JPH10321582A - 半導体装置の汚れ除去方法 - Google Patents
半導体装置の汚れ除去方法Info
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- JPH10321582A JPH10321582A JP13930797A JP13930797A JPH10321582A JP H10321582 A JPH10321582 A JP H10321582A JP 13930797 A JP13930797 A JP 13930797A JP 13930797 A JP13930797 A JP 13930797A JP H10321582 A JPH10321582 A JP H10321582A
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- methanol
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイオードを水で洗浄した後にメタノールに
浸漬し、しかる後乾燥させる洗浄方法によって十分に汚
れを除去することができなかった。 【解決手段】 ダイオード組立体１ａを水で洗浄した後
にメタノール溶液１６に浸漬する。メタノール溶液１６
の温度を３℃〜１０℃とする。メタノール浸漬後のダイ
オード組立体を加熱乾燥する。この乾燥時の温度上昇率
を５℃／min 〜２５℃／min にする。
浸漬し、しかる後乾燥させる洗浄方法によって十分に汚
れを除去することができなかった。 【解決手段】 ダイオード組立体１ａを水で洗浄した後
にメタノール溶液１６に浸漬する。メタノール溶液１６
の温度を３℃〜１０℃とする。メタノール浸漬後のダイ
オード組立体を加熱乾燥する。この乾燥時の温度上昇率
を５℃／min 〜２５℃／min にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は同軸リード型ダイオード
等の半導体装置の汚れ除去方法に関する。
等の半導体装置の汚れ除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示す同軸リード型ダイオード１
は、ダイオードチップ即ち半導体チップ２と一対のリー
ド３、４とから成る。半導体チップ２はｐｎ接合を含む
半導体基体５と一対の金属電極６、７とから成り、ｐｎ
接合は半導体基体５の側面に露出している。リード３、
４は大径の頭部８、９を有し、半導体チップ２の電極
６、７は頭部８、９に対して鉛と錫又はこれ等を主成分
とする半田１０、１１で固着されている。半導体チップ
２はＪＣＲ（ジャンクション・コーティング・レジン）
から成る保護樹脂１２で被覆され、更に破線で示すよう
に樹脂封止体１３で被覆される。なお、リード３、４は
銅線から成り、この上にＮｉメッキ層とＡｇメッキ層と
半田メッキ層とが順次に形成されている。
は、ダイオードチップ即ち半導体チップ２と一対のリー
ド３、４とから成る。半導体チップ２はｐｎ接合を含む
半導体基体５と一対の金属電極６、７とから成り、ｐｎ
接合は半導体基体５の側面に露出している。リード３、
４は大径の頭部８、９を有し、半導体チップ２の電極
６、７は頭部８、９に対して鉛と錫又はこれ等を主成分
とする半田１０、１１で固着されている。半導体チップ
２はＪＣＲ（ジャンクション・コーティング・レジン）
から成る保護樹脂１２で被覆され、更に破線で示すよう
に樹脂封止体１３で被覆される。なお、リード３、４は
銅線から成り、この上にＮｉメッキ層とＡｇメッキ層と
半田メッキ層とが順次に形成されている。
【０００３】図１に示すダイオード１を製造する時に
は、まず、図２に示すように半導体チップ２にリード
３、４を半田１０、１１で固着したダイオード組立体１
ａを作製する。次に、半導体基体５の側面をエッチング
してから、ダイオード組立体１ａを純水の超音波洗浄槽
に入れて超音波洗浄し、半田付け時にダイオード組立体
１ａに付着した汚れや加工歪みを除去する。次に、洗浄
を終えたダイオード組立体１ａをメタノール液中に約１
０秒間浸漬させてダイオード組立体１ａに付着した水を
メタノールに置換する。次に、乾燥のためにダイオード
組立体１ａを赤外線トンネル炉に通すなどして、ダイオ
ード組立体１ａに付着したメタノールを蒸発させる。し
かる後、図２に示す保護樹脂１２及び樹脂封止体１３を
設けてダイオード１を完成させる。
は、まず、図２に示すように半導体チップ２にリード
３、４を半田１０、１１で固着したダイオード組立体１
ａを作製する。次に、半導体基体５の側面をエッチング
してから、ダイオード組立体１ａを純水の超音波洗浄槽
に入れて超音波洗浄し、半田付け時にダイオード組立体
１ａに付着した汚れや加工歪みを除去する。次に、洗浄
を終えたダイオード組立体１ａをメタノール液中に約１
０秒間浸漬させてダイオード組立体１ａに付着した水を
メタノールに置換する。次に、乾燥のためにダイオード
組立体１ａを赤外線トンネル炉に通すなどして、ダイオ
ード組立体１ａに付着したメタノールを蒸発させる。し
かる後、図２に示す保護樹脂１２及び樹脂封止体１３を
