JPS62166540A - 誘電体分離型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
誘電体分離型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS62166540A JPS62166540A JP61010402A JP1040286A JPS62166540A JP S62166540 A JPS62166540 A JP S62166540A JP 61010402 A JP61010402 A JP 61010402A JP 1040286 A JP1040286 A JP 1040286A JP S62166540 A JPS62166540 A JP S62166540A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体分離型半導体装置及びその製造方法に係
シ、特に高耐圧縦型電界効果トランジスタを含む集積回
路装置を構成する場合に適した誘電体分離型半導体装置
及びその製造方法に関する。
シ、特に高耐圧縦型電界効果トランジスタを含む集積回
路装置を構成する場合に適した誘電体分離型半導体装置
及びその製造方法に関する。
従来、この種の誘電体分離型の耐圧３００Ｖ以上の縦型
電界効果トランジスタは、単結晶半導体島領域の抵抗率
に、ｎ型で１００ｃｍ以上、Ｐ型では３００ｃｍ以上の
高いものを選び、第３図に示すように、単結晶半導体島
領域１の底面部及び側壁部に、同時に単結晶半導体島領
域と同じ導電型の高濃度拡散層を設けることによってオ
ン抵抗の低減をはかっている。
電界効果トランジスタは、単結晶半導体島領域の抵抗率
に、ｎ型で１００ｃｍ以上、Ｐ型では３００ｃｍ以上の
高いものを選び、第３図に示すように、単結晶半導体島
領域１の底面部及び側壁部に、同時に単結晶半導体島領
域と同じ導電型の高濃度拡散層を設けることによってオ
ン抵抗の低減をはかっている。
しかしながら３００Ｖ以上の高耐圧を得ようとすると、
空乏層を単結晶半導体島領域の深さの方向に伸ばす必要
があり、底面部の高濃度領域を除いて単結晶半導体島領
域の深さは３０μｍ以上必要となる。この場合、誘電体
分離構造のオン抵抗の増大分の概算は次式で表わすこと
ができる。
空乏層を単結晶半導体島領域の深さの方向に伸ばす必要
があり、底面部の高濃度領域を除いて単結晶半導体島領
域の深さは３０μｍ以上必要となる。この場合、誘電体
分離構造のオン抵抗の増大分の概算は次式で表わすこと
ができる。
ｒｏ＝誘電体分離構造によるｏｎ抵抗増大分、Ａ：縦型
電界効果トランジスタ素子の一辺の長さ、ｄ：単結晶島
の深さ、 Ｌ：単結晶島端部からソース接合までの距離、θ：溝の
角度（１００基板で１１１面の溝の場合は５４．７０）
、 Ｐｓ：高濃度ｎ十層のｐｓ 従って側壁部におけるＲｏｎＯ増°大分は減少させずに
Ｒｏｎを減少させる方法としてはｐｓを下げること及び
側壁部の高濃度拡散層の厚さを厚くすることである。側
壁部の高濃度拡散層を厚くする時、従来の方法では底面
部と側壁部とに同時に高濃度拡散層を形成するため、底
面部の高濃度領域も厚くなシ単結晶島が深くなシチップ
面積を増大させることＫなる。又溝エッチ深さ、多結晶
成長厚の増大等、誘電体分離基板の製造方法も無駄が増
える。
電界効果トランジスタ素子の一辺の長さ、ｄ：単結晶島
の深さ、 Ｌ：単結晶島端部からソース接合までの距離、θ：溝の
角度（１００基板で１１１面の溝の場合は５４．７０）
、 Ｐｓ：高濃度ｎ十層のｐｓ 従って側壁部におけるＲｏｎＯ増°大分は減少させずに
Ｒｏｎを減少させる方法としてはｐｓを下げること及び
側壁部の高濃度拡散層の厚さを厚くすることである。側
壁部の高濃度拡散層を厚くする時、従来の方法では底面
部と側壁部とに同時に高濃度拡散層を形成するため、底
面部の高濃度領域も厚くなシ単結晶島が深くなシチップ
面積を増大させることＫなる。又溝エッチ深さ、多結晶
成長厚の増大等、誘電体分離基板の製造方法も無駄が増
える。
本発明の誘電体分離型半導体装置は半導体素子を有する
複数の単結晶半導体島領域を誘電体膜を介して多結晶半
導体で一体化した誘電体分離型半導体装置に於て、各島
領域が該誘電体膜に接する面に各単結晶半導体島領域と
同じ導電型の高濃度領域を備え、該高濃度領域のうち側
面部の高濃度領域が底面部の高濃度領域より厚く形成さ
れていることを特徴とする。
複数の単結晶半導体島領域を誘電体膜を介して多結晶半
導体で一体化した誘電体分離型半導体装置に於て、各島
領域が該誘電体膜に接する面に各単結晶半導体島領域と
同じ導電型の高濃度領域を備え、該高濃度領域のうち側
面部の高濃度領域が底面部の高濃度領域より厚く形成さ
れていることを特徴とする。
