JPS6214765Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6214765Y2 JPS6214765Y2 JP13291580U JP13291580U JPS6214765Y2 JP S6214765 Y2 JPS6214765 Y2 JP S6214765Y2 JP 13291580 U JP13291580 U JP 13291580U JP 13291580 U JP13291580 U JP 13291580U JP S6214765 Y2 JPS6214765 Y2 JP S6214765Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic filter
- capacitor
- signal
- frequency
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、AGC（自動利得制御）回路を備え
た受信機に関する。
た受信機に関する。
AGC回路を備えることにより電界強度の変化
に対して安定に動作すると共に強電界に対してア
ンプ等の回路の飽和動作による歪の発生を防止し
た受信機が既に公知である。かかる受信機の従来
例を第１図に示す。第１図において、アンテナ１
よりのRF（高周波）信号はRFアンプ２によつて
増幅される。増幅されたRF信号は周波数変換回
路３において局発信号と混合されトランジスタ
Q1のベースに印加される。トランジスタQ1のコ
レクタに設けられたトランスＴの１次巻線とコン
デンサC1との並列同調回路により必要なIF（中
間周波）信号のみが選択的に抽出増幅されてトラ
ンスＴの２次側に出力される。トランジスタQ1
のエミツタと接地間には電流帰還をなすエミツタ
抵抗R1とIF信号に対する増幅度の低下を抑圧す
るバイパスコンデンサC2とが並列に接続されて
いる。トランスＴの２次側に出力されたIF信号
はIFアンプ４に供給される。IFアンプ４におい
てIF信号はセラミツクフイルタCF1によつてセラ
ミツクフイルタCF1の減衰域に含まれる周波数成
分が減衰されたのち抵抗R2及びコンデンサC3か
らなる入力回路を介してIF増幅素子５へ印加さ
れる。IF増幅素子５より増幅されて出力された
IF信号はセラミツクフイルタCF2及びCF3を通過
した後にさらに増幅され検波回路６で検波されて
オーデイオ出力となる。また、それと同時にIF
増幅素子５の出力はコンデンサC4を介して整流
回路７において整流された後AGC電圧発生回路
８に供給される。AGC電圧発生回路８は、例え
ば入力端子と接地間に直列接続された充電用抵抗
と平滑コンデンサとで構成された平滑フイルタか
らなり整流回路７の出力を平滑することによつて
IF増幅素子５より出力されるIF信号のレベルに
応じた直流電圧をAGC電圧として発生し、この
電圧をRFアンプ２の利得制御入力端子に印加す
る。
に対して安定に動作すると共に強電界に対してア
ンプ等の回路の飽和動作による歪の発生を防止し
た受信機が既に公知である。かかる受信機の従来
例を第１図に示す。第１図において、アンテナ１
よりのRF（高周波）信号はRFアンプ２によつて
増幅される。増幅されたRF信号は周波数変換回
路３において局発信号と混合されトランジスタ
Q1のベースに印加される。トランジスタQ1のコ
レクタに設けられたトランスＴの１次巻線とコン
デンサC1との並列同調回路により必要なIF（中
間周波）信号のみが選択的に抽出増幅されてトラ
ンスＴの２次側に出力される。トランジスタQ1
のエミツタと接地間には電流帰還をなすエミツタ
抵抗R1とIF信号に対する増幅度の低下を抑圧す
るバイパスコンデンサC2とが並列に接続されて
いる。トランスＴの２次側に出力されたIF信号
はIFアンプ４に供給される。IFアンプ４におい
てIF信号はセラミツクフイルタCF1によつてセラ
ミツクフイルタCF1の減衰域に含まれる周波数成
分が減衰されたのち抵抗R2及びコンデンサC3か
らなる入力回路を介してIF増幅素子５へ印加さ
れる。IF増幅素子５より増幅されて出力された
IF信号はセラミツクフイルタCF2及びCF3を通過
した後にさらに増幅され検波回路６で検波されて
オーデイオ出力となる。また、それと同時にIF
増幅素子５の出力はコンデンサC4を介して整流
回路７において整流された後AGC電圧発生回路
８に供給される。AGC電圧発生回路８は、例え
ば入力端子と接地間に直列接続された充電用抵抗
と平滑コンデンサとで構成された平滑フイルタか
らなり整流回路７の出力を平滑することによつて
IF増幅素子５より出力されるIF信号のレベルに
