JPH01170921A - 光ヘテロダイン検波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光ヘテロダイン検波における信号光の光パワ
ーの測定を容易に達成するために好適な光ヘテロダイン
検波装置に関し、更に詳細には、信号光の光パワーと参
照光の光パワーとを同一にすることができる光ヘテロダ
イン検波装置に関する。

［従来の技術］ 光通信技術を中心とした光応用技術の実用化によって微
弱な光パワーの測定装置に対する重要性は、ますます高
まってきた。とりわけ、コヒーレント光通信技術におい
ては、飛躍的な高感度化が達成できるようになった。コ
ヒーレント光の受信装置では、いわゆる光ヘテロダイン
検波方法が採用されており、光の周波数や位相変化を利
用している。これによって、光の強さのみを利用する従
来方法に比べて１，０倍から１００倍の感度向上が期待
できるとされ、既に一定条件下で１０倍以上の受信感度
の向上が確認されている。

以下第５図を用いて光ヘテロダイン検波の原理を説明ず
ろ。第５図において、角周波数ω１を持つ信号光１０と
角周波数ω２を持つ参照光１２とをハーフミラ−１１に
より合成し、合成信号光１３を得、受光素子１４（例え
ばホＩ・ダイオード等）に入力する。この受光素子１４
で、これら２つの光のビート角周波数１ω　−ω１１を
検出するように構成したものが光ヘテロダイン検波装置
である。

ここで、信号光１０の光振幅Ｅ１と参照光１２の光振幅
Ｅ２は、それぞれ次のように記述できる。

Ｅ　　＝ａ　　ｅｘｐ　　［−Ｊ　（（Ａ）　　ｔ＋φ
１　）］　　（ｉ）讐　＝ａｅｘｐ［−Ｊ（ω　ｔ＋φ
２）］（２）ここでは側光ばω　≧ω　とする。このＥ
ｌとＥ２を重ね合せたときの光強度Ｉ　（ｔ）は、重ね
合せる前の光強度をそれぞれＩ　、Ｉ２として以下のよ
うに表される。

Ｎｔ）＝ｌＥ　　＋Ｅ２１ ＝ＩＥ　　ｌ　　＋ｌＥ２１　　＋２βＩＥ１１・１０
１　ｃｏｓ　（（ω２−ω１）を十Δφ）（３） ＝Ｉ　＋Ｉ　　＋２βＥロー、、　　ｃｏｓ（（ω２−
ω１）ｔ＋Δφ）（４） ここでβは干渉効率で０≦β≦１の範囲にあり、２つの
光の偏波を一致させること等によりβ＝１とできるので
以下この場合につき説明する。また、Δφは位相差１φ
　−φ２１を表わす。

２つの光１０．１２のビート信号成分は（３）式の第３
項で記述される。従って、信号光１０の光強度１１が微
弱であっても、参照光１２の光強度Ｉ２が大きければ、
第３項の振幅は大きく変化するので、結果として受信感
度の大福改善が達成される。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、信号光１０の光強度の測定が要求される場合
がある。この測定を（４）式を用いて行うとすると、ビ
ート信号順（第３項）以外に、重ね合せる前の信号光１
０と参照光１２の光強度１１、Ｉ２が含まれており、信
号光１０のみの光強度■１を直接に測定することが困難
となる。

そこで従来は、重ね合せる前の状態で、信号光１０の光
強度を光パワーメータ等で測定した。すなわち、信号光
１０を空間的に分層して測定した。

しかし、光ヘテロダイン検波方法では、ハーフミラ−１
１等を介して合成信号光１３を得るので、この重ね合せ
る過程での光損失、とくに光コネクタの着脱等に伴う光
損失及び測定条件の変動が生じ、実質的に光強度の正確
な測定が困難であった。

本件発明者は、上述の如き問題点を解決するための光パ
ワーの測定方法と研究開発していたところ、信号光の振
幅と参照光の振幅（光）とを同一にすれば、信号光の光
パワーを容易に測定することができることを発見した。

しかし、信号光と参照光の振幅を容易に一致させること
ができる方法は知られていない。

従って、本発明の目的は、参照光の振幅を信号光の振幅
に容易に一致させることができる光ヘテロダイン検波装
置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、第１の角周波数の信号光を入力させる入力手段と、
第２の角周波数の参照光を生成するための参照先発生手
段と、前記入力手段から得られる前記信号光と前記参照
光発生手段から得られる前記参照光との合成信号光を得
るための光合成手段と、前記合成信号光を電気信号に変
換する光電変換手段と、前記光電変換手段から得られる
ビート信号を増幅するための増幅手段と、前記増幅手段
の出力側におけるビート信号波形の谷点の電圧レベルが
零か否かを検出するレベル検出手段と、前記レベル検出
手段から前記谷点の電圧レベルが零であることを示す検
出信号が得られるように前記参照光の振幅を￥ｆ１ｅｌ
ｔするための制御手段とから成る光ヘテロダイン検波装
置に係わるものである。

［作　用］ 本発明の入力手段は例えば偏波保持光ファイバであり、
例えば偏波保持光ファイバカツラから成る光合成手段に
信号光を送る。参照光発生手段は例えば半導体レーザを
含む周波数安定化光源であって、光合成手段に参照光を
送る。光合成手段にて信号光と参照光とが合成されると
第１の角周波数と第２の角周波数とのビート成分を含む
合成信号光が得られる。光電変換手段は例えばホトダイ
オード等の受光素子を含み、合成信号光に対応する電気
信号即ち第１の角周波数と第２の角周波数とのビート周
波数成分を含むビート信号を出力する。前記レベル検出
手段はビート信号波の谷点の電圧レベルが零であるか否
かを判定する。レベル検出手段から谷点の電圧レベルが
零でないことを示す出力が得られている時には、制御回
路は谷点の電圧レベルを零にするように参照光の振幅を
変える。参照光の振幅調整によって参照光の振幅と信号
光の振幅とが等しくなると、ビート信号波形の谷点の電
圧レベルが零になる。この様に参照光と信号光との振幅
が同一の状態が設定されると、例えば、信号光の光パワ
ーの測定を極めて簡単に達成することが可能になる。

［実施例］ 次に、第１図〜第４図に基づいて本発明の一実施例に係
わる光ヘテロダイン検波装置を説明する。

この光ヘテロダイン検波装置は、信号光の光パワーを検
出（測定）し、これを表示するように構成されている。

第１図における１０は第５図で説明したものと同様な角
周波数ω１　（例えば光波長１゜５５μｍ帯）の信号光
であり、１２は角周波数ω２の参照光である。９ａ、９
ｂはそれぞれ、信号光１０と参照光１２を伝送する偏波
保持光ファイバであり、１６は信号光１０と参照光１２
とを偏波を略一致させて合成し、合成信号光１３を得る
ための光合成手段としての偏波保持光フアイバカプラで
ある。１７は信号光１０の入力端であり、２８は参照光
１２を発生するための周波数安定化光源である。偏波保
持光フアイバカプラ１６の一方の出力端１５はマツチン
グオイル（斜線で示す部分）を用いて到達した光の反射
を生じることなく終端されるように構成されている。他
方の出力＃Ａ１８には信号光１０と参照光１２との・合
成信号光１３が得られる。

合成信号光１３は、コリメートレンズ１９を介し、更に
Ｍ復回路２４からライン３３で与えられる制御信号で動
作する光スィッチ２０を介して受光素子１４に入力され
、ここで光・電気変換されてと−ト信号になる。受光素
子１４の出力ライン２１に得られたビート信号は、低ド
リフト演算増幅器から成る直流増幅器２２及びここにラ
イン２９で接続されたノイズ除去用ローパスフィルタ２
３を介してレベル検出回路４３、制御器＃１２４及び信
号処理回路２６に送られる。

レベル検出回路４３は、ローパスフィルタ２３を介して
ライン３０に得られるビート信号波形の谷点の電圧レベ
ルが零であるか否かを検出（判定）する回路である。こ
のレベル検出を実行するために、制御器Ｒ２４がライン
３３によってレベル検出回路４３に接続されている。な
お、ライン３３はビート信号波形の谷点な示す信号を伝
送する。

レベル検出回路４３は第２図に示す如く、サンプルホー
ルド回路２５と電圧比較器４５とを含む。

サンプルホールド回路２５の入力端子は第１図のローパ
スフィルタ２３の出力ライン３ｏに接続され、サンプリ
ングパルス入力端子はライン３３で制御回路２４に接続
される。ライン３３は光スィッチ２０にも接続されてい
る。従って、光スィッチ２０の光遮断期間とサンプリン
グパルス発生期間とが一致している。このため、合成信
号光１３が光スィッチ２０で遮断されている時のライン
３０の電圧（受光素子１４からローパスフィルタ２３ま
でのオフセット電圧）がサンプルホールド回路２５で抽
出され、ホールドされる。

電圧比較器４５の一方の入力端子はローパスフィルタ２
３の出力ライン３０に接続され、他方の入力端子はサン
プルホールド回路２５に接続されている。従って、電圧
比較器４５はビート信号波形がオフセット電圧よりも高
いか否かを判定し、ビート信号波形がオフセット電圧よ
りも高い時には高レベルの出力電圧を発生し、ビート信
号波形がオフセット電圧に一致した時に低レベル出力を
発生する。もし、オフセット電圧が零ボルトの場合には
、サンプルホールド回路２５は零ボルトの出力を発生す
るので、ビート信号波形が零ボルトになった時に比較器
４５の出力が反転する。

制御回路２４は、光スィッチ２０とレベル検出回路４３
をライン３３の信号で制御するのみでなく、信号光１０
の光パワーを測定及び表示するように信号処理回路２６
及び表示回路２７をそれぞれライン３２の信号及びライ
ン３５の信号で制御する。また制御回路２４は、周波数
安定化光源２８に内蔵された半導体レーザ３９をライン
３８の定電流駆動信号で制御し、更に半導体レーザ３９
の温度制御を行うベルチェ素子４２をライン３７の駆動
信号で制御する。

上述の如き種々の制御を実行するために、制御回路２４
は第３図に示す如くバンドパスフィルタ４５と、カウン
タ４６とタイミング信号発生回路４７と、安定化制御部
４８とを有する。バンドパスフィルタ４５は第１図のロ
ーパスフィルタ２３の出力ライン３０に接続され、ビー
ト信号波形のビート周波数（交流）成分を抽出し、周波
数カウンタ４６に与える０周波数カウンタ４６はビート
信号が所定周波数範囲（約１０ｋＨｚ）になったか否か
を検出する。

タイミング発生回路４７はカウンタ４６に接続されてい
ると共に第１図のレベル検出回路４３の出力ライン３１
にも接続され、ビート信号が所定周波数範囲（約１０ｋ
Ｈｚ）になったことを示すカウンタ出力に応答してライ
ン３２．３３．３５にタイミング信号を送出する。更に
詳しく説明すると、タイミング発生回路４７はビート信
号が所定周波数範囲になったことに応答してライン３３
に間欠的に光スィッチ２０の遮断制御パルス及びサンプ
リングパルスを送出し、ライン３１に得られるレベル検
出回路４３によって零レベルが検出されたことを示す信
号に応答して信号処理回路２６による光パワーの測定の
開始制御信号をライン３２に出力すると共に表示回路２
７の制御信号をライン３５に出力する。

制御回ＦＩ＆２４内の安定化制御部４８は第１図のレベ
ル検出回路４３の出力ライン３１に接続され、ビート信
号のレベルが零になるように半導体レーザ３９を制御す
る信号をライン３８に送出すると共に、ベルチェ素子４
２を制御する信号をライン３７に送出する。なお、安定
化制御部４８は、半導体レーザ３９の駆動電流及び温度
を鋸歯状に微小変化（挿引）させ、これにより参照光１
２の据置を微小変化させ、信号光１０の振幅と参照光１
２の振幅が一致した時点で参照光１２の振幅の調整を中
止し、振幅を固定するものである。

発光素子たる半導体レーザ３９には光信号１０の光源と
同様のｍ−光スペクトルを有する分布帰還型半導体レー
ザ（ＤＦＢ−ＬＤ）又は分布ブラッグ反射型半導体レー
ザ（ＤＢＲ−ＬＤ）等で構成される。半導体レーザ３９
の温度の安定性を高めるために、これを断熱材で囲い、
且つベルチェ素子４２を二段構成としたいわゆるＰ、１
．Ｄ制御をなし、温度変動を１０−４℃以下にすること
が望ましい、また、半導体レーザ３９の駆動電流も数十
ｎＡ以下に安定化することが望ましい、半導体レーザ３
９の出射光はコリメートレンズ４０及び反射戻り光防止
用の光アイソレータ４１を介して偏波保持光ファイバ９
ｂに入力する。

次に、被測定光又は被比較光としての信号光１０の振幅
ＩＥ　　ｌ及び光パワー■１と参照光１２の振幅ＩＥ　
　ｌ及び光パワーＩ２とを一致させるま ための原理を第４図を参照して説明する。第４図におけ
る波形ａ及びｂは例えばローパスフィルタ２３の出力ラ
イン３０のビート信号波形を示す。

なお、波形ａは信号光１０の振幅ＩＥ１１と参照光１２
の振幅ＩＥ２１が不一致の場合を示し、波形すはＩＥ　
　１＝ｌＥ２＋の場合を示す。

ビート信号波形は次の原理によって変化する。

前述の（３）式を参照して波形ａについて考察すると、
この波形のＡ点は、ｃｏｓ　　（（ω２−ω１）ｔ＋Δ
φ）＝１の場合の山（ピーク）値を示す、同様に０点は
ｃｏｓ（（ω２−ω１）ｔ＋Δφ）＝−１の場合の谷値
を示す、従ってＡ点の値は（ＩＥ１１＋ＩＥ、２　＋）
　　となり、０点の値は（ＩＥ１１−ＩＥ２１）　　と
なる、この０点の値が零ボルトになる条件は）Ｅ　　１
＝ｌＥ２１である。従って、０点の値が零ボルトになる
ように参照光１２の振幅ＩＥ２１を調整すれば、ＩＥｌ
　１＝ＩＥ２１になる。波形ａの場合は、例えばＩＥ、
ｌ＞ＩＥ２１であり、０点の値が零になっていないが、
Ｅ　を調整してＩＥ　　１＝ＩＥ２＋にすれば、波形す
になり、０点に対応するＤ点（谷点）が零レベルになる
。なお、参照光１２の振幅ＩＥ２１を変えてビート信号
波形をａからｂに変えると、合２が第４図のＦだけ変化
し、ビート周波数もわずかに変化する。

以上から明らかなように何らかの手段によってビート信
号波形の谷点の電圧レベルを零になるように参照光１２
の振幅ＩＥ２１を調整すれば、ＩＥ　　１−ＩＥ２１の
状態が得られる。この状態を得るために、本実施例では
制御回路２４によって半導体レーザ３９の駆動電流及び
温度を鋸歯状に変化させ、レベル検出回路４３によって
ビート信号波形が零レベルになる点を検出する０次にこ
の動作を更に詳しく述べる。

ビート信号波形の零レベルを正確に検出するためには、
受光素子１４からローパスフィルタ２３までの回路のオ
フセット電圧が問題になるので、レベル検出回路４３の
第２図に示す電圧比較器４５には基準信号として零レベ
ル信号を与えずに、サンプルホールド回路２５でホール
ドしたオフセット電圧を与える。サンプルホールド回路
２５によるオフセット電圧のサンプリング及びホールド
は、光スィッチ２０によって合成信号光１３を遮断した
時のローパスフィルタ２３の出力をサンプリングし、ホ
ールドすることによって達成される。

電圧比較器４５はオフセット電圧を自動的に補償（減算
）してビート信号波形の谷点が零レベルであるか否かを
判定する。第４図の波形ａが電圧比較器４５に入力して
いる時には、出力ライン３１は例えば高レベルであり、
谷点が零レベルよりも高いことを示す出力状態になる。

従って、制御回路２４の安定化制御部４８による鋸歯状
制御が実行される。この制御で半導体レーザ３９の駆動
電流を徐々に増大し、温度を徐々に下げると参照光１２
の振幅Ｅ　が変化し、ＩＥ　　＋＝ＩＥ２＋の状態にな
り、ビート信号波形の谷点が零レベルになる。なお、半
導体レーザ３９の駆動電流を増大すると参照光１２の振
幅Ｅ２が増大すると共に光波長λが長波長側にわずかに
変化するが、半導体レーザ３９の温度を下げることによ
って光波長λを気波長側に補正することができる。温度
Ｔの変化と波長λの変化の関係はｄλ／ｄＴ＝ＩＡ／’
Ｃで略表わすことができる。ビート信号波形の谷点が零
レベルになるということは、サンプルホールド回路２５
から与えられているオフセット電圧とビート信号波形と
が一致することを意味し、電圧比較器４５の出力は低レ
ベルに転換する。この転換によって得られるＩＥ、１＝
ｌＥ２　＋を示す情報は制御回路２４に送られる。制御
回路２４はＩＥ、Ｉ＝ＩＥ２１を示す信号に応答して半
導体レーザ３９の鋸歯状１１ｊ制御を中断し、零レベル
が得られた時の駆動電流及び温度を維持するように半導
体レーザ３９を制御する。

以上のようにオフセット電圧を補償した状態で信号光１
０の振幅ＩＥ、１と参照光１２の振幅ＩＥ２！とを同一
に設定すれば、信号光１０の光パワーの測定に好都合で
ある０次に、光パワーの測定動作を説明する。

信号処理回路２６はこの実施例ではディジタル交流電圧
計と演算回路とから成る。交流電圧計及び演算回路によ
る光パワーの測定はレベル検出回路４３から零レベルを
示す出力が得られた後に実行される。交流電圧計によっ
て信号光１０の光パワーを求めることができることを次
に説明する。

（３）式においてβを１とすれば、ライン３０のビート
信号波形の交流成分は次式で示すことができる。

２１Ｅ　１・ｌ　Ｅ２　Ｉ　ｃｏｓ　（（ω２−ω１）
ｔ＋Δφ）（５） この（５）式の実効値ＩＯは次式に示される。

Ｉｏ＝２１Ｅ１１・ＩＥ２１／　　ｆｆ＝Ｆ丁ＩＥ　　
Ｉ・ＩＥ２１ ＝（Ｔ−ゴ〒７弓　　　　　　　（６）信号処理回路２
６における交流電圧計は実効値を検出するように構成さ
れているので、（６）式の値を出力する。

ところで、光パワー測定開始に先立って、ＩＥｌ　１＝
ｌＥ　　Ｉ、１１＝Ｉ２に設定されているので、（６）
式は次の様に示すことができる。

ｘ０＝（丁　Ｉ　１（７） ここで■。は半導体レーザ３９の設定された駆動電流及
び温度に対してあらかじめ校正されており、これに対応
する光出力として既知である。

従って、演算回路によって１１＝Ｉｏ／Ｆ丁の演算を行
えば信号光１０の光パワー１１が求まり、これが表示回
路２７に表示される。

なお、（３）式に示す内容は、光スペクトル幅の有限性
によりＩＥ　　１＝ＩＥ２１でも前記した径値が零レベ
ルに一致しないことがある。このような場合には径値の
最低レベルをオフセット電圧値とすればよい、コヒーレ
ント光通信用の半導体レーザでは一般にスペクトル幅は
ＩＭＨ２以下に狭スペクトル化されており、参照光も同
様の半導体レーザを使用することが望ましい。

［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

（１）　信号処理回路２６をサンプルホールド回路と演
算回路で構成してもよい。この場合には、サンプルホー
ルド回路によって第４図に示すビート信号波形の山（ピ
ーク）値（ｌ　Ｉ’　　ｌ　＋　Ｉ　Ｅ２１）　と径値
（ｌＥｌ　　１−ＩＥ２１＞２とを抽出し、演算回路に
てまず両者の和Ｉ、を次のように求める。

１　　＝（ＩＥｌ　１＋ｌＥ２１）　　＋（ＩＥｌ　１
−ＩＥ２１） ＝２（ＩＥ　　ｌ　　＋＋Ｅ　　ｌ　　）　　　（８）
予めＩＥ　　Ｉ＝ＩＥ２１に設定されているので、（８
）式は次式で示すことができる。

Ｉ　　＝４１Ｅ１１　　＝４Ｉ、　　　　　　　　（９
）従って、１１＝Ｉ、／４の演算によって信号光１０の
光パワー１１が求まる。

また、サンプルホールド回路で出値と径値との差工　を
求めることによって１１を決定してもよい、この差Ｉｄ
は次式で示される。

Ｉｄ＝４１Ｅ１１・１Ｅ２１　　　　　　　（１０）予
めＩＥ　　１＝ｌＥ２＋に設定されているので、（１０
）式は次のようになる。

Ｉｄ＝４１Ｅ１１ ＝４１１　　　　　　　　　　　　　（１１）従って、
１１＝Ｉｄ／４の演算で信号光１０の光パワー１１　　
を求めることができる。

更に、１１＝Ｉ、、の条件を使用することによって信号
処理を簡略化することができる種々の光パワー測定に本
発明を適用することができる。

（２）　第１図における偏波保持光フアイバカプラ１６
を、受光素子１４に入力する合成信号光の偏波方向がゆ
らがない範囲において、一般の単一モード光ファイバを
使用して製造したいわゆる合波・分波器、または光導波
路を用いた方向性結合器等に置換してもよい。

（３）　第１図における偏波保持光フアイバカプラ１６
を使用する場合において、入力端１７に信号光を入力す
る場合、その偏波方向がゆらぐために結合損失が変動す
る場合には、周知の光ファイバのねじれ等を利用したい
わゆる偏波補償回路を入力端１７に結合してもよい。

（４）　第１図において信号光１０（被比戟光）の光周
波数が比較的近接して存在している場合であって、参照
光１２の光周波数が掃引できる範囲内にある場合には当
然１個の半導体レーザ３９で比較測定可能である。しか
し、信号光の周波数が大きく離れて存在する場合には、
複数の半導体レーザ３９の出力光を光スィッチ等で順次
切替えることによって広い周波数帯域の参照光を得るよ
うにしてもよい。

（５）　第１図において周波数安定化光源２８は、ＩＥ
　　１＝Ｉ２２１が成立した後に半導体し一ザ３９の駆
動電流及び温度を一定に制御する装置であったが、この
装置に加えてファブリベロー共振器を光周波数弁別器と
して組込み、これをいわゆるＰＺＴ等の圧電素子で機械
的にコントロールし、光周波数制御する方式としてもよ
い。

（６）　半導体レーザ３９の駆動電流と温度とのいずれ
か一方のみを変えて参照光の振幅を制御するようにして
もよい。

（７）　第１図における周波数安定化光源２８に光が戻
ることを防止するために、光アイソレータ４１を用いて
いるが、コリメータ用レンズ４０や光アイソレータ４１
の光入射端面からの戻り光が問題となる場合には、半導
体レーザ３９のレーザチップ（図示せず）に斜め研磨、
または先球加工した光ファイバを直接結合し、光アイソ
レータ４１を省略してもよい。

（８）　第１図において、受光素子１４や直流増幅器２
２のドリフトが無視できる場合には、光スィッチ２０を
省略してもよい、この場合には電圧比較器４５の反転入
力端子を零ボルトに設定する。

（９）　第１図の制御回路２４に内蔵した周波数カウン
タ４６を周波数−電圧変換器（いわゆるＦ−Ｖコンバー
タ）に置換し、このＦ−Ｖコンバータの出力が予め設定
したレベルに達したときタイミング発生回路４７を動作
開始する方式としてもよい、また、制御回路２４、信号
処理回路２６をマイクロコンピュータで構成してもよい
。

（１０）　　　ＩＥ　　１＝ｌＥ２１の条件を設定すす ることのみが要求される場合には、第１図の信号処理回
路２６、表示回路２７を省いてもよい。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、光ヘテロダイン検波に
おいて、信号光の光パワーと参照光の光パワーとを容易
に一致させることができる。従って、信号光の光パワー
測定等を容易に達成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わる光ヘテロダイン検波
における光パワー測定装置を示す回路図、第２図は第１
図のレベル検出回路を具体的に示す回路図、 第３図は第１図の制御回路を具体的に示す回路図、 第４図は第１図におけるビート信号波形を示す図、 第５図は従来の光ヘテロダイン検波の原理図である。 １０・・・信号光、１２・・・参照光、１３・・・合成
信号光、１４・・・受光素子、１６・・・偏波保持光フ
アイバカプラ、２０・・・光スィッチ、２１・・・ビー
ト信号ライン、２２・・・直流増幅器、２３・・・ロー
パスフィルタ、２４・・・制御回路、２８・・・周波数
安定化光源、３９・・・半導体レーザ、４１・・・光ア
イソレータ、４２・・・ペルチェ素子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］第１の角周波数の信号光を入力させる入力手段と
   、 第２の角周波数の参照光を生成するための参照光発生手
   段と、 前記入力手段から得られる前記信号光と前記参照光発生
   手段から得られる前記参照光との合成信号光を得るため
   の光合成手段と、 前記合成信号光を電気信号に変換する光電変換手段と、 前記光電変換手段から得られるビート信号を増幅するた
   めの増幅手段と、 前記増幅手段の出力側におけるビート信号波形の谷点の
   電圧レベルが零か否かを検出するレベル検出手段と、 前記レベル検出手段から前記谷点の電圧レベルが零であ
   ることを示す検出信号が得られるように前記参照光の振
   幅を制御するための制御手段とから成る光ヘテロダイン
   検波装置。 ［２］前記参照光発生手段が半導体レーザを含む周波数
   安定化光源である特許請求の範囲第１項記載の光ヘテロ
   ダイン検波装置。 ［３］前記光合成手段が偏波保持光ファイバから成るも
   のである特許請求の範囲第１項記載の光ヘテロダイン検
   波装置。 ［４］前記レベル検出手段は、前記光電変換手段と前記
   増幅手段とのオフセット電圧が入力する一方の入力端子
   と前記ビート信号波形が入力する他方の入力端子とを有
   する電圧比較器を有するものである特許請求の範囲第１
   項記載の光ヘテロダイン検波装置。