JPS62133773A - 受光回路の周波数特性測定方法 - Google Patents
受光回路の周波数特性測定方法Info
- Publication number
- JPS62133773A JPS62133773A JP60274412A JP27441285A JPS62133773A JP S62133773 A JPS62133773 A JP S62133773A JP 60274412 A JP60274412 A JP 60274412A JP 27441285 A JP27441285 A JP 27441285A JP S62133773 A JPS62133773 A JP S62133773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving circuit
- light
- output
- semiconductor laser
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速光伝送方式において受信側で使用される
受光回路の周波数特性を精度良く測定する方法に関する
ものである。
受光回路の周波数特性を精度良く測定する方法に関する
ものである。
従来、受光回路（受光素子として一体に構成されている
ものを含む）の周波数特性を評価するには、光信号とし
て周波数を掃引したＩＭ（インテンシテイ・モジュレー
ション）信号もしくは短パルス化した光信号を入射し、
該受光回路で光電変換して得られる電気信号の周波数特
性もしくはパルス波形を観測方法が用いられていた。
ものを含む）の周波数特性を評価するには、光信号とし
て周波数を掃引したＩＭ（インテンシテイ・モジュレー
ション）信号もしくは短パルス化した光信号を入射し、
該受光回路で光電変換して得られる電気信号の周波数特
性もしくはパルス波形を観測方法が用いられていた。
しかし、前者の場合は、光のＴＭ倍信号高周波にわたっ
て発生させることおよび発生させた変調信号のレベルを
較正することが不可欠である。そして、この場合、光信
号を発生・変調する半導体レーザ（Ｌ Ｄ）および外部
変調器の帯域に限界があること、あるいは広帯域な光受
信系を用いた較正が必要になること等により広帯域な光
受光回路の評価が基本的に困難であった。また、後者の
場合は、被測定帯域に比べて十分小さな光パルスを発生
させてそのパルス幅を評価しておくことが必要になるの
に加えて、得られた電気信号波形をフーリエ変換しなけ
ればならなかった。
て発生させることおよび発生させた変調信号のレベルを
較正することが不可欠である。そして、この場合、光信
号を発生・変調する半導体レーザ（Ｌ Ｄ）および外部
変調器の帯域に限界があること、あるいは広帯域な光受
信系を用いた較正が必要になること等により広帯域な光
受光回路の評価が基本的に困難であった。また、後者の
場合は、被測定帯域に比べて十分小さな光パルスを発生
させてそのパルス幅を評価しておくことが必要になるの
に加えて、得られた電気信号波形をフーリエ変換しなけ
ればならなかった。
このように従来方法では、入射させる光自身を測定帯域
に対応して強度変調等を行う光送信系の高速化技術が必
要であり、さらに、光信号波形の較正技術等が必要であ
る。したがって、帯域測定系の構成が複雑になるだけで
なく測定可能な帯域やその精度にも問題があった。
に対応して強度変調等を行う光送信系の高速化技術が必
要であり、さらに、光信号波形の較正技術等が必要であ
る。したがって、帯域測定系の構成が複雑になるだけで
なく測定可能な帯域やその精度にも問題があった。
本発明の周波数特性測定方法は上記問題点に鑑みてなさ
れたものであり、２台の半導体レーザの出力光を合波し
て被測定対象である受光回路に入力しながら前記２台の
半導体レーザの少なくとも一方に直流バイアス電流変化
や温度変化のような物理的変化を与えて２台の半導体レ
ーザの発振周波数差を掃引すると共に前記受光回路の電
気出力をスペクトルアナライザで測定するものである。
れたものであり、２台の半導体レーザの出力光を合波し
て被測定対象である受光回路に入力しながら前記２台の
半導体レーザの少なくとも一方に直流バイアス電流変化
や温度変化のような物理的変化を与えて２台の半導体レ