次に１本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
単結晶半導体島領域１にはｎ形１０Ωｃｍ以上の８ｉが
用いられている。単結晶半導体島領域１の側壁部には厚
い高濃度のｎ生鉱散層４が設けられている。このような
高濃度層により深い単結晶半導体島領域でも動作抵抗を
低くすることができる。単結晶半導体島領域の底部には
薄い高濃度のｎ生鉱散層５が設けられている。単結晶半
導体島領域１は絶縁膜６で他の単結晶半導体島領域１′
、１“と絶縁分離されており、各々は多結晶Ｓｉ７で支
持されている。このような誘電体分離基板の単結晶半導
体島領域に縦型電界効果トランジスタを形成しである。
用いられている。単結晶半導体島領域１の側壁部には厚
い高濃度のｎ生鉱散層４が設けられている。このような
高濃度層により深い単結晶半導体島領域でも動作抵抗を
低くすることができる。単結晶半導体島領域の底部には
薄い高濃度のｎ生鉱散層５が設けられている。単結晶半
導体島領域１は絶縁膜６で他の単結晶半導体島領域１′
、１“と絶縁分離されており、各々は多結晶Ｓｉ７で支
持されている。このような誘電体分離基板の単結晶半導
体島領域に縦型電界効果トランジスタを形成しである。
Ｐ拡散層９と単結晶島１との接合で高耐圧を出している
。Ｐ拡散層の内にｎ生鉱散層１０が形成されておシ、縦
型電界効果トランジスタのチャンネル部が二重拡散によ
多形成されている。ドレイン電極１６用のｎ生鉱散層１
１が、単結晶半導体島領域の側壁部４に接続して形成さ
れている。
。Ｐ拡散層の内にｎ生鉱散層１０が形成されておシ、縦
型電界効果トランジスタのチャンネル部が二重拡散によ
多形成されている。ドレイン電極１６用のｎ生鉱散層１
１が、単結晶半導体島領域の側壁部４に接続して形成さ
れている。
単結晶半導体島領域１上には、ゲート酸化膜１２、ポリ
シリゲート１３、ゲート電極１４、ソース電極１５．１
５’、ドレイン電極１６が設けられている。このような
構造をとると島の深さ方向の抵抗値が従来の構造より低
減される。
シリゲート１３、ゲート電極１４、ソース電極１５．１
５’、ドレイン電極１６が設けられている。このような
構造をとると島の深さ方向の抵抗値が従来の構造より低
減される。
次に本発明の製造方法について第２図を参照して説明す
る。まず第２図（ａ）に示すようにｎ形、抵抗率１００
ｃｍ以上の単結晶ウェハー１００の表面を酸化して酸化
膜を形成し、フォトリングラフィ工程により選択的に酸
化膜２を残す。
る。まず第２図（ａ）に示すようにｎ形、抵抗率１００
ｃｍ以上の単結晶ウェハー１００の表面を酸化して酸化
膜を形成し、フォトリングラフィ工程により選択的に酸
化膜２を残す。
次に第２図（ｂ）に示すように、酸化膜２をマスクとし
てＨＦ−ＨＮ０ｎ系又はアルカリエッチにより深さ３０
μｍ以上の溝を設ける。
てＨＦ−ＨＮ０ｎ系又はアルカリエッチにより深さ３０
μｍ以上の溝を設ける。
次に第２図（Ｃ）に示すように、酸化膜２を単結晶半導
体島領域底面に不純物を拡散させない為のマスクとして
用い、アンチモン、リン、ヒ素等のｎ形不純物の拡散又
はイオン注入を行ないｎ生鉱散層４を設ける。第２図（
ｄ）に示すように、酸化膜２をフン酸系のエツチング液
で除去した後全面にアンチモジ、リン、ヒ素等のｎ形不
純物を拡散又はイオン注入してｎ生鉱散層５を設ける。
体島領域底面に不純物を拡散させない為のマスクとして
用い、アンチモン、リン、ヒ素等のｎ形不純物の拡散又
はイオン注入を行ないｎ生鉱散層４を設ける。第２図（
ｄ）に示すように、酸化膜２をフン酸系のエツチング液
で除去した後全面にアンチモジ、リン、ヒ素等のｎ形不
純物を拡散又はイオン注入してｎ生鉱散層５を設ける。
そして、第２図（ｅ）に示すように、ｎ生鉱散層４．５
の表面を１〜３μｍ酸化し、絶縁分離用の酸化膜６を設
ける。最後に第２図げ）に示すように分離用の酸化膜６
の上に多結晶Ｓｉ層７を４塩化シリコン又はトリクロル
シラン等のシランガスにより気相成長し研削ポリッシュ
して誘電体分離基板を得る。
の表面を１〜３μｍ酸化し、絶縁分離用の酸化膜６を設
ける。最後に第２図げ）に示すように分離用の酸化膜６
の上に多結晶Ｓｉ層７を４塩化シリコン又はトリクロル
シラン等のシランガスにより気相成長し研削ポリッシュ
して誘電体分離基板を得る。
このように従来の製造方法に較べ溝部への不純物拡散工
程が増えただけで工程上の増加は、はとんどない。
程が増えただけで工程上の増加は、はとんどない。
なお本実施例での説明では初期単結晶基板をｎ形とした
がＰ形でもよく、高濃度不純物にボロン、アルミ、ゲル
マニウム等を用いればよい。
がＰ形でもよく、高濃度不純物にボロン、アルミ、ゲル
マニウム等を用いればよい。
以上説明したように本発明は、誘電体絶縁分″離型半導
体装置の単結晶半導体島領域の側面部に厚い高濃度領域
