JPS62151078A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPS62151078A
JPS62151078A JP60295314A JP29531485A JPS62151078A JP S62151078 A JPS62151078 A JP S62151078A JP 60295314 A JP60295314 A JP 60295314A JP 29531485 A JP29531485 A JP 29531485A JP S62151078 A JPS62151078 A JP S62151078A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning
field effect
field
circuit
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60295314A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0695735B2 (ja
Inventor
Itsuo Ozu
大図 逸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60295314A priority Critical patent/JPH0695735B2/ja
Priority to US06/944,864 priority patent/US4851917A/en
Priority to DE19863644266 priority patent/DE3644266A1/de
Publication of JPS62151078A publication Critical patent/JPS62151078A/ja
Publication of JPH0695735B2 publication Critical patent/JPH0695735B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/1506Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements
    • H04N3/1512Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation with addressing of the image-sensor elements for MOS image-sensors, e.g. MOS-CCD
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/779Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/7795Circuitry for generating timing or clock signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体基板上にアレー状に配置した光電変換
素子と、この光電変換素子の光情報を取り出す走査回路
を集積化した固体撮像装置に関する。
〈従来技術〉 固体撮像装置は、空間的2次元の光情報を時系列化電気
信号に変換するもので、一般的に光電変換機能と走査機
能を備えている。
ところで、標準テレビジョン方式では、映像帯域幅を減
らすとともに解像度が高くフリッカ−の少な゛い画像を
得るため、1フイールドをl水平走査線ごとに飛び越し
走査を行ない。
2フイールドをもって1枚の画面(1フレーム)として
形成する。いわゆるインターレース方式%式% インターレースの方式としては、従来フィールド毎に異
なる組合せで2水平走査線ずつの選択を行なう方式(特
開昭52−155010号参)並び提案これを具体化し
た回路構成(特開昭54−29517号参)が提案され
ている。
以下図面を用いてかかる従来の技術について説明する。
第4図は、かかる従来の技術によるインターレース走査
のための第1の回路構成とその動作タイミングを示した
ものである。第4図(a)において、■は水平走査回路
で水平スイッチ用のMO3O3電界効果トランジスタ下
、MOSTと略記する)2を開閉する走査パルスを出力
する。3は垂直走査回路で、(4−1,4−2,。
’4−3.4−4)はインターレース用の切り換えスイ
ッチ(以下、単にスイツイと略称する。)である。この
スイッチはMOSTが用いられ、その一端(例えばソー
ス)は垂直走査回路3を構成する単位回路の各段出力O
Y1.0Y2−−−−OY Mにつながり、他端(例え
ばドレイン)は垂直スイッチ用MO5T5のゲートを共
通に接続した垂直走査パルス印加線Lv(Lvl 、L
v2 、Lv3 、Lv4 、Lv5 。
−−−−−−Lv (2M−1)、Lv (2M)、L
v(2M+ 1))につながっている、1画面(以下、
■フレームと称する)は第1フイールド、第2フイール
ドの2フイールドより構成されるが、スイッチ4−1.
4−2は端子6に印加される第1フイールドを形成する
第1フィールドパルスFl、又スイッチ4−3.4−4
は端子7に印加される第2フイールドを形成する第2フ
イールドパルスF2によって開閉する。又、FDはMO
S T 5のソースを利用した光ダイオード、Ly (
Ly 1 、LY2 、LY3−−−−)はMOST5
のドレインを共通に接続した垂直信号出力線、又、Lx
はMOS T 2のドレインを共通に接続した水平信号
出力線である。
本従来例においては、垂直走査回路3は回路を駆動する
クロックパルスより1フイールドの間に一定のタイミン
グ時間ずつシフトしたvy 1 、V’/2−−−−V
’/M(7)走査パルスを回路各段の出力oy 1 、
OV2−−−−07Mに順次出力する。
また、水平走査回路1は回路を構成する単位回路の各段
の出力OX1.OX2.OX3 。
OX 4−−−一に走査パルスvxt 、VX2 。
vx 3 、VX4−−−一を順次出力する。
垂直および水平2つの走査パルスにより、位g!i(X
、Y)の指定が行われ、光ダイオードFDが1フイ一ル
ド期間に蓄積した光信号電荷が垂直スイッチ5および水
平スイッチ2を通して、出力線Lx上に順次読出される
本従来例の動作を第4図(b)のタイミングチャートに
より説明する。
まず、f51フィールドにおいては第1フイールドパル
スF1が印加端子6を通って、スイツチ4−1.4−2
のゲートに印加されているため、スイッチ4−1.4−
2は導通状態に置かれ、垂直走査回路3の各段の出力0
’yl。
OY2.0Y3−一−−OYMには各々一対の走査パル
ス印加線(Lvl、LV2)、(LV3 。
LV4)、−−−−−−−−(Lv (2M−1> 、
Lv(2M))がつながることになる。
一方、第2フイールドにおいては第2フイールドパルス
F2が印加端子7を通ってスイッチ4−3.4−4のゲ
ートに印加されるため。
スイッチ4−3.4−4は導通状態(スイッチ4−1.
