JPS62159415A - 単結晶半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
単結晶半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS62159415A JPS62159415A JP239486A JP239486A JPS62159415A JP S62159415 A JPS62159415 A JP S62159415A JP 239486 A JP239486 A JP 239486A JP 239486 A JP239486 A JP 239486A JP S62159415 A JPS62159415 A JP S62159415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- growth
- mixed crystal
- thin film
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、単結晶上の半導体薄膜の成長方法に関する。
（従来の技術）
近年高速バイポーラ素子、マイクロ波用素子あるいは超
格子構造素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術にくらべ、よシ低温で成長が行なわれ
、従って不純物分布を乱すことがほとんどないという特
長を有する高真空内でのシリコン分子線成長技術が盛ん
に研究されている。
格子構造素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術にくらべ、よシ低温で成長が行なわれ
、従って不純物分布を乱すことがほとんどないという特
長を有する高真空内でのシリコン分子線成長技術が盛ん
に研究されている。
とくにシリコン原子とゲルマニウム原子を同時に堆積成
長させて、シリコン・ゲルマニウム混晶薄膜を成長させ
る方法は、結晶の電気的性質として重要なバンドギャッ
プを制御する方法として注目されている。
長させて、シリコン・ゲルマニウム混晶薄膜を成長させ
る方法は、結晶の電気的性質として重要なバンドギャッ
プを制御する方法として注目されている。
（発明が解決しようとする問題点）
シリコンのみを成長させる場合にくらべ、シリコン・ゲ
ルマニウム混晶を成長させる場合は、成長層の平坦度が
悪化しやすいという問題点があり、デバイス応用上十分
平坦で、十分な厚さのシリコンゲルマニウム混晶を成長
させることは困難であった。
ルマニウム混晶を成長させる場合は、成長層の平坦度が
悪化しやすいという問題点があり、デバイス応用上十分
平坦で、十分な厚さのシリコンゲルマニウム混晶を成長
させることは困難であった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去して、シ
リコン分子線成長法においてデバイス応用上十分平坦で
、かつ、十分な厚さを有するシリコン・ゲルマニウム混
晶の単結晶薄膜を得ることのできる単結晶半導体薄膜の
製造方法を提供することにある。
リコン分子線成長法においてデバイス応用上十分平坦で
、かつ、十分な厚さを有するシリコン・ゲルマニウム混
晶の単結晶薄膜を得ることのできる単結晶半導体薄膜の
製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、分子線成長法によって半導体薄膜を基
板上に形成する場合に、主たる第１の種類の原子および
第１の種類と異なる第２の種類の原子を同時に堆積成長
させる第１段階の成長を表面の凹凸が数原子層の膜厚に
相当するまでの時間以下の時間だけ行い、次に第１の種
類の原子のみを数原子層堆積するのに相当する時間だけ
堆積成長させることによシ表面の凹凸を減少させる第２
段階の成長を行い、さらに該第１段階の成長と該第２段
階の成長を交互にくシかえし行うことを特徴とする単結
晶半導体薄膜の製造方法が得られる。
板上に形成する場合に、主たる第１の種類の原子および
第１の種類と異なる第２の種類の原子を同時に堆積成長
させる第１段階の成長を表面の凹凸が数原子層の膜厚に
相当するまでの時間以下の時間だけ行い、次に第１の種
類の原子のみを数原子層堆積するのに相当する時間だけ
堆積成長させることによシ表面の凹凸を減少させる第２
段階の成長を行い、さらに該第１段階の成長と該第２段
階の成長を交互にくシかえし行うことを特徴とする単結
晶半導体薄膜の製造方法が得られる。
（実施例）
第１図（ａ）〜（ｅ）を用いて単結晶シリコン基板上に
シリコン・ゲルマニウム混晶をエピタキシャル成長させ
る場合について発明の詳細な説明する。
シリコン・ゲルマニウム混晶をエピタキシャル成長させ
る場合について発明の詳細な説明する。
まず第１図（ａ）に示すように高真空中にてシリコン基
板１０上にシリコン原子流４０およびゲルマニウム原子
流５０を照射し、単結晶シリコン・ゲルマニウム混晶層
２０を成長させる。シリコン原子流４０．ゲルマニウム
原子流５０は通常の電子ビーム加熱法を用いて作る。こ
のとき、単結晶シリコン・ゲルマニウム混晶層２０の膜
厚は表面凹凸が２原子層程度以下になるように設定する
。通常基板温度６５０℃シリコンとゲルマニウムの原子
数比が９，１程度では１０原子層程度以下の膜厚になる
ようにすればよい。
板１０上にシリコン原子流４０およびゲルマニウム原子
流５０を照射し、単結晶シリコン・ゲルマニウム混晶層
２０を成長させる。シリコン原子流４０．ゲルマニウム
原子流５０は通常の電子ビーム加熱法を用いて作る。こ
のとき、単結晶シリコン・ゲルマニウム混晶層２０の膜
厚は表面凹凸が２原子層程度以下になるように設定する
。通常基板温度６５０℃シリコンとゲルマニウムの原子
数比が９，１程度では１０原子層程度以下の膜厚になる
ようにすればよい。
次に第１図（ｂ）に示すようにシリコン原子流４０のみ
を照射し単結晶シリコン層３０を成長させる。
を照射し単結晶シリコン層３０を成長させる。
このとき、単結晶シリコン層３０はすでに成長されてい
るジルコン・ゲルマニウム混晶層２０の凹凸を平坦化す
るように成長していくという特質があシ、単結晶シリコ
ン層３０の膜厚を表面凹凸が十分平坦化するのに必要な
最小限度すなわち２〜３原子層程度に設定する。
るジルコン・ゲルマニウム混晶層２０の凹凸を平坦化す
るように成長していくという特質があシ、単結晶シリコ
ン層３０の膜厚を表面凹凸が十分平坦化するのに必要な
最小限度すなわち２〜３原子層程度に設定する。
以下第１図（ｅ） Ｋ示すように前記シリコン・ゲルマ
ニウム混晶層とシリコン層を必要とする厚さに達するま
で交互にくシかえし成長させれば、十分な厚さでかつ十
分に平坦な表面を有する単結晶シリコン・ゲルマニウム
混晶層が得られる。しかも、シリコン・ゲルマニウム混
晶層の各層の厚さに比較し、シリコン層の各層の厚さは
十分薄いので成長膜全体としての電気的性質はシリコン
・ゲルマニウム混晶としての性質を示すことになる。
ニウム混晶層とシリコン層を必要とする厚さに達するま
で交互にくシかえし成長させれば、十分な厚さでかつ十
分に平坦な表面を有する単結晶シリコン・ゲルマニウム
