電圧以上に上昇したとき感知出力を生じる比較スイッチ
回路とを備えた熱感知器において、緩やかな温度の上昇
時に抵抗の両端電圧をコンデンサの両端電圧以下に制限
する電圧制限回路を備えて成ることを特徴とする熱感知
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1500586A JPS62173594A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 熱感知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1500586A JPS62173594A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 熱感知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173594A true JPS62173594A (ja) | 1987-07-30 |
| JPH0439717B2 JPH0439717B2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=11876776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1500586A Granted JPS62173594A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 熱感知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173594A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473493A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Thermal sensor |
| JPH01166289A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体式熱感知器 |
| US6334754B1 (en) | 1998-06-23 | 2002-01-01 | Seiko Instruments Inc. | Turbomolecular pump |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1500586A patent/JPS62173594A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473493A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | Thermal sensor |
| JPH01166289A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体式熱感知器 |
| US6334754B1 (en) | 1998-06-23 | 2002-01-01 | Seiko Instruments Inc. | Turbomolecular pump |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439717B2 (ja) | 1992-06-30 |
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