JPS62157767A - 半導体チツプの製造方法 - Google Patents
半導体チツプの製造方法Info
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- JPS62157767A JPS62157767A JP61000967A JP96786A JPS62157767A JP S62157767 A JPS62157767 A JP S62157767A JP 61000967 A JP61000967 A JP 61000967A JP 96786 A JP96786 A JP 96786A JP S62157767 A JPS62157767 A JP S62157767A
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- Japan
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- semiconductor
- semiconductor substrate
- diamond blade
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば大口径半導体基板より小口径の半導体
チップをくり抜くための製造方法の改良に関するもので
ある。
チップをくり抜くための製造方法の改良に関するもので
ある。
一般に比較的小容量の半導体チップは、例えはψ５０及
至φ２００ｍｍの大ロ径半専体シリコン基板よ、り ０
．５及至１０ｍｍ角のダイスを基盤の目状にダイシング
ブレードで切り出すととＫよって得られる。
至φ２００ｍｍの大ロ径半専体シリコン基板よ、り ０
．５及至１０ｍｍ角のダイスを基盤の目状にダイシング
ブレードで切り出すととＫよって得られる。
ところが、一方、比較的大容量の半導体チップは、高い
電圧阻止能力を得る為に、所謂メサ型パッシベーション
構造を採用することが多く、従って、ＰＮ接合部表面は
半導体チップの側面に位置することになり、必然的に、
チップを自転させて上記側面を加工処理する製造方法を
採っている。
電圧阻止能力を得る為に、所謂メサ型パッシベーション
構造を採用することが多く、従って、ＰＮ接合部表面は
半導体チップの側面に位置することになり、必然的に、
チップを自転させて上記側面を加工処理する製造方法を
採っている。
即ち、比較的大容量の半導体チップは、概ね円形状に、
理想的には真円形状に成す方が生産性が向上して工業的
に有利となっている。
理想的には真円形状に成す方が生産性が向上して工業的
に有利となっている。
しかしながら、この場合、大口径半導体基板よシ円形の
半導体チップを多数得る方法には一般化される程の優れ
た生産性を有するものがなかった。
半導体チップを多数得る方法には一般化される程の優れ
た生産性を有するものがなかった。
例えば、円形の半導体チップ（以下円形チップと記す）
を得る方法として、−従来よりレーザーにてくり抜く方
法があるが極めて高額の設備を要し、円形チップのくり
抜き時間が、例えば５００μｍの厚味のもので２及至１
０分間と長く、且つ切断面が鋸歯状となる為に好ましく
なかった。又切断中に飛散した半導体の粒子が半導体基
板を汚染することもあった。
を得る方法として、−従来よりレーザーにてくり抜く方
法があるが極めて高額の設備を要し、円形チップのくり
抜き時間が、例えば５００μｍの厚味のもので２及至１
０分間と長く、且つ切断面が鋸歯状となる為に好ましく
なかった。又切断中に飛散した半導体の粒子が半導体基
板を汚染することもあった。
逆に安価な設備で一度に多数の円形チップを得る手段と
してエツチングに依るくり抜く方法がある。しかし、こ
れも、円形チップ部分のマスキング材料に長時間の隠蔽
保護効果がないという問題や、エツチング前に写真製版
、或いはスクリーン印刷によるマスキング材料のバター
ニング工程を要して前工程の長時間化を招くという問題
があり、又有害な薬品使用による障害も多く適切ではな
かった０ 他に、極めて簡便な方法として、大口径半導体基板に円
形チップ外径に相当するクサビ型をあてがって衝撃圧力
で打ち抜く方法があるが、これを第３図とメｇ４図で述
べる。図において、（１）は大口径半導体クエ・・、（
ｌａ）、（ｌｂ）及び（ＩＣ）はその打ち抜き位置、（
２）は円筒形のクサビである。（ｌｏａ）は正常に打ち
抜かれた良品の円形チップ、（ｌｏｂ）は外周が不揃い
に打ち抜かれた不良品の円形チップ、（ｌｏｃ ）はへ
き開割れが生じた不良品の円形チップである。