ーザの発振周波数差を掃引すると共に前記受光回路の電
気出力をスペクトルアナライザで測定するものである。
２台の単一周波数で発振する半導体レーザの時間振幅を
ｖ＋（ｔ）、ｖｚ（ｔ）とし、Ｖ＋（ｔ）、Ｖｚ（ｔ）
を以下のように表す。
ｖ＋（ｔ）、ｖｚ（ｔ）とし、Ｖ＋（ｔ）、Ｖｚ（ｔ）
を以下のように表す。
Ｖ＋（ｔ）＝ａｃｏｓ ω、ｔ ・（
１）ｖｚ（ｔ）＝ ｂｃｏｓ ω２ｔ
・・・（２）この２つの光を合波して被測定対象であ
る受光回路に入射した後に、この受光回路の電気出力と
して得られるヘテロゲイン検波出力Ｖ３（ｔ）は、Ｖａ
（ｔ）＝ （ａｃｏｓ ω、ｔ＋ｂｃｏｓ ω２ｔ）２
＝ａ２ｃｏｓ２ω、ｔ＋ ｂ”ｃｏｓ２ω２ｊ＋２ａｂ
ｃｏｓω、ｔｃｏｓω２ｔ ＝ａ２ｃｏｓ２ω、ｔ＋ｂ２ｃｏｓ” ωｚｔ＋ａｂ
（ｃｏｓ（ω、−ωｚ）＋ｃｏｓ（ω＋＋ωｚ）１・
・・（３） となり、第３項に差周波数成分が生ずる。２台の半導体
レーザはＣＷ（コンティニアス・ウェーブ）発振状態で
あるため、ａ、ｂは一定である。また、ω３．ω２は半
導体レーザの温度あるいは直流バイアス電流を変えるこ
とで可変であり、例えば、半導体レーザの温度を１°Ｃ
程度変化させることで１０ＧＨｚ以上の周波数掃引を行
うことが可能である。
１）ｖｚ（ｔ）＝ ｂｃｏｓ ω２ｔ
・・・（２）この２つの光を合波して被測定対象であ
る受光回路に入射した後に、この受光回路の電気出力と
して得られるヘテロゲイン検波出力Ｖ３（ｔ）は、Ｖａ
（ｔ）＝ （ａｃｏｓ ω、ｔ＋ｂｃｏｓ ω２ｔ）２
＝ａ２ｃｏｓ２ω、ｔ＋ ｂ”ｃｏｓ２ω２ｊ＋２ａｂ
ｃｏｓω、ｔｃｏｓω２ｔ ＝ａ２ｃｏｓ２ω、ｔ＋ｂ２ｃｏｓ” ωｚｔ＋ａｂ
（ｃｏｓ（ω、−ωｚ）＋ｃｏｓ（ω＋＋ωｚ）１・
・・（３） となり、第３項に差周波数成分が生ずる。２台の半導体
レーザはＣＷ（コンティニアス・ウェーブ）発振状態で
あるため、ａ、ｂは一定である。また、ω３．ω２は半
導体レーザの温度あるいは直流バイアス電流を変えるこ
とで可変であり、例えば、半導体レーザの温度を１°Ｃ
程度変化させることで１０ＧＨｚ以上の周波数掃引を行
うことが可能である。
このとき、ａ、ｂの値の変動は通常はほとんど無視でき
る。したがって、２台の半導体レーザの出力光を合波し
た時のビート強度（ＯＣａｂ）は、受信系を評価するの
に必要な周波数差の範囲（約５０Ｇｔｌｚ）では一定で
あり、このビート光を受光回路に入射した際の周波数−
検出出力特性は、精度良く受光回路の周波数特性を表す
。
る。したがって、２台の半導体レーザの出力光を合波し
た時のビート強度（ＯＣａｂ）は、受信系を評価するの
に必要な周波数差の範囲（約５０Ｇｔｌｚ）では一定で
あり、このビート光を受光回路に入射した際の周波数−
検出出力特性は、精度良く受光回路の周波数特性を表す
。
以下、実施例と共に本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図であり、第２図
は本実施例に用いられている半導体レーザの構造を示す
斜視図である。分布帰還型半導体レーザ（Ｄ Ｆ Ｂ
−Ｌ Ｄ）１０１，１０２はそれぞれ独立して発振する
ものであり、ＤＦＢ−ＬＤアレイ１００として一体に構
成されている。このようにアレイ状に一体構成すると、
半導体レーザ１０１．１０２の発振波長差を１人程度以
内とし、しかも単一波長とすることが容易であり、後述
する動作制御が容易となる。半導体レーザ１０１，１０
２にはそれぞれ上部電極１０３．１０４および共通の下
部電極１０５が設けられている。半導体レーザ１０１の
両端の光出力部には出力光を絞るためのレンズ１０６．
１１７が配置され、半導体レーザ１０２の両端の光出力
部には同じく出力光を絞るためのレンズ１０７．１１８
が配置されている。レンズ１０６，１０７．１１７．１
１８の前方には、アイソレータ１０Ｂ、 １０９．１１
９．１２０が配置されており、反射によって半導体レー
ザ１０１，１０２の出力光や発振スペルトルが不安定に
ならないようにしている。この４つのアイソレータのう
ちの２つのアイソレータ１０８，１０９の前方には、入
射光の周波数によって透過光強度が変化する素子、例え
ばファブリペローエタロン等の光フィルタ１１０．１１
１が配置されている。この光フィルタ１１０．１１１の
周波数−透過光強度は第３図に示すように、そのピーク
