JPH0469430B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半田デイツプ技術、特に、フラツトパ
ツケージ形半導体装置の半田デイツプに適用して
有効な技術に関する。

〔背景技術〕

フラツトパツケージ形半導体装置のリードに半
田デイツプを施こす場合、リードフレームの切断
成形前の半導体装置を半田デイツプ装置内でフラ
ツクス槽、半田デイツプ槽、湯洗槽等の各槽に対
して低速回転状態で浸漬させることにより処理を
行うことが考えられる。

ところが、この場合、半田付けを単に浸漬のみ
で行うため、リード上の半田厚が一定せず、部分
によつてかなりのばらつきを生じることが本発明
者により見い出された。このような不均一な半田
厚のリードフレームを後で切断成形すると、成形
後のリード先端が一定とならず、後工程でのプリ
ント基板への実装時等に半田付け不良を生じる原
因となり、半田付け不良の修正に多大な労力と時
間を要することが本発明者によつて解明された。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、均一な半田厚を得ることので
きる半田デイツプ技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、電子部品にあまり熱スト
レスを与えないで、そのリード部に半田を付着す
ることのできる半田デイツプ技術を提供すること
にある。

また、本発明の他の目的は、処理効率の大幅な
低下を招くことなく、電子部品の全てのリード部
に半田を付着することのできる半田デイツプ技術
を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半田槽内の半田溶
液を有効に使用することのできる半田デイツプ技
術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、電子部品のリード
部に清浄な半田を付着することのできる半田デイ
ツプ技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、すなわち、半田槽内の噴流枠内に設
置されたスクリユーを回転させることにより半田
槽内の半田溶液を噴流枠内に導入に、かつ、噴流
枠内に導入された半田溶液を噴流枠の噴流口から
噴出させて、前記半田槽内の半田溶液を循環させ
ながら電子部品のパツケージ本体から突出する複
数のリード部を前記噴流口から噴出された半田溶
液にデイツプする際に、前記パツケージ本体の上
下面が半田溶液面に対して垂直となるように保持
した電子部品を、そのリード部が半田溶液にデイ
ツプされる位置に配置した状態で、前記半田溶液
面に対して垂直な面内において回転させることに
より前記電子部品の全てのリード部に半田を付着
した後、前記リード部に付着した半田が溶融状態
にある間に、前記電子部品を半田槽から離間する
方向に移動して、前記半田溶液面に対して垂直な
面内において前記回転よりも高速に回転させるも
のである。

〔実施例〕

図は本発明の一実施例である半田デイツプ方法
を実施するための装置を示す概略説明図である。

本実施例において、半田槽１の内部には溶融し
た半田溶液２が満たされており、またこの半田溶
液２の中には噴流枠３が設けられている。この噴
流枠３内には、モータ４で回転されるスクリユー
５が挿入されており、スクリユー５を高速回転す
ることによつて噴流枠３内に半田噴流を形成し、
噴流口６から上方に噴出する。

そして、この噴流口６からの半田噴流中に電子
部品のリード部をデイツプすることにより半田デ
イツプを施こす。すなわち、本実施例において
は、スクリユー５の回転によつて半田槽１内の半
田溶液２を噴流枠３内に導入し、かつ、噴流枠３
内に導入された半田溶液２を噴流口６から噴出さ
せて、半田槽１内の半田溶液２を循環させた状態
で、半田デイツプ処理を行うことが可能になつて
いる。したがつて、半田槽１内の半田溶液２を有
効に使用できる。しかも、電子部品のリード部が
デイツプされる半田溶液２は、スクリユー５の回
転によつて噴流口６から噴出され、常に流動して
いるので、酸化等され難い。したがつて、電子部
品のリード部に清浄な半田を付着することができ
る。本実施例では、電子部品の一例としてプラツ
トパツケージ形の半導体装置７が用いられてお
り、該フラツトパツケージ形半導体装置７を半田
噴流部でゆつくり回転させることによりそのリー
ド部８に半田溶液をデイツプすることができる。
すなわち、本実施例においては、フラツトパツケ
ージ形半導体装置７のリード部８に半田を付着す
る際に、全てのリード部８を同時に半田溶液２に
デイツプするのではない。また、フラツトパツケ
ージ形半導体装置７の各側面毎に個々単独にリー
ド部８を半田溶液２にデイツプするのでもない。
図に示すようにフラツトパツケージ形半導体装置
７をそのパツケージ本体の上下面が半田溶液面に
対して垂直となるように立てて、半田溶液面に対
して垂直な面内において回転させることにより、
フラツトパツケージ形半導体装置７の所定の側面
のリード部８を半田溶液２にデイツプした後、連
続的に他の側面のリード部８を半田溶液２にデイ
ツプする。このため、リード部８に半田溶液２を
付着する際、パツケージ本体と半田溶液２との接
触面積を比較的小さくすることができるので、フ
ラツトパツケージ形半導体装置７にあまり熱スト
レスを与えないでリード部８に半田溶液２を付着
することができる。しかも、フラツトパツケージ
形半導体装置７を回転させることにより全てのリ
ード部８に半田を付着するので、フラツトパツケ
ージ形半導体装置７の所定側面のリード部８に半
田を付着する工程から他の側面のリード部８に半
田を付着する工程に連続的に移行することができ
る。すなわち、処理効率の大幅な低下を招くこと
なくフラツトパツケージ形半導体装置７の全ての
リード部８に半田を付着することができる。その
際、リードフレームは切断成形前の状態のもので
あるが、切断成形後のものであつてもよい。

