JPS62151586A - 透明酸化インジウム膜の微細加工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 所定の基板、たとえばガラス基板上の微細加工された透
明酸化インジウム膜は、液晶ディスプレイや電場発光デ
ィスプレイ、さらにはプラズマ・ディスプレイ等の表示
デバイス、あるいは撮像デバイス等に広く使われている
。

本発明は、これらの微細加工された透明酸化インジウム
膜を製造する方法に関するものである。

なお、一般に、導電率の見地から透明酸化インジウム膜
は若干の錫（Ｓ　ｎ）を含んでいる。

従来の技術 従来、１０ミクロン・メートル（以後・μｍと記す）以
下の微細な形状の透明インジウム膜を得る方法としては
、所定の基板全面に形成された透明酸化インジウム膜上
に、所望の形状のフィト・レジスト膜をフォト・リソグ
ラフィー法で形成し、しかる後、塩化第１鉄（ＦｅＣｊ
！ｚ　、６Ｈ２Ｏ）と塩酸の水溶液で前記透明酸化イン
ジウム膜を腐蝕、微細加工して得るものが一般的である
。この場合、前記水溶液の温度は、約４０〜５０℃が望
ましい。

発明が解決しようとする問題点 前述の従来の技術によれば、前記腐蝕のため、前記透明
酸化インジウム膜を前記水溶液に浸漬する時間を若干で
も長くすると、前記透明酸化インジウム膜は前記フォト
・レジスト膜の形状より、大きくサイド・エッチされる
。また、甚しい場合は、前記フォト・レジスト膜の一部
が前記透明酸化インジウム膜より剥離する。また、前述
の浸漬時間が若干短い場合には、除去さるべき前記透明
酸化インジウム膜が若干、残存し、不都合を起こす。す
なわち、前記の浸漬時間は、前記水溶液の温度と、相関
して厳密に制御する必要があり、前記透明酸化インジウ
ム膜が大面積となると、前記透明酸化インジウム膜の′
ＲＬ細加工時の製造歩留りは大きく劣化する。

ちなみに、シート抵抗が１０Ω／口（膜厚にして約２Ｏ
００人強）の透明酸化インジウム膜を、温度４５℃の前
記水溶液で微細加工する場合、１分生では、微細加工は
不完全であり、１分４５秒では数μｍ程度のサイド・エ
ッチが生じた。

問題点を解決するための手段 本発明は、前述のような問題点を解決するために、所定
の基板上に形成された透明酸化インジウム膜上に、クロ
ム膜を形成し、前記クロム膜を微細加工し、つぎに、塩
化第１鉄と塩酸の水溶液で前記クロム膜をマスクとして
前記透明酸化インジウム膜を腐蝕、微細加工することを
特徴とする透明酸化インジウム膜の微細加工法を提供す
るものである。さらに、本発明は前記クロム膜の厚みが
８００人以上であるような前記微細加工法を提供するも
のである。

作用 本発明によれば、前記透明酸化インジウム膜を塩化第１
鉄と塩酸の水溶液に著しく長く浸漬・腐蝕しても、前記
透明酸化インジウム膜のサイド・エッチ量は数μｍ程度
に抑えられる。すなわち、本発明は前記水溶液の浸漬時
間の許容巾を拡大し、前記透明酸化インジウム膜の微細
加工時の製造歩留りを大きく向上させるものである。

前述の事象に対する理由は以下の如くであると想定され
る。まず、クロム膜上のフォト・レジスト膜の密着性は
、透明酸化インジウム膜上のそれに比べて著しく向上し
ており、剥離に対する抵抗力は大きいと考えられる。つ
ぎに、クロム膜の微細加工の際には、サイド・エッチ量
の少ない、微細加工に適合した腐蝕液が存在する。これ
は、たとえば硝酸第２セリウム・アンモニウム（Ｃｅ（
Ｎｏ：ｌ）４　−２　（ＮＨ，Ｎｏｚ））と過塩素酸と
の水溶液等がある。さらに、クロム膜は酸に対する耐性
が高く、透明酸化インジウム膜の腐蝕液、すなわち、塩
化第１鉄と塩酸との水溶液に対して腐蝕速度は格段に小
さく、透明酸化インジウム膜の腐蝕の際、十分マスクと
なるものである。

さらに、前記クロム膜は、通常スパッター法ないし蒸着
法で形成されるが、この膜に欠陥がなく、十分マスクと
して機能するためには、この膜の厚みは８００Å以上が
望ましい。

実施例 シート抵抗が１０Ω／口の透明酸化インジウム膜を付着
せしめたガラス板を購入した。

つぎに、よく洗浄の後、直流スパッター法でクロムを透
明酸化インジウム膜全面に被覆した。サンプルＡは前述
のクロム膜の厚みを１０００人、サンプル らに比較例としてこの過程を省いたものをサンプルＤと
した。

つぎに、東京応化製ポジ・フォト・レジスト、ＯＦＰＩ
？　−　８００及び通常のフォト・リソグラフィー法で
もって所望のフォト・レジスト膜のパターンをサンプル
Ａ，ＢＳＣ，Ｄの表面に形成した。

さらに、室温の硝酸第２セリウム・アンモニウム（Ｃｅ
　（ＮＯ３　）４・２　（ＮＨ４　ＮＯｉ　）　）と過
塩素酸との水溶液に、サンプルＡ．．ＢＳＣを１〜３分
浸漬、クロム膜を腐蝕、微細加工した。前述の浸漬の時
間を目視により調節した。この時の、顕微鏡による観察
によれば、透明酸化インジウム膜は全く腐蝕されず、ク
ロム膜のサイド・エッチ■も１μｍ以内であった。

つぎに、４５°Ｃに保たれた塩化第１鉄（ＦＣＣ７！２
・６　Ｈ□０）と塩酸の水溶液にサンプルＡＳＢ。

Ｃ，Ｄを３分浸漬、透明酸化インジウム膜を腐蝕、微細
加工した。さらによく水洗し、乾燥させた。

顕微鏡観察によれば、サンプルＡ，Ｂ，Ｃは透明酸化イ
ンジウム膜のクロム膜に対するサイド・エッチ量は１μ
ｍ以内であった。だが、サンプルＣでは、ところどころ
、所望の透明酸化インジウム膜は虫喰い状に穴がおいて
いた。これは、透明酸化インジウム膜の腐蝕の過程にお
いて、前記フォト・レジスト膜が剥離し、マスクたるべ
きクロム膜の欠陥を通して透明酸化インジウム膜の腐蝕
が進行したと考えられる。サンプルＤでは、前記サイド
・エッチ量は優に１０μｍを越えていると見積もられ、
小さな所望の透明酸化インジウムのパターンは消失して
いた。

発明の効果 以上、本発明は、透明酸化インジウム膜の微細加工の歩
留りを向上させることに資するものであり、産業上の価
値は大なるものがある。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の基板上に形成された透明酸化インジウム膜
   上に、クロム膜を形成し、前記クロム膜を微細加工し、
   つぎに、塩化第１鉄（ＦｅＣｌ＿２・６Ｈ＿２Ｏ）と塩
   酸の水溶液で前記クロム膜をマスクとして前記透明酸化
   インジウム膜を腐蝕、微細加工することを特徴とする透
   明酸化インジウム膜の微細加工法。
2. （２）クロム膜の厚みが８００Å以上であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の透明酸化インジウム
   膜の微細加工法。