JPS62151261A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、処理、特に処理液の噴出部に被処理物を浸漬
させて処理を行う、たとえば半田デイツプ技術等に適用
して有効な技術に関する。

［背景技術］ 半導体装置のリードピン部分には実装の際の半田リフロ
ーを確実に行い、また前記リードビンの腐食を防止する
目的で半田ディップを施すことが知られている。

前記半田ディップの方法としては、ビングリッドアレイ
型パフケージの半導体装置を例にして説明すると、パッ
ケージ本体をチャックで保持した状態で、そのパッケー
ジ本体の底面側をフラックス槽、半田デイツプ槽、湯洗
槽の各種の処理液の噴流中に浸漬させることにより処理
を行う技術が知られている。

ところで、上記処理に用いられる半田デイツプ槽等の各
種では、フランクス処理にともなう酸化物あるいはごみ
等の異物が液中に混入することがある。これらの異物は
スクリューシャフトの回転流に巻き込まれて噴流中に混
入されて、前記処理液が再度噴流される際に異物も同時
に噴出されて、それが被処理物である半導体装置のリー
ドピンに付着して実装不良の原因となることが本発明者
によって明らかにされた。さらに、前記異物が大きなも
のであるときにはリードピン間に半田ブリッジを形成し
てしまい、電気的短絡による半導体装置の信転性低下の
原因ともなることも本発明者によって明らかにされた。

なお、半田デイツプ技術に関して説明されている例とし
ては、本出願人による特願昭５９−１８９６０５号公報
がある。

［発明の目的Ｊ 本発明の目的は、処理液の噴流中に異物の混入を防止し
て信転性の高い処理技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、スクリューを回転させるシャフトに、シャフ
トの回転にともない周囲の処理液を液面方向に上昇させ
る螺旋溝を形成することによって、液中の異物がシャフ
ト周囲の液流とともに液面方向に上昇させられるため、
前記スクリューにより生成される噴流中に異物が混入す
ることを防止でき、信顛性の高い処理を実現することが
できる。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例である半田デイツプ装置を示
す概略説明図、第２図はシャフトの螺旋溝近傍を示す拡
大部分図である。

本実施例の半田デイツプ装置１において、半田槽２の内
部には約２５０℃程度で溶融状態となった半田溶液３が
満たされており、またこの半田溶液３の中にはステンレ
ス合金等からなる噴流枠４が設けられている。前記噴流
枠４の半田溶液３中に浸漬された一端側にはシャフト５
を介してモータ６により回転されるスクリュー７が内設
されており、このスクリュー７が高速回転することによ
り噴流枠４内に噴流８ａを生成し、さらに噴流枠４の液
面上に露出した噴出口９より半田溶液３を上方に噴出す
るようになっている。

そして、被処理物である半導体装置１０はチャック機構
１１によって保持された状態で半田槽２上に供給され、
そのリードピン１０ａの部分が前記噴出口９からの噴流
８ｂ中に浸漬されることによって半田ディツプが行われ
るものである。

本実施例において、モータ６とスクリュー７とを連結す
るシャフト５は、半田溶液３との濡れ性が低いたとえば
ステンレス合金、又はチタン合金等からなり、その周面
の一部には回転方向に対して順方向で周面に沿ってスク
リュー７の方向に進行する螺旋溝１２が形成されている
。なお、第１図および第２図ではシャフト５の回転方向
が右回りであるため、螺旋溝１２も右回りでスクリュー
７の方向に向かって進行する溝となっている。また、前
記螺旋溝１２はシャフト５の液面上に露出する部分から
液中に浸漬される部分にわたって形成されている。した
がって、シャフト５の回転にともなって周囲の半田溶液
３を液面方向に十分に押し上げることができる。

なお、本実施例の被処理物である半導体装置１０は、筐
体形状のパフケージ本体底面からリードピン１０ａがマ
トリクス状に複数本突設されたいわゆるビングリッドア
レイ型半導体装置である。