してエツチングに依るくり抜く方法がある。しかし、こ
れも、円形チップ部分のマスキング材料に長時間の隠蔽
保護効果がないという問題や、エツチング前に写真製版
、或いはスクリーン印刷によるマスキング材料のバター
ニング工程を要して前工程の長時間化を招くという問題
があり、又有害な薬品使用による障害も多く適切ではな
かった０ 他に、極めて簡便な方法として、大口径半導体基板に円
形チップ外径に相当するクサビ型をあてがって衝撃圧力
で打ち抜く方法があるが、これを第３図とメｇ４図で述
べる。図において、（１）は大口径半導体クエ・・、（
ｌａ）、（ｌｂ）及び（ＩＣ）はその打ち抜き位置、（
２）は円筒形のクサビである。（ｌｏａ）は正常に打ち
抜かれた良品の円形チップ、（ｌｏｂ）は外周が不揃い
に打ち抜かれた不良品の円形チップ、（ｌｏｃ ）はへ
き開割れが生じた不良品の円形チップである。
上記のように構成されたものにおいては、クサビ（２）
ｔＦｇ３図中人矢印の方向に打ち込むと、瞬時に円形チ
ップ（ｌｏａ）が得られる。ところが１．この様な衝撃
圧力で打ち抜く方法では、しばしは円形チップ（ｌｏａ
）の外周が不揃いとなり、例えは、不良品の円形チッ
プ（ｌｏｂ）が生じることがあり、典型的な場合には、
へき開割れが結晶方位に従って際限なく進展し、全くの
不良品の円形チップ（１０ｃ）が発生することもある。
ｔＦｇ３図中人矢印の方向に打ち込むと、瞬時に円形チ
ップ（ｌｏａ）が得られる。ところが１．この様な衝撃
圧力で打ち抜く方法では、しばしは円形チップ（ｌｏａ
）の外周が不揃いとなり、例えは、不良品の円形チッ
プ（ｌｏｂ）が生じることがあり、典型的な場合には、
へき開割れが結晶方位に従って際限なく進展し、全くの
不良品の円形チップ（１０ｃ）が発生することもある。
従来の半導体チップの製造方法は以上のようにチップの
外周が不揃いとなり、へき開割れが箔生じ、歩留り低下
の原因となる問題点があった。
外周が不揃いとなり、へき開割れが箔生じ、歩留り低下
の原因となる問題点があった。
この発明の目的はかかる問題点を解決するためになされ
たもので、円形チップを効率よく且つ高い歩留で安定し
て得ることができる半導体チップの製造方法を得ること
を目的とする。
たもので、円形チップを効率よく且つ高い歩留で安定し
て得ることができる半導体チップの製造方法を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体チップの製造方法は、半導体チッ
プを半導体基板より略円形状にくり抜く場合において、
上記半導体チップの外形に相当する円筒形のダイヤモン
ドブレードを周速３０ｍ／分及至１５００ｍ／分、且つ
送り５μｍ／秒及至５０μｍ／秒で駆動させて上記半導
体基板を略円形状に研削するものである。
プを半導体基板より略円形状にくり抜く場合において、
上記半導体チップの外形に相当する円筒形のダイヤモン
ドブレードを周速３０ｍ／分及至１５００ｍ／分、且つ
送り５μｍ／秒及至５０μｍ／秒で駆動させて上記半導
体基板を略円形状に研削するものである。
この発明に係る半導体チップの製造方法は、円筒形ダイ
ヤモンドブレードで半導体基板が周速３０ｍ／分〜１５
００ｍ／分、送９５μｍ／Ｓ〜５０μｍ ／ ８で徐々
に研削され、外周面が均一に形成され、半導体の結晶性
を損うことなく円形状にくり抜くことができ、半導体チ
ップの加工工程の歩留を向上させることができる。
ヤモンドブレードで半導体基板が周速３０ｍ／分〜１５
００ｍ／分、送９５μｍ／Ｓ〜５０μｍ ／ ８で徐々
に研削され、外周面が均一に形成され、半導体の結晶性
を損うことなく円形状にくり抜くことができ、半導体チ
ップの加工工程の歩留を向上させることができる。
第２−Ａ図及び第２−Ｂ図は本発明の一実施例？示し、
円筒形ダイヤモンドブレードでＦｌｒ謂、コアドリルの
形状全したものを半導体基板に当接してくり抜く様子を
現わしたものである。
円筒形ダイヤモンドブレードでＦｌｒ謂、コアドリルの
形状全したものを半導体基板に当接してくり抜く様子を
現わしたものである。
図において、（１００）は直径３−００ｍｍ 、厚味５
００７ｊｍの半導体基板、例えはシリコン整流素子（結
晶力位が（１，１，１）のものを使用）が４個形成され
たもので、それぞれシリコン整流素子、即ち半導体チッ
プ（１ｏｏａ） 、 （１ｏｏｂ） 、 （１ｏｏｃ
）及び（ｌｏｏｄ） ｋ得る。
００７ｊｍの半導体基板、例えはシリコン整流素子（結
晶力位が（１，１，１）のものを使用）が４個形成され
たもので、それぞれシリコン整流素子、即ち半導体チッ
プ（１ｏｏａ） 、 （１ｏｏｂ） 、 （１ｏｏｃ