設けてダイオード１を完成させる。
【０００４】なお、上記のようにダイオード組立体１ａ
に付着した水をメタノールに置換してから乾燥工程を施
すのは、メタノールに置換せずに乾燥工程を施すと、半
導体チップ２の側面に付着した水がシミ状に残存し、チ
ップの特性に悪影響を与えかねないこと、及びダイオー
ド組立体１ａに付着した水を乾燥させる時間が長くなる
こと等の理由による。メタノールに置換してから乾燥工
程を施せば、これらの問題が生じ難い。
に付着した水をメタノールに置換してから乾燥工程を施
すのは、メタノールに置換せずに乾燥工程を施すと、半
導体チップ２の側面に付着した水がシミ状に残存し、チ
ップの特性に悪影響を与えかねないこと、及びダイオー
ド組立体１ａに付着した水を乾燥させる時間が長くなる
こと等の理由による。メタノールに置換してから乾燥工
程を施せば、これらの問題が生じ難い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来はダイ
オード組立体１ａをメタノールに浸漬する時にメタノー
ルの温度に特に注意を払わず、室温の付近の２０〜２５
℃程度とした。また、乾燥時の温度変化にもさほど注意
を払わず、図３に示すように設定した。この図３におい
ては、雰囲気温度が５分間で２０℃から約１５０℃まで
上昇し、２０分間保持された後に自然冷却で２０℃に戻
されている。ところが、従来のメタノール置換ではダイ
オード組立体１ａをメタノール液中に浸漬した時に、ダ
イオード組立体１ａのリード３、４に施した半田メッキ
の半田等がメタノール液に溶解し、これが半導体基体５
の側面に付着し、電気的特性の低下を招くことがある。
また、従来の乾燥方法では、メタノールと共に残存して
いる半田等の不要物質を十分に除去できないことがあ
り、これに基づいて製造歩留りの低下及び信頼性の低下
を招くことがあった。
オード組立体１ａをメタノールに浸漬する時にメタノー
ルの温度に特に注意を払わず、室温の付近の２０〜２５
℃程度とした。また、乾燥時の温度変化にもさほど注意
を払わず、図３に示すように設定した。この図３におい
ては、雰囲気温度が５分間で２０℃から約１５０℃まで
上昇し、２０分間保持された後に自然冷却で２０℃に戻
されている。ところが、従来のメタノール置換ではダイ
オード組立体１ａをメタノール液中に浸漬した時に、ダ
イオード組立体１ａのリード３、４に施した半田メッキ
の半田等がメタノール液に溶解し、これが半導体基体５
の側面に付着し、電気的特性の低下を招くことがある。
また、従来の乾燥方法では、メタノールと共に残存して
いる半田等の不要物質を十分に除去できないことがあ
り、これに基づいて製造歩留りの低下及び信頼性の低下
を招くことがあった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、製造歩留りの向
上及び信頼性の向上を図ることができる半導体装置の汚
れ除去方法を提供することにある。
上及び信頼性の向上を図ることができる半導体装置の汚
れ除去方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、半導体チップがリード
部材に固着されている構造の半導体装置の汚れ除去方法
であって、前記半導体装置を水で洗浄する工程と、次
に、前記半導体装置を３℃〜１０℃のメタノール溶液に
浸漬させる工程と、次に、前記半導体装置を乾燥させる
工程とを有していることを特徴とする半導体装置の汚れ
除去方法に係わるものである。また、請求項２の発明
は、半導体装置をメタノール溶液に浸漬した後の乾燥工
程において、温度上昇率を５℃／min 〜２５℃／min に
することを特徴とするものである。なお、請求項３に示
すように、半導体装置を３℃〜１０℃のメタノール溶液
に浸漬させ且つ乾燥時の温度上昇率を５℃／min 〜２５
℃／min にすることが望ましい。
目的を達成するための本発明は、半導体チップがリード
部材に固着されている構造の半導体装置の汚れ除去方法
であって、前記半導体装置を水で洗浄する工程と、次
に、前記半導体装置を３℃〜１０℃のメタノール溶液に
浸漬させる工程と、次に、前記半導体装置を乾燥させる
工程とを有していることを特徴とする半導体装置の汚れ
除去方法に係わるものである。また、請求項２の発明
は、半導体装置をメタノール溶液に浸漬した後の乾燥工
程において、温度上昇率を５℃／min 〜２５℃／min に
することを特徴とするものである。なお、請求項３に示
すように、半導体装置を３℃〜１０℃のメタノール溶液
に浸漬させ且つ乾燥時の温度上昇率を５℃／min 〜２５
℃／min にすることが望ましい。
【０００８】
【発明の作用及び効果】請求項１及び３の発明のように
メタノールの温度を低くすると、メタノール溶液中にリ
ードのメッキ層等の金属部分が溶け出すことを抑制する
ことができ、メタノール浸漬に伴う半導体チップの側面
の汚れを防止することができる。また、請求項２の発明
に従って温度上昇率を緩やかにすると、半導体チップの
側面に付着した汚れ物質を良好に除去することができ
る。この理由は必ずしも明確でないが、温度上昇率が緩
やかになると、メタノールの蒸発速度が遅くなり、メタ
