JPS61276327A - 微細加工法 - Google Patents
微細加工法Info
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- JPS61276327A JPS61276327A JP11902285A JP11902285A JPS61276327A JP S61276327 A JPS61276327 A JP S61276327A JP 11902285 A JP11902285 A JP 11902285A JP 11902285 A JP11902285 A JP 11902285A JP S61276327 A JPS61276327 A JP S61276327A
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- acid solution
- mixture
- thin film
- oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は酸化プラセオジウム薄膜又は酸化マンガンＩＮ
！又はプラセオジウムとマンガンの合金の酸化物薄膜の
微細加工法に関するものである。上記Ｉｍは黒色で、高
抵抗であり、表示素子等で光吸収膜として適用し得るも
のである。
！又はプラセオジウムとマンガンの合金の酸化物薄膜の
微細加工法に関するものである。上記Ｉｍは黒色で、高
抵抗であり、表示素子等で光吸収膜として適用し得るも
のである。
従来の技術
従来、酸化プラセオジウム薄膜や酸化マンガン簿膜、プ
ラセオジウムとマンガンの合金の酸化物薄膜の加工法と
しては、酸、特に塩酸水溶液に浸漬、腐蝕する方法が知
られている（例えば、日本化学会編［化学便覧、基礎編
工］参照）。
ラセオジウムとマンガンの合金の酸化物薄膜の加工法と
しては、酸、特に塩酸水溶液に浸漬、腐蝕する方法が知
られている（例えば、日本化学会編［化学便覧、基礎編
工］参照）。
発明が解決しようとする問題点
通常、薄膜の微細加工の際には、前記薄膜上に所望のパ
ターンの有機レジスト膜が形成される。
ターンの有機レジスト膜が形成される。
これは良く知られたフォト・リソグラフィー法によるこ
とが多い。これを従来法によって、即ち塩酸等に前記薄
膜を浸漬したとき、前記薄膜の腐蝕速度が遅いという問
題や、この浸漬中に前記有機レジスト膜が剥離しやすい
という問題があった。
とが多い。これを従来法によって、即ち塩酸等に前記薄
膜を浸漬したとき、前記薄膜の腐蝕速度が遅いという問
題や、この浸漬中に前記有機レジスト膜が剥離しやすい
という問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、薄膜の腐
蝕３１！麿が速く、且つレジスト膜の剥離が生起しない
ようにすることを目的とするものである。
蝕３１！麿が速く、且つレジスト膜の剥離が生起しない
ようにすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、基板上に酸化プ
ラセオジウム、又は酸化マンガン、又は酸化プラセオジ
ウムと酸化マンガンの混合物をターゲットとしてスパッ
ター法で形成した薄膜を、有機酸水溶液と過酸化水素（
Ｈ２０２）水の混液に浸漬するものである。
ラセオジウム、又は酸化マンガン、又は酸化プラセオジ
ウムと酸化マンガンの混合物をターゲットとしてスパッ
ター法で形成した薄膜を、有機酸水溶液と過酸化水素（
Ｈ２０２）水の混液に浸漬するものである。
作用
この構成により、薄膜の腐蝕による微細加工時間が短縮
され、しかもレジスト族の剥離は生起せず、ＩＴＯＩの
損傷を防止できる。
され、しかもレジスト族の剥離は生起せず、ＩＴＯＩの
損傷を防止できる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
基板上に酸化プラセオジウム、又は酸化マンガン、又は
酸化プラセオジウムと酸化マンガンの混合物をターゲッ
トとして、アルゴン雰囲気、或いはアルゴンと酸素の混
合雰囲気中で高周波スパッター法でｗＩ躾を形成する。
酸化プラセオジウムと酸化マンガンの混合物をターゲッ
トとして、アルゴン雰囲気、或いはアルゴンと酸素の混
合雰囲気中で高周波スパッター法でｗＩ躾を形成する。
