JPS62134891A - ワ−ドライン昇圧回路 - Google Patents

ワ−ドライン昇圧回路

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JPS62134891A
JPS62134891A JP60273618A JP27361885A JPS62134891A JP S62134891 A JPS62134891 A JP S62134891A JP 60273618 A JP60273618 A JP 60273618A JP 27361885 A JP27361885 A JP 27361885A JP S62134891 A JPS62134891 A JP S62134891A
Authority
JP
Japan
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word line
transistor
voltage
section
node
Prior art date
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Pending
Application number
JP60273618A
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English (en)
Inventor
Michiya Kubokawa
道矢 久保川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体メモリ装置のワードライン昇圧回路の構
成に関する。
〔発明の概要〕
本発明は半導体メモリ装置に内蔵されるワードライン昇
圧回路において、プリデコード部のスイッチトランジス
タのワードライン側電極と電源スイッチの間に接続され
た#!1のトランジスタと該トランジスタの制御電極に
一方の電極が接続され、かつ制御電極が電源に接続され
ている第2のトランジスタとからなる構成を有し、昇圧
用キャパシタとワードライン系寄生容量をチャージする
時に本来のワードライン駆動回路と共に前記構成による
トランジスタスイッチを用いることでワードライン系寄
生容量に対するチャージ速度を早め、この事により、ワ
ードラインの立ち上がりを高速にす釜とともに昇圧後の
電圧をも高めるものである。
〔従来の技術〕
従来のワードライン昇圧回路の構成は第3図の如きであ
つ4た。すなわちts5図の駆動回路部において7はP
 c、h )ランジスタ、8はNch)ランジスタであ
り、Nch)ランジスタ8のゲートにはゲート昇圧用N
ch)ランジスタ9が接続されている。01−11は昇
圧用キャパシタ、02−21はワードライン系の寄生容
量であり厳密にはノードPから見てワードライン側の寄
生容量も含むものとする。Nchトランジスタ1oはワ
ードラインを@″L”に下げるためのものである。また
インバータ12は昇圧用キャパシタ01−11の7−ド
に接続され、ワードライン昇圧時に出力を1L”から′
″H”にすることで昇圧用キャパシタ01−11のノー
ドPの電圧を上昇させる働きをしている。次にプリデコ
ード部ではゲート昇圧用トランジスタ14を備えたスイ
ッチトランジスタ13がノードPとノードQの間に接が
れ、セレクタ部ではプリデコード部と同様の構成のトラ
ンジスタ18と19があり、トランジスタ18のドレイ
ンがワードラインに接続されている。ある1本のワード
ラインをH″にする場合には以下の手順で信号が伝達さ
れる。つまりロウ側のアドレスの一部によりグリデコー
ド部のトランジスタスイッチが1個″′rsNになり、
残りのアドレスでセレクタ部のトランジスタスイッチが
75Nして、駆動回路の出力が前述の2個のトランジス
タスイッチを通ってワードラインに伝達されるのである
次に従来のワードライン昇圧回路の動作を第4図のタイ
ミングチャート図に従って述べることにする。
(1)初期状態ではφA、φD、φCは1H″に、また
φB、φE、φyは−IになっているのでノードP e
 Q e Rは1L″である。
(2)  ワードラインの電圧を上げる前の準備として
φB、φE、φ?+Q”’H”に立ち上げトランジスタ
13.18のゲート電圧を1H”にチャージする。
(3)  φAを1H”から“L”にするとノードPは
トランジスタ7.8により′H”にチャージされるが、
この時ワードラインの電圧の上昇する速度は、ノードP
から見てトランジスタ13.18が直列の状態になって
いるので該トランジスタ1 ’3 、 I BのUN抵
抗により制限を受ける。ゆえにワードライン系寄生容量
01−11のチャージされる速度も遅い。ここでワード
ライン昇圧後の電圧は1トランジスタのRAMセルに再
書き込みするために十分高いことが要求されるのでトラ
ンジスタ7と8はノードPとワードラインの電圧が十分
高くなるまでUNL、ていなければならないが、実際上
はアクセス時間を減らすために途中で切シ上げることが
多い。
(4) ワードラインを昇圧するときに電荷が逆流して
漏れることが無いように、あらかじめφBを@L”にし
てトランジスタを百7アにしておく。
(6)  φBを′H”から′L”にすると昇圧用キャ
パシタ01−11のノードSが′H”になることにより
ノードPの電圧が徐々に上昇し始める。
ノードPの電圧が上昇するとトランジスタ15のゲート
電圧はソース・ゲート、ドレイン・ゲート間の容量結合
により更に高い電圧になるため、ノードPの電圧はノー
ドQに伝達される。次にセレクタ部のトランジスタ1B
の所でも同様のメカニズムによりゲート電圧が上昇し、
トランジスタ16がON状態を保持するのでワードライ