が互いにずれている。光フィルタ１１０．１１１のさら
に前方にはフォトダイオード１１２．１１３が配置され
ており、フォトダイオード１１２．１１３の出力端子は
それぞれ差動増幅器１１４の非反転入力端子３反転入力
端子に接続されている。差動増幅器１１４の出力端子は
電気ミキサ１１５．１２６のそれぞれにおいて一方の入
力端子に接続されている。電気ミキサ１１５の他方の入
力端子には半導体レーザ１０１に印加する直流バイアス
電流の電源が接続されており、電気ミキサ１１５の出力
端子は半導体レーザ１０１の上部電極１０３に接続され
ている。電気ミキサ１２６の他方の入力端子には電気ミ
キサ１２７の出力端子が接続され、電気ミキサ１２６の
出力端子は半導体レーザ１０２の上部電極１０４に接続
されている。
は本実施例に用いられている半導体レーザの構造を示す
斜視図である。分布帰還型半導体レーザ（Ｄ Ｆ Ｂ
−Ｌ Ｄ）１０１，１０２はそれぞれ独立して発振する
ものであり、ＤＦＢ−ＬＤアレイ１００として一体に構
成されている。このようにアレイ状に一体構成すると、
半導体レーザ１０１．１０２の発振波長差を１人程度以
内とし、しかも単一波長とすることが容易であり、後述
する動作制御が容易となる。半導体レーザ１０１，１０
２にはそれぞれ上部電極１０３．１０４および共通の下
部電極１０５が設けられている。半導体レーザ１０１の
両端の光出力部には出力光を絞るためのレンズ１０６．
１１７が配置され、半導体レーザ１０２の両端の光出力
部には同じく出力光を絞るためのレンズ１０７．１１８
が配置されている。レンズ１０６，１０７．１１７．１
１８の前方には、アイソレータ１０Ｂ、 １０９．１１
９．１２０が配置されており、反射によって半導体レー
ザ１０１，１０２の出力光や発振スペルトルが不安定に
ならないようにしている。この４つのアイソレータのう
ちの２つのアイソレータ１０８，１０９の前方には、入
射光の周波数によって透過光強度が変化する素子、例え
ばファブリペローエタロン等の光フィルタ１１０．１１
１が配置されている。この光フィルタ１１０．１１１の
周波数−透過光強度は第３図に示すように、そのピーク
が互いにずれている。光フィルタ１１０．１１１のさら
に前方にはフォトダイオード１１２．１１３が配置され
ており、フォトダイオード１１２．１１３の出力端子は
それぞれ差動増幅器１１４の非反転入力端子３反転入力
端子に接続されている。差動増幅器１１４の出力端子は
電気ミキサ１１５．１２６のそれぞれにおいて一方の入
力端子に接続されている。電気ミキサ１１５の他方の入
力端子には半導体レーザ１０１に印加する直流バイアス
電流の電源が接続されており、電気ミキサ１１５の出力
端子は半導体レーザ１０１の上部電極１０３に接続され
ている。電気ミキサ１２６の他方の入力端子には電気ミ
キサ１２７の出力端子が接続され、電気ミキサ１２６の
出力端子は半導体レーザ１０２の上部電極１０４に接続
されている。
アイソレータ１２０の前方には光強度変調器１２２が設
けられている。光強度変調器１２２は増幅器１２３から
の電気信号によってアイソレータ１２０が出力する光を
変調する。光ミキサ１２１はアイソレータ１１９および
光強度変調器１２２からの光を合波する手段であり、そ
の出力光は被測定対象である受光回路１２４に入力され
、受光回路１２４の出力信号はスペクトルアナライザ１
２５に入力される。なお、信号源１１６は微小電流波形
を発生し、この信号は電気ミキサ１２７において直流バ
イアス電流に重畳されて半導体レーザ１０２の上部電極
１０４に与えられると共に、増幅器１２３に与えられる
。
けられている。光強度変調器１２２は増幅器１２３から
の電気信号によってアイソレータ１２０が出力する光を
変調する。光ミキサ１２１はアイソレータ１１９および
光強度変調器１２２からの光を合波する手段であり、そ
の出力光は被測定対象である受光回路１２４に入力され
、受光回路１２４の出力信号はスペクトルアナライザ１
２５に入力される。なお、信号源１１６は微小電流波形
を発生し、この信号は電気ミキサ１２７において直流バ
イアス電流に重畳されて半導体レーザ１０２の上部電極
１０４に与えられると共に、増幅器１２３に与えられる
。
つぎに、本実施例の動作を説明する。まず、上部電極１
０３．１０４に同じ値の直流バイアス電流がそれぞれ与