4−2は非導通状態)に置かれ、垂直走査回路3の各段
の出力0’/1.0’/2゜OY3−−−−OYMには
各々一対の走査パルス印加Vj (LV2 、LV3)
、(LV4 、Lvs)。
−−−−(Lv (2M)、Lv (2M+ 1))が
つながることになる。
従って、フィールド毎に、異なる組合せで2行ずつの選
択が行なわれ、合成信号3t。
S2を得ることができる。
また、第5図は、かかる従来の技術の別の例を示したも
のである。第5図(a)において、4 (4−1,4−
2,4−3,4−4)はインターレース用の切換えスイ
ッチであり、スイッチ4の各ゲートは垂直走査回路3を
構成する単位回路各段の出力oy l 、 oy 2 
、−−−−−−一−0’/Mにそれぞれつながており、
垂直走査パルスVy 1 、 Vy 2、−−−−VY
MG:ヨり順次開閉する。6は第1フイールドパルスF
l’を印加する端子、また7は第2フイールドパルスF
2’を印加する端子である。スイッチ4−1゜4−2の
一端(例えばソース)は第1フイールドパルス、他端(
例えばドレイン)は垂直走査パルス印加&l L vと
、スイッチ4−3 、4−4の一端(例えばソース)は
第2フイールドパルス、他端(例えばドレイン)は垂直
走査パルス印加線Lvとつながっている0本従来例の場
合には選択している行の最後の画素の読出しが完了する
と、完了した光ダイオードのスイッチは、該光ダイオー
ドが次のフィールド期間に入射する光学情報を蓄えるた
めに非導通状態に戻す必要があり該当する走査パルス印
加線Lvの電圧を”OIIレベルに戻さなくてはならな
い。
このため、第5図(b)のタイミングチャートに示した
様に、走査パルスVY1.VY2−−−V Y Mのl
”レベル期間が終る時点より所定の期間TFだけ以前に
フィールドパルスFl’、F2’の電圧を“OIIレベ
ルに落とす必要がある。また、時間TFの設定はスイッ
チ4を通して走査パルス印加線の電圧が“1″レベルか
ら“O°゛レベルに放電するに足りる時間であればよく
、水平走査期間毎に設けられている水平ブランキング期
間(〜logs)以内の値に設定しておけばよい。また
、水平走査パルスおよび垂直走査パルスのタイミング関
係は第1図の場合と同様である。
以上述べた2つの従来例では、インターレース走査方式
を具体化するための回路の構成素子数が少なく、インタ
ーレース回路まで含めたm 1iff缶再回路1段当り
のピッチを縮少できるため1画素の配列ピッチが減少し
、解像度の向上が期待できる。
〈発明の解決しようとする問題点〉 ところが、第4図に示した従来の技術の場合には垂直走
査回路を構成する単位回路の各段の出力は、1つの切り
換えスイッチ(MO3T)を介して複数個のゲートが共
通接続された垂直走査パルス印加線を駆動することにな
る。そのため、垂直走査回路の単位回路の各出力段には
、この垂直走査パルス印加線を充分駆動できるだけの駆
動能力を持たせる必要がある。ここで、駆動能力は回路
の面積に応じて大きくなるため、かかる従来の技術にお
いては回路のレイアウト面積が増大するという問題点を
持っている。
また、第5図に示した従来の技術の場合には垂直走査回
路を構成する単位回路からの出力パルスにより、同時に
4つの切り換えスイッチがオン状態となるため、第1フ
イールドパルスを印加する端子F1と第2フイールドパ
ルスを印加する端子F2との間が導通状態となり、第5
図(b)に示された動作タイミングでは、垂直走査パル
ス印加線を駆動できないという問題点を持っている。
本発明は、上述の従来の問題点を解決することを目的と
し構成素子数が少なく、回路のレイアウト面積が小さく
、確実な垂直走査動作を実現できる機能を有する走査回
路を備えた固体撮像装置を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉 本発明は上述の従来の問題点を解決するために二次元状
に配列された光電変換素子と、該光電変換素子の水平方