）及び（ｌｏｏｄ） ｋ得る。
（３）は円筒形ダイヤモンドブレードで、半導体チップ
に相当する直径を有する厚味が５０μｍの刃（３ａ）の
部分とこれを支えて回転させる為の胴体（３ｂ）の部分
より構成されている。そして、この円筒形ダイヤモンド
ブレード（３）全回転させて半導体基板（１００） を
正確にくり抜くのである。
に相当する直径を有する厚味が５０μｍの刃（３ａ）の
部分とこれを支えて回転させる為の胴体（３ｂ）の部分
より構成されている。そして、この円筒形ダイヤモンド
ブレード（３）全回転させて半導体基板（１００） を
正確にくり抜くのである。
上記のように構成されたものにおいて、くり抜く過程で
は研削液をかけることにより余熱を抑え且つ研削粉の飛
散を防止して円滑な工作性を得る訳であるが、一般の研
削用オイル又は水で十分であった。また、半導体基板（
ｌｏｃ）はワックス又は真空吸着板にて強固に固定して
おくことが大切で、研削中に半導体基板１’１ＯＯ）が
少しでも移動すると正確なくり抜きが出来ないばかりか
、得られた半導体チップの周囲に細かいカケを生ずるこ
とがめる。但し、この固定技術は従来の技術で十分補な
えるものである。
は研削液をかけることにより余熱を抑え且つ研削粉の飛
散を防止して円滑な工作性を得る訳であるが、一般の研
削用オイル又は水で十分であった。また、半導体基板（
ｌｏｃ）はワックス又は真空吸着板にて強固に固定して
おくことが大切で、研削中に半導体基板１’１ＯＯ）が
少しでも移動すると正確なくり抜きが出来ないばかりか
、得られた半導体チップの周囲に細かいカケを生ずるこ
とがめる。但し、この固定技術は従来の技術で十分補な
えるものである。
ざて、この半導体基板を研削切断する場合の円筒形ダイ
ヤモンドブレード（３）の回転速度と半導体基板のＮ味
方向に対する送り速度は経験的に最適なものが得られる
べきであるが、発明者は、研削の作業速度全高めること
、半導体基・板及び半導体チップの研削面を滑らかに仕
上ること、特に収穫すべき半導体チップの上、下面周縁
部にカケを生じないこと、或いはカケが生じてもそれが
半導体素子としての機能全損なわない程度の微細なもの
であること等全基準に回転速度と送り速度の最適値金得
る様にしてこれを達成した。
ヤモンドブレード（３）の回転速度と半導体基板のＮ味
方向に対する送り速度は経験的に最適なものが得られる
べきであるが、発明者は、研削の作業速度全高めること
、半導体基・板及び半導体チップの研削面を滑らかに仕
上ること、特に収穫すべき半導体チップの上、下面周縁
部にカケを生じないこと、或いはカケが生じてもそれが
半導体素子としての機能全損なわない程度の微細なもの
であること等全基準に回転速度と送り速度の最適値金得
る様にしてこれを達成した。
まず、回転速度であるが、得るべき半導体チップの直径
の差により当然同一回転数でも周速度が異なってくる為
、周速度であられすと３０ｍ／分及至１５００ｍ／分が
適当であった。
の差により当然同一回転数でも周速度が異なってくる為
、周速度であられすと３０ｍ／分及至１５００ｍ／分が
適当であった。
周速度は一般に大きめが良く、低速度では研削面が荒く
なる傾向がある。しかし、研削装置が製作しやすく円筒
形ダイヤモンドブレードの回転中のブレの影響を軽減す
ることが出来る。
なる傾向がある。しかし、研削装置が製作しやすく円筒
形ダイヤモンドブレードの回転中のブレの影響を軽減す
ることが出来る。
逆に、高い周速度の場合は滑らかな研削面が得られるが
、上述した様に研削装置の面で１５００ｍ／分を超すと
機械的に無理が生じやすく、又、それ以上高速度にして
も意味のないことが判った。
、上述した様に研削装置の面で１５００ｍ／分を超すと
機械的に無理が生じやすく、又、それ以上高速度にして
も意味のないことが判った。
次に送９速度であるが、これは周速度に関連づけて論ぜ
られるべきであり、送り速度と周速度とを全く区別して
研削することは出来ない。
られるべきであり、送り速度と周速度とを全く区別して
研削することは出来ない。
発明者が、上述した周速範囲で送り速度の実験をしたと
ころ、５μｍ／秒及至５０μｍ／秒の範囲が適当であっ
た。
ころ、５μｍ／秒及至５０μｍ／秒の範囲が適当であっ
た。
この場合は一般に遅い送り速度の方が半導体チップの仕
上に好ましいが、際限なく遅くすると生産性を損うこと
Ｋなり、逆に送り速度を不当に早めると、固くて脆い材
質である半導体シリコンやガリウムヒ素、ガリウム燐な
どの化合物半導体では研削中に破損したり、くり抜いた
あと特に下面周縁部に著るしいカケを生じて不良品とな
