JPS62150512A - 薄膜磁気ヘッド素子の製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド素子の製法Info
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- JPS62150512A JPS62150512A JP29535985A JP29535985A JPS62150512A JP S62150512 A JPS62150512 A JP S62150512A JP 29535985 A JP29535985 A JP 29535985A JP 29535985 A JP29535985 A JP 29535985A JP S62150512 A JPS62150512 A JP S62150512A
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- Japan
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- head element
- magnetic head
- magnetic
- substrate
- winding
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハードディスク用の磁気ヘッド素子の製法に
関する。
関する。
本発明は、磁気ヘッド素子の製法において、基板上に複
数のヘッド素子部分を、各ヘッド素子の巻線がヘッド素
子部分の一辺に延在する様に形成し、共通する上記一辺
に沿って基板を切断して複数のブロックを形成し、この
複数のブロックを上記一辺側の切断面で共通の一面を形
成するように配列固定すると共に、この一面上に巻線の
端面を露呈させ、次で端面に露呈した夫々の巻線端末に
接続用導体を上記一面上に形成して後、個々のヘッド素
子を分配することによって、例えばハードディスク用の
磁気ヘッド素子の量産化を可能にしたものである。
数のヘッド素子部分を、各ヘッド素子の巻線がヘッド素
子部分の一辺に延在する様に形成し、共通する上記一辺
に沿って基板を切断して複数のブロックを形成し、この
複数のブロックを上記一辺側の切断面で共通の一面を形
成するように配列固定すると共に、この一面上に巻線の
端面を露呈させ、次で端面に露呈した夫々の巻線端末に
接続用導体を上記一面上に形成して後、個々のヘッド素
子を分配することによって、例えばハードディスク用の
磁気ヘッド素子の量産化を可能にしたものである。
薄膜磁気ヘッド素子は、第９図に示す構造（以下、縦型
構造という）と、第１０図及び第１１図に示す構造（以
下平型構造という）の２種類に分類できる。第９図の磁
気ヘッド素子は、磁性基体（１）上に絶縁層（２）を介
して巻線としての導体層（３）が形成され、さらにその
上に絶縁層（２）を介して一部が磁性基体（１１に磁気
的に結合した磁気ヨーク（４）が形成され、側面に臨む
磁性基体（１１と磁気ヨーク（４）間で磁気ギャップｇ
が形成されて構成される。なお、（５）は保護層、（６
）は磁気記録媒体である。又、第１０図及び第１１図の
磁気ヘッド素子は、同様の磁性基体＋１）上に絶縁層（
２）を介して巻線としての導体層（３）が形成され、さ
らにその上に絶縁層（２）を介して夫々一部が磁性基体
（１１に磁気的に結合された一対の磁気ヨーク（７Ａ）
及び（７Ｂ）が形成され、この一対の磁気ヨーク（７Ａ
）及びく７Ｂ）によって導体層（３）に対して磁性基体
（１）と反対側の平面に磁気ギャップｇが形成されて構
成される。
構造という）と、第１０図及び第１１図に示す構造（以
下平型構造という）の２種類に分類できる。第９図の磁
気ヘッド素子は、磁性基体（１）上に絶縁層（２）を介
して巻線としての導体層（３）が形成され、さらにその
上に絶縁層（２）を介して一部が磁性基体（１１に磁気
的に結合した磁気ヨーク（４）が形成され、側面に臨む
磁性基体（１１と磁気ヨーク（４）間で磁気ギャップｇ
が形成されて構成される。なお、（５）は保護層、（６
）は磁気記録媒体である。又、第１０図及び第１１図の
磁気ヘッド素子は、同様の磁性基体＋１）上に絶縁層（
２）を介して巻線としての導体層（３）が形成され、さ
らにその上に絶縁層（２）を介して夫々一部が磁性基体
（１１に磁気的に結合された一対の磁気ヨーク（７Ａ）
及び（７Ｂ）が形成され、この一対の磁気ヨーク（７Ａ
）及びく７Ｂ）によって導体層（３）に対して磁性基体
（１）と反対側の平面に磁気ギャップｇが形成されて構
成される。
縦型構造の薄膜磁気ヘッド素子は既に実用化レベルに達
しているが、平型構造の薄膜磁気ヘッド素子は未だ実用