向、垂直方向の走査を行うスイッチング素子と走査回路
とを有する固体撮像装置において、前記走査回路の走査
出力のうち隣り合う2つの出力の一方を前記光電変換素
子の隣り合う2行のみの走査を行うスイッチング素子の
制御端子に入力し、他方を前記隣り合う2行とは1行ず
れた2行のみの走査を行うスイッチング素子の制御端子
に入力することを特徴とする養。
く作 用〉 上記構成に於いて走査出力のうち隣り合う2つの出力の
一方の出力により光電変換素子の隣り合う2行のみの走
査が行われ、他方の出力により前記隣り合う2行とは1
行ずれた2行のみの走査が行われる。
〈実施例〉 以下1本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第1図は、本発明による第1の実施例を示したものであ
る。
第1図(a)において、lは、水平走査回路テ水平スイ
ッチ用のMO3電界効果トランジスタ(以下、MO3T
と略記する。)2を開閉する走査パルスを出力する。3
は、垂直走査回路で、インターレース用切り換えスイッ
チ4(4−1,4−2,4−3,4−4)を開閉する2
組の走査パルスを出力する。また、PCは、光電変換機
能を有する感光素子であり。
その読出し用の端子5に読出し用の信号を印加すること
により、その出力端子6′に光情報が電気信号として読
出される。
インターレース用の切り換えスイッチ4(4−1,4−
2,4−3,4−4)は、MO3Tで構成され、スイッ
チ4−1.4−2のゲートは、垂直走査回路3を構成す
る単位回路各段の一方の出力0y1−1.0Y2−1、
−−−−−一。
OVM−1にそれぞれ接続され、スイッチ4−3.4−
4のゲートは、垂直走査回路3を構成する単位回路各段
の他方の出力0’/1−2゜0y2−2 +−−−−−
−+O’/M−2にそれツレ接続されている。またスイ
ッチ4−1.4−2の一端(例えばソース)は、第1フ
イールドパルスF1を印加する端子7に共通に接続され
、他端(例えばドレイン)は、垂直走査パルス印加線L
v (Lv 1.Lv2 + −−−−−−。
Lv (2M−1)、Lv (2M))にそれぞれ接続
されている。
また、スイッチ4−3.4−4の一端(例えばソース)
は、第2フイールドパルスF2を印加する端子8に共通
に接続され、他端(例えばドレイン)は、垂直走査パル
ス印加線Lv (Lv2.LV3、−−−−LV (2
M)。
Lv (2M+ 1))にそれぞれ接続されている。
垂直走査パルス印加線Lyl、Ly2.−−−−+++
+++++LV (2M−1)、Lv(2M)。
Lv (2M+ 1))には、それぞれ感光素子PCの
読出し用端子5が共通に接続され、垂直信号出力線LY
 1 、LV2 、LV3−−−一には、それぞれPC
の出力端子6′が共通に接続されている。また水平信号
出力線LXには、水平スイッチ用MO3T2のドレイン
が共通に接続されている。水平スイッチ用MO3T2の
ゲートは、水平走査回路lを構成する単位回路各段の出
力oxt 、OX2 、OX3、−−一−−−にそれぞ
れ接続され、また水平スイッチ用MOS T 2のソー
スは、垂直信号出力線L’/1.L’/2゜LV3.−
−m−にそれぞれ接続されている。
次に1以上の様に構成された本実施例の具体釣動作を第
1図(b)のタイミング・チャートを用いて説明する。
[ここでは、スイッチング“O゛と定義する)を用いて
説明するが、極性を反転すればNチャンネルMO5Tに
ついても全く同様である]。
垂直走査回路3は、2つのクロックφパルスVφl、v
φ2によって駆動され、1フイールドの間に一定のタイ
ミング時間ずつシフトした2組の走査パルx (VYI
−1、VY2−1 。
−−−−、VyM−t)、(Vyt−2,Vy2−2゜
−−−−、VYM−2)e回路各段(1,2,3。
−−−−−−M )の2組の出力端子(Oyt−t。
0Y2−1、−一−−,OYM−1)、(OYI−2゜
Oy2−2、−−−−、OyM−2) に七りぞれ順次
出力し、切り換えスイッチ(4〜1.4−2゜4−3.