りやすいので、上記した送り速度が適切である。
上に好ましいが、際限なく遅くすると生産性を損うこと
Ｋなり、逆に送り速度を不当に早めると、固くて脆い材
質である半導体シリコンやガリウムヒ素、ガリウム燐な
どの化合物半導体では研削中に破損したり、くり抜いた
あと特に下面周縁部に著るしいカケを生じて不良品とな
りやすいので、上記した送り速度が適切である。
尚、円筒形ダイヤモンドブレードは一般に用いられる粒
径１２μｍ及至２５μｍの人造ダイヤモンドにニッケル
合金板に特別な方法で糊付けして得られたもので、株式
会社ディスコよυ供給された。
径１２μｍ及至２５μｍの人造ダイヤモンドにニッケル
合金板に特別な方法で糊付けして得られたもので、株式
会社ディスコよυ供給された。
次に、この円筒形ダイヤモンドブレードを高速で回転さ
せ、半導体基板を穿孔する機構についてその実施例を第
１因に示しながら述べるが、この機構については、既存
技術の応用にて達成されるものである。
せ、半導体基板を穿孔する機構についてその実施例を第
１因に示しながら述べるが、この機構については、既存
技術の応用にて達成されるものである。
第１図において、円筒形ダイヤモンドブレード（３）ヲ
主軸回転モータ（４）により高速回転させ、主軸軸受（
５）により真直度を得る様にしている。（６）はミリン
グチャックで各種直径の円筒形ダイヤモンドブレード（
３）を把持する様になっており、半導体基板（１００）
はワーク支持台（７）にワックスにて固着している。尚
、ワーク支持台（７）はセラミック、グラフマイトカー
ボン、ガラス等の開削性の適したものを用いている。こ
れは、ダイヤモンドブレードが当接したときのブレード
の保護を行う為である。
主軸回転モータ（４）により高速回転させ、主軸軸受（
５）により真直度を得る様にしている。（６）はミリン
グチャックで各種直径の円筒形ダイヤモンドブレード（
３）を把持する様になっており、半導体基板（１００）
はワーク支持台（７）にワックスにて固着している。尚
、ワーク支持台（７）はセラミック、グラフマイトカー
ボン、ガラス等の開削性の適したものを用いている。こ
れは、ダイヤモンドブレードが当接したときのブレード
の保護を行う為である。
（８）はワーク支持台（７）全昇降する駆動用ギヤート
モ−ターで、スクリュージヤツキ（９）にて方向を変換
し、テーブル昇降軸受αｕｔ介してワーク支持台（７）
が微動昇降する様になっている。尚、（６）は粗動昇降
用ハンドルである。又、半導体基板（ｌｏｏ）上には水
がかけられる様になっているがその図は省略する。
モ−ターで、スクリュージヤツキ（９）にて方向を変換
し、テーブル昇降軸受αｕｔ介してワーク支持台（７）
が微動昇降する様になっている。尚、（６）は粗動昇降
用ハンドルである。又、半導体基板（ｌｏｏ）上には水
がかけられる様になっているがその図は省略する。
以上の様に装置を組むことにより半導体基板のくり抜き
の再現性を得ることが出来るが、別の手段、例えば円筒
形ダイヤモンドブレード全下降させてくり抜くとか、ワ
ーク支持は真空吸着するとかの手段は任意に採れるもの
である。
の再現性を得ることが出来るが、別の手段、例えば円筒
形ダイヤモンドブレード全下降させてくり抜くとか、ワ
ーク支持は真空吸着するとかの手段は任意に採れるもの
である。
尚、上記実施例では半導体基板について述べたが、これ
に限らず、セラミック、グラファイトカーボン、ガラス
、水晶等、およそダイヤモンドブレードで切断出来る開
削性の良い材料であれは同様の手段でくり抜き出来るこ
とは勿論であり、且つくり抜かなくても材料厚味の途中
迄溝入れすることも又、容易に出来るものである。
に限らず、セラミック、グラファイトカーボン、ガラス
、水晶等、およそダイヤモンドブレードで切断出来る開
削性の良い材料であれは同様の手段でくり抜き出来るこ
とは勿論であり、且つくり抜かなくても材料厚味の途中
迄溝入れすることも又、容易に出来るものである。
この発明は以上説明した通り、ダイヤモンドブレードを
円筒形にし、これを最適速度、即ち、周速３０ｍ／分及
至１５００ｍ／分で（ロ）転し、５μｍ／秒及至５ｏａ
ｍ／秒づつ半導体基板を研削することにより安定して半
導体基板より円形の半導体チップをくり抜くことが出来
、半導体チップの製造工程の歩留りを向上できると云う
効果全盲する。
円筒形にし、これを最適速度、即ち、周速３０ｍ／分及
至１５００ｍ／分で（ロ）転し、５μｍ／秒及至５ｏａ
ｍ／秒づつ半導体基板を研削することにより安定して半
導体基板より円形の半導体チップをくり抜くことが出来