えられると、半導体レーザＩＯＬ １０２からレーザ光
が出力される。半導体レーザ１０１の出力光のうちレン
ズ１０６で絞られたものはアイソレータ１０８、光フィ
ルタ１１０を通ってフォトダイオード１１２で電気信号
に変換される。また、半導体レーザ１０２の出力光のう
ちレンズ１０７で絞られたものはアイソレータ１０９、
光フィルタ１１１を通ってフォトダイオード１１３で電
気信号に変換される。
０３．１０４に同じ値の直流バイアス電流がそれぞれ与
えられると、半導体レーザＩＯＬ １０２からレーザ光
が出力される。半導体レーザ１０１の出力光のうちレン
ズ１０６で絞られたものはアイソレータ１０８、光フィ
ルタ１１０を通ってフォトダイオード１１２で電気信号
に変換される。また、半導体レーザ１０２の出力光のう
ちレンズ１０７で絞られたものはアイソレータ１０９、
光フィルタ１１１を通ってフォトダイオード１１３で電
気信号に変換される。
このとき、光フィルタ１１０および１１１の発振周波数
−透過光強度特性は第３図に示すように互いにずれてお
り、周波数ｆｏにおいて透過光強度が一致している。そ
のため、差動増幅器１１４の出力は第４図に示すように
なる。この差動増幅器１１４の出力ば電気ミキサ１１５
を通して半導体レーザ１０１の注入電流にフィードハッ
クされ、また、電気ミキサ１２６を通して半導体レーザ
１０２の注入電流にフィードバックされる。そして、こ
のフィードバックによって、定常状態においては、半導
体レーザ１０１．１０２の発振周波数が差動増幅器１１
４の出力がＯとなる点ｆｏに固定される。
−透過光強度特性は第３図に示すように互いにずれてお
り、周波数ｆｏにおいて透過光強度が一致している。そ
のため、差動増幅器１１４の出力は第４図に示すように
なる。この差動増幅器１１４の出力ば電気ミキサ１１５
を通して半導体レーザ１０１の注入電流にフィードハッ
クされ、また、電気ミキサ１２６を通して半導体レーザ
１０２の注入電流にフィードバックされる。そして、こ
のフィードバックによって、定常状態においては、半導
体レーザ１０１．１０２の発振周波数が差動増幅器１１
４の出力がＯとなる点ｆｏに固定される。
このような定常状態において、第５図に示すような信号
源１１６からの鋸歯状波（例えば数１（］Ｈｚ〜数Ｋｌ
（ｚ）が電気ミキサ１２７において直流バイアス電流に
重畳され、半導体レーザ１０２の上部電極１０４に与え
られる。なお、この電流波形は鋸歯状波以外の波形、例
えば正弦波、三角波等あまり急峻でない電流波形であれ
ば何でもよい。この重畳された微小電流によって半導体
レーザ１０２の発振周波数が変化し、２台の半導体レー
ザ１０１．１０２の発振周波数差に変化が加えられる。
源１１６からの鋸歯状波（例えば数１（］Ｈｚ〜数Ｋｌ
（ｚ）が電気ミキサ１２７において直流バイアス電流に
重畳され、半導体レーザ１０２の上部電極１０４に与え
られる。なお、この電流波形は鋸歯状波以外の波形、例
えば正弦波、三角波等あまり急峻でない電流波形であれ
ば何でもよい。この重畳された微小電流によって半導体
レーザ１０２の発振周波数が変化し、２台の半導体レー
ザ１０１．１０２の発振周波数差に変化が加えられる。
ここで、符号１０６〜１１５および１２６で構成される
フィードバック系は、この重畳電流には応答しない程度
の遅い時定数を持つように設計されている。従って、発
振周波数差のゆっくりした変動（０、１Ｈｚ程度以下）
を抑えたまま、重畳電流によって瞬時的な周波数差の掃
引を行うことが可能となる。
フィードバック系は、この重畳電流には応答しない程度
の遅い時定数を持つように設計されている。従って、発
振周波数差のゆっくりした変動（０、１Ｈｚ程度以下）
を抑えたまま、重畳電流によって瞬時的な周波数差の掃
引を行うことが可能となる。
ところで、このように半導体レーザへの注入電流を変化
させた場合には、発振周波数のみならず出力光強度も変
化する。この出力光強度の変動が無視できない場合には
、光強度変調器１２２および増幅器１２３を用いて光出
力の較正を行う必要がある。第６図は光強度変調器１２
２の動作を示すグラフであり、横軸は光強度変調器１２
２への印加電圧、縦軸は透過光強度を表す。光強度変調
器１２２では、信号源１１６からの重畳電流によって波
形６０１に示すように変動している光出力を、同じく信