4−4)を順次開閉する。また水平走査回路lは、回路
各段(1、2、3、−−−−)の出力端子ox1 、O
X2.0X3−−−−に水平走査パルスVX1 、VX
2 、VX3−−−一を順次出力し、水平スイッチ用M
OS T 2を順次開閉する。
かかる固体撮像装置を、標準テレビ周波数 ・で動作さ
せた場合、2組の垂直走査パルス(vyl−t 、Vy
2−t、−−−−、VyM−t)。
(VYI−2、Vy2−2.−−−−、VYM−2)の
出力周波数は、それぞれ15.73KHzとなり、2つ
のフィールド−パルスFl、F2は、それぞれ対応する
フィールドにおいて60Hzの周波数で能動状態となる
まず第1フイールドにおいては、垂直走査回路3の単位
回路各段からの2組の出力走査パルスのうち、一方(本
実施例では、VYI−2゜Vy2−2、−−−−、VY
M−2) のパルスが、水平ブランキング(H、B)期
間(:10ルS)内に発生する様に、垂直走査回路3を
駆動する。
また、第1フイールドにおいては、2つのフィールド・
パルスのうち一方(本実施例ではF2)を0”レベルに
設定する。
従って、第1フイールドにおいては、水平ブランキング
期間(:101LS)中に、垂直走査パルス(Vy 1
−2 、 Vy2−2 、−−−−−−。
VYM−2)が“1゛レベルとなる。垂直走査パルスが
“1°“レベルの際に切り換えスイッチ4−3.4−4
がオン状態となるが、垂直走査パルス印加線(Lv2 
、Lv3、−−−−−−。
Lv (2M+ 1))には、第2フイールド・パルス
印加端子8から“0”レベルが印加されている。したが
って、各垂直走査パルス印加線(LV2 、LV3、−
−−−、Lv (2M+1> )に共通接続された各感
光素子PCは読出し動作を行なわれない。
一方、水平ブランキング期間以外において垂直走査パル
ス(VYI−1,VY2−1゜−−−−、VYM−t)
が“l IIレベルとなり、かかる゛1パレベルにより
切り換えスイッチ4−1.4−2がオン状態となり、垂
直走査パルス印加線(Lv 1.LV2、−−−−−−
、Lv(2M−1))には、第1フィールド−パルス印
加端子7からフィールド番パルスF1が印加される。し
たがって、フィールド・パルスF1が“l”レベルの時
に、各垂直走査パルス印加線(LVI、LV2.−−一
−,Lv(2M−1))に共通接続された各感光素子P
Cは各水平走査パルスvx 1 、 vx 2 、−−
−−vx Nに応じて順次読出し動作が行なわれる。
以上の動作により、第1フイールドにおいては、(LV
I 、LV2)、(LV3 、LV4)−−−−−−(
Lv (2M−1))LV2M)の組合せで同時に2行
の感光素子PCが選択され。
その光情報がそれぞれ垂直信号出力線LYI。
L’/2.LY3−−−−に読出される。
次に第2フイールドにおいては、垂直走査回路3の単位
回路各段からの2組の出力走査パルスのうち、他方(本
実施例では、vyt−t。
Vy2− t 、−−一−,VYM−t) のパルスが
、水平ブランキング期間(:10.S)内に発生する様
に、垂直走査回路3を駆動する。また、第2フイールド
においては、2つのフィールド・パルスのうち他方(本
実施例ではFl)をO°”レベルに設定する。
したがって、第2フイールドにおいては、水平ブランキ
ング期間中、垂直走査パルス(Vyl−1,Vy2−1
.−−−−、VyM−1)が“1 ”レベルの時に切り
換えスイッチ4−1゜4−2がオン状態となり、垂直走
査パルス印加線(Lv1+LV2.−一−−,Lv(2
M))には、第1フイールドφパルス印加端子7から“
°O゛レベルが印加される。したがって、各垂直走査パ
ルス印加線(Lv 1.LM2、−−一−。
LV (2M))に共通接続された各感光素子PCは読
出し動作を行なわない。
一方、水平ブランキング期間以外において垂直走査パル
ス(vYl−2+vY2−2+−−−−、VYM−2)
が“l”レベルとなり、かかる゛1″レベルにより切り
換えスイッチ4−3.4−4がオン状態となり、垂直走
査パルス印加線(LM2 、LM3、−−−−−−。
Lv (2M+ 1)) には、第2フイールド◆パル
ス印加端子8かもフィールド・パルスF2が印加される
。したがって、フィールド働パルスF2が°“I 11
レベルの時に、各垂直走査パルス印加線(LM2 、L
M3、−−−−−−。
LV(2M+1))に共通接続された各感光素子pct
*各走査パ)LrスVx 1 、 Vx 2 、−−−
−VXNに応じて順次読出し動作が行なわれる。