化されていない。しかし、平型構造の薄膜磁気ヘッド素
子はいくつ力・の点で縦型構造より優れている。即ち、
平型構造の磁気ヘッド素子は磁気効率が極めて高いこと
、又さまさまな複合ヘッドが可能となることである。
しているが、平型構造の薄膜磁気ヘッド素子は未だ実用
化されていない。しかし、平型構造の薄膜磁気ヘッド素
子はいくつ力・の点で縦型構造より優れている。即ち、
平型構造の磁気ヘッド素子は磁気効率が極めて高いこと
、又さまさまな複合ヘッドが可能となることである。
しかし、この平型構造の薄膜磁気ヘッド素子については
、製造上の問題と、保護層の信頼性に欠けることなどに
より、研究が遅れている。
、製造上の問題と、保護層の信頼性に欠けることなどに
より、研究が遅れている。
平型構造の薄膜磁気ヘッド素子において、上述の製造上
の問題の１つに、リード線の引き出しの問題がある。ハ
ードディスク用の平型構造の薄膜磁気ヘッド素子では第
１２図に示すようにスライダー（８）の浮上面（８ａ）
にヘッド素子（９）が形成されることになる。このよう
な位置からリード線を引き出すためには、何らかの手段
により、スライダー側面（８ｂ）又は上面（８ｃ））に
リード線を引き出す必要がある。
の問題の１つに、リード線の引き出しの問題がある。ハ
ードディスク用の平型構造の薄膜磁気ヘッド素子では第
１２図に示すようにスライダー（８）の浮上面（８ａ）
にヘッド素子（９）が形成されることになる。このよう
な位置からリード線を引き出すためには、何らかの手段
により、スライダー側面（８ｂ）又は上面（８ｃ））に
リード線を引き出す必要がある。
本発明は、上述の点に鑑み、接続用導体（リード線）を
浮上面より他の面に導出するようにして成る磁気へソド
素子を量産化できるようにした磁気ヘッド素子の製法を
提供するものである。
浮上面より他の面に導出するようにして成る磁気へソド
素子を量産化できるようにした磁気ヘッド素子の製法を
提供するものである。
本発明は、基板（１１）上に複数のヘッド素子部分（１
３）を、各ヘッド素子（１２）の巻線（１４）がヘッド
素子部分（１３）の一辺（１５）側に延在する様に形成
する工程と、共通する上記一辺（１５）に沿って基板（
１１）を切断し、複数のヘッド素子部分（１３）を有す
る複数のブロック（２３）を形成する工程と、一辺（１
５）側の切断面（２３ａ）により共通の一面（２４）を
形成する様に複数のブロック（２３）を配列固定すると
ともに巻線（１４）の端面（１４Ａ）を−面（２４）上
に露呈させる工程と、端面に露呈したそれぞれの巻線端
末に接続する接続用導体（２６）を−面（２４）上に形
成する工程と、個々の磁気ヘッド素子（２７）を分離す
る工程を有することを特徴とする。
３）を、各ヘッド素子（１２）の巻線（１４）がヘッド
素子部分（１３）の一辺（１５）側に延在する様に形成
する工程と、共通する上記一辺（１５）に沿って基板（
１１）を切断し、複数のヘッド素子部分（１３）を有す
る複数のブロック（２３）を形成する工程と、一辺（１
５）側の切断面（２３ａ）により共通の一面（２４）を
形成する様に複数のブロック（２３）を配列固定すると
ともに巻線（１４）の端面（１４Ａ）を−面（２４）上
に露呈させる工程と、端面に露呈したそれぞれの巻線端
末に接続する接続用導体（２６）を−面（２４）上に形
成する工程と、個々の磁気ヘッド素子（２７）を分離す
る工程を有することを特徴とする。
上述の語法によれば、基板（１１）上にヘッド素子（１
２）を形成して後、その巻線（１４）の端面（１４八）
が側面に露出するように基板（１１）を切断し、その切
断面上に露呈した巻線端末に接続するように接続用導体
（２６）を形成することにより、ヘッド素子（１２）が
形成された基体（１１’）の−０面（ｌｌａ’）とは異
なる他の面（Ｌｌｂ’）に接続用導体（２６）を有する
目的とした磁気ヘッド素子（２７）が容易に製造される
。
２）を形成して後、その巻線（１４）の端面（１４八）
が側面に露出するように基板（１１）を切断し、その切
断面上に露呈した巻線端末に接続するように接続用導体
（２６）を形成することにより、ヘッド素子（１２）が
形成された基体（１１’）の−０面（ｌｌａ’）とは異
なる他の面（Ｌｌｂ’）に接続用導体（２６）を有する
目的とした磁気ヘッド素子（２７）が容易に製造される
。
しかも、製造に際しては基板（１１）上に複数のヘッド
素子部分（１３）を形成し、これを各ブロック（２３）
毎に切断してその切断面（２３ａ）が共通の一面（２４
）を形成する様に、各ブロック（２３）を再結合し、基
板の形に変えて接続用導体（２６）を形成し、しかる後
、各磁気ヘッド素子（２７）を分離するようになしてい