混晶層が得られる。しかも、シリコン・ゲルマニウム混
晶層の各層の厚さに比較し、シリコン層の各層の厚さは
十分薄いので成長膜全体としての電気的性質はシリコン
・ゲルマニウム混晶としての性質を示すことになる。
本実施例では、シリコン・ゲルマニウム混晶について示
したが、シリコン、スズ等信の組み合わせについても同
様である。また本実施例では各成長層に不純物ドーピン
グを行っていないが、各層のいずれかあるいはすべてに
不純物ドーピングを行う場合にも同様の効果が得られる
。
したが、シリコン、スズ等信の組み合わせについても同
様である。また本実施例では各成長層に不純物ドーピン
グを行っていないが、各層のいずれかあるいはすべてに
不純物ドーピングを行う場合にも同様の効果が得られる
。
（発明の効果）
本発明をもちいることによシ、表面が平坦で十分な厚さ
を有する単結晶半導体混晶層が成長できる。
を有する単結晶半導体混晶層が成長できる。
第１図ｆａ）〜ｆｃ）は、表面示平坦で十分な厚さを有
する単結晶半導体混晶層の成長プロセスを示す断面図。
する単結晶半導体混晶層の成長プロセスを示す断面図。
Claims (1)
- １、分子線成長法によって半導体薄膜を基板上に形成す
る場合に主たる第１の種類の原子および第１の種類と異
なる第２の種類の原子を同時に堆積成長させる第１段階
の成長を表面の凹凸が数原子層の膜厚に相当するまでの
時間以下の時間だけ行い、次に第１の種類の原子のみを
数原子層堆積するのに相当する時間だけ堆積成長させる
ことにより表面の凹凸を減少させる第２段階の成長を行
い、さらに該第１段階の成長と該第２段階の成長を交互
にくりかえし行うことを特徴とする単結晶半導体薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP239486A JPS62159415A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP239486A JPS62159415A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159415A true JPS62159415A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH0443413B2 JPH0443413B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=11528020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP239486A Granted JPS62159415A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335237A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
| JPH05335238A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
| JPH05335236A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP239486A patent/JPS62159415A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335237A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
| JPH05335238A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
| JPH05335236A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Daido Hoxan Inc | 半導体デバイスの製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443413B2 (ja) | 1992-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4046618A (en) | Method for preparing large single crystal thin films | |
| JPH0562911A (ja) | 半導体超格子の製造方法 | |
| JPS62159415A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS5856406A (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
| JP2006303131A (ja) | ダイヤモンド半導体の製造方法及びダイヤモンド半導体 | |
| JPS62132312A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH0476217B2 (ja) | ||
| JP3027947B2 (ja) | 細線構造の形成方法 | |
| JPS62219614A (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JPH0324719A (ja) | 単結晶膜の形成方法及び結晶物品 | |
| JPS5878418A (ja) | インジウム−アンチモン系複合結晶薄膜の製造法 | |
| JPH02191321A (ja) | 結晶の形成方法 | |
| JPS62124736A (ja) | シリコン薄膜およびその作成方法 | |
| JP3124616B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| JPS6012775B2 (ja) | 異質基板上への単結晶半導体層形成方法 | |
| JPH01120011A (ja) | ＩｎＰ半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2737152B2 (ja) | Ｓｏｉ形成方法 | |
| JPH0524113B2 (ja) | ||
| JPH04267324A (ja) | 半導体薄膜基板の製造方法 | |
| JPH04335519A (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| JP2771635B2 (ja) | Ｃａ▲下１▼―▲下ｘ▼Ｓｒ▲下ｘ▼Ｆ▲下２▼膜の形成方法 | |
| JP3112796B2 (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPS61131524A (ja) | 半導体基板 | |
| JP4358567B2 (ja) | 有機薄膜の成膜方法 | |
| CN117776259A (zh) | 砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线 |