以上の動作により、第2フイールドにおいては、(LM
2 、LM3)、(LM4 、LM5)−−−−(LM
(2M)、Lv(2M+1))の組合せで、同時に2行
の感光素子PCが選択され、その光情報がそれぞれ垂直
信号出力線L’/ 1 、LM2 、LM3−−−一に
読出される。
本実施例の場合、選択している行の最後の画素の読出し
が終了すると、終了した感光素子PCは、その感光素子
PCが次のフィールド期間に入射する光情報を蓄えるた
めの初期状態にもどす必要があり、該当する垂直走査パ
ルス印加ILvの電圧レベルを“Onレベルに戻さなく
てはならない、そこで、各フィールド・パルスFl、F
2が“l”レベルである期間は、垂直走査パルスVyが
゛1°ルベルである期間よりも時間TFだけ短く設定し
である。したがって、かかる時間TFの間には切換スイ
ッチ4は導通してかつ、各フィールド・パルスFl。
F2は“O°゛レベルであって各垂直走査パルス印加f
f1Lvは゛O゛°レベルにリセットされる。
この時間TFの設定は、切り換えスイッチ4を通して垂
直走査パルス印加線Lvの電圧が“1′°レベルから°
゛O°O°ルベルするに足りる時間であればよく、かか
る時間は水平ブランキング期間(zlOpS)以内の値
に設定できる。
また、本実施例の動作では、第1フイールドに於いては
(2M+ 1)行目の画素が、また第2フイールドに於
いては1行目の画素が選択されないため、1行目と2M
+ 1行目が光情報を蓄積する時間は2倍となり他の行
の画素より大きな信号が現われる。この信号については
、1行目と2M+1行目の選択期間をフィールド毎に設
けられている垂直ブランキング期間内(通常的3m5−
約40走査線)に収めれば問題はない。
さらに、本実施例の第1図(b)のタイミングチャート
では、第1フイールドから第2フイールドに切り換わる
際に、1水平走査期間(〜64g5)分のクロック停止
期間TNが存在するが、これについても、この時間TH
を垂直ブランキング期間内に収めているので何ら問題は
ない。
さらに、本実施例の動作では、各フィールド・パルスF
l、F2が、ともに(1水平走査期間(z64ps)−
水平ブランキング期間(XlogS)の間、常に“l゛
レベルなっているが、各フィールド・パルスF1.F2
が“′llパーベルにある期間及びその回数はこれに限
定されるものではない、すなわち、本実施例において記
載した感光素子PCとしては、MOS型、SIT型等多
種のものが考えられ、この内例えばSIT型の感光素子
を用いる場合には、前記フィールド・パルスとして1水
平走査11h’f(x64μs)中に2つのパルスを印
加し、一方を光情報読出し用、他方を光情報消去用とし
て、使用することが考えられる。
さらに、本実施例において1例えば感光素子PCとして
非破壊に光情報を読出すことのできるSIT型のものを
用いる場合には、第1図(c)に示す様に、垂直走査回
路3を駆動するタイミング並びに各フィールド・パルス
Fl。
F2を印加するタイミングを変えることで容易にノンイ
ンターレース方式で信号を取り出すことも可能である。
即ち、第1図(C)に示すタイミングに依れば、最初の
水平走査期間(第1図(C)のIHとして示す)に垂直
走査回路3からの出力として出力端子0YI−1が1”
レベルとなり、この場合フィールドパルスF1が“1′
°レベルであるためスイッチ4−1.4−2が導通し、
垂直走査パルス印加線LvI。
LV2を介して1行目、2行目の感光素子PCが読み出
され、次の1水平走査期間(第1図(C)の2Hとして
示す)に垂直走査回路3からの出力としては出力端子0
YI−2が“1゛レベルとなり、この場合にはフィール
ドパルスF2が“°1°゛レベルであるためスイッチ4
−3゜4−4が導通し垂直走査パルス印加線LV2 。
LV3を介して2行目、3行目の感光素子PCが読み出
される。
したがって上述の様に感光素子PCが非破壊に光情報を
読み出すことが出来、かかるタイミングでの動作を続け
れば最初の1水平走査期間では1行目、2行目が読み出
され1次の1水平走査期間では2行目、3行目が読み出
されるという様に、いわゆるノンインターレース方式で
信号を読み出すことが出来る。
第2図は、本発明による第2の実施例を示したものであ
る。
第2図(a)の構成図において、第1図(a)と同一符
号のものは、同一または、均等部分を示すものとする。
インターレース用の切り換えスイッチ4(4−1,4−
2,4−3,4−4)は、MOSTで構成され、スイッ
チ4−1.4−2のゲートは垂直走査回路3を構成子る
単位回路各段の一方の出力oYt−t +0y2−1 
、+++−〇YM−1にそれぞれ接続され、スイッチ4
−3.4−4のゲートは垂直走査回路3を構成する単位
回路各段の他方の出力0YI−2゜Oy2−2、−−−
−OyM−2に七りぞh接続されている。また、スイッ
チ4−1 、4−2 、4−3.4−4の一端(例えば
ソース)はフィールド・パルスFを印加する端子9に共
通に接続され、他端(例えばドレイン)は、それぞれ対
応する垂直走査パルス印加線Lv(Lvl。
LV 2、−−−−LV (2M+ 1 ) )に接続
されている。
第2図(b)は1本実施例の具体的動作を示したタイミ
ングチャートである0本実施例では、フィールド・パル
スFは1個の端子9から印加されるだけであるため、前
記第1の実施例よりもさらに回路構成が簡単になる。第
2図(b)において、基本的なタイミング関係は、第1
図(b)と同じである。尚、本実施例においてはフィー
ルドパルスFとvyt−t〜VYM−1、vyl −2
〜V Y M −2トL テ示した垂直走査回路3の出
力との位相関係を第2図(b)に示す様にフィールド毎
に変えることによってインターレースを行うことが出来
る。
また水弟2の実施例においても、第1の実施例同様、パ
ルスのタイミングを変えることによりノンインターレー
ス方式で信号を取り出すことが可能である。
第3図は、本発明による第3の実施例を示したものであ
る。
第3図(a)の構成図において、第1図(a)と同一符
号のものは、同一または、均等部分を示すものとする。
インターレース用の切り換えスイッチ4(4−1,4−
2,4−3,4−4)は、MOSTで構成され、スイッ
チ・4−1.4−2のゲートは垂直走査回路3を41i
成する単位回路各段の一方の出力0Y1=1.0y2−
t 、−−−−OYM−1にそれぞれ接続され、スイッ
チ4−3.4−4のゲートは垂直走査回路3を構成する
単位回路各段の他方の出力0YI−2゜oy 2−2、
−−−−OYM−2にそれぞれ接続されている。また、
スイッチ4−1.4−3の一端(例えばソース)は第1
フィールド番パルスFl’を印加する端子10に共通に
接続され、他端(例えばドレイン)は垂直走査パルス印
加!5tLv (Lvt 、Lv2、−−−−Lv (
2M))にそれぞれ接続されている。
またスイッチ4−2.4−4の一端(例えばソース)は
第2フイールドΦパルスF2’を印加する端子11に共
通に接続され、他端(例えばドレイン)は垂直走査パル
ス印加線LV(LV2 、 LV3、−−−−Lv (
2yi+ 1) )にそれぞれ接続されている。
第3図(b)は、本実施例の具体的動作を示したタイミ
ングチャートである。第3図(b)において、基本的な
タイミング関係は、第1図(b)と同じである0本実施
例では、例えば同時に選択されたある2行の垂直走査パ
ルス印加vjL v + 、L v (L + 1 )
に対して、2つのフィールド・パルス印加端子10及び
11から独立に走査パルスを印加することができるため
1例えば第3図(C)に示すようなタイミングでFl’
、F2’を発生させれば1本の信号出力線だけで時分割
的に2行分の信号を読出すことができる。また、水弟3
の実施例においても、第1の実施例同様、パルスのタイ
ミングを変えることによりノンインターレース方式で信
号を取り出すことが可能である。
以上説明した実施例においては走査回路として2相駆動
されるシフトレジスタを用いたが。
走査回路としては2相駆動のシフトレジスタに限るもの
ではなく、例えばl相の駆動回路を用いてもよい。
また制御端子を有するスイッチング素子としてMOS)
ランジスタを用いたが、かかるトランジスタに限るもの
ではなく、他のスイッチング素子であってもよい。
また本実施例では隣り合う2つの出力のうち一方の出力
が制御端子に入力するスイッチング素子であって隣り合
う2行のみの走査を行うスイッチング素子をスイッチ4
−1.4−2とし、他方の出力が制御端子に入力するス
イッチング素子であって前記2行とは1行ずれた2行の
走査を行うスイッチング素子をスイッチ4−3.4−4
とした。
以上、詳細に説明した様に1本実施例の固体撮像装置に
おいては、垂直走査回路を構成する単位回路の各段に設
けた2個の出力端子に、4個の切り変えスイッチMO9
Tの各ゲートを接続し、第1.第2のスイッチMO3T
(実施例のスイッチ4−1.4−2に相当する)と第3
.第4のスイッチMOST(実施例のスイッチ4−3.
4−4に相当する)とを個別に開閉させ、かつその開閉
期間を第1フイールドと第2フイールドとで変化させる
ことにより。
フィールド毎に異なる組合せで2行ずつの選択を行なう
インターレース走査を行なうことができる。
また、第1図(C)を用いて説明した様に垂直走査回路
並びに4個の切り変えスイッチの駆動タイミングを変更
するだけで、容易にインターレース走査を行なうことも
できる。
さらに、本実施例の固体撮像装置における走MO3Tの
ゲートを駆動するだけで良いため、各出力回路の駆動能
力を最小化することができ、垂直走査回路一段当りのレ
イアウト面積を最小化することができる。従って、本実
施例は、固体撮像装置の高解像度化、多機能化を計る上
で、非常に実用価値の高いものである。
〈発明の効果〉 以上説明した様に本発明に依れば、走査回路の走査出力
は2行の走査を行うスイッチング素子の制御端子に入力
されているので、前記走査出力の駆動能力を最小化する
ことが出来、走査回路の一段当りのレイアウト面積を最
小化することが出来、更に走査回路の走査出力のうち隣
り合う2つの出力はともに2行のみの走査を行うスイッ
チング素子の制御端子に入力され、かつ前記2行は1行
ずれているのでインターレース走査を確実に行うことが
出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による固体撮像装置の第1の実施例を
説明する図面で、第1図(a)は、第1実施例の回路構
成図、第1図(b)は、第1実施例の第1の動作タイミ
ング・チャート、第1図(C)は、第1実施例の第2の
動作タイミング・チャート。 第2図は、本発明による固体撮像装置の第2の実施例を
説明する図面で、第2図(a)は、第2実施例の回路構
成図、第2図(b)は、動作タイミング・チャート。 第3図は、本発明による固体撮像装置の第3の実施例を
説明する図面で、第3図(a)は、第3実施例の回路構
成図、第3図(b)は、第1の動作タイミング・チャー
ト、第3図(C)は、第2の動作タイミング拳チャート
。 第4図は、第1の従来例を説明する図面で、第4図(a
)は、従来例1の回路構成図、第4図(b)は、従来例
1の動作タイミング・チャート。 第5図は、第2の従来例を説明する図面で、第5図(a
)は、従来例2の回路構成図、第5図(b)は、従来例
2の動作タイミング・チャートである。 1−−−一水平走査回路。 2−一一一水平スイッチ。 3−一一一垂直走査回路。 4−−一一切り変えスイッチ、 p c−−−一感光素子。 5−一一一読出し端子、 6−−−−出力端子、 LV−−−一垂直走査パルス印加線、 Ly−−−一垂直信号出力線、 L x−−−一水平信号出力線。 第4図(0−)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)二次元状に配列された光電変換素子と、該光電変
    換素子の水平方向、垂直方向の走査を行うイツチング素
    子と走査回路とを有する固体撮像装置において、 前記走査回路の走査出力のうち隣り合う2つの出力の一
    方を前記光電変換素子の隣り合う2行のみの走査を行う
    スイッチング素子の制御端子に入力し、 他方を前記隣り合う2行とは1行ずれた2行のみの走査
    を行うスイッチング素子の制御端子に入力することを特
    徴とする固体撮像装置。
  2. (2)前記走査回路はシフトレジスタにより構成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固体
    撮像装置。
  3. (3)前記スイッチング素子は第1乃至第4の電界効果
    トランジスタで構成され、第1、第2の電界効果トラン
    ジスタのゲートが前記シフトレジスタの各段の一方の出
    力端子に接続され、第3、第4の電界効果トランジスタ
    のゲートが前記シフトレジスタの各段の他方の出力端子
    に接続され、更に前記第1の電界効果トランジスタのド
    レイン、前記第2、第3の電界効果トランジスタのドレ
    イン、前記第4の電界効果トランジスタのドレインを各
    々第n行、第(n+1)行、第(n+2)行の走査パル
    ス印加線(nは整数)に接続することを特徴とする特許
    請求の範囲第2項記載の固体撮像装置。
  4. (4)前記第1乃至第4の電界効果トランジスタのソー
    スはパルス印加端子に接続されることを特徴とする特許
    請求の範囲第3項記載の固体撮像装置。
  5. (5)前記第1、第2の電界効果トランジスタのソース
    は、第1のパルス印加端子に接続され、前記第3、第4
    の電界効果トランジスタのソースは、第2のパルス印加
    端子に接続されることを特徴とする特許請求の範囲第3
    項記載の固体撮像装置。
  6. (6)前記第1、第3の電界効果トランジスタのソース
    は、第1のパルス印加端子に接続され、前記第2、第4
    の電界効果トランジスタのソースは、第2のパルス印加
    端子に接続されることを特徴とする特許請求の範囲第4
    項記載の固体撮像装置。
JP60295314A 1985-12-25 1985-12-25 固体撮像装置 Expired - Lifetime JPH0695735B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60295314A JPH0695735B2 (ja) 1985-12-25 1985-12-25 固体撮像装置
US06/944,864 US4851917A (en) 1985-12-25 1986-12-22 Solid state image pickup apparatus with interlaced row pair readout
DE19863644266 DE3644266A1 (de) 1985-12-25 1986-12-23 Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60295314A JPH0695735B2 (ja) 1985-12-25 1985-12-25 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62151078A true JPS62151078A (ja) 1987-07-06
JPH0695735B2 JPH0695735B2 (ja) 1994-11-24

Family

ID=17819002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60295314A Expired - Lifetime JPH0695735B2 (ja) 1985-12-25 1985-12-25 固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4851917A (ja)
JP (1) JPH0695735B2 (ja)
DE (1) DE3644266A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03161973A (ja) * 1989-11-21 1991-07-11 Nec Corp 固体撮像装置
WO1997023999A1 (fr) * 1995-12-21 1997-07-03 Sony Corporation Detecteur d'image a semi-conducteurs, procede d'actionnement de celui-ci, dispositif pour camera a semi-conducteurs et camera a semi-conducteurs

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262870A (en) * 1989-02-10 1993-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor in which reading and resetting are simultaneously performed
US4996413A (en) * 1990-02-27 1991-02-26 General Electric Company Apparatus and method for reading data from an image detector
