JPS62138909A - アクチユエ−タの位置決め制御方式 - Google Patents

アクチユエ−タの位置決め制御方式

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Publication number
JPS62138909A
JPS62138909A JP27964985A JP27964985A JPS62138909A JP S62138909 A JPS62138909 A JP S62138909A JP 27964985 A JP27964985 A JP 27964985A JP 27964985 A JP27964985 A JP 27964985A JP S62138909 A JPS62138909 A JP S62138909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
actuator
inchworm
difference
movement
control circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP27964985A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumio Tabata
文夫 田畑
Yuji Sakata
裕司 阪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS62138909A publication Critical patent/JPS62138909A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (J11要〕 高い位置決め精度が要求されるステージにおいて、大き
な可動範囲と高分解能を持つアクチュエータとして、イ
ンチワームがあるが、閉ループでステージの位置制御が
出来ないため、レーザ測長器でステージの位置情報を発
生させ、この位置情報に基づき閉ループでインチワーム
に帰還する制御信号を作成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクチュエータの位置決め制御方式に係り、特
に高精度の位置決めを可能とする制御方式に関する。
半導体製造装置の如く高い位置決め精度を要求されるX
−Yステージにおいて、大きな可動範囲と高分解能を持
つアクチュエータとして、例えは米国Burleigh
社の商品名で、インチワームが提供されている。
このインチワームは三個の圧電素子を組合せ、尺取り虫
運動を行わせて高分解能と長ストロークを実現したアク
チュエータである。
第2図は尺取り虫運動による移動機構の原理を説明する
図である。
第2図(al〜(h)は一連の動作状態を現しており、
(alの1はスピンドル、2はクランプ用圧電素子、3
は移動用圧電素子、4はクランプ用圧電素子で、fb)
〜fhlでは符号の図示は省略する。
(alの状態は移・υ1開始前の状態を示しており、移
動を開始する場合、まず(b)の矢印に示す如く、クラ
ンプ用圧電素子2の電圧を変化(例えば電圧をオフとす
る)させると、クランプ用圧電素子2は収縮してスピン
ドル1をクランプする。次にic)の矢印に示す如く、
移動用圧電素子3の電圧を変化(電圧をオンとする)さ
せると、伸張してクランプ用圧電素子4を矢印方向に移
動させる。
次ぎに(diの矢印に示す如く、クランプ用圧電素子4
の電圧を変化(電圧をオフとする)させると、収縮して
スピンドル1をクランプする。ここでfe)の矢印に示
す如く、クランプ用圧電素子2の電圧をオンとすると、
伸張してスピンドル1を離す。
次に(f)の矢印に示す如く、移動用圧電素子3の電圧
をオフとすると、収縮してクランプ用圧電素子2を移動
方向に引き寄せる。次に(g)の矢印に示す如く、クラ
ンプ用圧電素子2の電圧をオフとして収縮させ、スピン
ドル1をクランプさせる。
次に(h)の矢印に示す如く、クランプ用圧電素子4の
電圧をオンとすると、伸張してスピンドルlを離す。以
後は(C)からの動作を繰り返すことにより、移動用圧
電素子3を固定すれば、スピンドルlは移動用圧電素子
3が伸張した長さだけ、順次移動して行くこととなる。
インチワームは上記の動作原理で移動するスピンドルに
より駆動されるため、高い位置決め精度と長ストローク
を必要とする半導体製造装置に広く用いられているが、
外部に設けた測長器からの信号により、閉ループで制御
する簡易な手段が要望されている。
〔従来の技術〕
インチワームは、外部から入力するオン/オフ信号に基
づき、前進/後退の動作と、高速/低速の動作と、移動
/停止の動作を指示することが可能であるが、このオン
/オフ信号は外部から開ループで動作させるために設定
されているものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の如く、インチワームは外部から開ループで制御す
る方法しか無いため、超高精密位置決めを可能とする機
構を実現することが出来ないという問題がある。
本発明はこのような問題点に鑑み、例えば超高精密に距
離を測定することが可能なレーザ測長器を用い、このレ
ーザ測長器の測定結果を閉ループで帰還し、希望する位
置に自動的に位置決め制御することを可能とするもので
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明の一実施例を示す回路のブロック図であ
る。
5はインチワーム11の移動先を示す目標位置の指定と
、インチワーム11の現在位置から移動距離を計算し、
インチワーム11の移動速度の切替えを指示するプロセ
ッサ、6はインチワーム11の目標位置をセットする目
標位置カウンタである。
7はインチワーム11の現在位置をセットする現在位置
カウンタ、8は目標位置カウンタ6と、現在位置カウン
タ7の値の差を求め、インチワーム11を前進させるか
後退させるかを指示する符号信号と、インチワーム11
を移動させるか停止させるかを指示する差信号を作成す
る引算回路である。
9は引算回路8の総てのビットを制御回路10に送出す
るOR回路、10はインチワーム11をHill ’4
11する制御回路、11はインチワーム、12はインチ
ワーム11の移動距離を超高精度で測定するレーザ測長
器、13はレーザ測長器12の測定結果をアップ/ダウ
ンパルスに変換するパルスコンバータである。
レーザ測長器12はインチワーム11の現在位置を高精
度に検出し、その結果を現在位置カウンタ7にセットす
ることにより、引算回路8がプロセッサ5がセットした
目標位置カウンタ6から、目標位置との差を求めること
で、制御回路IOに閉ループで帰還し、インチワーム1
1を制御する構成とする。
〔作用〕
上記構成とすることにより、制御回路10はレーザ測長
器12の測定結果から、プロセッサ5が送出する速度切
替え信号と、引算回路8が目標位置レジスタ6と現在位
置レジスタ7の値から検出する前進又は後退の信号及び
移動又は停止の信号を受け、インチワーム11の位置決
め制御を行うことが出来る。
〔実施例〕
第1図において、プロセッサ5は目標位置カウンタ6に
、インチワーム11の移動先の目標位置をセットする。
レーザ測長器12はインチワーム11にレーザ光を照射
して、その反射光から距離を計測し、パルスコンバータ
13に計測結果を送出する。
パルスコンバータ13は該計測結果をアップ/ダウンパ
ルスに変換して、現在位置カウンタ7にセットする。プ
ロセッサ5は現在位置カウンタ7のセントされた値と、
目標位置カウンタ6にセットした値との差を求め、イン
チワーム11の位置が目標位置と離れている場合は、イ
ンチワーム11の位置決め時間を短縮するため、制御回
路10の入力端子Cに高速で移動させる信号、例えばオ
ン信号を送出する。
又プロセッサ5は現在位置カウンタ7の変化する値から
、常時目標位置と現在位置との差を計算し、その差の絶
対値が所定の値以下となると、低速で移動させる信号、
オフ信号を制御回路10の入力端子Cに送出する。これ
は高速のままインチワーム11の位置決めを行わせると
、停止時に発振することがあるためで、インチワーム1
1の停止直前に低速とする必要があるためである。
引算回路8は目標位置カウンタ6の値と現在位置カラン
タフの値との差を求め、その差の正負を検出し、例えば
正の場合オン信号を、負の場合オフ信号を、制御回路1
0の入力端子Aに送出する。
制御回路10は入力端子Aにオン信号が入るとインチワ
ーム11を前進させ、オフ信号が入るとインチワーム1
1を後退させる。
又引算回路8は目標位置カウンタ6の値と現在位置カウ
ンタ7の値の差がOとなると、OR回路9に送出する全
ビットを“0”とするが、差がある場合はその差に応じ
て“1”を送出する。従ってOR回路9はその差がOの
時オフ信号を、差がある時はオン信号を制御回路10の
入力端子Bに送出する。制御回路10は入力端子Bにオ
ン信号が入力する間はインチワーム11の移動をm続さ
せ、オフ信号が入力すると停止を指示する。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明は閉ループで高精度の位置情
報を帰還することが可能となるため、インチワームを高
速で且つ安定に高精度で位置決めさせることが出来ると
共に、ディジタル回路で構成されるため、調整する手間
が省ける効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路のブロック図、 第2図は尺取り主運動による移動機構の原理を説明する
図である。 図において、 1はスピンドル、  2,4はクランプ用圧電素子、3
は移動用圧電素子、5はプロセッサ、6は目標位置カウ
ンタ、 7は現在位置カウンタ、 8は引算回路、    9はOR回路、10は制?11
1回路、   11はインチワーム、12はレーザ測長
器、 13はパルスコンバータである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 前進/後退の動作と、移動/停止の動作と、高速/低速
    の動作とを外部より指示することが可能な制御回路(1
    0)と、該制御回路(10)により駆動される圧電素子
    を使用してステージを高精度で位置決めするアクチュエ
    ータ(11)において、 前記ステージの移動距離を検出する測定手段(12、1
    3)と、 該測定手段(12、13)の測定結果に基づき、前記ア
    クチュエータ(11)の現在位置をセットする第1の計
    数手段(7)と、 前記アクチュエータ(11)の移動先を示す目標位置を
    セットする第2の計数手段(6)と、該第2の計数手段
    (6)に該目標位置をセットすると共に、前記第1の計
    数手段(7)の値から前記アクチュエータ(11)の移
    動距離を算出し、該アクチュエータ(11)の移動速度
    の切替えを指示する演算手段(5)と、 前記第1の計数手段(7)と第2の計数手段(6)の値
    の差を求め、該アクチュエータ(11)の前進又は後退
    を指示する信号及び移動又は停止を指示する信号を作成
    する引算手段(8)とを設け、 前記測定手段(12、13)が測定した該アクチュエー
    タ(11)の位置情報を、前記制御回路(10)に閉ル
    ープで帰還し、該アクチュエータ(11)の前進又は後
    退、移動又は停止及び高速移動又は低速移動の各制御信
    号に変換することを特徴とするアクチュエータの位置決
    め制御方式。
JP27964985A 1985-12-12 1985-12-12 アクチユエ−タの位置決め制御方式 Pending JPS62138909A (ja)

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JPS62138909A true JPS62138909A (ja) 1987-06-22

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ID=17613921

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JP27964985A Pending JPS62138909A (ja) 1985-12-12 1985-12-12 アクチユエ−タの位置決め制御方式

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JP (1) JPS62138909A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0330250A (ja) * 1989-06-28 1991-02-08 Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk 走査トンネル顕微鏡
US6552556B1 (en) * 1999-03-31 2003-04-22 Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry Prober for electrical measurement of potentials in the interior of ultra-fine semiconductor devices, and method of measuring electrical characteristics with said prober

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0330250A (ja) * 1989-06-28 1991-02-08 Hikari Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Kk 走査トンネル顕微鏡
US6552556B1 (en) * 1999-03-31 2003-04-22 Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry Prober for electrical measurement of potentials in the interior of ultra-fine semiconductor devices, and method of measuring electrical characteristics with said prober

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