るため、目的とする磁気ヘッド素子（２７）が同時に多
量に製造される。
素子部分（１３）を形成し、これを各ブロック（２３）
毎に切断してその切断面（２３ａ）が共通の一面（２４
）を形成する様に、各ブロック（２３）を再結合し、基
板の形に変えて接続用導体（２６）を形成し、しかる後
、各磁気ヘッド素子（２７）を分離するようになしてい
るため、目的とする磁気ヘッド素子（２７）が同時に多
量に製造される。
以下、第１図乃至第８図を参照して本発明による磁気ヘ
ッド素子の製法の一実施例を説明する。
ッド素子の製法の一実施例を説明する。
本例においては、先ず第１図に示すように所定の基板例
えばチタン酸カルシウムの如きセラミソり基板（１１）
の−面、すなわち爾後スライダーの浮上面となる一面（
ｌｌａ）上に、後述のプロセスによって複数の平型構造
の薄膜ヘッド素子（１２）を所定の配列をもって形成す
る。この場合、切断線ａ及びｂで区画される１個のスラ
イダーに対応してその浮上面に２個のヘッド素子（１２
）を形成するものであり、この２個１組のヘッド素子部
分（１３）が複数ｌＩＩ縦横に配列形成される。そして
、この複数のヘッド素子部分（１３）は、各ヘッド素子
（１２）の巻線となる導体層（１４）がヘッド素子部分
（１３）の一辺側（即ち切断線ａ）に延在するように、
従って、第２図に示すように後の切断工程における切り
しろ（１５）内に延在するように、形成される。
えばチタン酸カルシウムの如きセラミソり基板（１１）
の−面、すなわち爾後スライダーの浮上面となる一面（
ｌｌａ）上に、後述のプロセスによって複数の平型構造
の薄膜ヘッド素子（１２）を所定の配列をもって形成す
る。この場合、切断線ａ及びｂで区画される１個のスラ
イダーに対応してその浮上面に２個のヘッド素子（１２
）を形成するものであり、この２個１組のヘッド素子部
分（１３）が複数ｌＩＩ縦横に配列形成される。そして
、この複数のヘッド素子部分（１３）は、各ヘッド素子
（１２）の巻線となる導体層（１４）がヘッド素子部分
（１３）の一辺側（即ち切断線ａ）に延在するように、
従って、第２図に示すように後の切断工程における切り
しろ（１５）内に延在するように、形成される。
各薄膜ヘッド素子（１２）は次の様にして形成する（第
８図参照）。セラミック基Ｊ＆ （１１）上の各ヘッド
素子を形成する領域に選択的に磁性層（１６）を形成し
、この上にＳｉ ０２等による絶縁層（１７）を形成し
て後、巻線となる導体層（１４）を形成し、さらにこの
上に絶縁層（１７）を形成する（第８図Ａ）。次に一部
磁性層（１６）に磁気的に結合する磁性薄膜（１９）を
形成し、磁気ギャップｇを形成して後（第８図Ｂ）、全
面に例えばＳｉｎ、等による保護層（２０）を形成する
（第８図Ｃ）。次で磁気ギヤツブｇを形成する再磁気ヨ
ーク（１９Ａ）（１９Ｂ）の磁気媒体対向面（２１）が
臨むように平坦化して薄膜ヘッド素子（１２）を形成す
る（第８図Ｄ）。
８図参照）。セラミック基Ｊ＆ （１１）上の各ヘッド
素子を形成する領域に選択的に磁性層（１６）を形成し
、この上にＳｉ ０２等による絶縁層（１７）を形成し
て後、巻線となる導体層（１４）を形成し、さらにこの
上に絶縁層（１７）を形成する（第８図Ａ）。次に一部
磁性層（１６）に磁気的に結合する磁性薄膜（１９）を
形成し、磁気ギャップｇを形成して後（第８図Ｂ）、全
面に例えばＳｉｎ、等による保護層（２０）を形成する
（第８図Ｃ）。次で磁気ギヤツブｇを形成する再磁気ヨ
ーク（１９Ａ）（１９Ｂ）の磁気媒体対向面（２１）が
臨むように平坦化して薄膜ヘッド素子（１２）を形成す
る（第８図Ｄ）。
しかして、上記の様にしてセラミック基板（１１）上に
各ヘッド素子（１２）を形成した後、基板（１１）に対
して、そのヘッド素子部分（１３）の両ヘッド素子（１
２）及び（１３）間に沿うようにｔｔ （２２）を形成
する（第１図参照）。
各ヘッド素子（１２）を形成した後、基板（１１）に対
して、そのヘッド素子部分（１３）の両ヘッド素子（１
２）及び（１３）間に沿うようにｔｔ （２２）を形成
する（第１図参照）。
次に、第１図において各切断線ａに沿って基板（１１）
を切断して複数のヘッド素子部分（１３）を有する複数
のブロック（２３）を形成する。この切断によって各ブ
ロック（２３）の一方の切断面（２３ａ）にはヘッド素
子（１２）の導体層（１４）の端面（１４Ａ）が露呈す
る。次で、この複数のブロック（２３）を各導体Ｆｆ
（１４）の端面（１４Ａ）が露出する切断面（２３ａ）
によって共通の一面（２４）が形成される様に、且つ、
ブロック（２３）間で−・ラド素子（１２）が整然と並
ぶ様にして、接着剤により配列固定する（第３図及び第
４図参照）。この時の接着剤としては、後工程において
有機溶剤して熔解し、加熱等により分離できるものを選
ぶ。
を切断して複数のヘッド素子部分（１３）を有する複数
のブロック（２３）を形成する。この切断によって各ブ
ロック（２３）の一方の切断面（２３ａ）にはヘッド素
子（１２）の導体層（１４）の端面（１４Ａ）が露呈す
る。次で、この複数のブロック（２３）を各導体Ｆｆ
（１４）の端面（１４Ａ）が露出する切断面（２３ａ）
によって共通の一面（２４）が形成される様に、且つ、
ブロック（２３）間で−・ラド素子（１２）が整然と並
ぶ様にして、接着剤により配列固定する（第３図及び第
４図参照）。この時の接着剤としては、後工程において
有機溶剤して熔解し、加熱等により分離できるものを選
ぶ。
この後に、切断面（２３ａ）で形成された一面（２４）
を研磨する。研磨の目的は切断時のチッピングによって
荒れた端部を修正するためと、導体層（■４）の端面（
１４Ａ）をきれいにするためである。このように各ブロ
ック（２３）を再接合し１、研磨したものは１つの基板
として扱うことができる。
を研磨する。研磨の目的は切断時のチッピングによって
荒れた端部を修正するためと、導体層（■４）の端面（
１４Ａ）をきれいにするためである。このように各ブロ
ック（２３）を再接合し１、研磨したものは１つの基板
として扱うことができる。
次に第５図に示すように、この複数のブロック（２３）
を固定して成る基板（２５）の−面（２４）上に各へラ
ド素子（１２）の導体層（１４）の端末に接続する接続
用導体（２６）を形成する。この接続用導体（２６）の
形成法は、蒸着又はスパッタリングした後、パターニン
グする方法、或は所定パターンのレジスト層を形成し、
蒸着又はスパッタリングして後、リフトオフする方法が
ある。この後、電着することもできる。
を固定して成る基板（２５）の−面（２４）上に各へラ
ド素子（１２）の導体層（１４）の端末に接続する接続
用導体（２６）を形成する。この接続用導体（２６）の
形成法は、蒸着又はスパッタリングした後、パターニン
グする方法、或は所定パターンのレジスト層を形成し、
蒸着又はスパッタリングして後、リフトオフする方法が
ある。この後、電着することもできる。
次に、第３図の切断線すに沿って切断しく第６図参照）
、さらに先に固定した接着剤を溶解して各チップに分離
し、洗浄する。そして最終的に第７図に示す磁気ヘッド
素子（２７）を得る。この場合、セラミック基体（１１
’）がスライダーとなり、この浮上面（ｌｌａ’）に平
型構造のヘッド素子（１２）が形成され、その巻線とな
る導体層（１４）の端子即ち接続用導体（２６）が側面
（ｌｌｂ’）に形成されることになる。
、さらに先に固定した接着剤を溶解して各チップに分離
し、洗浄する。そして最終的に第７図に示す磁気ヘッド
素子（２７）を得る。この場合、セラミック基体（１１
’）がスライダーとなり、この浮上面（ｌｌａ’）に平
型構造のヘッド素子（１２）が形成され、その巻線とな
る導体層（１４）の端子即ち接続用導体（２６）が側面
（ｌｌｂ’）に形成されることになる。
なお、基板（１１）としては、接続用導体（１４）の形
成の際に特別な絶縁手段を不要とする絶縁基板が望まし
い。しかし、絶縁手段を考慮すれば絶縁基板以外の他の
基板を用いることも可能である。
成の際に特別な絶縁手段を不要とする絶縁基板が望まし
い。しかし、絶縁手段を考慮すれば絶縁基板以外の他の
基板を用いることも可能である。
このように、本製法によれば、スライダー（１１’）の
浮上面（ｌｌａ’）にヘッド素子（１２）を形成すると
共に、その導体層（１４）の端子即ち接続用導体（２６
）をスライダー（１１’）の側面（ｌｌｂ’）に形成す
ることができる。しかも、かかる磁気ヘット素子（２７
）は精度よく且つ一度に大量に製造される。
浮上面（ｌｌａ’）にヘッド素子（１２）を形成すると
共に、その導体層（１４）の端子即ち接続用導体（２６
）をスライダー（１１’）の側面（ｌｌｂ’）に形成す
ることができる。しかも、かかる磁気ヘット素子（２７
）は精度よく且つ一度に大量に製造される。
従って、本製法は平型構造の薄膜磁気ヘッドをハードデ
ィスク用の磁気ヘッドとして実用可能にするものである
。
ィスク用の磁気ヘッドとして実用可能にするものである
。
上述せる本発明によれば、スライダーの如き基体の−の
面にヘッド素子を形成し、他の面にヘッド素子の巻線の
端子即ち接続用導体を形成して成る薄膜磁気ヘッド素子
を精度よく製造することができる。又、かかる薄膜磁気
ヘッド素子を量産化できる。従って、平型構造によるハ
ードディスク用磁気ヘッドの実用化が可能となるもので