ンの電圧は上昇し続ける。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし前述
の従来技術ではワードライン部まで2段のスイッチトラ
ンジスタがあるために昇圧用キャパシタ01−11およ
びワードライン系寄生容量02−21をチャージすると
きに該02の電圧上昇速度が遅いために十分なチャージ
を行うことができない。ゆえにワードラインの電圧上昇
速度は遅く、さらに昇圧後の電圧も十分でないという問
題点を有する。そこで本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは高速なワードライ
ンの立ち上がりと効率的な昇圧を可能とする昇圧回路を
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のワード線昇圧回路は α)駆動回路部、プリデコード部、セレクタ部。
ワードライン部とからなるワードライン昇圧回路を内蔵
する半導体メモリ装置において b)グリデコード部のスイッチトランジスタのワ−ドラ
イン側電極と電源スイッチの間に接続された第1のトラ
ンジスタ C)該トランジスタの制御電極に一方の電極が接続され
、かつ制御電極が電源に接続されている第2のトランジ
スタとからなる構成を特徴とする。
〔作用〕
本発明の上記の構成によれば、プリデコード部のスイッ
チトランジスタのワードライン側電極と電源スイッチの
間に接続された第1のトランジスタと該トランジスタの
制御電極に一方の電極が接続され、かつ制御電極が電源
に接続されている第2のトランジスタとからなる構成を
とることにより、ワードラインの昇圧をかける前段階と
して、昇圧用キャパシタとワードライン系寄生容量をチ
ャージする際に前述の第1のトランジスタを用いること
によりワードライン系の寄生容量が早くチャージされ、
かつ昇圧用キャパシタも前述の第1のトランジスタがプ
リデコード部のワードライン側に接続されているため駆
動回路部から見た負荷が減るので少ない時間でチャージ
できるのである。ゆえにワードラインの立ち上がりは高
速になり、また昇圧後の電圧も従来よりも高くなるので
ある。
〔実施例〕
第1図は本発明によるワードライン昇圧回路例、また第
2図は第1図の回路動作をわかり易く説明するためのタ
イミングチャート図である。以下第1図及び第2図に基
づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
ここで駆動回路部−1,プリデコード部2.セレクタ部
−3,ワードライン部−4の構成のなかで、プリデコー
ド部−2内の回路においてスイッチトランジスター13
のワードライン側ノードQに対し、スイッチトランジス
ター16が接続され、またこのトランジスター16のゲ
ート電圧を昇圧するためにゲートが電源電圧であるトラ
ンジスター15のドレイン電極がトランジスター16の
ゲートに接がっている。トランジスター16のソース電
極に接続されているインバーター17はノードQに対し
て電荷を供給するためのものである次に第2図のタイミ
ングチャート図に従って本発明によるワードライン昇圧
のメカニズムを説明する。
(1)  初期状態ではφA、φC9φD、φGは@■
”に、またφB、φE、φF、φHは1L”になってい
るのでノードPe Qw Rはそれぞれ′L”である。
(2)  ワードラインの電圧を上げる前の準備として
φB、φ■、φE、φ7を′H”にしてトランジスタ8
,16,15.18のゲート電圧を1H”側にチャージ
する。
(3)  φAとφGを@H”からL″にするとノード
Pはトランジスター7.8により、またノードQはトラ
ンジスター16によって一ビにチャージされる。このと
きトランジスター8と16のゲート電圧はゲート・ソー
ス間およびゲート・ドレイン間の結合容量により昇圧さ
れるためにソース電圧が上昇して来てもON状態を維持
する。ワードラインの電圧はトランジスター18が同様
の理由からON状態を保つためにノードQと共に上昇し
て行くのである。
従来はワードラインをノードPからみるとトランジスタ
ー15.18の2段を介してチャージしていたためにワ
ードラインの電圧上昇速度が遅いという欠点があった。
しかし本発明によればスイッチトランジスター16をノ
ードQに接続すること′によりワードラインまでのスイ
ッチのFg数がセレクタ部の1段で済むことと駆動回路
からみて負荷が減ることの2点により、ワードライン電
圧の立ち上がりはスイッチトランジスタが1段減った分
以上に速くなる。
(4)  ワードラインを昇圧するときにPN接合に順
方向バイアスがかかつて電荷が漏れないようにあらかじ
めφB、φHt−″IL”にしてトランジスター8.1
6を百7Fにしておく。
(6)  φDを1H”から″L”にすると昇圧用キャ
パシタ01−11のノードSが1H”になることにより
ノードPの電圧が上昇しはじめる。ノードPの電圧が上
昇するとトランジスター13のゲ−トはソース・ゲート
とドレイン・ゲート間の容量結合により更に高い電圧に
なるためノードPの電圧はノードQに伝達される。次に
セレクタ部のトランジス5ター18の所でも同様のメカ
ニズムによりゲート電圧が上昇してON状態を保持する
のでワードラインの電圧は上昇しつづけて最終的にノー
ドpeQ17)!圧と一致する。
ここで先の(3)で説明したようにトランジスター16
を加えたことにより昇圧用キャパシタとワードライン系
キャパシタに対するチャージが従来よりも多くなるので
ワードライン昇圧の効率は格段に上昇する。
ではこのときの昇圧電圧を従来の回路と比較して求める
ことにする。ノードPの昇圧をかける直前の電圧をvl