JP2964354B2 (ja) * 1991-01-18 1999-10-18 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JPH0654259A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Sony Corp Fit型固体撮像装置
US5453611A (en) * 1993-01-01 1995-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip
JPH06334920A (ja) * 1993-03-23 1994-12-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 固体撮像素子とその駆動方法
US5790191A (en) * 1996-03-07 1998-08-04 Omnivision Technologies, Inc. Method and apparatus for preamplification in a MOS imaging array
US7697049B1 (en) * 2005-05-04 2010-04-13 Samsung Electrics Co., Ltd. Better SNR ratio for downsized images using interlaced mode

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49132922A (ja) * 1973-04-25 1974-12-20
JPS5866766U (ja) * 1981-10-28 1983-05-06 株式会社日立製作所 固体撮像素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4011441A (en) * 1975-12-22 1977-03-08 General Electric Company Solid state imaging apparatus
JPS6043704B2 (ja) * 1976-06-18 1985-09-30 株式会社日立製作所 固体撮像装置
JPS585627B2 (ja) * 1977-08-10 1983-02-01 株式会社日立製作所 固体撮像装置
JPS56152382A (en) * 1980-04-25 1981-11-25 Hitachi Ltd Solid image pickup element
JPS57109488A (en) * 1980-12-26 1982-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid color image pickup device
JPS5930376A (ja) * 1982-08-13 1984-02-17 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPS59108464A (ja) * 1982-12-14 1984-06-22 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
US4731665A (en) * 1984-12-28 1988-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus with read-out of selected combinations of lines
GB2170374B (en) * 1984-12-28 1989-04-05 Canon Kk Image sensing apparatus
JP3276986B2 (ja) * 1992-06-29 2002-04-22 日本電産コパル株式会社 開閉扉機構

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49132922A (ja) * 1973-04-25 1974-12-20
JPS5866766U (ja) * 1981-10-28 1983-05-06 株式会社日立製作所 固体撮像素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03161973A (ja) * 1989-11-21 1991-07-11 Nec Corp 固体撮像装置
WO1997023999A1 (fr) * 1995-12-21 1997-07-03 Sony Corporation Detecteur d'image a semi-conducteurs, procede d'actionnement de celui-ci, dispositif pour camera a semi-conducteurs et camera a semi-conducteurs
US6198507B1 (en) 1995-12-21 2001-03-06 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, camera device, and camera system
CN1104804C (zh) * 1995-12-21 2003-04-02 索尼株式会社 固态摄像器件及其驱动方法、摄像装置及系统

Also Published As

Publication number Publication date
US4851917A (en) 1989-07-25
DE3644266C2 (ja) 1990-02-22
JPH0695735B2 (ja) 1994-11-24
DE3644266A1 (de) 1987-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4658287A (en) MOS imaging device with monochrome-color compatibility and signal readout versatility
JPS6161586B2 (ja)
US4277799A (en) Color solid-state imaging device
CA1111549A (en) Solid-state image pickup device
US4413283A (en) Solid-state imaging device
JPS62151078A (ja) 固体撮像装置
JPH0320954B2 (ja)
US5818526A (en) Solid state image pickup device having a number of vertical scanning circuit units which is half the number of pixels in the vertical direction
JP2524434B2 (ja) Ccd映像素子
US4878122A (en) Light modulator video display apparatus
JPH07183491A (ja) 電荷転送装置及びこれを用いた固体撮像装置
US4723168A (en) Charge-coupled device and camera comprising such a charge-coupled device
KR100263500B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법
JP2504845B2 (ja) 固体撮像装置
JPH06104292A (ja) シフトレジスタ
JP3866243B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2897665B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
RU2235443C2 (ru) Телевизионная камера на матрице приборов с зарядовой связью
JPS6057746B2 (ja) 固体撮像装置
JPH06339073A (ja) 固体撮像素子
JP2895941B2 (ja) 固体撮像装置
JPS6046594B2 (ja) 電荷転送撮像素子の駆動方法
KR100235982B1 (ko) Ccd 영상소자
JPS61125077A (ja) Ccd装置
JP2753895B2 (ja) 固体撮像装置