ある。
面にヘッド素子を形成し、他の面にヘッド素子の巻線の
端子即ち接続用導体を形成して成る薄膜磁気ヘッド素子
を精度よく製造することができる。又、かかる薄膜磁気
ヘッド素子を量産化できる。従って、平型構造によるハ
ードディスク用磁気ヘッドの実用化が可能となるもので
ある。
第１図〜第７図は本発明による製法の一実施例を示す工
程図、第８図Ａ−Ｄはヘッド素子の製法例を示す工程図
、第９図は縦型構造の薄膜磁気ヘッド素子の断面図、第
１０図及び第１１図は平型構造の薄膜磁気ヘッド素子の
断面図及び斜視図、第１２図はハードディスク用の磁気
ヘッド素子の斜視図である。 （１１）は基板、（１２）はヘッド素子、（１３）はヘ
ッド素子部分、（１４）は巻線としての導体層、（２３
）はブロック、（２６）は接続用導体、（２７）は磁気
ヘッド素子である。
程図、第８図Ａ−Ｄはヘッド素子の製法例を示す工程図
、第９図は縦型構造の薄膜磁気ヘッド素子の断面図、第
１０図及び第１１図は平型構造の薄膜磁気ヘッド素子の
断面図及び斜視図、第１２図はハードディスク用の磁気
ヘッド素子の斜視図である。 （１１）は基板、（１２）はヘッド素子、（１３）はヘ
ッド素子部分、（１４）は巻線としての導体層、（２３
）はブロック、（２６）は接続用導体、（２７）は磁気
ヘッド素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ、基板上に複数のヘッド素子部分を、各ヘッド素子の
巻線が上記ヘッド素子部分の一辺側に延在する様に形成
する工程、 ｂ、共通する上記一辺に沿って基板を切断し、複数のヘ
ッド素子部分を有する複数のブロックを形成する工程、 ｃ、上記一辺側の切断面により共通の一面を形成する様
上記複数のブロックを配列固定するとともに上記巻線の
端面を上記一面上に露呈させる工程、 ｄ、上記端面に露呈したそれぞれの巻線端末に接続する
接続用導体を上記一面上に形成する工程、ｅ、個々のヘ
ッド素子を分離する工程、を有する磁気ヘッド素子の製
法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29535985A JPH0758534B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 薄膜磁気ヘッド素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29535985A JPH0758534B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 薄膜磁気ヘッド素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150512A true JPS62150512A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0758534B2 JPH0758534B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17819596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29535985A Expired - Fee Related JPH0758534B2 (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 薄膜磁気ヘッド素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758534B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2687497A1 (fr) * | 1992-02-13 | 1993-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces. |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29535985A patent/JPH0758534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2687497A1 (fr) * | 1992-02-13 | 1993-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758534B2 (ja) | 1995-06-21 |
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