、ノードRの昇圧をかける直前の電圧をv2とすると昇
圧後の電圧Vxは次の式で与えられる。01=4 OF
F 、02=2 OFFとする。
従来例と本発明の回路が同一条件のタイミングで動作す
ると仮定すれば (1)従来例 V1=&5V  V2=AOVVDD=
aOVであるtD ”T” V x = 6.77 テ
ある。
(2)本発明 V1=5.OV  V2=5.0VVD
D==5.OVであるのでV x = a 5 Vであ
る。
(1)、(2)より本発明を用いればワードラインの昇
圧電圧を高めることができ、またワードラインの昇圧タ
イミングを早めても従来よりもはワードラインの電圧を
高くすることが可能であるという結論が導けるのである
また本発明の応用範囲は本実施例に限定されない〔発明
の効果〕 以上述べたように本発明によればプリデコード部のスイ
ッチトランジスタのワードライン側電極と電源スイッチ
の間に接続された第1のトランジスタと該トランジスタ
の制御電極に一方の電極が接続され、かつ制御電極が電
源に接続されている第2のトランジスタとからなる構成
をとることにより、ワードラインの昇圧をかける前段階
に昇圧用キャパシタとワードライン系寄生容量をチャー
ジする速度を格段に早めることができる。このことによ
ってワ−ドライン電圧の上昇が速くなり、かつ昇圧後の
電圧も高くできるという効果を有す
【図面の簡単な説明】
第1@は本発明によるワードライン昇圧回路図で、第2
図は本発明によるワードライン昇圧回路のタイミングチ
ャート図であり、第3図は従来のワードライン昇圧回路
図そして第41!!!Iは従来のワードライン昇圧回路
のタイミングチャート図である。 1・・・・・・駆動回路部 2・・・・・・プリデコード部 3・・・・・・セレクタ部 4・・・・・・ワードライン部 7・・・・・・Pch)ランジスタ 8.9.10・・・・・・駆動回路部のNch)ランジ
スタ 11・・・・・・昇圧用中ヤパシタ0112゛・・・・
・・駆動回路部のインバータ15.14,15.IS・
・・・・・プリデコード部のN0h)ランジスタ 17・・・・・・クリデコード部のインバータ18.1
9・・・・・・セレクタ部のNch )ランジスタ 20・・・・・・ワードラインの抵抗 21・・・・・・ワードライン系寄生容量C2以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 ヮーV−74ン巷7i膿ぷト図 中A 1フードう4ンそl王−IEIMレクヌイミンク”tr
−トLへ4乏表。マー1゛モ 第3図 中^ ΦB 歩? 鉢                        
              ・4L采/l?7−F−
ライン屏ル凹ルnタイミげケ↑−Ls第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)駆動回路部、プリデコード部、セレクタ部および
    ワードライン部とからなるワードライン昇圧回路を内蔵
    する半導体メモリ装置において、(2)プリデコード部
    のスイッチトランジスタのワードライン側電極と電源ス
    イッチの間に接続された第1のトランジスタと、 (3)該トランジスタの制御電極に一方の電極が接続さ
    れ、かつ制御電極が電源に接続されている第2のトラン
    ジスタとからなる構成を特徴とするワードライン昇圧回
    路。
JP60273618A 1985-12-05 1985-12-05 ワ−ドライン昇圧回路 Pending JPS62134891A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60273618A JPS62134891A (ja) 1985-12-05 1985-12-05 ワ−ドライン昇圧回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60273618A JPS62134891A (ja) 1985-12-05 1985-12-05 ワ−ドライン昇圧回路

Publications (1)

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JPS62134891A true JPS62134891A (ja) 1987-06-17

Family

ID=17530236

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60273618A Pending JPS62134891A (ja) 1985-12-05 1985-12-05 ワ−ドライン昇圧回路

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JP (1) JPS62134891A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010260558A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Mitsubishi Electric Corp 梱包構造、梱包方法及び梱包装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010260558A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Mitsubishi Electric Corp 梱包構造、梱包方法及び梱包装置

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