次に、本実施例の作用を説明する。

半導体装置ｌＯがチャック機構１１に保持された状態で
噴出口９の上方に位置されると、モータ６の回転が毎分
１００回転程度までに高められ、噴出口９からの噴流８
ｂが増加して噴出口９から約１〜３ｃｍ程度の高さの水
平方向に均一な噴流面を形成する状態となる。

次に、チャック機構１１がさらに下降して半導体装置Ｉ
Ｏのリードビン１０ａの部分を数秒〜１０秒程度前記噴
流８ｂ中に浸漬して半田ディツブを行う。

このとき、前記リードビンｌｏａには半田の濡れ性を確
保するためにフラックス処理が施されており、噴！ｓｂ
により剥離した酸化物が噴流とともに半田槽２内に落下
し、半田溶液３中に混入して浮遊異物１３となる。

本実施例によれば、回転方向に対して順方向で周面に沿
ってスクリュ−７の方向に進行する螺旋溝１２が形成さ
れているため、第２図に示すように、シャフト５の回転
によりシャフト５の周囲には液面方向に向かう液流３ａ
が生成される。したがって、前記液流３ａにともなって
半田溶液３中の異物１３は液面方向に押し上げられ、ス
クリュー７の方向には沈下しない。このように、半田溶
液３中の異物１３はシャフトの回転により液面近傍での
浮遊状態が維持されるため、スクリュー７によって生成
される噴流８ａ、８ｂ中には異物１３が混入されない状
態となり、常に清浄な半田溶液で半田ディップ処理を行
うことができる。

このため、前記異物１３が原因となる半田むらあるいは
半田ブリッジの形成等の不良を防止でき、信頼性の高い
実装が可能となる。

［効果］ （ｌ）、スクリューを回転させるシャフトに、シャフト
の回転にともない周囲の処理液を液面方向に上昇させる
螺旋溝を形成することによって、液中の異物がシャフト
周囲の液流とともに液面方向に押し上げられるため、前
記スクリューにより生成される噴流中に異物が混入する
ことを防止でき、信頼性の高い処理を実現することがで
きる。

（２）、前記（１）により、従来構造のシャフトに僅か
な加工を施すのみで信頼性の高い処理装置を提供するこ
とができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、半田デイツプ技術の中の半田デ
ィップ槽に適用した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、たとえばフラックス槽、冷却槽
、あるいは湯洗槽等信の槽に適用しても有効な技術であ
る。

また、ピングリッドアレイ型半導体装置に限らず、デュ
アルインライン（ＤｒＬ）型等の他のパフケージ形状の
半導体装置、さらにはダイオード、コンデンサ、抵抗等
の他の各種電子部品の処理装置に適用しても有効な技術
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半田ディンブ装置を示
す概略説明図、 第２図はシャフトの螺旋溝近傍を示す拡大部分図である
。 ■・・・半田デイツプ装置、２・・・半田槽、３・・・
半田溶液、３ａ・・・異物、４・・・噴流枠、５・・・
シャフト、６・・・モータ、７・・・スクリュー、８ａ
、８ｂ・・・噴流、９・・・噴出口、１０・・・半導体
装置、１０ａ・・・リードピン、１１・・・チャック機
構、１２・・・螺旋溝、１３・・・異物。 ／′°−＼１ 代理人　弁理士　小　川　勝　男　“ 第　　１　　図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、シャフトに連設されたスクリューの回転によって生
   成される処理液の噴流中に被処理物を浸漬させて処理を
   行う処理装置であって、前記シャフトに、該シャフトの
   回転にともない周囲の処理液を液面方向に上昇させる螺
   旋溝が形成されていることを特徴とする処理装置。 ２、前記螺旋溝が少なくともシャフトの長さ方向の液中
   に浸漬される部位から液面上に露出する部位にわたって
   形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の処理装置。 ３、前記処理液が溶融状態の半田であり、かつ被処理物
   が半導体装置であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項または第２項記載の処理装置。