SU902682A3 - Способ получени микроструктур - Google Patents

Description

I

Изобретение относитс  к способам получени  микроструктур металлов или сплавов и может быть использовано при изготовлении манипул ционных образцов накопителей и монтаже интегральных схем.

Известен способ изготовлени  микроструктур , основанный на формировании рисунка в слое металла путем его травлени  через маску из фоторезиста L .

Недостатком этого способа  вл етс  значительное подтравливание, т.е. боковое сн тие сло  в област х, защищенных фоторезистом. НаиЬолее близким к предлагаемому  вл етс  способ получени  микроструктур включающий формирование маски из фоторезиста на тонкой пленке металла или сплава, гальваническое осаткдение через маску из фоторезиста подсло  золота, основного сло  металла или сплава и защитного сло  золота, удаление маски из фоторезиста , а также расположенных под ней

участков тонкой пленки металла или сплава химическим травлением 2 .

Однако известный способ не позвол ет устранить боковое подтравли5 вание металлической пленки, что снижает качество микроструктур.

Цель изобретени  - повьппение качества микроструктур путем устранени  подтравливани .

;f) Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе получени  микроструктур , включающем нанесение на диэлектрическую подложку сплошной пленки металла или сплава, формирование на ней маски из фоторезиста,

последовательное гальваническое осаждение подсло  золота, основного сло  металла или сплава и защитного сло  золота на участках, незащищенных фоторезистом, удаление маски -из фоторезиста и расположенных под ней участков сплошной тонкой плёнки металла или сплава, удаление упом нутых участков сплошной тонкой пленки

Claims (3)

1. 25 металла или сплава провод т путем погружени  подложки в слабокислую ванну золота и последу1оп1его травлени  образовавшегос  сло  золота. В качестве материала сплошной тонкой пленки и основного сло  используют железоникелевый сплав. При чем травление сло  золота провод т в растворе цианистого кали . Способ позвол ет получить микроструктуры желаемых размеров, обычно Б пределах от 5 до 30 мкм. Равномерна  толщина элементов структуры обеспечиваетс  благодар  тонкому подслою золота. Уменьшение бокового подтравливав НИН достигаетс  за счет электрохимической обработки подложки на заключительной стадии процесса в слабо кислой ванне золота, в результате чего происходит замена участков сплошной пленки металла золотом, ко торый легко стравливаетс  в раствор дл  удалени  золота. Способ предпочтительно пригоден дл  изготовлени  манипул ционного образца дл  накопител , использующе го цилиндрические домены. На фиг. 1-3 изображено устройство , реализующее предлагаемый способ . На подложку 1, например из стекл керамики или иного дизлектрика, напьш ют тонкую сплошную пленку 2Ni Fe толщиной 200-300 А , на этот слой нанос т слой 3 фоторезиста. Из сло  3 фоторезиста с помощью фотолитографии формируют- маску, образующую соответствующие каналы 4 микроструктуры Ni-Fe. . Далее на незащищенные участки Ni-Fe гальваническим путем в ванне золота осаждают подслой 5 золота толщиной около 600 А, которьп усили ваетс  гальвайическим путем основным слоем 6 Ni-Fe толщиной около 10000 А (фиг. 2 и З). На основной слой 6 Ni-Fe гальваническим путем осаждаетс  защитный слой 7 золота. В заключение снимаетс  остаточньй слой 3 фоторезиста и покрытую таким образом подложку.помещают в слабокислую ванну золота, причем через несколько минут весь нёусиленный слой , в данном случае толщиной 300 А,-удал етс  и замен етс  слоем золота соответствующей толщины который стравливаетс  просто с помощью средства дл  травлени  золота, например разбавленным раствором KCN. При обработке используетс  слабокисла  ванна золота следующего состава , г/л: Цианоаурат кали  K(Au(CN)j,4 Сульфаминова  кислота NSOjNHj 60 Тетраэтиленпентамин NHj (CHjCHjNH), К этой ванне добавл ют 100-200 мл глицерина на 1 л, при , рН 5. В ванне проходит реакци  обмена, вызываема  разнЬстью потенциаловj возникающей между NI-Fe и Аи, причем Ni-Fe переходит в раствор и замен етс  эквивалентным количеством Аи. Весь слой Nl-Fe, обычно толщиной 200-300 А,раствор етс  в течение нескольких минут и замен етс  слоем золота , соответствукщей толщины. Слой золота стравливают разбавленным раствором KCN без повреждени  гальванически нанесенного сло  Ni-Fe. Примен емые ранее травильные растворы дл  Ni-Fe, например раствор FeClj, воздействуют на гальванически усиленный слой Ni-Fe,так что при удалении сло  толщиной 200-300 Л значительно стравливаетс  также толстый слой . В предлагаемом же способе с использованием обработки в слабокислой ванне золота, наоборот, с более толстого сло  Ni Fe снимаетс  только 200-300 А Ni-Fe. Формула изобретени  1. Способ получени  микроструктур, включающий нанесение на диэлектрическую подложку сплошной тонкой пленки металла или сплава, формирование на ней маски из фоторезиста, последоательное гальваническое осаждение подсло  золота, основного сло  метала или сплава и защитного сло.  золота на участках, незащищенньк фоторезистом , удаление маски из фоторезиса и расположенных под ней участков сплошной тонкой пленки металла или сплава, отличающийс  ем, что, с целью повышени  качества икроструктур путем устранени  подравливани , удаление упом нутых частков сплошной тонкой пленки металпа или сплава провод т путем погружени  подложки в слабокислую ванну золота и последующего травлени  обра-, зовавшегос  слб  золота,
2. 2. Способ по п. . о т л и ч а ющ и и с   тем, что в качестве материала сплошной тонкой пленки и основного сло  используют железоникелевый сплав.
3. 3.Способ по пп. I и 2, о т л ичающийс  тем, что травление

   сло  .золота провод т в растворе цианистого кали .

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

   1. Верри Р. и др . Тонкопленочна  технологи . М., Энерги , 1972, с. 114-121.

   2; Технологи  толстых и тонких пленок. Под. ред. А. Рейсмана и К. Роуза. М., Мир, 1972, с. 130 (прототип).

   /:/

   /..

   -X-.V

   V

   т.1