、半導体チップの製造工程の歩留りを向上できると云う
効果全盲する。
第１図は木余明の一適用例？示す正面図、第２図（Ａ）
及び（Ｂ）はその要部を示す斜視図、第３図は従来方法
？示す断面図、第４図は従来の衝撃打抜法により得られ
た半導体チップの斜視図である。 図において、（３）はダイヤモンドブレード、（４）は
ミリングチャック、（５）は主軸軸受、（７）はワーク
支持台、（８）はギャードモータ、（１００）は半導体
基板である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
及び（Ｂ）はその要部を示す斜視図、第３図は従来方法
？示す断面図、第４図は従来の衝撃打抜法により得られ
た半導体チップの斜視図である。 図において、（３）はダイヤモンドブレード、（４）は
ミリングチャック、（５）は主軸軸受、（７）はワーク
支持台、（８）はギャードモータ、（１００）は半導体
基板である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップを半導体基板より略円形状にくり抜く場合
において、上記半導体チップの外形に相当する円筒形の
ダイヤモンドブレードを周速３０ｍ／分及至１５００ｍ
／分、且つ送り５μｍ／秒及至５０μｍ／秒で駆動させ
て、上記半導体基板を略円形状に研削したことを特徴と
する半導体チップの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000967A JPS62157767A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体チツプの製造方法 |
| IT22909/86A IT1198282B (it) | 1986-01-06 | 1986-12-31 | Procedimento per fabbricare piastrine di semiconduttori |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000967A JPS62157767A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体チツプの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157767A true JPS62157767A (ja) | 1987-07-13 |
Family
ID=11488401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61000967A Pending JPS62157767A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 半導体チツプの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62157767A (ja) |
| IT (1) | IT1198282B (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343289A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Circular cutting device |
| JPS5755950B2 (ja) * | 1978-02-23 | 1982-11-26 |
-
1986
- 1986-01-06 JP JP61000967A patent/JPS62157767A/ja active Pending
- 1986-12-31 IT IT22909/86A patent/IT1198282B/it active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5343289A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Circular cutting device |
| JPS5755950B2 (ja) * | 1978-02-23 | 1982-11-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8622909A0 (it) | 1986-12-31 |
| IT1198282B (it) | 1988-12-21 |
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