また、本実施例においては、フラツトパツケー
ジ形半導体装置７はモータ９で高速回転可能にか
つ上下動可能に支持されている。したがつて、本
実施例では、フラツトパツケージ形半導体装置７
はリード部８の温度確保および半田濡れ性向上の
ためにゆつくり回転されながらそのリード部８へ
の回転半田デイツプ操作を施こされた直後に上昇
され、リード部８に付着した半田がまだ溶融状態
にある間にモータ９で高速回転される。そして、
その高速回転による遠心力で、リード部８に付着
した半田溶液はリード部８上に均一に拡がる。す
なわち、本実施例においては、フラツトパツケー
ジ形半導体装置７のリード部８に半田溶液２を付
着する工程からリード部８に付着した半田の厚さ
を均一にする工程に、容易、かつ、迅速に移行す
ることができる。したがつて、あまり熱ストレス
を与えないでフラツトパツケージ形半導体装置７
のリード部８に半田を付着することができる上、
そのリード部８に付着された半田の厚さを均一に
することができる。それと共に、高速回転により
半田の冷却が促進され、半導体装置７への熱スト
レスが迅速に低減される。特に、リードフレーム
の切断成形前の場合、リードフレームに付着され
た半田は遠心力でフレームのタイバー方向に押し
出され、リード部８には均一な厚さの半田が形成
される。

〔効果〕

(1) 電子部品のリード部にデイツプ付着された半
田が溶融状態にある間に電子部品に遠心力を与
えることにより、リード部の半田厚が均一とな
る。

(2) 前記(1)により、電子部品のプリント基板等へ
の実装を容易に行うことができる。

(3) 電子部品の高速回転により、半田の冷却が促
進され、電子部品への熱ストレスを低減でき
る。

(4) 半田デイツプをリードフレームの切断成形前
に行うことにより、前記(1)と相まつて、リード
フレームの切断成形時のリードのばらつきが減
少する。

(5) パツケージ本体の上下面が半田溶液面に対し
て垂直となるように保持された電子部品を、半
田溶液面に対して垂直な面内において回転させ
ることにより電子部品の全てのリード部の半田
を付着することにより、パツケージ本体と半田
溶液との接触面積を比較的小さくすることがで
きるので、あまり熱ストレスを与えないで電子
部品のリード部に半田を付着することができ
る。

(6) パツケージ本体の上下面が半田溶液面に対し
て垂直となるように保持された電子部品を、半
田溶液面に対して垂直な面内において回転させ
ることにより電子部品の全てのリード部に半田
を付着することにより、電子部品の所定側面の
リード部に半田を付着する工程から他の側面の
リード部に半田を付着する工程に連続的に移行
することができるので、処理効率の大幅な低下
を招くことなく、電子部品の全てのリード部に
半田を付着することができる。

(7) 電子部品のリード部に半田溶液を付着する工
程からリード部に付着した半田の厚さを均一に
する工程に、容易、かつ、迅速に移行すること
ができる。

(8) スクリユーの回転によつて半田槽内の半田溶
液を噴流枠内に導入し、かつ、噴流枠内に導入
された半田溶液を噴流口から噴出させて、半田
槽内の半田溶液を循環させた状態で、半田デイ
ツプ処理を行うことにより、半田槽内の半田溶
液を有効に使用できる。

(9) 電子部品のリード部がデイツプされる半田溶
液は、スクリユーの回転によつて噴流口から噴
出され、常に流動しているので、酸化等され難
い。したがつて、電子部品のリード部に清浄な
半田を付着することができる。

(10) 上記(1)、(3)、(4)、(5)、(9)により、電子部品
の
信頼性を向上させることができる。

以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

たとえば、リードフレームを有する電子部品の
場合にリードフレームの切断成形後に半田デイツ
プを行つてもよい。

また、電子部品自体を高速回転させるもの以外
に、電子部品を収納した容器等を高速回転させる
こと等で電子部品に遠心力を与えてもよい。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野であるフラ
ツトパツケージ形半導体装置に適用した場合につ
いて説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえばデユアルインライン（DIL）形半導
体装置、リードレス型ダイオードを含むダイオー
ド、抵抗、コンデンサ等の各種電子部品への半田
デイツプに適用できる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例である半田デイツプ方法
を実施するための装置の概略説明図である。 １……半田槽、２……半田溶液、３……噴流
枠、４……モータ、５……スクリユー、６……噴
流口、７……フラツトパツケージ形半導体装置
（電子部品）、８……リード部、９……モータ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半田槽内の噴流枠内に設置されたスクリユー
   を回転させることにより半田槽内の半田溶液を噴
   流枠内に導入し、かつ、噴流枠内に導入された半
   田溶液を噴流枠の噴流口から噴出させて、前記半
   田槽内の半田溶液を循環させながら電子部品のパ
   ツケージ本体から突出する複数のリード部を前記
   噴流口から噴出された半田溶液にデイツプする際
   に、前記パツケージ本体の上下面が半田溶液面に
   対して垂直となるように保持した電子部品をその
   リード部が半田溶液にデイツプされる位置に配置
   した状態で、前記半田溶液面に対して垂直な面内
   において回転させることにより、前記電子部品の
   全てのリード部に半田を付着した後、前記リード
   部に付着した半田が溶融状態にある間に、前記電
   子部品を半田槽から離間する方向に移動して、前
   記半田溶液面に対して垂直な面内において前記回
   転よりも高速に回転させることを特徴とする半田
   デイツプ方法。