尚、このとき混合雰囲気中の酸素の分圧は約２０％以下
に限定される。さもなくば、前記薄膜の形成速度は大巾
に低下し、現実的には価値がないものである。前記ｗＩ
膜においては、プラセオジウム原子或いはマンガン原子
は４価よりも還元されているのではないかと想定される
。又、前述の化学便覧等によれば、二酸化プラセオジウ
ム（Ｐｒ２０ｚ）や二酸化マンガン（Ｍｎ ０２ ）は
塩酸水溶液に溶解し、三酸化二プラセオジウム（Ｐｒ
０３ ）や三酸化二マンガン（ＭＩＭＯｓ）はすべての
酸に不溶である。以上のことから、前記薄膜を有機酸水
溶液と過酸化水素（８２０２）水の混液に浸漬した場合
、先ずプラセオジウム原子やマンガン原子が酸化され、
しかる後右＊ａｍで腐蝕が進行するのではないかと考え
られる。従って、前記薄膜の腐蝕速度は従来の酸単独に
よるよりも本発明による方法の方が速くなるのは理解さ
れる。前記有機酸水溶液としては、酒石酸水溶液又はク
エン酸水溶液が望ましいものであった。前記有機酸水溶
液の代りに塩酸水溶液を使用すると、塩素ガスが発生し
、環境衛生上問題が生じる。
に限定される。さもなくば、前記薄膜の形成速度は大巾
に低下し、現実的には価値がないものである。前記ｗＩ
膜においては、プラセオジウム原子或いはマンガン原子
は４価よりも還元されているのではないかと想定される
。又、前述の化学便覧等によれば、二酸化プラセオジウ
ム（Ｐｒ２０ｚ）や二酸化マンガン（Ｍｎ ０２ ）は
塩酸水溶液に溶解し、三酸化二プラセオジウム（Ｐｒ
０３ ）や三酸化二マンガン（ＭＩＭＯｓ）はすべての
酸に不溶である。以上のことから、前記薄膜を有機酸水
溶液と過酸化水素（８２０２）水の混液に浸漬した場合
、先ずプラセオジウム原子やマンガン原子が酸化され、
しかる後右＊ａｍで腐蝕が進行するのではないかと考え
られる。従って、前記薄膜の腐蝕速度は従来の酸単独に
よるよりも本発明による方法の方が速くなるのは理解さ
れる。前記有機酸水溶液としては、酒石酸水溶液又はク
エン酸水溶液が望ましいものであった。前記有機酸水溶
液の代りに塩酸水溶液を使用すると、塩素ガスが発生し
、環境衛生上問題が生じる。
従来法による場合、即ち塩酸水溶液等に主表面上にパタ
ーンを有する有機レジスト族を有する前記簿膜を浸漬し
た場合、有機レジスト族は前記薄膜から剥離しがちであ
る。特に腐蝕速度を現実的に適当な程大きくするために
、前記塩酸水溶液の波瀾を約６０℃付近に保った場合、
前述の剥離が速やかに起こる。
ーンを有する有機レジスト族を有する前記簿膜を浸漬し
た場合、有機レジスト族は前記薄膜から剥離しがちであ
る。特に腐蝕速度を現実的に適当な程大きくするために
、前記塩酸水溶液の波瀾を約６０℃付近に保った場合、
前述の剥離が速やかに起こる。
本発明実施例においては有機酸水溶液と過酸化水素（Ｈ
２０２）水の混液のＩ！度を５０〜８０℃に保ち、前記
薄膜をこれに２０〜３０分浸漬しても全く剥離は生起し
ない。
２０２）水の混液のＩ！度を５０〜８０℃に保ち、前記
薄膜をこれに２０〜３０分浸漬しても全く剥離は生起し
ない。
以下、具体実施例について説明する。
具体実施例１
市販の酸化プラセオジウム（ＰｒｓＯｌｔ）粉末、市販
の酸化マンガン（Ｍｌｌ ０２ ）粉末を購入した。
の酸化マンガン（Ｍｌｌ ０２ ）粉末を購入した。
ステンレス（非磁性）Ｉ！Ｊ皿に、前記酸化プラセオジ
ウム（Ｐｒｅｃｌｔ）粉末を盛ったもの（これにより形
成されたサンプルをサンプルＡと称する）、前記酸化マ
ンガン（Ｍｎ ０２ ）粉末を盛ったもの（これにより
形成されたサンプルをサンプルＢと称する）、前記酸化
マンガン（Ｍｎ ０２ ）粉末と前記酸化プラセオジウ
ム（Ｐｒｅｃｌｔ）粉末を重曇比で１：４で一様に混合
した混合粉末を盛ったもの（これにより形成されたサン
プルをサンプルＣと称する）を夫々ターゲットとして、
高周波マグネトロン・スパッター装置で薄膜を形成した
。
ウム（Ｐｒｅｃｌｔ）粉末を盛ったもの（これにより形
成されたサンプルをサンプルＡと称する）、前記酸化マ
ンガン（Ｍｎ ０２ ）粉末を盛ったもの（これにより
形成されたサンプルをサンプルＢと称する）、前記酸化
マンガン（Ｍｎ ０２ ）粉末と前記酸化プラセオジウ
ム（Ｐｒｅｃｌｔ）粉末を重曇比で１：４で一様に混合
した混合粉末を盛ったもの（これにより形成されたサン
