JPS62142842U - - Google Patents

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JPS62142842U
JPS62142842U JP3035786U JP3035786U JPS62142842U JP S62142842 U JPS62142842 U JP S62142842U JP 3035786 U JP3035786 U JP 3035786U JP 3035786 U JP3035786 U JP 3035786U JP S62142842 U JPS62142842 U JP S62142842U
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JP
Japan
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resist
cup
semiconductor wafers
solvent
vapor
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JP3035786U
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例を示す構成図、第
２図および第３図はこの考案の他の実施例を示す
もので第２図は断面図、第３図は分解図である。
第４図は従来のレジスト塗布装置を示す断面図で
ある。 図において、１は上部カツプ、２は下部カツプ
、４は排液チユーブ、５は排気チユーブ、７は半
導体ウエハ、１４はレジスト溶剤、１５は気泡、
１７はバブリング加圧タンク、２０はベーパレジ
ストチヤンバ、２５はベーパ状レジスト溶剤、２
６はカツプタンク、Ｎ２は窒素ガスである。なお
、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 開閉自在な上部カツプと下部カツプ内にお
    いて高速回転する半導体ウエハ上にレジストを振
    り掛けると共に、この上下部カツプ内にベーパ状
    レジスト溶剤を導入してこの上下部カツプ内面を
    ウエツト状に保持するようにしたことを特徴とす
    る半導体ウエハのレジスト塗布装置。 (2) 遠心力によつて半導体ウエハから振り飛ば
    されたレジストと、ベーパ状レジスト溶剤を排出
    する排液チユーブと排気チユーブを下部カツプに
    設けたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲
    第１項記載の半導体ウエハのレジスト塗布装置。 (3) バブリング加圧タンク内のレジスト溶剤中
    に供給した窒素ガスにより発生した気泡によつて
    生成されたベーパ状レジスト溶剤を上下部カツプ
    内に導入するようにしたことを特徴とする実用新
    案登録請求の範囲第１項記載の半導体ウエハのレ
    ジスト塗布装置。 (4) 上部カツプと下部カツプを、ベーパ状レジ
    スト溶剤を導入するベーパレジストチヤンバを有
    するカツプタンク内に収容したことを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体ウエ
    ハのレジスト塗布装置。
JP3035786U 1986-03-03 1986-03-03 Pending JPS62142842U (ja)

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JP3035786U JPS62142842U (ja) 1986-03-03 1986-03-03

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JP3035786U JPS62142842U (ja) 1986-03-03 1986-03-03

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JPS62142842U true JPS62142842U (ja) 1987-09-09

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ID=30835085

Family Applications (1)

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JP3035786U Pending JPS62142842U (ja) 1986-03-03 1986-03-03

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JP (1) JPS62142842U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02227162A (ja) * 1989-02-28 1990-09-10 Tokyo Electron Ltd 塗布装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02227162A (ja) * 1989-02-28 1990-09-10 Tokyo Electron Ltd 塗布装置

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