JPS621439A - 有害成分の除去方法 - Google Patents

有害成分の除去方法

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JPS621439A
JPS621439A JP60138750A JP13875085A JPS621439A JP S621439 A JPS621439 A JP S621439A JP 60138750 A JP60138750 A JP 60138750A JP 13875085 A JP13875085 A JP 13875085A JP S621439 A JPS621439 A JP S621439A
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Koichi Kitahara
北原 宏一
Takashi Shimada
孝 島田
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NIPPON PAIONIKUSU KK
Japan Pionics Ltd
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NIPPON PAIONIKUSU KK
Japan Pionics Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は有害ガス成分の除去方法に関し、さらに詳細に
は半導体製造工程などから排出されるガス中1こ含有さ
れるガス状珪素化合物を除去するための有害ガスの除去
方法に関する。
近年、半導体工業の発展とともに、珪素化合物の使用証
が著しく増加している。珪素化合物は、結晶性シリコン
、アモルファスシリコン、シリコンナイトライド、シリ
コンカーバイドの製造に使われるだけでなく、石英ガラ
スの製造にも主原料として用いられる。
これらの工業ではシラン、ジシラン、モノクロロシラン
、ジクロロシラン、トリクロロシラン、あるいは四ハロ
ゲン化珪素などの珪素化合物がガス状(以下ガス状珪素
化合物と記す)で用いられることが多い。
これらのガス状珪素化合物は燃焼範囲が広く、あるいは
加水分解して強酸性を示すなど危険なだけでなく、人体
にも悪影響をおよぼすので、大気に放出するに先立って
除去される必要がある。
〔従来の技術および解決すべき問題点〕従来、これらの
ガス状珪素化合物を含有する廃ガスを処理するには、た
とえば特開昭56−84619号公報および特開昭57
−94323号公報に示されるように苛性ソーダなどの
アルカリ性水溶液で洗浄して湿式除去する方法が採用さ
れてきた。しかしながら湿式処理では装置が大型化し、
またアルカリ性水溶液の取扱いが危険なため、不便であ
った。
一方、特開昭58−128146号公報で示されるよう
に、固型担体に苛性ソーダ水溶液を単独に、または過マ
ンガン酸カリウムのような酸化剤水溶液を同時に含浸さ
せてなる乾式吸収処理剤が提案されている。この処理剤
を用いた場合には乾式であるから装置が小型化できるメ
リットはあるが、水溶液を含浸させているため、使用中
または保存中に水分が蒸発するなどにより一定な状態を
保つのが難しい。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明者らは、これら従来技術の欠点を改善すべく、排
ガス中などに含有されている上記ガス状珪素化合物の除
去方法について鋭意検討した結果、酸化第二銅と酸化ア
ルミニウムおよび/または二酸化珪素との混合物に、ガ
ス状珪素化合物含有ガスを接触させると、ガス状珪素化
合物が効率良く除去されることを見い出し、本発明を完
成した。
すなわち本発明は有害成分としてガス状珪素化合物を含
有するガスと除去剤とを接触させて当該ガスからガス状
珪素化合物を除去する有害と 成分の除去方法において、(1)酸化第二銅忙(2)酸
化アルミニウムおよび/または二酸化珪素とを含有して
なる除去剤を用いることを特徴とする有害成分の除去方
法である。
本発明で使用する除去剤は完全に乾燥したがス中の有害
ガス成分を何ら支障な(除去することが可能なので、湿
潤化処理が不要となり、そのメリットは大きい。また本
発明で用いる除去剤は従来の除去剤に比べ、除去剤の単
位容積光すに対する有害成分の除去量および除去速度が
格段に大きいという利点を有する。ざらに本発明で用い
る除去剤は使用後空気lこふれて発熱することはあって
も発火に到ることはなく、安全     性は高い。
本発明は窒素ガス、水素ガスまたは空気などとガス状珪
素化合物との混合ガスに適用される。
本発明によって除去されるガス状(ミストも包含する)
珪素化合物としては一般式 SinH(2m+2−m)Xm  (Xはハロゲン原子
;nは1または2:mは0〜4の整数)で表すことがで
きる。なおハロゲン原子は一般に塩素、弗素および臭素
である。ガス状珪素化合物の代表例としてはモノシラン
、ジシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、トリ
クロロシラン、四塩化珪素、四弗化珪素および四臭化珪
素などが挙げられる。
本発明で用いられる除去剤としては、酸化第二銅に対し
、酸化アルミニウムまたは二酸化珪素のいずれかが単独