プルをサンプルＣと称する）を夫々ターゲットとして、
高周波マグネトロン・スパッター装置で薄膜を形成した
。
前記簿膜の厚さはすべて約２０００人にした。
下地基板にはソーダ・ガラスに錫を含んだ酸化インジウ
ム透明導電層（ＩＴＯ層と称する）を被覆したものを購
入して使用した。
ム透明導電層（ＩＴＯ層と称する）を被覆したものを購
入して使用した。
基板洗浄としては中性洗剤で洗浄後、水洗乾燥させ、そ
の後発煙硝酸に浸漬、水洗及び乾燥させた。スパッター
の酸の基板温度を約２５０℃に保った。スパッターの雰
囲気としては、ナルボン１００％及びアルゴン（約８５
゛％）と酸素（約１５％）の混合雰囲気を、前記３種の
ターゲットに対して使用した。即ち、各サンプルＡ〜Ｃ
毎にスパッター雰囲気の違いによる２種のものが生じる
。
の後発煙硝酸に浸漬、水洗及び乾燥させた。スパッター
の酸の基板温度を約２５０℃に保った。スパッターの雰
囲気としては、ナルボン１００％及びアルゴン（約８５
゛％）と酸素（約１５％）の混合雰囲気を、前記３種の
ターゲットに対して使用した。即ち、各サンプルＡ〜Ｃ
毎にスパッター雰囲気の違いによる２種のものが生じる
。
前記薄膜上にフォト・リソグラフィー法でもって、東京
応化製ポジレジスト０ＦＰＲ−８００を用いて所望の有
機レジスト・パターンを形成した。
応化製ポジレジスト０ＦＰＲ−８００を用いて所望の有
機レジスト・パターンを形成した。
酒石酸の５重量％水溶液を調合し、更にこの水溶液１リ
ツトルに市販の３０％過酸化水素（Ｈ２０２）水溶液１
５０ｃｃを注ぎ、混合し、この混合液の温度を熱板によ
り約７０℃〜８０℃に保った。
ツトルに市販の３０％過酸化水素（Ｈ２０２）水溶液１
５０ｃｃを注ぎ、混合し、この混合液の温度を熱板によ
り約７０℃〜８０℃に保った。
次に前記すべての種類の薄膜を浸漬し、腐蝕させた。前
述の混合の後、数分以内に前述の浸漬を行なうことが望
ましい。すべての前記の薄膜のｍ蝕による微細加工は４
分以内に終了し、しかも前記レジスト膜の剥離は全く生
起しない。又、前記ＩＴｏｌｌは全く損傷を受けていな
かった。
述の混合の後、数分以内に前述の浸漬を行なうことが望
ましい。すべての前記の薄膜のｍ蝕による微細加工は４
分以内に終了し、しかも前記レジスト膜の剥離は全く生
起しない。又、前記ＩＴｏｌｌは全く損傷を受けていな
かった。
比較のために、約７０℃に保った塩酸水溶液に前記の簿
膜を浸漬した場合、腐蝕は１５分でも終了しない。又、
前記レジスト膜は前述のＷ１漬の俊速やかに剥離を起こ
す。又、腐蝕が完了した基板上の部所を観察すると、前
記ＩＴＯＩＩが損傷を受けているのが知られる。
膜を浸漬した場合、腐蝕は１５分でも終了しない。又、
前記レジスト膜は前述のＷ１漬の俊速やかに剥離を起こ
す。又、腐蝕が完了した基板上の部所を観察すると、前
記ＩＴＯＩＩが損傷を受けているのが知られる。
具体実施例２
具体実施例１と同様に実施した。但し、有機レジスト材
料として東京応化製ネガ・レジストＯＭＲ−８３を用い
、酒石酸の代りにクエン酸を使用し、前記混合液の温度
を５０℃〜６０℃に保った。すべての前記の薄膜の腐蝕
による微細加工は１２分以内に ゛完了し、しかも
前記レジスト膜の剥離は全く生起しない。又、前記ＩＴ
ＯＷＡは全く損傷を受けていなかった。
料として東京応化製ネガ・レジストＯＭＲ−８３を用い
、酒石酸の代りにクエン酸を使用し、前記混合液の温度
を５０℃〜６０℃に保った。すべての前記の薄膜の腐蝕
による微細加工は１２分以内に ゛完了し、しかも
前記レジスト膜の剥離は全く生起しない。又、前記ＩＴ
ＯＷＡは全く損傷を受けていなかった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、黒色、高抵抗な酸化プラ
セオジウム薄膜、酸化マンガン１ｌｉｌ Ｉ！ 、酸化
プラセオジウム・マンガン１１１１ｉｌの優れた微細加
工法を提供することができる。又、この微細加工法はＩ
ＴＯ層を全く侵さず、従って表示素子等において光吸収
層として、前記Ｓ膜の適合性を高めるものである。従っ
て、産業上極めて有益な発明である。
セオジウム薄膜、酸化マンガン１ｌｉｌ Ｉ！ 、酸化
プラセオジウム・マンガン１１１１ｉｌの優れた微細加
工法を提供することができる。又、この微細加工法はＩ
ＴＯ層を全く侵さず、従って表示素子等において光吸収
層として、前記Ｓ膜の適合性を高めるものである。従っ
て、産業上極めて有益な発明である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に酸化プラセオジウム、又は酸化マンガン、
又は酸化プラセオジウムと酸化マンガンの混合物をター
ゲットとしてスパッター法で形成した薄膜を、有機酸水
溶液と過酸化水素（Ｈ＿２Ｏ＿２）水の混液に浸漬する
微細加工法。 ２、有機酸水溶液は酒石酸水溶液又はクエン酸水溶液で
ある特許請求の範囲第１項記載の微細加工法。 ３、混液の温度を５０℃〜８０℃に保持する特許請求の
範囲第１項記載の微細加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902285A JPS61276327A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11902285A JPS61276327A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276327A true JPS61276327A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14751043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11902285A Pending JPS61276327A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 微細加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030068A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-08 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Institut Für Innovative Mikroelektronik | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements mit einer praseodymoxid-schicht |
| JP2006060207A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11902285A patent/JPS61276327A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030068A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-08 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Institut Für Innovative Mikroelektronik | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements mit einer praseodymoxid-schicht |
| DE10244862B4 (de) * | 2002-09-23 | 2006-09-14 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Praseodymoxid-Schicht |
| JP2006060207A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 |
| US8092698B2 (en) | 2004-08-03 | 2012-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming semiconductor devices formed by processes including the use of specific etchant solutions |
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