を設けるととＫより、縦型電界効果トランジスタの動作
抵抗を低減させることができる。
体装置の単結晶半導体島領域の側面部に厚い高濃度領域
を設けるととＫより、縦型電界効果トランジスタの動作
抵抗を低減させることができる。
第１図は本発明の一実施例の誘電体分離型半導体装置の
縦断面図、第２図は本発明の一実施例の製造方法を示す
各工程毎の縦断面図、第３図は従来の誘電体分離型半導
体装置の縦断面図である。 １・・・・・・単結晶Ｓｉ、 ２．６．８．１２・・・
・・・酸化膜、３・・・・・・分離溝、４．５．１０．
１０’・・・・・・ｎ生鉱散層、７．１３・・・・・・
多結晶Ｓｉ、９．９’・・・・・・Ｐ拡散層、１４．１
５．１５’、１６・・・・・・ｌ電極。 代理人 弁理士 内 原 晋１、−・筋２図
縦断面図、第２図は本発明の一実施例の製造方法を示す
各工程毎の縦断面図、第３図は従来の誘電体分離型半導
体装置の縦断面図である。 １・・・・・・単結晶Ｓｉ、 ２．６．８．１２・・・
・・・酸化膜、３・・・・・・分離溝、４．５．１０．
１０’・・・・・・ｎ生鉱散層、７．１３・・・・・・
多結晶Ｓｉ、９．９’・・・・・・Ｐ拡散層、１４．１
５．１５’、１６・・・・・・ｌ電極。 代理人 弁理士 内 原 晋１、−・筋２図
Claims (2)
- （１）半導体素子を有する複数の単結晶半導体島領域を
誘電体膜を介して多結晶半導体で一体化した誘電体分離
型半導体装置に於いて、各島領域が該誘電体膜に接する
面に各単結晶半導体島領域と同じ導電型の高濃度領域を
備え、該高濃度領域のうち、側壁部の高濃度領域が底面
部より厚く形成されていることを特徴とする誘電体分離
型半導体装置。 - （２）半導体基体の一主面を酸化し該酸化膜の一部を保
護膜として該半導体基体に溝エッチングを行なう誘電体
分離型半導体装置の製造方法に於いて、該保護膜を不純
物拡散の保護膜として用い、該溝部に不純物拡散を施す
ことを特徴とする誘電体分離型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010402A JPS62166540A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 誘電体分離型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010402A JPS62166540A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 誘電体分離型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166540A true JPS62166540A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11749144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61010402A Pending JPS62166540A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 誘電体分離型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166540A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4735718A (ja) * | 1971-03-24 | 1972-11-25 | ||
| JPS58164239A (ja) * | 1982-03-24 | 1983-09-29 | Nec Corp | 誘電体分離基板及びその製造方法 |
| JPS5917263A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 誘電体分離基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61010402A patent/JPS62166540A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4735718A (ja) * | 1971-03-24 | 1972-11-25 | ||
| JPS58164239A (ja) * | 1982-03-24 | 1983-09-29 | Nec Corp | 誘電体分離基板及びその製造方法 |
| JPS5917263A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 誘電体分離基板の製造方法 |
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