JPS62141773A - Ｇｔｏサイリスタ - Google Patents
ＧｔｏサイリスタInfo
- Publication number
- JPS62141773A JPS62141773A JP28371885A JP28371885A JPS62141773A JP S62141773 A JPS62141773 A JP S62141773A JP 28371885 A JP28371885 A JP 28371885A JP 28371885 A JP28371885 A JP 28371885A JP S62141773 A JPS62141773 A JP S62141773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- anode
- cathode
- emitter layer
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は順次導電形を異にするｐｎｐｎ層のアノードを
形成するｐエミッタ層をｎ形不純物により短絡したＧＴ
Ｏサイリスタに関する。
形成するｐエミッタ層をｎ形不純物により短絡したＧＴ
Ｏサイリスタに関する。
ＯＴＯサイリスタにおいて、アノードを形成するｐエミ
ッタ層の、カソードセグメント中央部直下に位置する部
分をｎ形不純物で短絡することは部に知られている。第
３［Ｊａ、ｂ、ｃはそのような従来のＧ Ｔ’ Ｏサイ
リスタのそれぞれカソード部分の平面図、カソード部分
の長手側を横方向から見た厚さ方向の断面口、カソード
部分の幅側を長手方向に向って見た厚さ方向の断面口で
あり、ｌはｐエミッタ層よりなるカソードセグメント、
２はアノードを形成するｐエミッタ層、３はアノード２
のカソードセグメント直下における内側に位置する部分
をｎ形不純物で短絡したアノ−トノヨード部、４はｎベ
ース層、５はｐベース層であり、このアノードショート
部（二よってアノードのｐエミッタ層からの正孔の注入
効率をおさえることにより、ＧＴＯｆイリスタのターン
オフ時間が短かくなり、またターンオフ時におけるＯＴ
Ｏサイリスタのカソードセグメント中央部への電流集中
もおさえられるという特長がある。
ッタ層の、カソードセグメント中央部直下に位置する部
分をｎ形不純物で短絡することは部に知られている。第
３［Ｊａ、ｂ、ｃはそのような従来のＧ Ｔ’ Ｏサイ
リスタのそれぞれカソード部分の平面図、カソード部分
の長手側を横方向から見た厚さ方向の断面口、カソード
部分の幅側を長手方向に向って見た厚さ方向の断面口で
あり、ｌはｐエミッタ層よりなるカソードセグメント、
２はアノードを形成するｐエミッタ層、３はアノード２
のカソードセグメント直下における内側に位置する部分
をｎ形不純物で短絡したアノ−トノヨード部、４はｎベ
ース層、５はｐベース層であり、このアノードショート
部（二よってアノードのｐエミッタ層からの正孔の注入
効率をおさえることにより、ＧＴＯｆイリスタのターン
オフ時間が短かくなり、またターンオフ時におけるＯＴ
Ｏサイリスタのカソードセグメント中央部への電流集中
もおさえられるという特長がある。
しかしながら実際の電流上中という点から見ると、現在
製造されているｏ ’ｒ ｏサイリスタの微細加工では
、フォトプロセス士わずかのずれが出ることは避けられ
ず、その際このずれはＯＴＯす・イリスクのカソードセ
グメントの曲率部にもつとも大きく表われることになる
。このため現在製造されているＯＴＯサイリスタの電流
集中は、カソードセグメントの曲率部で起こりやすく、
ターンオフ時の破壊はこの部分で発生することが多かっ
た。
製造されているｏ ’ｒ ｏサイリスタの微細加工では
、フォトプロセス士わずかのずれが出ることは避けられ
ず、その際このずれはＯＴＯす・イリスクのカソードセ
グメントの曲率部にもつとも大きく表われることになる
。このため現在製造されているＯＴＯサイリスタの電流
集中は、カソードセグメントの曲率部で起こりやすく、
ターンオフ時の破壊はこの部分で発生することが多かっ
た。
本発明の目的は、製造工程におけるマスクずれ等の結果
発生するＧＴＯサイリスタのターンオフ時の電流集中を
防止し、可制御電流を大幅Ｃ二向上させることのできる
ＧＴＯチイリヌタを提供することにある。
発生するＧＴＯサイリスタのターンオフ時の電流集中を
防止し、可制御電流を大幅Ｃ二向上させることのできる
ＧＴＯチイリヌタを提供することにある。
本発明は、カソード側セグメント中央部の直下および曲
率部の直下に位置するアノードのｐエミッタ層部分をｎ
形不純物により短絡することにより、ＧＴＯサイリスタ
のターンオフ時の電流集中を防止し、可制御電流を向上
させるものである。
率部の直下に位置するアノードのｐエミッタ層部分をｎ
形不純物により短絡することにより、ＧＴＯサイリスタ
のターンオフ時の電流集中を防止し、可制御電流を向上
させるものである。
〔発明の実施例〕
次（二本発明の実施例を図面（一ついて説明する。
第１図ａ、 ｂ、 ｅは本発明の実施例のカソード
部分のそれぞれ平面図、長手側を横方向から見た厚さ方
向の断面図、幅側を長手方向に向って見た厚さ方向の断
面図である。
部分のそれぞれ平面図、長手側を横方向から見た厚さ方
向の断面図、幅側を長手方向に向って見た厚さ方向の断
面図である。
図において、１はカソードセグメント、２はアノードを
形成するｐエミツタ層、３は７ノードシヨート部、４は
ｎペース層、５はｐベース層である。７ノ一ドシヨート
部３はカソードセグメントｌの中央部の直下に位置する
部分３Ａと、カソードセグメン）１の曲率部６の直下に
位置する部分３Ｂとから形成されており、酸化膜を付さ
れたｐｎｐｎ４層構造のｐエミッタ層部分にフォト技術
Ｃ二より７ノードシヨートパターンを形成した後、短絡
したい部分の酸化膜をはく離し、ｎ形不純物をこの部分
に拡散することによって作ることができる。
形成するｐエミツタ層、３は７ノードシヨート部、４は
ｎペース層、５はｐベース層である。７ノ一ドシヨート
部３はカソードセグメントｌの中央部の直下に位置する
部分３Ａと、カソードセグメン）１の曲率部６の直下に
位置する部分３Ｂとから形成されており、酸化膜を付さ
れたｐｎｐｎ４層構造のｐエミッタ層部分にフォト技術
Ｃ二より７ノードシヨートパターンを形成した後、短絡
したい部分の酸化膜をはく離し、ｎ形不純物をこの部分
に拡散することによって作ることができる。
カソードセグメント曲率部属下のｐエミツタ層はｎ形不
純物（例えばリン）を拡散した層であり、この部分では
正孔の注入が行われず、電流は流れないようご−なって
おり、このためターンオフ時にカソードセグメント部の
曲率部６には電流が始めから流れておらず、電流集中は
起こらない。したがってこの部分（二おけるターンオフ
時の破壊は起こらないことになる。
純物（例えばリン）を拡散した層であり、この部分では
正孔の注入が行われず、電流は流れないようご−なって
おり、このためターンオフ時にカソードセグメント部の
曲率部６には電流が始めから流れておらず、電流集中は
起こらない。したがってこの部分（二おけるターンオフ
時の破壊は起こらないことになる。
また、アノード側の注入効率の低下によりターンオフ時
間は短かく、ティルミ流は小さくなるという長所も１尋
られる。
間は短かく、ティルミ流は小さくなるという長所も１尋
られる。
本発明によれば、従来、微細加工におけるフォトプロセ
ス上の問題などから均一に形成することの困難なカソー
ドセグメントの曲率部に対して、ターンオフ時に電流集
中が起こるのを防ぐことができ、その結果可制御電流を
飛躍的Ｃ二向上させることができる。第２因は本発明の
ＯＴＯサイリスタと従来のＧＴＯサイリスタとの再割ａ
ｌ電流を比較して示したものゼ、Ａはアノードショート
なしの従来のＧＴＯｆイリスタ、Ｂはアノードショート
型の従来のＧＴＯサイリスク、Ｃは本発明によるＧＴＯ
サイリスタを示し、可制御電流が従来のものＣ二比較し
て平均値で約１．６倍となっている。
ス上の問題などから均一に形成することの困難なカソー
ドセグメントの曲率部に対して、ターンオフ時に電流集
中が起こるのを防ぐことができ、その結果可制御電流を
飛躍的Ｃ二向上させることができる。第２因は本発明の
ＯＴＯサイリスタと従来のＧＴＯサイリスタとの再割ａ
ｌ電流を比較して示したものゼ、Ａはアノードショート
なしの従来のＧＴＯｆイリスタ、Ｂはアノードショート
型の従来のＧＴＯサイリスク、Ｃは本発明によるＧＴＯ
サイリスタを示し、可制御電流が従来のものＣ二比較し
て平均値で約１．６倍となっている。
第１図ａ、 ｂ、 ｃは本発明の実施例のカソード
部分のそれぞれ平面図、長手側断面図１幅側断面図、第
２図は本発明と従来のものの可制御電流゛の値を対比し
た線図、第３［／ａ、ｂ、ｃは従来のＧＴＯサイリスタ
のそれぞれ平面図、長手倹ｊ断面１図、幅側断面図であ
る。 １・・・ カソードセグメント、 ２・・・ｐエミツ
タ層、 ３・・・アノードショー計部、 ３Ａ・・
・カソードセグメントの中央部の直下に位置するアノー
ドショート部分、 ３Ｂ・・・ カソードセグメント
の曲率部の直下に位置するアノードショート部分、
４・・拳 ｎベース層、 ５・・・ ｐベース筋、
６・・・曲率部。 第１図 第２図 ＧＴＯリイリスタのタイプ
部分のそれぞれ平面図、長手側断面図１幅側断面図、第
２図は本発明と従来のものの可制御電流゛の値を対比し
た線図、第３［／ａ、ｂ、ｃは従来のＧＴＯサイリスタ
のそれぞれ平面図、長手倹ｊ断面１図、幅側断面図であ
る。 １・・・ カソードセグメント、 ２・・・ｐエミツ
タ層、 ３・・・アノードショー計部、 ３Ａ・・
・カソードセグメントの中央部の直下に位置するアノー
ドショート部分、 ３Ｂ・・・ カソードセグメント
の曲率部の直下に位置するアノードショート部分、
４・・拳 ｎベース層、 ５・・・ ｐベース筋、
６・・・曲率部。 第１図 第２図 ＧＴＯリイリスタのタイプ
Claims (1)
- １）アノードを形成するｐエミッタ層をｎ形不純物によ
り短絡したアノードショート型ＧＴＯサイリスタにおい
て、カソード側セグメント中央部の直下および曲率部の
直下のｐエミッタ層をｎ形不純物により短絡したことを
特徴とするＧＴＯサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283718A JPH07101738B2 (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | Ｇｔｏサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283718A JPH07101738B2 (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | Ｇｔｏサイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141773A true JPS62141773A (ja) | 1987-06-25 |
| JPH07101738B2 JPH07101738B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17669187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283718A Expired - Lifetime JPH07101738B2 (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | Ｇｔｏサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101738B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112753A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-05 | Hitachi Ltd | Gate turn-off thyristor |
| JPS5778172A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Hitachi Ltd | Gate turn-off thyristor |
| JPS6077464A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60189260A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 逆阻止型ゲートターンオフサイリスタ |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60283718A patent/JPH07101738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56112753A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-05 | Hitachi Ltd | Gate turn-off thyristor |
| JPS5778172A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Hitachi Ltd | Gate turn-off thyristor |
| JPS6077464A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60189260A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 逆阻止型ゲートターンオフサイリスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101738B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |