JPS6213586A - イオン交換膜電解槽 - Google Patents
イオン交換膜電解槽Info
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- JPS6213586A JPS6213586A JP61103926A JP10392686A JPS6213586A JP S6213586 A JPS6213586 A JP S6213586A JP 61103926 A JP61103926 A JP 61103926A JP 10392686 A JP10392686 A JP 10392686A JP S6213586 A JPS6213586 A JP S6213586A
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- Japan
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- ion exchange
- exchange membrane
- membrane
- cathode
- electrolysis
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン交換膜電解槽、特に塩化アルカリ水溶
液の電解に適したイオン交換膜電解槽に関する。
液の電解に適したイオン交換膜電解槽に関する。
塩化アルカリ水溶液を電解して苛性アルカリと塩素を得
る方法は近年公害防止の見地から、水銀法に代り、隔膜
法が、そして更に高純度、高濃度に苛性アルカリを得る
目的でイオン交換膜を用いる方法が実用化されてい、る
。
る方法は近年公害防止の見地から、水銀法に代り、隔膜
法が、そして更に高純度、高濃度に苛性アルカリを得る
目的でイオン交換膜を用いる方法が実用化されてい、る
。
一方、省エネルギーの観点からこの種の電解においては
、電解電圧の極力低くすることが至E命令ともいえるこ
とであるが、近年、含フツ素陽イオン交換膜の一方の面
にガス透過性の多孔質の陽極及び陰極をそれぞれ密接せ
しめて電解する所MI S P E (Solid P
o1yner Electrolyte)型塩化アルカ
リ電解(例えば、特開昭53−52297号公報、特開
昭52−78788号公報)が知られている。
、電解電圧の極力低くすることが至E命令ともいえるこ
とであるが、近年、含フツ素陽イオン交換膜の一方の面
にガス透過性の多孔質の陽極及び陰極をそれぞれ密接せ
しめて電解する所MI S P E (Solid P
o1yner Electrolyte)型塩化アルカ
リ電解(例えば、特開昭53−52297号公報、特開
昭52−78788号公報)が知られている。
摺電圧の低下効果が得られる。
従来のイオン交11!8!膜は、プレス成形、ロール成
型、押出し成型、溶液流延法などの多くの手段で製膜さ
れるが、かくして得られるイオン交換膜の表面は、いず
れも平滑な表面を有し、本発明の如く微細な凹凸を有し
ない、更に、ある場合には、か覧る如き凹凸を有するイ
オン交換膜をもつ膜があるかもしれないが、か−る膜が
特に電極と接触されて使用された場合、平滑な表面を有
するイオン交換膜と比べて、著しく小さい摺電圧が得ら
れることは、従来報告のない新規な事実である。
型、押出し成型、溶液流延法などの多くの手段で製膜さ
れるが、かくして得られるイオン交換膜の表面は、いず
れも平滑な表面を有し、本発明の如く微細な凹凸を有し
ない、更に、ある場合には、か覧る如き凹凸を有するイ
オン交換膜をもつ膜があるかもしれないが、か−る膜が
特に電極と接触されて使用された場合、平滑な表面を有
するイオン交換膜と比べて、著しく小さい摺電圧が得ら
れることは、従来報告のない新規な事実である。
この新規な現象は、例えばイオン交換膜と極との間の距
離を変えた場合の摺電圧の変化を示した添付第2図から
説明される。
離を変えた場合の摺電圧の変化を示した添付第2図から
説明される。
第2図において横軸は、イオン交換膜−陰極間距離(m
/a)であり、縦軸は摺電圧を示し、本発明の表面粗面
化膜を使用した場合が(A)であり、従来の表面平滑膜
を使用した場合が(B)で示される。かかる第2図から
明らかなように、従来膜(B)の場合膜−極間距離が小
さくなるにつれて摺電圧が低下するが、該距離が余り小
さくなると逆に摺電圧が急激に上昇してしまう現象が見
られる。従来膜でも膜と電極とが接触し。
/a)であり、縦軸は摺電圧を示し、本発明の表面粗面
化膜を使用した場合が(A)であり、従来の表面平滑膜
を使用した場合が(B)で示される。かかる第2図から
明らかなように、従来膜(B)の場合膜−極間距離が小
さくなるにつれて摺電圧が低下するが、該距離が余り小
さくなると逆に摺電圧が急激に上昇してしまう現象が見
られる。従来膜でも膜と電極とが接触し。
た場合には電圧は再び低下するが、工業用電解槽におい
て運転中ガス圧の変動もあり、膜−電極を全面積にわた
って均一に接触させることは極めて困難であり、かくし
て従来膜の場合には部分的に膜−電極が離れたときにそ
の部分の摺電圧が上昇して結局全体の摺電圧が大きくな
ってしまうことになる。
て運転中ガス圧の変動もあり、膜−電極を全面積にわた
って均一に接触させることは極めて困難であり、かくし
て従来膜の場合には部分的に膜−電極が離れたときにそ
の部分の摺電圧が上昇して結局全体の摺電圧が大きくな
ってしまうことになる。
一方1本発明の表面粗面化膜の(A)の場合には膜−極
間距離を小さくせしめていった場合、摺電圧は連続的に
減少していき、従来の表面平滑膜(B)の場合で見られ
たJ1!電圧の上昇現象は見られない、そして、膜−電
極が接触した場合において最低摺電圧が得られ、しかも
膜が部分的に電極から離れた場合にもその部分の摺電圧
は急激に上昇することがないので、膜−電極が均一に接
触しにくい工業的電解槽の運転中においても低い摺電圧
が安定して得られる。
間距離を小さくせしめていった場合、摺電圧は連続的に
減少していき、従来の表面平滑膜(B)の場合で見られ
たJ1!電圧の上昇現象は見られない、そして、膜−電
極が接触した場合において最低摺電圧が得られ、しかも
膜が部分的に電極から離れた場合にもその部分の摺電圧
は急激に上昇することがないので、膜−電極が均一に接
触しにくい工業的電解槽の運転中においても低い摺電圧
が安定して得られる。
木発明者の研究によると、イオン交換膜の陰極側更には
陰極側及び陽極側の表面に形成される微細な凹凸は、膜
面からの深さ又は高さが、平均0.01〜50μ、好ま
しくは平均0.1〜20μとし、また、膜面1cmZあ
たり、平均103〜1015個、好ましくは平均105
〜1012個の微細な凹部又は凸部から形成される。凹
凸の表面形状は、円形又は矩形などの適宜のものが選ば
れ、またその断面形状も楔形2円形、矩形などの適宜の
ものが使用される。そして、上記凹凸によって形成され
る膜の粗面化表面層の厚みは、膜の残りの層の厚みに比
べて、下記実施例、に示されるように、当然のことなが
ら、小さくせしめられる。
陰極側及び陽極側の表面に形成される微細な凹凸は、膜
面からの深さ又は高さが、平均0.01〜50μ、好ま
しくは平均0.1〜20μとし、また、膜面1cmZあ
たり、平均103〜1015個、好ましくは平均105
〜1012個の微細な凹部又は凸部から形成される。凹
凸の表面形状は、円形又は矩形などの適宜のものが選ば
れ、またその断面形状も楔形2円形、矩形などの適宜の
ものが使用される。そして、上記凹凸によって形成され
る膜の粗面化表面層の厚みは、膜の残りの層の厚みに比
べて、下記実施例、に示されるように、当然のことなが
ら、小さくせしめられる。
イオン交換膜の表面に微細な凹凸を設ける手段としては
、種々のものが採用され、例えばサンドブラスト法、ワ
イヤブラシによるブラッシング法、サンドペーパーによ
る摩擦法などが選ばれる。なかでも、次の方法は1表面
の凹凸の形状を制御できるので特に好ましい・ 即ち、比較的硬度の大きい粒状物から形成された粒子層
をイオン交換膜面に、好ましくは加熱、圧着して設け、
しかる後、か−る粒子層を除去することにより、膜面に
凹凸が形成される。かへる場合、膜面に形成される凹凸
は、使用する粒状物の粒度及び加熱、圧着の程度により
凹凸の形状が制御できる。ご覧で使用する粒状物は、好
ましくは粒径0.01〜100p、特には0.1〜20
JLを有し、イオン交換膜に圧着されたときに、膜面に
微細な凹凸を形成しうる硬度を有すればよい、か−る粒
状物としては、後に続く粒子層を除去する手段によって
も異なるが、種々のものが使用される0例えば、鉄族金
属(鉄、ニッケル、コバルト等)1周期律表■−A族金
属(スズ、ゲルマニウムなど)、アルミニウム、亜鉛、
アンチモン、ビスマスなどの単体1合金又は酷化物など
イオン交換膜を損なわない限り、適宜の粉末が使用され
る。
、種々のものが採用され、例えばサンドブラスト法、ワ
イヤブラシによるブラッシング法、サンドペーパーによ
る摩擦法などが選ばれる。なかでも、次の方法は1表面
の凹凸の形状を制御できるので特に好ましい・ 即ち、比較的硬度の大きい粒状物から形成された粒子層
をイオン交換膜面に、好ましくは加熱、圧着して設け、
しかる後、か−る粒子層を除去することにより、膜面に
凹凸が形成される。かへる場合、膜面に形成される凹凸
は、使用する粒状物の粒度及び加熱、圧着の程度により
凹凸の形状が制御できる。ご覧で使用する粒状物は、好
ましくは粒径0.01〜100p、特には0.1〜20
JLを有し、イオン交換膜に圧着されたときに、膜面に
微細な凹凸を形成しうる硬度を有すればよい、か−る粒
状物としては、後に続く粒子層を除去する手段によって
も異なるが、種々のものが使用される0例えば、鉄族金
属(鉄、ニッケル、コバルト等)1周期律表■−A族金
属(スズ、ゲルマニウムなど)、アルミニウム、亜鉛、
アンチモン、ビスマスなどの単体1合金又は酷化物など
イオン交換膜を損なわない限り、適宜の粉末が使用され
る。
これらの粒状物からイオン交換膜面に粒子層を形成する
にあたっては、特開昭54−112398号公報に記載
される電極活性を有する粒状物の粒子層を形成するなど
任意の手段が採用される。
にあたっては、特開昭54−112398号公報に記載
される電極活性を有する粒状物の粒子層を形成するなど
任意の手段が採用される。
例えば1粒状物を、必要に応じて、ポリテトラフルオロ
エチレン、ポリへキサフルオロエチレンなどのフルオロ
カーボン重合体などの結合剤、カルボキシメチルセルロ
ース、メチルセルロースなどの水可溶性の諌剤等を、水
やアルコール類などの適宜の媒体中で混合する0次いで
、混合物を濾過法により、フィルター上に粒子層のケー
キを得、該ケーキを膜面に付着させるか、又は上記混合
物をペースト状にし、これをスクリーン印刷法などによ
り膜面に付着させる。付着粒子層は、次いで好ましくは
80〜220℃、1〜150Kg/etdにて膜面に加
熱、圧着させ、好ましくは、一部股面に埋め込むように
される。膜面の粒子層は、多孔率が、好ましくは10〜
93%、厚みが好ましくは0.01〜200 u、にさ
れる。
エチレン、ポリへキサフルオロエチレンなどのフルオロ
カーボン重合体などの結合剤、カルボキシメチルセルロ
ース、メチルセルロースなどの水可溶性の諌剤等を、水
やアルコール類などの適宜の媒体中で混合する0次いで
、混合物を濾過法により、フィルター上に粒子層のケー
キを得、該ケーキを膜面に付着させるか、又は上記混合
物をペースト状にし、これをスクリーン印刷法などによ
り膜面に付着させる。付着粒子層は、次いで好ましくは
80〜220℃、1〜150Kg/etdにて膜面に加
熱、圧着させ、好ましくは、一部股面に埋め込むように
される。膜面の粒子層は、多孔率が、好ましくは10〜
93%、厚みが好ましくは0.01〜200 u、にさ
れる。
かくして形成されたイオン交換膜の粒子層は1次いでI
Q而から除去される。除去される手段は、物理的又は化
学的の任意の手段が採用される0例えば1粒子層を表面
に有するイオン交換膜を、膜を膨潤されるような酸、ア
ルカリ又はアルコールなどの溶媒中に浸漬させ、そのと
きに生じる多孔層と膜との膨潤度の差により粒子層を剥
離させることができる。また、例えば粒子層自体を特定
の溶液に対して溶解度の大きい粒状物から形成し、膜面
に粒子層を形成させた後、該多孔層を上記溶液中に浸漬
することにより、上記粒状物を溶出させてもよい。
Q而から除去される。除去される手段は、物理的又は化
学的の任意の手段が採用される0例えば1粒子層を表面
に有するイオン交換膜を、膜を膨潤されるような酸、ア
ルカリ又はアルコールなどの溶媒中に浸漬させ、そのと
きに生じる多孔層と膜との膨潤度の差により粒子層を剥
離させることができる。また、例えば粒子層自体を特定
の溶液に対して溶解度の大きい粒状物から形成し、膜面
に粒子層を形成させた後、該多孔層を上記溶液中に浸漬
することにより、上記粒状物を溶出させてもよい。
例えば、亜鉛、アルミニウム、スズ、ジルコニウム、ア
ンチモンなどからなる粒子層を形成した場合には、苛性
アルカリ中に浸漬することにより溶出でき、また、クロ
ム、コバルト、スズ、鉄、ニッケル、亜鉛、アルミニウ
ムなどから粒子層を形成した場合には、酸中に浸漬する
ことにより溶出できる。
ンチモンなどからなる粒子層を形成した場合には、苛性
アルカリ中に浸漬することにより溶出でき、また、クロ
ム、コバルト、スズ、鉄、ニッケル、亜鉛、アルミニウ
ムなどから粒子層を形成した場合には、酸中に浸漬する
ことにより溶出できる。
また、イオン交換膜面に微細な凹凸を形成する手段とし
て、サンドブラスト法、ブラッシング法、サントペーパ
ー法などを採用する場合には、それらの方法に応じて既
知の任意の手段が採用できる。また、その際、イオン交
換膜は。
て、サンドブラスト法、ブラッシング法、サントペーパ
ー法などを採用する場合には、それらの方法に応じて既
知の任意の手段が採用できる。また、その際、イオン交
換膜は。
必要に応じて加熱するなどの適宜の付加的手段も採用で
きる。
きる。
本発明において、微細な凹凸が形成されるイオン交換膜
としては、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基
、フェノール性水酸基などの陽イオン交換基を有する。
としては、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基
、フェノール性水酸基などの陽イオン交換基を有する。
好ましくは含フツ素重合体からなる膜が好ましい、か−
る膜としでは1例えば、テトラフルオロエチレン、クロ
コトリフルオロエチレンなどのビニルモノマーと、スル
ホン酸、カルボン酩、リン酸基などのイオン交換基含有
フルオロビニルモノマート(7)共重合体構造を有する
ものが好ましい。
る膜としでは1例えば、テトラフルオロエチレン、クロ
コトリフルオロエチレンなどのビニルモノマーと、スル
ホン酸、カルボン酩、リン酸基などのイオン交換基含有
フルオロビニルモノマート(7)共重合体構造を有する
ものが好ましい。
特に、以下の (イ)、(ロ)の構造からなる重合体の
使用が特に好ましい。
使用が特に好ましい。
(イ) 千 CF2− CXX ’ +(ロ)
千 〇F2−0X+ ここでXはF、 C文、H又は−CF3であり、X’
はX又it CF3 (CF2 )II+テアリーは1
〜5であり、Yは次のものから選ばれる。