号源１１６からの電流を増幅器１２３によって適当に増
幅した印加電圧信号６０２で変調する。すなわち、増幅
器１２３によって光強度変調器１２２における変調強度
を調節し、また、動作点を選ぶことにより、出力光強度
を直線６０３に示すように一定にすることができる。こ
の光を、光ミキサ１２１において半導体レーザ１０１が
出力する一定強度の出力光と合波し、受光回路１２４に
入力する。このとき、受光回路１２４の出力電気信号を
スペクトルアナライザ１２５に入力することにより、受
光回路１２４の周波数−出力振幅特性を測定することが
できる。
させた場合には、発振周波数のみならず出力光強度も変
化する。この出力光強度の変動が無視できない場合には
、光強度変調器１２２および増幅器１２３を用いて光出
力の較正を行う必要がある。第６図は光強度変調器１２
２の動作を示すグラフであり、横軸は光強度変調器１２
２への印加電圧、縦軸は透過光強度を表す。光強度変調
器１２２では、信号源１１６からの重畳電流によって波
形６０１に示すように変動している光出力を、同じく信
号源１１６からの電流を増幅器１２３によって適当に増
幅した印加電圧信号６０２で変調する。すなわち、増幅
器１２３によって光強度変調器１２２における変調強度
を調節し、また、動作点を選ぶことにより、出力光強度
を直線６０３に示すように一定にすることができる。こ
の光を、光ミキサ１２１において半導体レーザ１０１が
出力する一定強度の出力光と合波し、受光回路１２４に
入力する。このとき、受光回路１２４の出力電気信号を
スペクトルアナライザ１２５に入力することにより、受
光回路１２４の周波数−出力振幅特性を測定することが
できる。
なお、信号源１１６による注入電流の変動分は微小であ
るため、該注入電流による半導体レーザ１゜２の出力光
強度の変動は通常は無視できる程度であり、このような
場合には光強度変調器１２２および増幅器１２３は不要
である。
るため、該注入電流による半導体レーザ１゜２の出力光
強度の変動は通常は無視できる程度であり、このような
場合には光強度変調器１２２および増幅器１２３は不要
である。
第７図は本発明の他の実施例を示す構成図であり、第８
図はこの実施例に用いられている半導体レーザの構造を
示す斜視図である。第７図および第８図において、第１
図および第２図と同−若しくは相当部分には同一の符号
を付してその詳細な説明を省略する。本実施例では上部
電極１０３．１０４上にそれぞれ絶縁層５１３を介して
発熱体層５０９．５１０が形成されており、各発熱体層
５０９，５１０にはそれぞれ通電用の端子５０５ 、５
０６ 、５０７ 、５０８が接続されている。端子５０
５，５０６および端子５０７，５０８にはそれぞれ信号
源５３１および５３２が接続されている。なお、５１１
，５１２および５１４はそれぞれ上部電極１０３゜１０
４および下部電極１０５に接続する取り出し線の端子で
ある。
図はこの実施例に用いられている半導体レーザの構造を
示す斜視図である。第７図および第８図において、第１
図および第２図と同−若しくは相当部分には同一の符号
を付してその詳細な説明を省略する。本実施例では上部
電極１０３．１０４上にそれぞれ絶縁層５１３を介して
発熱体層５０９．５１０が形成されており、各発熱体層
５０９，５１０にはそれぞれ通電用の端子５０５ 、５
０６ 、５０７ 、５０８が接続されている。端子５０
５，５０６および端子５０７，５０８にはそれぞれ信号
源５３１および５３２が接続されている。なお、５１１
，５１２および５１４はそれぞれ上部電極１０３゜１０
４および下部電極１０５に接続する取り出し線の端子で
ある。
つぎに、本実施例の動作を説明する。符号１０６〜１１
５および１２６に示すフィードバック回路によって２台
の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波数が安定化さ
れる動作は第１の実施例と全く同じである。ついで、こ
の安定状態から、半導体レーザ１０１゜１０２間に発振
周波数差を与えることになるが、第１の実施例とはこの
発振周波数差を与える方法が異なる。本実施例において
は、発熱体層５０９または５１０に電流を流して発熱さ
せ、この発熱による半導体レーザ１０１，１０２の温度
変化により発振周波数を変化させて２台の半導体レーザ
１０１ 、１０２の発振周波数差を変化させるのである
。この場合にも、符号１０６〜１１５および１２６に示
すフィードバック回路は、信号源５３１または５３２に
印加される鋸歯状波などの電流波形には応答しない程度
の遅い時定数をもつように構成されている。
５および１２６に示すフィードバック回路によって２台
の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波数が安定化さ
れる動作は第１の実施例と全く同じである。ついで、こ
の安定状態から、半導体レーザ１０１゜１０２間に発振
周波数差を与えることになるが、第１の実施例とはこの
発振周波数差を与える方法が異なる。本実施例において
は、発熱体層５０９または５１０に電流を流して発熱さ
せ、この発熱による半導体レーザ１０１，１０２の温度
変化により発振周波数を変化させて２台の半導体レーザ
１０１ 、１０２の発振周波数差を変化させるのである
。この場合にも、符号１０６〜１１５および１２６に示
すフィードバック回路は、信号源５３１または５３２に
印加される鋸歯状波などの電流波形には応答しない程度
の遅い時定数をもつように構成されている。
本実施例では、半導体レーザ１０１，１０２の発振周波
数の温度依存性を利用して発振周波数差の掃引を行って
いる。半導体レーザの発振周波数の温度依存性はＩＯＣ
；Ｈｚ／ｄｅｇ以上であり、したがって、受光回路１２
４の特性測定に必要な周波数差（数十ＧＨｚ程度）を生
じさせるに必要な温度変化は数℃となる。この温度範囲
においては、半導体レーザ１０１．１０２の出力はほぼ
一定であり、受光回路１２４に入射する光強度は特に較
正することなく一定に保たれる。したがって、受光回路
１２４の出力をスペクトルアナライザ１２５に入力すれ
ば、スペクトルアナライザ１２５の表示は受光回路１２
４の周波数特性を表すことになる。
数の温度依存性を利用して発振周波数差の掃引を行って
いる。半導体レーザの発振周波数の温度依存性はＩＯＣ
；Ｈｚ／ｄｅｇ以上であり、したがって、受光回路１２
４の特性測定に必要な周波数差（数十ＧＨｚ程度）を生
じさせるに必要な温度変化は数℃となる。この温度範囲
においては、半導体レーザ１０１．１０２の出力はほぼ
一定であり、受光回路１２４に入射する光強度は特に較
正することなく一定に保たれる。したがって、受光回路
１２４の出力をスペクトルアナライザ１２５に入力すれ
ば、スペクトルアナライザ１２５の表示は受光回路１２
４の周波数特性を表すことになる。
なお、上記２つの実施例では、アイソレータ１０８゜１
０９あるいはフォトダイオード１１２．１１３等のばら
つき等のために、定常状態における２台の半導体レーザ
１．０１，１０２の発振周波数が一致せず、発振周波数
差が多少化じた位置でフィードバック系が安定になる場
合もあり得るが、このような場合でも加える信号波形の
大きさや半導体レーザ１０１，１０２の直流バイアス電
流の調節等を行うことによって今まで述べた測定と同様
の測定を行うことができる。
０９あるいはフォトダイオード１１２．１１３等のばら
つき等のために、定常状態における２台の半導体レーザ
１．０１，１０２の発振周波数が一致せず、発振周波数
差が多少化じた位置でフィードバック系が安定になる場
合もあり得るが、このような場合でも加える信号波形の
大きさや半導体レーザ１０１，１０２の直流バイアス電
流の調節等を行うことによって今まで述べた測定と同様
の測定を行うことができる。
また、半導体レーザ１０１，１０２として分布帰還型の
ものを用いているが、これに限定されるものではない。
ものを用いているが、これに限定されるものではない。
以上説明したように本発明の周波数特性測定方法によれ
ば、２台の半導体レーザの出力光を合波して被測定対象
である受光回路に入力しながら前記２台の半導体レーザ
の少なくとも一方に直流バイアス電流変化や温度変化の
ような物理的変化を与えて２台の半導体レーザの発振周
波数差を掃引すると共に前記受光回路の電気出力をスペ
クトルアナライザで測定するので、超高速変調技術、超
短光パルス発生技術といった特殊な技術を用いることな
く精度良く受光回路の周波数特性を測定することができ
る。すなわち、簡易性ならびに精度の両面において、従
来の測定方法よりも優れている。
ば、２台の半導体レーザの出力光を合波して被測定対象
である受光回路に入力しながら前記２台の半導体レーザ
の少なくとも一方に直流バイアス電流変化や温度変化の
ような物理的変化を与えて２台の半導体レーザの発振周
波数差を掃引すると共に前記受光回路の電気出力をスペ
クトルアナライザで測定するので、超高速変調技術、超
短光パルス発生技術といった特殊な技術を用いることな
く精度良く受光回路の周波数特性を測定することができ
る。すなわち、簡易性ならびに精度の両面において、従
来の測定方法よりも優れている。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は本実
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す斜視図
、第３図は光フィルタ１１０および１１１の発振周波数
−透過光強度特性を示すグラフ、第４図は差動増幅器１
１４の出力特性を示すグラフ、第５図は重畳電流の波形
図、第６図は光強度変調器１２２の動作を示すグラフ、
第７図は本発明の一実施例を示す構成図、第８図は本実
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す斜視図
である。 １０１．１０２・・・半導体レーザ、１１６，５３１，
５３２・・・信号源、１２１・・・光ミキサ、１２４・
・・受光回路、１２５・・・スペクトルアナライザ、５
０９，５１０・・・発熱体層。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山川 数構（ほか１名） 第３図 第４図 ２／ｌ／１７／ｌ／１ 第６図
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す斜視図
、第３図は光フィルタ１１０および１１１の発振周波数
−透過光強度特性を示すグラフ、第４図は差動増幅器１
１４の出力特性を示すグラフ、第５図は重畳電流の波形
図、第６図は光強度変調器１２２の動作を示すグラフ、
第７図は本発明の一実施例を示す構成図、第８図は本実
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す斜視図
である。 １０１．１０２・・・半導体レーザ、１１６，５３１，
５３２・・・信号源、１２１・・・光ミキサ、１２４・
・・受光回路、１２５・・・スペクトルアナライザ、５
０９，５１０・・・発熱体層。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代 理 人 山川 数構（ほか１名） 第３図 第４図 ２／ｌ／１７／ｌ／１ 第６図
Claims (3)
- （１）２台の半導体レーザの出力光を合波して被測定対
象である受光回路に入力しながら前記２台の半導体レー
ザの少なくとも一方に物理的変化を与えて２台の半導体
レーザの発振周波数差を掃引すると共に前記受光回路の
電気出力をスペクトルアナライザで測定することを特徴
とする受光回路の周波数特性測定方法。 - （２）物理的変化が直流バイアス電流変化である特許請
求の範囲第１項記載の受光回路の周波数特性測定方法。 - （３）物理的変化が温度変化である特許請求の範囲第１
項記載の受光回路の周波数特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274412A JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274412A JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133773A true JPS62133773A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0327859B2 JPH0327859B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=17541306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274412A Granted JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041278A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | オーバーフロー口の開閉構造 |
| JP2009041279A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | オーバーフロー口の開閉構造 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60274412A patent/JPS62133773A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009041278A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | オーバーフロー口の開閉構造 |
| JP2009041279A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co Ltd | オーバーフロー口の開閉構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0327859B2 (ja) | 1991-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5015099A (en) | Differential absorption laser radar gas detection apparatus having tunable wavelength single mode semiconductor laser source | |
| US6891149B1 (en) | Optical phase detector | |
| CN107482476A (zh) | 一种激光器频率稳定装置 | |
| JPH0810776B2 (ja) | 狭スペクトル短パルス光源装置及び電圧検出装置 | |
| US4724314A (en) | Material characteristics measuring methods and devices | |
| JP2009033078A (ja) | 波長走査型光源 | |
| JPS62133773A (ja) | 受光回路の周波数特性測定方法 | |
| JPH06101604B2 (ja) | 複数の光源周波数の安定化方法 | |
| JP4008617B2 (ja) | 光源の周波数安定化装置 | |
| Surkamp et al. | Continuous wave THz system based on dual wavelength monolithic Y-branch laser diode | |
| JPH05133840A (ja) | 光周波数フイルタ測定装置 | |
| JP3104715B2 (ja) | 可変波長フィルタ装置 | |
| JP2520740B2 (ja) | 波長可変安定化光源 | |
| JP2004069333A (ja) | 波長計測方法 | |
| JPH02257026A (ja) | レーザ周波数安定度測定装置 | |
| JP3252880B2 (ja) | 波長可変素子の動特性測定装置 | |
| JPH067099B2 (ja) | チューナブルエタロンを用いたガスセンサ | |
| JPH01153924A (ja) | コヒーレント光測定装置 | |
| JPH067100B2 (ja) | チューナブルエタロンを用いたガス濃度圧力検出方法 | |
| JPH01170921A (ja) | 光ヘテロダイン検波装置 | |
| JPH01194484A (ja) | レーザ装置発振周波数安定化方法 | |
| JPH02260480A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0820333B2 (ja) | 光変調器の周波数特性測定方法及びその測定装置 | |
| JPH01153923A (ja) | コヒーレント光測定装置 | |
| JPH05273077A (ja) | 光位相変調特性の測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |