JPS62154596A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS62154596A JPS62154596A JP60294690A JP29469085A JPS62154596A JP S62154596 A JPS62154596 A JP S62154596A JP 60294690 A JP60294690 A JP 60294690A JP 29469085 A JP29469085 A JP 29469085A JP S62154596 A JPS62154596 A JP S62154596A
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- thin film
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ＜エレクシロルミネッセンス）素子に
係り、特に、コクトラストを向上させるための構造に関
する。
係り、特に、コクトラストを向上させるための構造に関
する。
輝度の面で問題が多く照明用光源としての開発を断念せ
ざるを得なかった、硫化亜鉛（ＺｎＳ）系蛍光体粉末を
用いた分散型ＥＬ素子に代わって、薄膜蛍光体層を用い
た薄膜型ＥＬ素子が高輝度を得られることから近年注目
されてきている。
ざるを得なかった、硫化亜鉛（ＺｎＳ）系蛍光体粉末を
用いた分散型ＥＬ素子に代わって、薄膜蛍光体層を用い
た薄膜型ＥＬ素子が高輝度を得られることから近年注目
されてきている。
薄膜ＥＬ素子は１発光層が透明な薄膜で構成されていて
粒状性がないため、外部から入射する光および発光層内
部で発光した光が散乱されてハレーションやにじみを生
じることがなく、鮮明でコントラストが高いことから、
車両への搭載用、コンピュータ端末等の表示装置あるい
は照明用として脚光を浴びている。
粒状性がないため、外部から入射する光および発光層内
部で発光した光が散乱されてハレーションやにじみを生
じることがなく、鮮明でコントラストが高いことから、
車両への搭載用、コンピュータ端末等の表示装置あるい
は照明用として脚光を浴びている。
従来薄膜ＥＬ素子の基本Ｖ４造は、透光性の基板上に酸
化錫（Ｓｎ０２）層等からなる透明電極と第１の誘電体
層と、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜からなる発光層と、第２の誘電
体層と、アルミニウム（Ａｊり層等からなる背面電極と
が順次積層せしめられた２重誘電体構造をなしている。
化錫（Ｓｎ０２）層等からなる透明電極と第１の誘電体
層と、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜からなる発光層と、第２の誘電
体層と、アルミニウム（Ａｊり層等からなる背面電極と
が順次積層せしめられた２重誘電体構造をなしている。
そして、発光の過程は、以下に示す如くである。
前記透明電極と前記背面電極との間に電圧を印加すると
、発光層内に誘起された電界によって界面単位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され充分なエネル
ギーを得、この電子がＭｎ（発光中心）の軌道電子に衝
突しこれを励起する。
、発光層内に誘起された電界によって界面単位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され充分なエネル
ギーを得、この電子がＭｎ（発光中心）の軌道電子に衝
突しこれを励起する。
そしてこの励起された発光中心が基底状態に戻る際に発
光を行なう。
光を行なう。
かかる構造の薄膜ＥＬ素子においては、背面電極を除い
て各層はすべて透明であり、外部からの入射光が該背面
電極に反射され、この反射光が発光層からの発光と干渉
し合って、十分なコントラストが得られず、表示品位の
低いものしか得られないという欠点があった。
て各層はすべて透明であり、外部からの入射光が該背面
電極に反射され、この反射光が発光層からの発光と干渉
し合って、十分なコントラストが得られず、表示品位の
低いものしか得られないという欠点があった。
そこで、コントラストを向上させるために、第２の誘電
体層を黒褐色の水素化アモルファスシリコンカーバイド
（ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ）で構成× １〜Ｘ したり（特開昭５’８−２１６３９２＞、背面電極を可
視域の光に対する吸収率の高い導体で構成したり（特開
昭５７−４６４９３＞する等の方法が用いられている。
体層を黒褐色の水素化アモルファスシリコンカーバイド
（ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ）で構成× １〜Ｘ したり（特開昭５’８−２１６３９２＞、背面電極を可
視域の光に対する吸収率の高い導体で構成したり（特開
昭５７−４６４９３＞する等の方法が用いられている。
これらの方法によっても、製造作業性が悪いことなどか
ら、十分なコントラストを冑るのは困難であった。
ら、十分なコントラストを冑るのは困難であった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、コントラ
ストが高く、表示品位の高い１１１ＡＥＬ素子を提供す
ることを目的とする。
ストが高く、表示品位の高い１１１ＡＥＬ素子を提供す
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
そこで本発明では、発光層と背面電極との間に介在せし
められる誘電体層を組成式ＴａＯｘ （×＜２．５＞で
表わされる黒色のタンタル酸化物で構成するようにして
いる。
められる誘電体層を組成式ＴａＯｘ （×＜２．５＞で
表わされる黒色のタンタル酸化物で構成するようにして
いる。
上述の如く、背面電極と発光層との間に黒色の誘電体膜
を介在させることにより、外部からの入射光の反射が防
止され、発光層からの光のみを効率良くとり出すことが
できる。
を介在させることにより、外部からの入射光の反射が防
止され、発光層からの光のみを効率良くとり出すことが
できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
この薄膜ＥＬ素子は、第１図に示す如く、透光性のガラ
ス基板１上に、酸化錫層（ＳｎＯ２）等からなる透明電
極２、第１の誘電体層３、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層
４、酸化タンタル（Ｔａｇ。
ス基板１上に、酸化錫層（ＳｎＯ２）等からなる透明電
極２、第１の誘電体層３、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層
４、酸化タンタル（Ｔａｇ。
（Ｘ＜２．５＞）からなる黒色の第２の誘電体層５、ア
ルミニウム＜Ａｊ２）薄膜からなる背面電極６とが順次
ｇｉ層せしめられ、二重誘電体層構造をなすものである
。
ルミニウム＜Ａｊ２）薄膜からなる背面電極６とが順次
ｇｉ層せしめられ、二重誘電体層構造をなすものである
。
該第２の誘電体層は、波長と、透過率との関係を第２図
に示す如く、可視光域で１０％以下である。
に示す如く、可視光域で１０％以下である。
また、この薄膜ＥＬ素子の輝度（ｃｄ／ＴＩｔ＞とコン
トラスト比との関係は第３図の曲線ａに示す如くである
。
トラスト比との関係は第３図の曲線ａに示す如くである
。
比較のために、第２の誘電体層として五酸化タンタル（
Ｔａ２０ｓ ）用いた従来の薄膜ＥＬｉ子の輝度をコン
トラスト比との関係曲線を曲線すに示す。
Ｔａ２０ｓ ）用いた従来の薄膜ＥＬｉ子の輝度をコン
トラスト比との関係曲線を曲線すに示す。
これらの比較からも明らかなように、照度１０００ルツ
クスの時にコントラスト比１：１００を冑るには従来例
のＷｊ膜ＥＬ素子では２００Ｃｄ／尻の輝度が必要であ
ったのに対し、本発明のｉ膜ＥＬ素子では、２０ｃｄ／
ｒｄ、ですむようになり、コントラストが大幅に向上し
ていることがわかる。
クスの時にコントラスト比１：１００を冑るには従来例
のＷｊ膜ＥＬ素子では２００Ｃｄ／尻の輝度が必要であ
ったのに対し、本発明のｉ膜ＥＬ素子では、２０ｃｄ／
ｒｄ、ですむようになり、コントラストが大幅に向上し
ていることがわかる。
更に、この黒色の酸化タンタル膜は、従来用いられてい
た透光性の五酸化タンタル層の形成工程−例えばスパッ
タリング法では同一条件下で酸素分圧のみを下げる等−
で１部条件の変更のみで容易に得ることができ製造作業
性も高い。
た透光性の五酸化タンタル層の形成工程−例えばスパッ
タリング法では同一条件下で酸素分圧のみを下げる等−
で１部条件の変更のみで容易に得ることができ製造作業
性も高い。
なお、実施例では、従来の透光性の五酸化タンタル膜に
代えて黒色の酸化タンタル膜を用いたが、第４図に示す
如く、第２の誘電体層を黒色の酸化タンタル膜５ａと他
の誘電体層５ｂとの複合膜５′で構成するようにしても
よい。
代えて黒色の酸化タンタル膜を用いたが、第４図に示す
如く、第２の誘電体層を黒色の酸化タンタル膜５ａと他
の誘電体層５ｂとの複合膜５′で構成するようにしても
よい。
また、発光層、透明電極、背面電極の構成＋Ａ料につい
ては実施例に限定されることなく、他のものに対しても
有効であることはいうまでもない。
ては実施例に限定されることなく、他のものに対しても
有効であることはいうまでもない。
更に、酸化タンタル膜については、可視域での透過率が
３０％以下のものから適宜選択すればよい。３０％以上
となるとコントラスト比は低下する。
３０％以下のものから適宜選択すればよい。３０％以上
となるとコントラスト比は低下する。
以上説明したように、本発明によれば、背面電極と発光
層との間に黒色の酸化タンタル（ＴａＱ ：ｘ＜２．
５）ＷＡを介在させるようにしているため、コントラス
トが高く表示品位の高い薄膜ＥＬ素子を提供することが
可能となる。
層との間に黒色の酸化タンタル（ＴａＱ ：ｘ＜２．
５）ＷＡを介在させるようにしているため、コントラス
トが高く表示品位の高い薄膜ＥＬ素子を提供することが
可能となる。
第１図は、本発明実施例の薄膜ＥＬ素子を示す図、第２
図は、同素子で用いられる第２の誘電体層の透過率を示
す図、第３図は、本発明実施例および従来例の薄膜ＥＬ
素子コントラスト比の比較を示す図、第４図は、本発明
の他の実施例の薄膜ＥＬ素子を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
の誘電体層、４・・・発光層、５・・・第２の誘電体層
、６・・・背面電極。 第１図 漁 ５ｏｃｏ ■ Ｐ 沢長 （Ａ） 第２図 ＯＴｏｏ ２００ Ｘ軍Ｊｔ （Ｃｄ／ｒｎ２） 第３図
図は、同素子で用いられる第２の誘電体層の透過率を示
す図、第３図は、本発明実施例および従来例の薄膜ＥＬ
素子コントラスト比の比較を示す図、第４図は、本発明
の他の実施例の薄膜ＥＬ素子を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
の誘電体層、４・・・発光層、５・・・第２の誘電体層
、６・・・背面電極。 第１図 漁 ５ｏｃｏ ■ Ｐ 沢長 （Ａ） 第２図 ＯＴｏｏ ２００ Ｘ軍Ｊｔ （Ｃｄ／ｒｎ２） 第３図
Claims (2)
- （１） 発光層と背面電極との間に 光吸収性のタンタル酸化物（ＴａＯ＿ｘ：ｘ＜２．５） からなる薄膜を含む誘電体層を介在 せしめたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
- （２）前記誘電体層は、 他の誘電体層を含む複合膜である ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜
ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294690A JPS62154596A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294690A JPS62154596A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154596A true JPS62154596A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17811043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60294690A Pending JPS62154596A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154596A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148594U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60294690A patent/JPS62154596A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148594U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 |
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