ノールと共に汚れ物質が流れ落ちるためと考えられる。
請求項３の発明によれば、請求項１及び２の発明の両方
の効果を得ることができ、製造歩留り及び信頼性の一層
の向上が可能になる。
メタノールの温度を低くすると、メタノール溶液中にリ
ードのメッキ層等の金属部分が溶け出すことを抑制する
ことができ、メタノール浸漬に伴う半導体チップの側面
の汚れを防止することができる。また、請求項２の発明
に従って温度上昇率を緩やかにすると、半導体チップの
側面に付着した汚れ物質を良好に除去することができ
る。この理由は必ずしも明確でないが、温度上昇率が緩
やかになると、メタノールの蒸発速度が遅くなり、メタ
ノールと共に汚れ物質が流れ落ちるためと考えられる。
請求項３の発明によれば、請求項１及び２の発明の両方
の効果を得ることができ、製造歩留り及び信頼性の一層
の向上が可能になる。
【０００９】
【実施例】次に、図１、図２、図４及び図５を参照して
本発明の実施例のダイオードの汚れ除去方法を説明す
る。本実施例においても図１に示す構造のダイオード１
を製造する。このために、まず、図２に示すダイオード
組立体１ａを用意する。なお、図２のダイオード組立体
１ａは保護樹脂１２及び樹脂封止体１３を具備していな
いが、これのみでもダイオードとしての電気的特性を十
分に得ることができるので、この組立体１ａを単にダイ
オード又は半導体装置と呼ぶこともできる。従って、本
願の特許請求の範囲においては、組立体１ａに相当する
ものを半導体装置と呼んでいる。本実施例のダイオード
組立体１ａのリード３、４は銅線にＮｉ（ニッケル）メ
ッキとＡｇ（銀）メッキ層とＰｂ−Ｓｎ半田メッキ層と
を設けたものである。
本発明の実施例のダイオードの汚れ除去方法を説明す
る。本実施例においても図１に示す構造のダイオード１
を製造する。このために、まず、図２に示すダイオード
組立体１ａを用意する。なお、図２のダイオード組立体
１ａは保護樹脂１２及び樹脂封止体１３を具備していな
いが、これのみでもダイオードとしての電気的特性を十
分に得ることができるので、この組立体１ａを単にダイ
オード又は半導体装置と呼ぶこともできる。従って、本
願の特許請求の範囲においては、組立体１ａに相当する
ものを半導体装置と呼んでいる。本実施例のダイオード
組立体１ａのリード３、４は銅線にＮｉ（ニッケル）メ
ッキとＡｇ（銀）メッキ層とＰｂ−Ｓｎ半田メッキ層と
を設けたものである。
【００１０】次に、ダイオード組立体１ａの半導体基体
５の側面をエッチングしてから、ダイオード組立体１ａ
を純水の超音波洗浄槽に入れて超音波洗浄し、半田付け
時にダイオード組立体１ａに付着した汚れ及びエッチン
グ液や半導体基体５の加工歪みを除去する。
５の側面をエッチングしてから、ダイオード組立体１ａ
を純水の超音波洗浄槽に入れて超音波洗浄し、半田付け
時にダイオード組立体１ａに付着した汚れ及びエッチン
グ液や半導体基体５の加工歪みを除去する。
【００１１】次に、ダイオード組立体１ａを図４に示す
ように治具１４によって鉛直に支持する。半導体チップ
２は高耐圧化のために円錐台状に形成されているので、
図２の面積の大きい方の電極７が下側になるようにダイ
オード組立体１ａを治具１４に配置する。なお、図４で
は半導体チップ２の電極６、７及び半田１０、１１が省
略されている。
ように治具１４によって鉛直に支持する。半導体チップ
２は高耐圧化のために円錐台状に形成されているので、
図２の面積の大きい方の電極７が下側になるようにダイ
オード組立体１ａを治具１４に配置する。なお、図４で
は半導体チップ２の電極６、７及び半田１０、１１が省
略されている。
【００１２】次に、浴槽１５にメチルアルコール即ちメ
タノール溶液１６を入れ、このメタノール溶液１６を温
度調整装置１７によって３℃〜１０℃の範囲に冷却し、
ここに図４に示すようにダイオード組立体１ａを治具１
４と共に約１０秒間浸漬して引き上げる。これにより、
ダイオード組立体１ａに前の工程で付着した水がメタノ
ールに置換される。なお、メタノール溶液１６の温度検
出器（図示せず）が設けられており、メタノール溶液１
６の温度が３℃〜１０℃になるように温度調整装置１７
が制御される。メタノール溶液１６の温度を３℃〜１０
℃の範囲にすると、水とメタノールの置換を良好に保ち
つつ半田、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のメタノールへの溶解を
抑制することができる。なお、メタノールの温度を１０
℃よりも高くすると、半田、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のメタ
ノールへの溶解抑制効果が少なくなり、またメタノール
の温度を３℃よりも低くすると、水とメタノールの置換
を良好に行うことができなくなる。
タノール溶液１６を入れ、このメタノール溶液１６を温
度調整装置１７によって３℃〜１０℃の範囲に冷却し、
ここに図４に示すようにダイオード組立体１ａを治具１
４と共に約１０秒間浸漬して引き上げる。これにより、
ダイオード組立体１ａに前の工程で付着した水がメタノ
ールに置換される。なお、メタノール溶液１６の温度検
出器（図示せず）が設けられており、メタノール溶液１
６の温度が３℃〜１０℃になるように温度調整装置１７
が制御される。メタノール溶液１６の温度を３℃〜１０
℃の範囲にすると、水とメタノールの置換を良好に保ち
つつ半田、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のメタノールへの溶解を
抑制することができる。なお、メタノールの温度を１０
℃よりも高くすると、半田、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ等のメタ
ノールへの溶解抑制効果が少なくなり、またメタノール
の温度を３℃よりも低くすると、水とメタノールの置換
を良好に行うことができなくなる。
【００１３】次に、メタノール浸漬後のダイオード組立
体１ａを、赤外線トンネル炉に通してメタノールを蒸発
させ、ダイオード組立体１ａを乾燥させる。この乾燥処
理における温度プロファイルを図５に示すように設定す
る。即ち、ダイオード組立体１ａの雰囲気温度を２０℃
から１５０℃まで１５分間かけて上昇させる。この温度
上昇率（速度）は１３０℃／１５min によって求めるこ
とができ、約８．６６℃／min である。この乾燥工程に
おける温度上昇率は５℃／min 〜２５℃／min の範囲に
することが望ましい。５℃／min よりも遅くすると、乾
燥時間が長くなり過ぎ、付着しているメタノールによっ
てリードの半田等の溶解が生じ、望ましくない。また、
２５℃／min よりも速くなると、従来と同様に半導体チ
ップから半田等を良好に除去することができない。な
お、乾燥時には、メタノールが流れ落ちやすいようにダ
イオード組立体１ａを図４に示す治具１４に鉛直又はほ
ぼ鉛直に配置する。乾燥工程の温度上昇率（速度）を従
来よりも緩やかな５〜２５℃／min にすると、メタノー
ル浸漬によって半導体基体５の側面に付着した半田Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ｃｕ粒子等の不要物がメタノールと共に半導
体基体５の側面から流れ去り、半導体基体５の側面の汚
染が少なくなる。
体１ａを、赤外線トンネル炉に通してメタノールを蒸発
させ、ダイオード組立体１ａを乾燥させる。この乾燥処
理における温度プロファイルを図５に示すように設定す
る。即ち、ダイオード組立体１ａの雰囲気温度を２０℃
から１５０℃まで１５分間かけて上昇させる。この温度
上昇率（速度）は１３０℃／１５min によって求めるこ
とができ、約８．６６℃／min である。この乾燥工程に
おける温度上昇率は５℃／min 〜２５℃／min の範囲に
することが望ましい。５℃／min よりも遅くすると、乾
燥時間が長くなり過ぎ、付着しているメタノールによっ
てリードの半田等の溶解が生じ、望ましくない。また、
２５℃／min よりも速くなると、従来と同様に半導体チ
ップから半田等を良好に除去することができない。な
お、乾燥時には、メタノールが流れ落ちやすいようにダ
イオード組立体１ａを図４に示す治具１４に鉛直又はほ
ぼ鉛直に配置する。乾燥工程の温度上昇率（速度）を従
来よりも緩やかな５〜２５℃／min にすると、メタノー
ル浸漬によって半導体基体５の側面に付着した半田Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ｃｕ粒子等の不要物がメタノールと共に半導
体基体５の側面から流れ去り、半導体基体５の側面の汚
染が少なくなる。
【００１４】上述から明らかなように本実施例によれ
ば、メタノールへの不要物質の溶解を抑制でき、また、
たとえ溶解してもこれを比較的良好に除去することがで
きる。従って、水とメタノールの置換効果を維持しなが
ら、メタノール浸漬による弊害を極力少なくすることが
でき、製造歩留りの向上、信頼性の向上を図ることがで
きる。
ば、メタノールへの不要物質の溶解を抑制でき、また、
たとえ溶解してもこれを比較的良好に除去することがで
きる。従って、水とメタノールの置換効果を維持しなが
ら、メタノール浸漬による弊害を極力少なくすることが
でき、製造歩留りの向上、信頼性の向上を図ることがで
きる。
【００１５】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 乾燥時の最高温度は１５０℃に限定されるもの
でなく、例えば１４０℃〜１６０℃の範囲で変えること
ができる。 （２） ダイオードに限ることなく、別の半導体装置に
も本発明を適用することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 乾燥時の最高温度は１５０℃に限定されるもの
でなく、例えば１４０℃〜１６０℃の範囲で変えること
ができる。 （２） ダイオードに限ることなく、別の半導体装置に
も本発明を適用することができる。
【図１】従来例及び本発明の実施例に係わるダイオード
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２】図１のダイオードのためのダイオード組立体を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図３】従来の乾燥時の温度変化を示す図である。
【図４】ダイオードをメタノールに浸漬した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】実施例の乾燥時の温度変化を示す図である。
１ ダイオード １ａ ダイオード組立体 ２ 半導体チップ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップがリード部材に固着されて
いる構造の半導体装置の汚れ除去方法であって、 前記半導体装置を水で洗浄する工程と、 次に、前記半導体装置を３℃〜１０℃のメタノール溶液
に浸漬させる工程と、 次に、前記半導体装置を乾燥させる工程とを有している
ことを特徴とする半導体装置の汚れ除去方法。 - 【請求項２】 半導体チップがリード部材に固着されて
いる構造の半導体装置の汚れ除去方法であって、 前記半導体装置を水で洗浄する工程と、 次に、前記半導体装置をメタノール溶液に浸漬させる工
程と、 次に、前記半導体装置を加熱乾燥させるために前記半導
体装置を囲む雰囲気の温度を温度上昇率５℃／min 〜２
５℃／min で所定温度まで上昇させ、所定温度を所定時
間保った後に低下させる工程とを有していることを特徴
とする半導体装置の汚れ除去方法。 - 【請求項３】 前記メタノール溶液の温度を３℃〜１０
℃とすることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の
汚れ除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139307A JP3027960B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の汚れ除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139307A JP3027960B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の汚れ除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321582A true JPH10321582A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3027960B2 JP3027960B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=15242257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9139307A Expired - Fee Related JP3027960B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の汚れ除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027960B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102896128A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-30 | 苏州群鑫电子有限公司 | 清洗二极管引线的治具及方法 |
| CN109454051A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-03-12 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 2cl91型部件的me处理工艺 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP9139307A patent/JP3027960B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102896128A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-30 | 苏州群鑫电子有限公司 | 清洗二极管引线的治具及方法 |
| CN109454051A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-03-12 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 2cl91型部件的me处理工艺 |
| CN109454051B (zh) * | 2018-10-25 | 2021-07-23 | 南通皋鑫电子股份有限公司 | 2cl91型部件的me处理工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3027960B2 (ja) | 2000-04-04 |
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