KR100248791B1 - 웨이퍼색인방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼 색인 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 순수(deionized water)를 플로워(flow) 시켜 수막을 형성하는 단계, 수막이 형성된 상태의 웨이퍼 일측 가장자리에 레이져(laser)를 사용하여 숫자 또는 알파벳을 마킹(marking)하는 단계, 상기 웨이퍼를 회전시켜 건조 시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 색인 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 표면에 수막을 형성한 다음 수막이 형성된 상태에서 레이져 마킹을 실시하여 레이져의 고열에 의한 충격을 방지 할 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 웨이퍼 재질 가루에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있다.

Description

웨이퍼 색인 방법

제1도는 웨이퍼의 색인 지역에 수막을 형성된 예시도.

제2도는 본 발명을 실시하기 위한 웨이퍼 색인 장치의 전체적인 구성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 레이져 건 2 : 레이져

3 : 웨이퍼 4 : 스핀척

5 : 스핀척 구동장치 6 : 노즐

7 : 배출구 8 : 컵

9 : 오리엔터 척 10 : 트렉

11 : 웨이퍼 카세트

본 발명은 반도체 제조공정중 웨이퍼 색인 방법에 관한 것이다.

웨이퍼 색인 공정의 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼 가공의 초기공정으로, 웨이퍼의 가장자리에 숫자나 알파벳을 마킹(marking)하는 공정으로, 일반적으로 고에너지와 고열을 가진 레이져(laser)를 이용하여 웨이퍼의 표면을 순간적으로 녹임으로써, 간편하고 선명하게 웨이퍼 표면에 마킹을 실시한다.

그러나, 순간적인 고열과 고에너지의 레이져에 의한 충격으로 웨이퍼 표면에 실리콘 웨이퍼일 경우 실리콘가루가 발생하여 웨이퍼의 오염의 주된 원인이 되었다.

따라서, 종래에는 이러한 웨이퍼의 오염을 방지하기 위하여 두가지 기술이 사용되어 왔다.

그 첫번째 기술이 고에너지의 레이져에 의한 웨이퍼의 충격 완화를 위해 감광막 마스크를 웨이퍼에 씌운후 마킹을 실시하고 그 다음에 상기 감광막 마스크를 제거함으로써 불순물을 함께 제거하여 오염을 방지 하였다. 그러나 이기술은 고열에 의하여 성분이 변형된 마킹 지역의 감광막 마스크는 완전히 제거되지 않아 후속 공정에서의 웨이퍼 오염 원인이 되며 두가지 이상의 추가공정이 필요하다는 문제점이 있었다.

두번째 기술은 레이져 마킹 공정을 마친 후 브러쉬와 초음파를 사용 웨이퍼 표면을 갈아주어 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 기술이나, 이 기술 역시 고열에 의해 녹아서 웨이퍼 표면에 달라 붙은 웨이퍼 재질 조각(실리콘 가루)은 제거되지 않는 문제점이 있었다.

상기와 설명과 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 웨이퍼 표면에 수막을 형성한 다음 수막이 형성된 상태에서 레이져 마킹을 실시하여 레이져의 고열에 의한 충격을 방지 할 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 웨이퍼 재질 가루에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 웨이퍼 색인 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명은 웨이퍼 색인 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 순수(deionized water)를 플로워(flow) 시켜 수막을 형성하는 단계, 수막이 형성된 상태의 웨이퍼 일측 가장자리에 레이져(laser)를 사용하여 숫자 또는 알파벳을 마킹(marking)하는 단계, 상기 웨이퍼를 회전시켜 건조 시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면 제1도 및 제2도를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도는 웨이퍼의 색인 지역에 수막을 형성된 예시도로서, 노즐(6)을 통하여 분사되는 순수(deionized water)를 웨이퍼(3)에 플로워 시키므로써 웨이퍼(3)상의 색인 지역(도면의 A)에 수막이 형성된 상태이다.

제2도는 본 발명을 실시하기 위한 웨이퍼 색인 장치의 전체적인 구성도로서, 도면에서 1은 레이져 건, 2는 레이져, 3은 웨이퍼, 4는 스핀척, 5는 스핀척 구동장치, 6은 노즐, 7은 배출구, 8은 컵, 9는 오리엔터 척, 10은 트렉, 11은 웨이퍼 카세트를 각각 나타낸다.

도면에 도시된 바와 같이 웨이퍼 색인 장치의 주요부분은 웨이퍼의 로딩 또는 언로딩을 위한 상·하 구동 및 건조를 위한 회전이 가능한 스핀척(4)과, 상기 스핀척(4)에 놓여진 웨이퍼를 향해 순수를 분사하여 웨이퍼상에 수막을 형성하는 노즐(6)과, 상기 스핀척(4)에 놓여진 웨이퍼에 레이져(2)를 발사하여 숫자 또는 알파벳을 마킹(marking)하는 레이져 건(1)으로 구성된다.

이와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 색인 장치의 동작은 다음과 같다.

먼저, 웨이퍼(3)는 웨이퍼 카세트(11)에서 나와 트렉(10)을 따라 오리엔터 척(9)에 놓인다.

오리엔터 척(9)에서 웨이퍼(3)를 색인될 부분이 노즐(6)과 반대 방향이 되도록 위치를 조절하며 스핀척(4)에서의 회전시 흔들림을 방지하기 위하여 정확한 센터링을 한다.

상기와 같이 오리엔팅 및 센터링이 완료되면 웨이퍼(3)는 상승된 스핀척(4)에 위에 놓이고 스핀척(4)이 하강을 하면 노즐(6)에서 웨이퍼를 향해 순수가 분사되면서 색인지역을 향해 수막을 형성한다.

웨이퍼상에 수막이 형성되면 레이져 건(1)으로부터 고에너지의 레이져(2)가 입력된 프로그램에 따라 색인을 시작하고 이때 발생되는 웨이퍼의 재질 가루(일반적으로 실리콘 가루)등은 수막과 함께 웨이퍼 밖으로 쓸려나가 컵(8)의 일측 하부에 형성된 배출구(7)로 빠져나간다.

마킹이 완료되면 스핀척(4)은 대략 6000RPM으로 20초 정도 회전하여 웨이퍼(3)를 건조시킨다.

이후 웨이퍼(3)는 다시 카세트(11)로 되돌아온다.

상기에 설명한 바와 같이 본 발명은 웨이퍼 표면에 수막을 형성한 다음 수막이 형성된 상태에서 레이져 마킹을 실시하여 레이져의 고열에 의한 충격을 방지 할 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 웨이퍼 재질 가루가 내려않기전에 물과 함께 웨이퍼 밖으로 제거하여 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼 색인 방법에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 순수(deionized water)를 플로워(flow)시켜 수막을 형성하는 단계, 수막이 형성된 상태의 웨이퍼 일측 가장자리에 레이져(laser)를 사용하여 마킹(marking)하는 단계, 상기 웨이퍼를 회전시켜 건조 시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 색인 방법.