千 〇F2−0X+ ここでXはF、 C文、H又は−CF3であり、X’
はX又it CF3 (CF2 )II+テアリーは1
〜5であり、Yは次のものから選ばれる。
÷CF2+、A 、 −0÷CF2+A。
千〇−CF、 −CF +A 、 −CF2−0÷O
F2+、 Ay !+ 1+ 2は、ともに0〜10であり、 z 、
Rf′は。
F2+、 Ay !+ 1+ 2は、ともに0〜10であり、 z 、
Rf′は。
−F又が炭素数1 #10のパーフルオロアルキル基か
ら選ばれる。また、Aは−SO,M 、 −(:00M
又は加水分解により、これらの基に転化しうる一5Q2
F、 −CM、−COF又は−C0ORテアリ、xは水
素又はアルカリ金属、Rは炭素数1〜10のアルキル基
を示す。
ら選ばれる。また、Aは−SO,M 、 −(:00M
又は加水分解により、これらの基に転化しうる一5Q2
F、 −CM、−COF又は−C0ORテアリ、xは水
素又はアルカリ金属、Rは炭素数1〜10のアルキル基
を示す。
本発明において使用される陽イオン交換膜は、イオン交
換容量が、好ましくは0.5〜4.0ミリ当量/グラム
乾燥樹脂、特には0.8〜2.0ミリ当呈/グラム乾燥
樹脂であるのが好ましい、か−るイオン交換容量を与え
るため、上記(イ)及び(ロ)の重合単位からなる共重
合体からなるイオン交換膜の場合、好ましくは(ロ)の
重合単位が、好ましくは1〜40モル%、特には3〜2
5モル%であるのが適当である。
換容量が、好ましくは0.5〜4.0ミリ当量/グラム
乾燥樹脂、特には0.8〜2.0ミリ当呈/グラム乾燥
樹脂であるのが好ましい、か−るイオン交換容量を与え
るため、上記(イ)及び(ロ)の重合単位からなる共重
合体からなるイオン交換膜の場合、好ましくは(ロ)の
重合単位が、好ましくは1〜40モル%、特には3〜2
5モル%であるのが適当である。
本発明で使用される陽イオン交換膜は、必ずしも一種の
重合体から形成する必要はなく、また一種類のイオン交
換基だけを有する必要はない0例えば、イオン交換容量
として、陰極側がより小さい二種類の重合体の積層膜、
陰極側がカルボン酸基などの弱酸性交換基で、陽極側が
スルホン酸基などの強酸性交換基をもつ積層膜も使用で
きる。
重合体から形成する必要はなく、また一種類のイオン交
換基だけを有する必要はない0例えば、イオン交換容量
として、陰極側がより小さい二種類の重合体の積層膜、
陰極側がカルボン酸基などの弱酸性交換基で、陽極側が
スルホン酸基などの強酸性交換基をもつ積層膜も使用で
きる。
これらのイオン交換膜は、従来既知の種々の方法で製造
され、また、これらのイオン交換膜は、必要により、好
ましくはポリテトラフルオロエチレンなどの含フツ素重
合体からなる布、網などの織物、不、織布又は金属製の
メツシュ、多孔体などで補強することができる。また、
本発明のイオン交換膜の厚みは、好ましくは20〜50
0IL、好ましくは50〜400弘にせしめられる。
され、また、これらのイオン交換膜は、必要により、好
ましくはポリテトラフルオロエチレンなどの含フツ素重
合体からなる布、網などの織物、不、織布又は金属製の
メツシュ、多孔体などで補強することができる。また、
本発明のイオン交換膜の厚みは、好ましくは20〜50
0IL、好ましくは50〜400弘にせしめられる。
これらイオン交換膜の表面に、サンドブラスト法、ブラ
ッシング法、サンドペーパー法、更には予め多孔層を形
成して微細な凹凸を形成する場合1M5!は、その有す
るイオン交換基の分解を招かないような適宜のイオン交
換基の形態。
ッシング法、サンドペーパー法、更には予め多孔層を形
成して微細な凹凸を形成する場合1M5!は、その有す
るイオン交換基の分解を招かないような適宜のイオン交
換基の形態。
例えば、カルボン酸基のときは、酸又はエステル型又は
アルカリ金属塩型で、またスルホン融基のときは、−9
O2FMで行なうのが好ましい。
アルカリ金属塩型で、またスルホン融基のときは、−9
O2FMで行なうのが好ましい。
本発明の電解槽では、いずれの形式の電極も使用される
0例えば、多孔板、網又はエキスパンデッドメタルなど
の空隙性電極が使用される。空隙性電極としては、長径
1.O〜lhm、短径0.5〜1oads、線径0.1
〜1.3mm 、開孔率30〜90%のエキスパンデッ
ドメタルが例示される。
0例えば、多孔板、網又はエキスパンデッドメタルなど
の空隙性電極が使用される。空隙性電極としては、長径
1.O〜lhm、短径0.5〜1oads、線径0.1
〜1.3mm 、開孔率30〜90%のエキスパンデッ
ドメタルが例示される。
また、複数の板状電極も使用することもできるが、空隙
度の違う複数板の電極を使用して空隙度の小さいものを
膜に近接して使用するのが好ましい。
度の違う複数板の電極を使用して空隙度の小さいものを
膜に近接して使用するのが好ましい。
陽極材質としては1通常、白金族金属、その導電性酸化
物又はその導電性還元酸化物等が使用され、一方陰極と
しては、白金族金属、その導電性酸化物又は鉄族金属等
が使用される。
物又はその導電性還元酸化物等が使用され、一方陰極と
しては、白金族金属、その導電性酸化物又は鉄族金属等
が使用される。
なお、白金族金属としては、白金、ロジウム、ルテニウ
ム、パラジウム、イリジウムが例示され、また鉄族金属
としては、鉄、コバルト、ニッケル、ラネーニッケル、
安定化ラネーニッケル、ステンレス、アルカリエツチン
グステンレス〔特公昭54−19229号公報)、ラネ
ーニッケルメッキ陰極(特開昭54−112785号公
報)ロダンニッケルメッキ陰極(特開昭53−1158
78号公報)等が例示される。
ム、パラジウム、イリジウムが例示され、また鉄族金属
としては、鉄、コバルト、ニッケル、ラネーニッケル、
安定化ラネーニッケル、ステンレス、アルカリエツチン
グステンレス〔特公昭54−19229号公報)、ラネ
ーニッケルメッキ陰極(特開昭54−112785号公
報)ロダンニッケルメッキ陰極(特開昭53−1158
78号公報)等が例示される。
空隙性の電極を使用する場合は、#電極は。
上記陽極又は陰極を形成する物質それ自体からこれを形
成することができる。しかし、白金族金属又はその導電
性酸化物等を使用するときには、通常チタンやタンタル
などの弁金属のエキスパンデッドメタルの表面にこれら
の物質を被覆せしめて形成するのが好ましい。
成することができる。しかし、白金族金属又はその導電
性酸化物等を使用するときには、通常チタンやタンタル
などの弁金属のエキスパンデッドメタルの表面にこれら
の物質を被覆せしめて形成するのが好ましい。
本発明において、電極を配置する場合イオン交換膜の両
表面が粗面化された場合、陽極及び陰極ともその粗面化
表面に対して、好ましくは加圧下に接触して配置される
。一方、本発明でイオン交換膜の陰極側の表面を粗面化
した場合には、陰極はイオン又I!!!膜面に接触させ
、一方陽極はイオン交換膜面に接触し、或いは接触せず
に配置することができる。
表面が粗面化された場合、陽極及び陰極ともその粗面化
表面に対して、好ましくは加圧下に接触して配置される
。一方、本発明でイオン交換膜の陰極側の表面を粗面化
した場合には、陰極はイオン又I!!!膜面に接触させ
、一方陽極はイオン交換膜面に接触し、或いは接触せず
に配置することができる。
本発明における電解槽は、1記構成を有する限りにおい
て単極型でも複極型でもよい、また電解槽を構成する材
料は、例えば塩化アルカリ水溶液の電解の場合には、陽
極室に、塩化アルカリ水111FM及び塩素に耐性があ
るもの、例えば升金属、チタンが使用され、陰極室に、
水酸化アルカリ及び水素に耐性がある鉄、ステンレス又
はニッケルなど使用される。
て単極型でも複極型でもよい、また電解槽を構成する材
料は、例えば塩化アルカリ水溶液の電解の場合には、陽
極室に、塩化アルカリ水111FM及び塩素に耐性があ
るもの、例えば升金属、チタンが使用され、陰極室に、
水酸化アルカリ及び水素に耐性がある鉄、ステンレス又
はニッケルなど使用される。
第1図は1本発明の電解槽の原理をlIi略的に示した
もので、特に塩化アルカリ水溶液を電解する場合が示さ
れる。イオン交換膜lの陽ai41!4面及び陰極側面
には、それぞれ微細な凹凸2,3か設けられている。イ
オン交換膜には、空隙性の網状陽極4及び網状陰極5が
圧接されている。陽極4及び陰極5は、それぞれ電源の
正及び負端子に接続され、電解電圧を提供する。
もので、特に塩化アルカリ水溶液を電解する場合が示さ
れる。イオン交換膜lの陽ai41!4面及び陰極側面
には、それぞれ微細な凹凸2,3か設けられている。イ
オン交換膜には、空隙性の網状陽極4及び網状陰極5が
圧接されている。陽極4及び陰極5は、それぞれ電源の
正及び負端子に接続され、電解電圧を提供する。
か−る電解槽において、塩化アルカリ水溶液を電解する
場合、FIA極室に塩化アルカリ水溶液(MC!L+8
20)が供給され、−1陰極室には水又は稀釈苛性アル
カリ(H2O)が供給される。塩化アルカリは、陽極4
で電解され、塩素を発生し、アルカリ金属イオン(M+
)は膜を通じて陰極室に移送される。陰極では水が電解
され、水成イオン及び水素を生成する。水鹸イオンは、
膜を通じて移送されたアルカリ金属イオンと結。
場合、FIA極室に塩化アルカリ水溶液(MC!L+8
20)が供給され、−1陰極室には水又は稀釈苛性アル
カリ(H2O)が供給される。塩化アルカリは、陽極4
で電解され、塩素を発生し、アルカリ金属イオン(M+
)は膜を通じて陰極室に移送される。陰極では水が電解
され、水成イオン及び水素を生成する。水鹸イオンは、
膜を通じて移送されたアルカリ金属イオンと結。
合し苛性アルカリを生成する。
本発明における塩化アルカリ水溶液の電解を行なうプロ
セス条件としては、上記した特開昭54−112398
号公報におけるような既知の条件が採用できる0例えば
、陽極室には、好ましくは2.5〜5.0規定(N)の
塩化アルカリ水溶液を供給し、陰極室には、水又は稀釈
水酸化アルカリを供給し、好ましくは80℃〜120℃
、を流密度10− LOOA/dm″で電解される。か
−る場合、塩化アルカリ水溶液中のカルシウム及びマグ
ネシウムなどの重金属イオンは、イオン交換膜の劣化を
招くので、可及的に小さくせしめるのが好ましい、また
、陽極における酸素の発生を極力防止するために塩鯖な
どの酸を塩化アルカリ水溶液に添加することができる。
セス条件としては、上記した特開昭54−112398
号公報におけるような既知の条件が採用できる0例えば
、陽極室には、好ましくは2.5〜5.0規定(N)の
塩化アルカリ水溶液を供給し、陰極室には、水又は稀釈
水酸化アルカリを供給し、好ましくは80℃〜120℃
、を流密度10− LOOA/dm″で電解される。か
−る場合、塩化アルカリ水溶液中のカルシウム及びマグ
ネシウムなどの重金属イオンは、イオン交換膜の劣化を
招くので、可及的に小さくせしめるのが好ましい、また
、陽極における酸素の発生を極力防止するために塩鯖な
どの酸を塩化アルカリ水溶液に添加することができる。
以上は、特に塩化アルカリ水溶液の電解槽として説明し
たが、本発明の電解槽は、水、ノλロゲン敢(塩酸、臭
化水素#)、炭酸アルカリの電解槽としても同様に適用
できることはもちろんである。
たが、本発明の電解槽は、水、ノλロゲン敢(塩酸、臭
化水素#)、炭酸アルカリの電解槽としても同様に適用
できることはもちろんである。
次に本発明を実施例により説明する。
実施例−工
2重量%のメチルセルローズ水溶液10部の線材に対し
て、粒径25ト以下のアルミ粉末5部を混合し、予め充
分混合した後、イソプロピルアルコール2部およびシク
ロヘキサノール1部を添加し再混練してペーストを得た
。
て、粒径25ト以下のアルミ粉末5部を混合し、予め充
分混合した後、イソプロピルアルコール2部およびシク
ロヘキサノール1部を添加し再混練してペーストを得た
。
tλペーストを、メツシュa20Q 、 J?ざ60終
のステンレス製スクリーンで、その下に厚さ8川のスク
リーンマスクを施した印刷板およびポリウレタン製のス
キージ−を用いて、被印刷基材であるイオン交換容量が
1.43meq/g乾燥樹脂、厚さ210隼を有するポ
リテトラフロオロエチレンと CF2=rFo(cF2
)、、C00CH*の共重合体から成るイオン交換膜の
一面に、10cmX 10cmの大きさにスクリーン印
刷した。イオン交換膜の一面に得られた印刷層を空気中
で乾燥し、ペーストを固化させた後、もう一方の面に全
く同様にしてアルミ粉末をスクリーン印刷した。しかる
後、温度140℃、成型圧力30kg/am2の条件で
印刷層をイオン交換膜に圧着した。得られたアルミ層は
、厚さ20島、多孔度68%を有し、アルミが1mH/
am2の割合で含まれていた。
のステンレス製スクリーンで、その下に厚さ8川のスク
リーンマスクを施した印刷板およびポリウレタン製のス
キージ−を用いて、被印刷基材であるイオン交換容量が
1.43meq/g乾燥樹脂、厚さ210隼を有するポ
リテトラフロオロエチレンと CF2=rFo(cF2
)、、C00CH*の共重合体から成るイオン交換膜の
一面に、10cmX 10cmの大きさにスクリーン印
刷した。イオン交換膜の一面に得られた印刷層を空気中
で乾燥し、ペーストを固化させた後、もう一方の面に全
く同様にしてアルミ粉末をスクリーン印刷した。しかる
後、温度140℃、成型圧力30kg/am2の条件で
印刷層をイオン交換膜に圧着した。得られたアルミ層は
、厚さ20島、多孔度68%を有し、アルミが1mH/
am2の割合で含まれていた。
その後9(J’C,25重量%の苛性ソーダ水溶液中で
アルミニウム粉末を溶解除去すると共にメチルセルロー
スを溶出せしめ、さらに90℃、25重;%の苛性ソー
ダ水溶液に16時間浸漬して、前記イオン交換膜を加水
分解した。かくして得られた膜の両面には、原膜面より
の平均の深さ3終、1 ctn2当り平均108個の凹
凸が形成されていた。
アルミニウム粉末を溶解除去すると共にメチルセルロー
スを溶出せしめ、さらに90℃、25重;%の苛性ソー
ダ水溶液に16時間浸漬して、前記イオン交換膜を加水
分解した。かくして得られた膜の両面には、原膜面より
の平均の深さ3終、1 ctn2当り平均108個の凹
凸が形成されていた。
このように処理したイオン膜と、チタンのエキバンプト
メタル(短径2.5mm、長径5mm)に酸化ルテニウ
ム、酸化イリジウム、酸化チタンの固溶体を被覆した陽
極およびニッケルエキスバンプトメタル(短径2.5m
m、長径5mm)からなる陰極を加圧接触させ、陽極室
に5規定の塩化ナトリウム水溶液を、陰極室に水を供給
しつつ、陽極室の塩化ナトリウム濃度を4規定に、また
陰極液の苛性ソーダ濃度を35重量%に保ちつつ、80
℃で電解を行ない、以下の結果を得た。
メタル(短径2.5mm、長径5mm)に酸化ルテニウ
ム、酸化イリジウム、酸化チタンの固溶体を被覆した陽
極およびニッケルエキスバンプトメタル(短径2.5m
m、長径5mm)からなる陰極を加圧接触させ、陽極室
に5規定の塩化ナトリウム水溶液を、陰極室に水を供給
しつつ、陽極室の塩化ナトリウム濃度を4規定に、また
陰極液の苛性ソーダ濃度を35重量%に保ちつつ、80
℃で電解を行ない、以下の結果を得た。
電流密度(A/dm″) 摺電圧(V)20
2.95 40 3.28 また、電流密度40A/dm″における苛性ソーダ生成
の電流効率は94.0%であった。さらに電流密度40
A/dm″で1ケ月電解を続けたところ、槽′Ik圧は
ほぼ一定に保たれた。
2.95 40 3.28 また、電流密度40A/dm″における苛性ソーダ生成
の電流効率は94.0%であった。さらに電流密度40
A/dm″で1ケ月電解を続けたところ、槽′Ik圧は
ほぼ一定に保たれた。
実施例−2
実施例−1においてアルミ粉末の代りに亜鉛粉末を用い
た以外は実施例−1と全く同様にして、亜鉛をイオン膜
に結合させ、実施例−1と全く同様な処理をした後に、
実施例−1と全く同様な条件で電解を行ない、以下の結
果を得た。
た以外は実施例−1と全く同様にして、亜鉛をイオン膜
に結合させ、実施例−1と全く同様な処理をした後に、
実施例−1と全く同様な条件で電解を行ない、以下の結
果を得た。
電流に度(A/d履/) 摺電圧(V)20
2.98 40 3.30 また電流密度40A/da2における苛性ソータ生成の
電流効率は93.5%であった。さらに電流密度40A
/da’で1ケ月電解を続けたところ、摺電IFはほぼ
一定に保たれた。
2.98 40 3.30 また電流密度40A/da2における苛性ソータ生成の
電流効率は93.5%であった。さらに電流密度40A
/da’で1ケ月電解を続けたところ、摺電IFはほぼ
一定に保たれた。
実施例−3
実施例−1において、同実施例と同様にして、その陰極
側のみを粗面化した陽イオン交換膜を用いたほか′は、
実施例−1と全く同様にして電解を行ない、以下の結果
を得た。
側のみを粗面化した陽イオン交換膜を用いたほか′は、
実施例−1と全く同様にして電解を行ない、以下の結果
を得た。
電流密度 摺電圧 電流効率
(A/d謂l>’ (V) C%)20
3.10 93.0 40 3.44 92.5 支流例−4 陽イオン交換膜として、テトラフロオロエチレンとCF
2 = CFOCF2CF(Oh )0(CF2 )2
SO2Fとの共重合体からなり、陰極側がアミン処理さ
れた容量0.8?meq/g乾燥樹脂の膜の両面を40
0メツシユ以下のアルミナ粉末を、噴射空気圧IKg/
cmzで2,0cmg1 L九所から2分間サンドブ
ラスト処理した。その後実施例−1と同様な方法で加水
分解した後、実施例−1と同様な条件で電解を行ない、
以下の結果を得た。
3.10 93.0 40 3.44 92.5 支流例−4 陽イオン交換膜として、テトラフロオロエチレンとCF
2 = CFOCF2CF(Oh )0(CF2 )2
SO2Fとの共重合体からなり、陰極側がアミン処理さ
れた容量0.8?meq/g乾燥樹脂の膜の両面を40
0メツシユ以下のアルミナ粉末を、噴射空気圧IKg/
cmzで2,0cmg1 L九所から2分間サンドブ
ラスト処理した。その後実施例−1と同様な方法で加水
分解した後、実施例−1と同様な条件で電解を行ない、
以下の結果を得た。
電流密度(A/d+s2) le?ti圧(V)2
0 3.18 40 3.42 また4 OA / d m’の電流密度におtするq性
ソーダ生成の電流効率は86?6であり、1ケ月間の電
解を行っても摺電圧の上昇は認められなかった。
0 3.18 40 3.42 また4 OA / d m’の電流密度におtするq性
ソーダ生成の電流効率は86?6であり、1ケ月間の電
解を行っても摺電圧の上昇は認められなかった。
実、砲例−5
実施例−1で用いるのと同じイオン交換膜を90℃、2
5%の苛性ソーダ溶液に16時間浸漬し、加水分解した
後、サンドペーパー(# 240)で、膜の両面を充分
にこすった。膜面には、平均深さ2ル、平均@8JLの
微細な凹部が全面にわたり形成されていた。この膜を用
い、実施例−1と全く同様な条件で電解を行ない、以下
の結果を得た。
5%の苛性ソーダ溶液に16時間浸漬し、加水分解した
後、サンドペーパー(# 240)で、膜の両面を充分
にこすった。膜面には、平均深さ2ル、平均@8JLの
微細な凹部が全面にわたり形成されていた。この膜を用
い、実施例−1と全く同様な条件で電解を行ない、以下
の結果を得た。
電流密度(A/drrr’ ) 摺電圧(V)2
0 2.98 40 3.33 また4QA/drn’の電流密度における苛性ソーダ生
成の電流効率は94.0%であり、1ケ月間電解をbC
4すでも摺電圧の上昇は認められなかった。
0 2.98 40 3.33 また4QA/drn’の電流密度における苛性ソーダ生
成の電流効率は94.0%であり、1ケ月間電解をbC
4すでも摺電圧の上昇は認められなかった。
比較例
実施例−1においてイオン交換膜の両面を全く何も処理
せず、直接陽極及び陰極をイオン膜に接触させた他は、
実施例1と全く同様に電解を行ない、以下の結果を得た
。
せず、直接陽極及び陰極をイオン膜に接触させた他は、
実施例1と全く同様に電解を行ない、以下の結果を得た
。
電流密度(A/dm″) 摺電圧(V)20
3.12 40 3.50 また電流密度4OA/drn’における苛性ソーダ生成
の電流効率は94%であった。
3.12 40 3.50 また電流密度4OA/drn’における苛性ソーダ生成
の電流効率は94%であった。
it図は、本発明の電解槽の原理を塩化アルカリ水溶液
の電解を例にして概略的に示したものであり、第2図は
イオン交換膜と極との間の距離を変えた場合のI!!電
圧の変化を示したものである。 1・・・−イオン交換膜、2・・・・陽極側の凹凸。 3・・・・陰極側の凹凸、 4・・・・陽極、5・・・
・wk極、A・・・本発明の場合、B・・・従来の場合
才2図
の電解を例にして概略的に示したものであり、第2図は
イオン交換膜と極との間の距離を変えた場合のI!!電
圧の変化を示したものである。 1・・・−イオン交換膜、2・・・・陽極側の凹凸。 3・・・・陰極側の凹凸、 4・・・・陽極、5・・・
・wk極、A・・・本発明の場合、B・・・従来の場合
才2図
Claims (2)
- (1)陽極及び陰極間をイオン交換膜で区画した電解槽
であつて、上記イオン交換膜が、陰極に面する側に、微
細な凹部又は凸部からなる粗面化表面の層を有し、該表
面層の厚みは膜の残りの層の厚みよりも小さく、且つ陰
極が、上記膜の粗面化表面に接触して配置されたことを
特徴とするイオン交換膜電解槽。 - (2)陽極及び陰極間をイオン交換膜で区画した電解槽
であつて、上記イオン交換膜が、陽極及び陰極に面する
側に、微細な凹部又は凸部からなる粗面化表面の層を有
し、該表面層の厚みは膜の残りの層の厚みよりも小さく
、且つ対応する陽極及び陰極が、上記膜の粗面化表面に
接触して配置された特許請求の範囲(1)の電解槽。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61103926A JPS6213586A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | イオン交換膜電解槽 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61103926A JPS6213586A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | イオン交換膜電解槽 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55104284A Division JPS6016518B2 (ja) | 1980-07-30 | 1980-07-31 | イオン交換膜電解槽 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6213586A true JPS6213586A (ja) | 1987-01-22 |
JPH0377880B2 JPH0377880B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=14367033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61103926A Granted JPS6213586A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | イオン交換膜電解槽 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6213586A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230041829A (ko) * | 2018-09-21 | 2023-03-24 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 적층체 제조용 지그, 적층체의 제조 방법, 곤포체, 적층체, 전해조, 및 전해조의 제조 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016518A (ja) * | 1984-06-25 | 1985-01-28 | 三菱農機株式会社 | 乗用型田植機の植付部上下装置 |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61103926A patent/JPS6213586A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016518A (ja) * | 1984-06-25 | 1985-01-28 | 三菱農機株式会社 | 乗用型田植機の植付部上下装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230041829A (ko) * | 2018-09-21 | 2023-03-24 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 적층체 제조용 지그, 적층체의 제조 방법, 곤포체, 적층체, 전해조, 및 전해조의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0377880B2 (ja) | 1991-12-11 |
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