応じた直流電圧をAGC電圧として発生し、この
電圧をRFアンプ２の利得制御入力端子に印加す
る。
以上の構成におけるセラミツクフイルタCF1の
減衰域における信号減衰量は、セラミツクフイル
タCF1に用いられているセラミツク振動子の所定
共振周波数以外の周波数の不要な共振いわゆるス
プリアス等によつて変動する。そのためセラミツ
クフイルタCF1の周波数特性は第３図ａに示す如
くなり、減衰域において不規則な変化を有する。
従つて、希望波以外の妨害波が強入力になつた場
合に得られるAGC電圧がその妨害波の周波数に
よつて不規則に変化することになり、妨害波が強
入力になつて生じる混変調妨害や相互変調妨害等
に対して自動利得制御作用が有効に働かない場合
が生じる。
減衰域における信号減衰量は、セラミツクフイル
タCF1に用いられているセラミツク振動子の所定
共振周波数以外の周波数の不要な共振いわゆるス
プリアス等によつて変動する。そのためセラミツ
クフイルタCF1の周波数特性は第３図ａに示す如
くなり、減衰域において不規則な変化を有する。
従つて、希望波以外の妨害波が強入力になつた場
合に得られるAGC電圧がその妨害波の周波数に
よつて不規則に変化することになり、妨害波が強
入力になつて生じる混変調妨害や相互変調妨害等
に対して自動利得制御作用が有効に働かない場合
が生じる。
よつて、本考案の目的は簡単な構成にて安定し
た自動利得制御をなし得る受信装置を提供するこ
とである。
た自動利得制御をなし得る受信装置を提供するこ
とである。
本考案による受信装置は、選択素子として容量
性リアクタンス素子を入出力端子間に接続された
セラミツクフイルタを備え、このセラミツクフイ
ルタの出力に応じた信号のレベルを検出して
AGC電圧を発生せしめこのAGC電圧によりRFア
ンプの利得を制御する構成となつている。
性リアクタンス素子を入出力端子間に接続された
セラミツクフイルタを備え、このセラミツクフイ
ルタの出力に応じた信号のレベルを検出して
AGC電圧を発生せしめこのAGC電圧によりRFア
ンプの利得を制御する構成となつている。
以下、本考案を第２図及び第３図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本考案の一実施例を示す回路図であり
IFアンプ４のみが示されている。他の回路ブロ
ツク図２，３，６，７及び８は第１図と同一の構
成となつているため省略されている。本例におい
てはセラミツクフイルタCF1の入出力端子間に容
量性リアクタンス素子としてコンデンサC5が接
続されている。コンデンサC5単独のフイルタ作
用における信号減衰量がセラミツクフイルタCF1
の通過域に含まれる周波数の信号に対してはセラ
ミツクフイルタCF1の信号減衰量より大きくかつ
セラミツクフイルタCF1の減衰域に含まれる周波
数の信号に対してはセラミツクフイルタCF1の信
号減衰量より小さくなるようにコンデンサC5の
容量値が設定されている。かかるコンデンサC5
を入出力端子間に接続されたセラミツクフイルタ
CF1の周波数特性は、その通過域においてコンデ
ンサC5が接続されない場合の特性と同一であ
り、その減衰域において信号減衰量の小さいコン
デンサC5の特性が支配的になつて第３図ｂに示
す如く平坦になる。
IFアンプ４のみが示されている。他の回路ブロ
ツク図２，３，６，７及び８は第１図と同一の構
成となつているため省略されている。本例におい
てはセラミツクフイルタCF1の入出力端子間に容
量性リアクタンス素子としてコンデンサC5が接
続されている。コンデンサC5単独のフイルタ作
用における信号減衰量がセラミツクフイルタCF1
の通過域に含まれる周波数の信号に対してはセラ
ミツクフイルタCF1の信号減衰量より大きくかつ
セラミツクフイルタCF1の減衰域に含まれる周波
数の信号に対してはセラミツクフイルタCF1の信
号減衰量より小さくなるようにコンデンサC5の
容量値が設定されている。かかるコンデンサC5
を入出力端子間に接続されたセラミツクフイルタ
CF1の周波数特性は、その通過域においてコンデ
ンサC5が接続されない場合の特性と同一であ
り、その減衰域において信号減衰量の小さいコン
デンサC5の特性が支配的になつて第３図ｂに示
す如く平坦になる。
一方、トランスＴの１次巻線とコンデンサC1
とからなる並列同調回路における共振周波数はセ
ラミツクフイルタCF1の中心周波数とほぼ同一に
設定されており、かつこの並列同調回路の周波数
特性は共振周波数を離れるに従つて緩やかに信号
減衰量が増加する特性となつている。かかる並列
同調回路とコンデンサC5とセラミツクフイルタ
CF1とを含めた部分における周波数特性いわゆる
選択度特性は第３図ｃに示す如くセラミツクフイ
ルタCF1単独の特性に比してブロードでありかつ
急激な変動がない。従つて、本考案による受信装
置においては従来に比して広い周波数範囲に亘つ
て妨害波に対しその周波数が変化しても急激に
AGC電圧が変化せず安定した自動利得制御がな
されるのである。また、本考案による受信装置に
おいてはAGC電圧を発生せしめる妨害波のレベ
ルをコンデンサC5の容量値によつて選択し得る
のである。
とからなる並列同調回路における共振周波数はセ
ラミツクフイルタCF1の中心周波数とほぼ同一に
設定されており、かつこの並列同調回路の周波数
特性は共振周波数を離れるに従つて緩やかに信号
減衰量が増加する特性となつている。かかる並列
同調回路とコンデンサC5とセラミツクフイルタ
CF1とを含めた部分における周波数特性いわゆる
選択度特性は第３図ｃに示す如くセラミツクフイ
ルタCF1単独の特性に比してブロードでありかつ
急激な変動がない。従つて、本考案による受信装
置においては従来に比して広い周波数範囲に亘つ
て妨害波に対しその周波数が変化しても急激に
AGC電圧が変化せず安定した自動利得制御がな
されるのである。また、本考案による受信装置に
おいてはAGC電圧を発生せしめる妨害波のレベ
ルをコンデンサC5の容量値によつて選択し得る
のである。
尚、コンデンサC5をセラミツクフイルタCF1の
入出力端子間に接続することにより選択度が劣下
するが、後段におけるセラミツクフイルタCF2，
CF3によつて充分補い得るので受信希望局の選択
は問題なく行なえる。
入出力端子間に接続することにより選択度が劣下
するが、後段におけるセラミツクフイルタCF2，
CF3によつて充分補い得るので受信希望局の選択
は問題なく行なえる。
第１図は、受信装置の従来例を示す概略ブロツ
ク図、第２図は、本考案の実施例の一部を示す回
路図、第３図は、第１図及び第２図における各部
の周波数特性を示す特性図である。 主要部分の符号の説明、２……RFアンプ、３
……周波数変換回路、４……IFアンプ、６……
検波回路、７……整流回路、８……AGC電圧発
生回路、CF1……セラミツクフイルタ、C5……コ
ンデンサ。
ク図、第２図は、本考案の実施例の一部を示す回
路図、第３図は、第１図及び第２図における各部
の周波数特性を示す特性図である。 主要部分の符号の説明、２……RFアンプ、３
……周波数変換回路、４……IFアンプ、６……
検波回路、７……整流回路、８……AGC電圧発
生回路、CF1……セラミツクフイルタ、C5……コ
ンデンサ。
Claims (1)
- 中間周波信号を選択的に抽出する選択素子とし
てセラミツクフイルタと、前記セラミツクフイル
タの出力に応じた信号のレベルを検出してこのレ
ベルに応じた自動利得制御電圧により高周波信号
を増幅する増幅器の利得を制御する自動利得制御
回路とを含む受信装置であつて、前記セラミツク
フイルタの入出力端子間に接続された容量性リア
クタンス素子を有することを特徴とする受信装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13291580U JPS6214765Y2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13291580U JPS6214765Y2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5756048U JPS5756048U (ja) | 1982-04-01 |
| JPS6214765Y2 true JPS6214765Y2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=29493150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13291580U Expired JPS6214765Y2 (ja) | 1980-09-18 | 1980-09-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214765Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-09-18 JP JP13291580U patent/JPS6214765Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5756048U (ja) | 1982-04-01 |
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