に含有されたものでもよく、また両者が同時に含有され
たものでもよい。酸化第二銅に対する酸化アルミニウム
および/または二酸化珪素の割合には特に制限はないが
、好まし゛くはその組成が金属の原子比M/(M+Cu
 ) で0.02〜0.7であり、ざらに好ましくはOI 0
3〜0.55である。
除去剤の調製方法としては、種々の方法の適用が可能で
ある。
たとえば、銅の硝酸塩、硫酸塩、塩化物、有機酸塩など
の金属塩に、苛性°ソーダ、苛性カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウ
ム、アンモニアなどのアルカリを加えて沈殿物を得、該
沈殿物を焼成して酸化第二銅とする。
これらの中でもアルカリとして炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、重炭酸ナトリウムまたは重炭酸カリウムを用い
て得られる酸化第二銅が好ましい。次にこれら酸化第二
銅の粉末に二酸化珪素としてシリカゾル、酸化アルミニ
ウムとしてアルミナゾルなどを混合してニーダ−で混疎
し、乾燥して特定組成となるようにする。
シリカゾルやアルミナゾルは、一般的には珪酸ソーダや
アルミン酸ソーダ水溶液を鉱酸で中和して生成するゾル
から電気透析法で鉱酸のすトリウム塩を除去する方法あ
るいは珪酸ソーダやアルミン酸ソーダ水溶液を陽イオン
交換樹脂で処理する方法などで調製することができる。
またシリカゾルあるいはアルミナゾルは種々の品種のも
のが、市販されているのでこれらを利用しても良い。
本発明に用いる除去剤はたとえばペレットなどに成型し
、そのま\あるいは適当な大きさに破砕するなどして用
いられる。
除去剤を成型する方法としては、乾式法あるいは湿式法
を用いることができる。また成型の際には必要に応じて
少量の水、滑剤などを使用してもよい。成型物の形状に
は特に制限はないが球形、円形、円柱形および筒形など
が代表例として挙げられる。
成型物の大きさは、たとえば球形であれば直径2Tna
〜121111の範囲が良く、また円柱形であれば直径
21〜12111で、高さは2鴻l〜121111の範
囲が適当である。一般に充填筒では筒径の約1/10 
よシも小さい粒径とする必要があるとされているので、
その範囲であれば偏流などがなく好都合である。本発明
で用いる除去剤の粒の密度lζは特に制限はないが、通
常は1.5〜5.5?/ゴ、好ましくは2〜5.5t/
ゴの範囲であり、充填密度は通常、0.9〜2.1ゆ/
J3の範囲である。
本明細書において密度とは、成型体(粒)の重さを成型
体の幾何学的体積で割ったものをいい、充填密度とは除
去筒などに充填した成型体(粒)の重さを充填部の容積
で割ったものをいう。
本発明で使用される除去剤は除去筒内に充填されて固定
床として用いられる。しかし移動床、流動床として用い
ることも可能である。有害成分を含有するガス(以下被
処理ガスと記す)はこの除去筒内に流され、除去剤と接
触されることによシ、有害成分である各種ガス状珪素化
合    物が除去され、被処理ガスは浄化される。
本発明の除去方法が適用される被処理ガス中に含有され
るガス状珪素化合物の濃度およびガスの流速には特に制
限はないが一般に濃度が高いほど流速を小さくすること
が好ましい。すなわち被処理ガスが除去筒内を通過する
空塔線速度をacm / sec、有害成分の濃度をb
vo1%とするとき、操作パラメータをyとして、下式
の範囲で操作するのが好ましい。
0、0005 (y < 200 ただしy=aXb yがo、ooosを下廻るような条件では、除去筒の寸
法が大きくなりすぎて経済的に不利であるし、それが2
00を1廻るときには、発熱量が大きくなって、冷却器
などが必要となることもある。
たとえば、被処理ガスが水素ベースの場合には、含有さ
れる有害ガスの濃度が1096以上で、流速が203 
/ sec以上になると発熱によって除去剤の水素によ
る還元が生じ、活性が失われることもあるので、このよ
うな場合には除去筒を冷却するなどの処置を講じて操作
することが好ましい。
本発明の除去方法を適用しつる被処理ガスは、通常は乾
燥状態であるが、湿潤状態であっても、除去筒内で結露
するほど湿っていなければ良い。
被処理ガスと除去剤との接触温度(入口ガス温度)は2
00℃以下であり、好ましくは0〜150℃である。特
に水素をガスのベース(雰囲気ガス)として用いる場合
は100℃以下とするのが好ましい。通常は常温乃至室
温でよく特に加熱や冷却をする必要はない。
被処理ガスの圧力は常圧、減圧、加圧のいずれでもよい
が、通常は20 J / cri abs、  以下で
あ夛、好ましくは0.001〜I Dkg/dabs。
の範囲である。
本発明では湿潤化処理(通常除去筒の前に設けたバブラ
ーによる処理)が不要なので、被処理ガスを吸引する真
空ポンプの上流側に除去筒を設置することができ、その
場合には減圧下で処理することが可能となる。このよう
にすることIこよシ、被処理ガスは有害ガスが除去され
た後に真空ポンプを通過することになり、ポンプのオイ
ルが有害ガスによシ汚染されないのでメインテナンスが
容易になる。
本発明の除去方法によれば半導体製造工程などから排出
される各種ガス状珪素化合物を有害成分として含有する
ガスからこれらの有害成分を、乾燥状態で、効率よく除
去しつる。
〔実施例〕
実施例 1〜7 硫酸銅の20wt%水溶液に炭酸ソーダの20wt%水
溶液をpH9〜10になるまで加え、塩基性炭酸鋼の結
晶を析出させた。この結晶を繰り返し一過、洗浄し、空
気気流中150℃で乾燥させた後、300℃で焼成して
酸化第二銅を生成させた。
生成した酸化第二銅にアルミナゾル(触媒化成工業■(
:ataloid−AS−2)またはシリカゾル(日照
化学■ スノーテックス)を混合し、ニーダ−で混練し
た。続いて空気中130℃で乾燥させ、さらに350℃
で焼成し、焼成物を破砕して顆粒状とした。このものを
打錠成型機にて6vlN$x4龍)1の円筒状のペレッ
トに成型した。該ペレットの密度は2.8P/dであっ
た。
これを破砕し、ふるいにかけ、12〜28meshとし
たものを除去剤として用いた。
内径15+uダX20011Hの硬質ポリ塩化ビニル製
の除去筒内に、前記の除去剤約1fを充填しく充填高さ
約4ms、充填密度1.8に9/、8)、この除去筒に
被処理ガスとして、ガス状珪素化合物を含有させた窒素
または水素を3n/hr(空塔線速度0.65tx/s
ec )の速度で流して、それぞれの除去剤を充填した
場合について飽和除去量を測定した。
本明細書において飽和除去量とは、除去剤の最大除去能
力(除去し得るガス状珪素化合物の最大量)をその除去
剤の重量または体積で割ったものである。
結果を第1表に示す。
実施例 8 実施例1〜7と同様にして得られた酸化第二銅の粉末に
シ“リカゾルとアルミナゾルの雨着を加え、実施例1〜
7と同様な操作によって、その活性をテストした。。
このものの金属の原子比は Cu七V汗Si i : 0.04 Cu十M3−+−8i であった。
テスト結果を第1表に示す。
実施例 9〜13 内径131ダX200!1Hの石英製の除去筒内に、実
施例1.実施例5.実施例8で用いたのと同じ除去剤を
それぞれ36?(充填容猜約2 Q ml )充填し、
窒素ガス中にシラン、ジクロロシラン、四弗化珪素をそ
れぞれ196含有するガスをそれぞれ1offl/hr
(空塔線速度2゜1、/5ee)の空間速度で流通させ
、それぞれのガスが破過するまでの時間を測定した。な
お破過の検知は次の方法によった。
シラン:ポリエチレン製吸収びん中の苛性ソーダ水溶液
で吸収したのち、1,2.4−アミノナフトールスルホ
ン酸法(モリブデンブルー法)にて比色定量 ジクロロシラン:光間理化学製検知管A 173塩化水
素用検知限界0.4ppm 四塩化珪素:同と 結果を第2表ζこ示す。
比較例 1 実施例1〜7と同様にして調製した酸化銅を打錠成型機
にて6鰭ダxammHの円筒状のペレットに成型した。
このものの粒の密度は2.827ばであった。これを破
砕し、ふるいにかけ、12〜28 meshとしたもの
を浄化剤として用いた。充填密度は1.8kg/、#で
あった。
実施例1〜7と同様にして飽和浄化量を測定した。結果
を第3表に示す。
比較例 2 実施例10〜14と同じ条件で比較例1で調製した浄化
剤の活性を、シランについて測定した。結果を第4表に
示す。
〔発明の効果〕
本発明の除去方法は下記のような優れた特徴を有してお
り、工業的に極めて有用である。
(1)除去剤の単位容積光りに対する有害成分の除去量
および除去速度が大きい。
(2)  ガス状珪素化合物をその濃度に関係なくほぼ
完全に除去することができる。
(3)常温乃至室温で除去操作を行うことができ、特に
加熱を必要としない。
(4)除去剤に水分などが実質的に含有されていないた
め常に安定した除去性能が得られる。
特許出願人 日本バイオニクス株式会社代表者高崎文夫

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 有害成分としてガス状珪素化合物を含有するガスと除去
    剤とを接触させて当該ガスからガス状珪素化合物を除去
    する有害成分の除去方法において、(1)酸化第二銅と
    (2)酸化アルミニウムおよび/または二酸化珪素とを
    含有してなる除去剤を用いることを特徴とする有害成分
    の除去方法。
JP60138750A 1985-06-25 1985-06-25 有害成分の除去方法 Granted JPS621439A (ja)

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JPS621439A true JPS621439A (ja) 1987-01-07
JPH057044B2 JPH057044B2 (ja) 1993-01-28

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63200820A (ja) * 1987-02-17 1988-08-19 Kikuchi:Kk 半導体製造中の排ガス処理方法
JPH0262044A (ja) * 1988-08-26 1990-03-01 Fujitsu Ltd 減圧化学気相成長装置
JP2006314905A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Hitachi Ltd フッ素化合物含有ガスの処理方法及び処理装置

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