JPS62131433A - 間接放電パネル用電極基板の製造法 - Google Patents
間接放電パネル用電極基板の製造法Info
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- JPS62131433A JPS62131433A JP60270499A JP27049985A JPS62131433A JP S62131433 A JPS62131433 A JP S62131433A JP 60270499 A JP60270499 A JP 60270499A JP 27049985 A JP27049985 A JP 27049985A JP S62131433 A JPS62131433 A JP S62131433A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は間接放電パネル用電極基板の製造法に係り、さ
らに詳しくは基板上に設けた電極を誘電体層で被覆して
孜祇用のガス空間から絶縁した構成した間接放電パネル
の電極基板において、誘電体層のフレバスに起因した放
電不良を解消した間接放電パネル用電極基板の＃遡性に
関する。
らに詳しくは基板上に設けた電極を誘電体層で被覆して
孜祇用のガス空間から絶縁した構成した間接放電パネル
の電極基板において、誘電体層のフレバスに起因した放
電不良を解消した間接放電パネル用電極基板の＃遡性に
関する。
プラズマディスプレーの１つである間接放也型（ＡＣ型
）の放電パネル用電極基板は、電極が誘電体層で被覆さ
れ、放電用のガス空間から絶縁されて構成されている。
）の放電パネル用電極基板は、電極が誘電体層で被覆さ
れ、放電用のガス空間から絶縁されて構成されている。
このような放゛電パネルはガラス基板上に設けられた多
層薄膜構成の電極及びＳ ｉ ０２ 、 ｋ１２０５等
の薄映構成の誘電体層より構成されている。
層薄膜構成の電極及びＳ ｉ ０２ 、 ｋ１２０５等
の薄映構成の誘電体層より構成されている。
第４図はガース放電バ羊ルの断面図を示す。
１対のガラス基板ａｚ０が所定の間隔をおいて対向配置
され、両ガラス基板ｆｉＤ ｔｎＪ周辺部間は低融点ガ
ラスシール材（２）で封止され、両ガラス基板αυαａ
間のガス空間（３）に放電用ガスが封入されている。一
方のガラス基板α力に複数条のＸ細電極（４１）が設け
られ、もう一方のガラス基板＠にＹｆｉＩＩｌ電極（４
２）が設けられ、Ｘ細電極（４１）、及びＹ細電極（４
２）はそれぞれ誘電体層（５）で覆われている。Ｘ細電
極（４１）とＹ細電極（４２）は相互に交叉するように
対向せしめられ、多数個のドツトマトリックスが形成さ
ｈている。
され、両ガラス基板ｆｉＤ ｔｎＪ周辺部間は低融点ガ
ラスシール材（２）で封止され、両ガラス基板αυαａ
間のガス空間（３）に放電用ガスが封入されている。一
方のガラス基板α力に複数条のＸ細電極（４１）が設け
られ、もう一方のガラス基板＠にＹｆｉＩＩｌ電極（４
２）が設けられ、Ｘ細電極（４１）、及びＹ細電極（４
２）はそれぞれ誘電体層（５）で覆われている。Ｘ細電
極（４１）とＹ細電極（４２）は相互に交叉するように
対向せしめられ、多数個のドツトマトリックスが形成さ
ｈている。
上記のようなＸＹマトリックス型の放電パネルの電極（
４１）（４２）はガラス基板ａｌｌの全面に膜厚１ｏｏ
ｏＸのクロム下地層、膜厚２．５μの銅導電層、及び膜
厚１５００Ａのクロム最上層の３層を順次スパッタリン
グ法等により積層した後、レジストを塗布した後、所定
形状のマスクを用いて廷′＃、後曳像してレジストパタ
ーンを形成シ、レジストパターンをマスキング層トして
、クロム最上層、銀導成層、及びクロム最下層の３層を
ハ１次エツチングして形成するのであるが、クロムと４
４の食刻速度が異なることによシ、クロム最下層（４り
をエツチングする過程で銅導電層（４ｂ）のサイドエッ
チが進み、クロム最上層（４Ｃ）が銅導電層（４ｂ）の
上に張り出した形状に形成されてしまう。このようにし
て形成された電極（４１） （４２）に誘電体層（５）
を蒸漕法等により成嘆すると、カバリングが悪く、極端
な場合には第５図に示すように誘電体層（５）にフレバ
ス（６）が形成されてしまう。
４１）（４２）はガラス基板ａｌｌの全面に膜厚１ｏｏ
ｏＸのクロム下地層、膜厚２．５μの銅導電層、及び膜
厚１５００Ａのクロム最上層の３層を順次スパッタリン
グ法等により積層した後、レジストを塗布した後、所定
形状のマスクを用いて廷′＃、後曳像してレジストパタ
ーンを形成シ、レジストパターンをマスキング層トして
、クロム最上層、銀導成層、及びクロム最下層の３層を
ハ１次エツチングして形成するのであるが、クロムと４
４の食刻速度が異なることによシ、クロム最下層（４り
をエツチングする過程で銅導電層（４ｂ）のサイドエッ
チが進み、クロム最上層（４Ｃ）が銅導電層（４ｂ）の
上に張り出した形状に形成されてしまう。このようにし
て形成された電極（４１） （４２）に誘電体層（５）
を蒸漕法等により成嘆すると、カバリングが悪く、極端
な場合には第５図に示すように誘電体層（５）にフレバ
ス（６）が形成されてしまう。
その結果、放電領域における電極（４１）（４２）部の
露出により放電特性が不安定化し、また低磁点ガラスシ
ール材（２）で封止されるべきシール領域においてはシ
ール不良によりガス漏れが生じ、動作の安定性を保持で
きない事態が生ずる。
露出により放電特性が不安定化し、また低磁点ガラスシ
ール材（２）で封止されるべきシール領域においてはシ
ール不良によりガス漏れが生じ、動作の安定性を保持で
きない事態が生ずる。
電特性が安定した間接放電パネル用電極基板の製造法を
提供することにある。
提供することにある。
果、ガラス基板の全面にクロム下地層、銅導電層、及び
クロム最上層の３層を積層形成し、次いでクロム最上層
上にレジストを塗布した後、複数の電極及びそれらのリ
ード部領域に相当する領域を被覆するパターン形状のマ
スクを用いて露光後現像してレジストパターンを形成シ
、該レジストパターンをマスキング層として、クロム最
丘層、銅導電層、及びクロム最下層の３層をエツチング
して複数の電極及びそれらの電極を形成し１次いで放電
領域及びシール部領域に位置せしめられるクロム最上層
部分をエツチングにより除去し１次いで電気メッキによ
り露出せしめられた銅導′亀層を銅拡散防止層で被覆１
−１次いで銅拡散防止層を誘電体層で被覆することによ
り誘電体層にフレバスが存在しない放′ｗＬ特性が安定
した間接放電パネル用電極基板を提供し得ることを見い
だし、かかる知見にもとづいて、本発明を完成したもの
である。
クロム最上層の３層を積層形成し、次いでクロム最上層
上にレジストを塗布した後、複数の電極及びそれらのリ
ード部領域に相当する領域を被覆するパターン形状のマ
スクを用いて露光後現像してレジストパターンを形成シ
、該レジストパターンをマスキング層として、クロム最
丘層、銅導電層、及びクロム最下層の３層をエツチング
して複数の電極及びそれらの電極を形成し１次いで放電
領域及びシール部領域に位置せしめられるクロム最上層
部分をエツチングにより除去し１次いで電気メッキによ
り露出せしめられた銅導′亀層を銅拡散防止層で被覆１
−１次いで銅拡散防止層を誘電体層で被覆することによ
り誘電体層にフレバスが存在しない放′ｗＬ特性が安定
した間接放電パネル用電極基板を提供し得ることを見い
だし、かかる知見にもとづいて、本発明を完成したもの
である。
本発明の間接放電パネル用電極基板の製造法はガラス基
板の全面にクロム下地層、銅導電層。
板の全面にクロム下地層、銅導電層。
及びクロム最上層の３層を１ｉｌＱ次積層する過程と。
クロム最上層上に複数の電極及びそれらのリード部領域
に相当する領域を被覆するパターン形状のレジストパタ
ーンを設ける過程と、該レジストパターンをマスキング
層として、クロム液上層、銅導電層、及びクロム最下層
の３層をエツチングして複数の′成極及びそれらのリー
ド部を形成する過程と、次いで放電領域及びシール部領
域に位置せしめられるクロム最上島部分をエツチングに
より除去する過程と、クロム最上層の一部を除去した慢
、露出せしめられた銅導電層を銅拡散防ＩＦ層で被覆す
る過程と銅拡散防止層を誘電体層で被覆する過程とから
なる。
に相当する領域を被覆するパターン形状のレジストパタ
ーンを設ける過程と、該レジストパターンをマスキング
層として、クロム液上層、銅導電層、及びクロム最下層
の３層をエツチングして複数の′成極及びそれらのリー
ド部を形成する過程と、次いで放電領域及びシール部領
域に位置せしめられるクロム最上島部分をエツチングに
より除去する過程と、クロム最上層の一部を除去した慢
、露出せしめられた銅導電層を銅拡散防ＩＦ層で被覆す
る過程と銅拡散防止層を誘電体層で被覆する過程とから
なる。
以下、本発明につき、図面を浴照しながら詳細に説明す
る。
る。
先ず、第１図（ａｌに示すようにガラス基板の全面にク
ロム下地層（４ａ）、銅導電層（４ｂ）、及びクロム最
上層（４Ｃ）の３層をスパッタリ〉・グ法、蒸涜法、イ
オンプレーグイング法、金属溶剤法。
ロム下地層（４ａ）、銅導電層（４ｂ）、及びクロム最
上層（４Ｃ）の３層をスパッタリ〉・グ法、蒸涜法、イ
オンプレーグイング法、金属溶剤法。
めっき法などの方法により順次積層する。
次いで第１図（ｂｌに示すようにクロム最上層（４ｃ）
上に複数の電極及びそれらのリード部領域に相当する領
域を被覆するパターン形状のレジストパターン（６）を
設ける。
上に複数の電極及びそれらのリード部領域に相当する領
域を被覆するパターン形状のレジストパターン（６）を
設ける。
レジストパターン（６）は公知のレジスト材料、例えば
、重クロム酸塩／ＰＶＡ系９重クロム酸塩／天然タンパ
ク系、環化ゴム／ビスアジド系（東京応化工業社製、Ｏ
ＭＲ−３３等）、ノボラック樹脂／キノンジアジド系（
ンップレー社製ＡＺ−１３５０）等のレジスト材料を用
い、写真製版法により形成する。
、重クロム酸塩／ＰＶＡ系９重クロム酸塩／天然タンパ
ク系、環化ゴム／ビスアジド系（東京応化工業社製、Ｏ
ＭＲ−３３等）、ノボラック樹脂／キノンジアジド系（
ンップレー社製ＡＺ−１３５０）等のレジスト材料を用
い、写真製版法により形成する。
次いで腐蝕液として塩化第二鉄／塩酸系、硝酸第二セリ
ウムアンモン／過塩素酸系の腐蝕液等を用い第１図（Ｃ
１に示すようにレジストパターン（６）で被覆さｆｌて
いないクロム最上層（４Ｃ）、銅する。
ウムアンモン／過塩素酸系の腐蝕液等を用い第１図（Ｃ
１に示すようにレジストパターン（６）で被覆さｆｌて
いないクロム最上層（４Ｃ）、銅する。
次いで第１図（ｄｉに示すように放電領域及びシール部
領域に位置せしめられるクロム最上層（４Ｃ）の部分を
エツチングにより除去する。
領域に位置せしめられるクロム最上層（４Ｃ）の部分を
エツチングにより除去する。
このエツチングは先ず放電領域及びシール部領域以外の
ガラス基板領域及び放電領域及びシール部領域に位置す
る複数の電極及びそれらのリード部以外の放五領域内及
びシール部領域内のガラス基板領域を被覆するパターン
形状のレジストパターンを設け、Ｍ蝕液として過マンガ
ン酸カリウム／苛性ソーダ系の腐蝕液などを用いて行な
う。
ガラス基板領域及び放電領域及びシール部領域に位置す
る複数の電極及びそれらのリード部以外の放五領域内及
びシール部領域内のガラス基板領域を被覆するパターン
形状のレジストパターンを設け、Ｍ蝕液として過マンガ
ン酸カリウム／苛性ソーダ系の腐蝕液などを用いて行な
う。
次いでクロム最上層（４Ｃ）の一部を除去した後、露出
せしめられた銅４１層を′醒気メッキによりニッケルな
どの銀拡散防止層（４ｄ）で被覆する。
せしめられた銅４１層を′醒気メッキによりニッケルな
どの銀拡散防止層（４ｄ）で被覆する。
この銀拡散防止層（４ｄ）は銅が誘電体層に拡散し、放
電特性を低下させるのを防止するために設けるものであ
る。
電特性を低下させるのを防止するために設けるものであ
る。
次いで第１図（ｆｌに示すように銀拡散防止層（４ｄ）
を二酸化ケイ素、またはガラスペーストなどの誘′区体
層で被澁する。この誘電体層の形成は二酸化ケイ素よシ
なるものを形成するときはスパッタ法、蒸看法等により
、又、ガラスペーストよりなるものを形成するときは、
低融点ガラスをスクリーン印刷法等により塗布し、その
後、焼成する事によシ行なう。
を二酸化ケイ素、またはガラスペーストなどの誘′区体
層で被澁する。この誘電体層の形成は二酸化ケイ素よシ
なるものを形成するときはスパッタ法、蒸看法等により
、又、ガラスペーストよりなるものを形成するときは、
低融点ガラスをスクリーン印刷法等により塗布し、その
後、焼成する事によシ行なう。
第２図は上記のように作成した間接放電パネル用電極基
板を用いて形成した間接放電パネルを示す。
板を用いて形成した間接放電パネルを示す。
図において（２）はシール材、（３）はガス空間、ａυ
。
。
（１２はガラス基板、 （４１）は一方のガラス基板Ｉ
上に設けられたＸ軸′辺極、 （４２）は他方のガラス
基板０３上に設けられたＹ軸電啄を示す。
上に設けられたＸ軸′辺極、 （４２）は他方のガラス
基板０３上に設けられたＹ軸電啄を示す。
ガラス基板上に、クロム最下層、銅導電層。
クロム最上層を各々スパッタ法にて各膜、すがうに順次
成膜した。
成膜した。
上記のようにクロム最下層、銅導電層、及びクロム最上
層を積層した基板上にポジタイプレジスト（ＯＦＰＲ−
１３ＱＱ、東京応化裂）を塗布し、所定のマスクを介し
て露光し、バターニングを行って、複数の電極及びそれ
らのリード部領域をｍａするパターン形状のレジストパ
ターンな設けた。次いで硝酸セリウムアンモニウム／過
塩素酸系腐蝕液によりエツチングして、レジストパター
ンで披）！さ７１ていない、削記３＃の積層部分を除去
し、複数の電極及びそれらのリード部を形成した。次い
で１惨及びリード部を形成した基板上に再び目！ｊ記と
同様な手法により、レジストパターンを形成し、次いで
過マンガン酸カリウム／苛性ソーダ系喝蝕液にてエツチ
ングして放１１領域及びシール部領域に位ｉｑせしめら
れるクロム最上層部分を除去した。次いで成極パターン
上に更に硫酸ニッケル１５０ ’ｊ／ｌ／塩化アンモニ
ウム１５ ｙ／ｇ／ 硼＃１５！９．＃浴にて、温度３
０℃ ｐＨ６，電流密度１．０ノ輪−にてニッケルめっ
きを行い、２００ＱＡ厚の銀拡散防止層を形成した。史
に抵融点ガラスペーストをスクリーン印刷法により２０
μ厚にデ布し、５５０℃にて焼成して誘電体層を形成し
、間接放電パネル用電極基板を作製した。
層を積層した基板上にポジタイプレジスト（ＯＦＰＲ−
１３ＱＱ、東京応化裂）を塗布し、所定のマスクを介し
て露光し、バターニングを行って、複数の電極及びそれ
らのリード部領域をｍａするパターン形状のレジストパ
ターンな設けた。次いで硝酸セリウムアンモニウム／過
塩素酸系腐蝕液によりエツチングして、レジストパター
ンで披）！さ７１ていない、削記３＃の積層部分を除去
し、複数の電極及びそれらのリード部を形成した。次い
で１惨及びリード部を形成した基板上に再び目！ｊ記と
同様な手法により、レジストパターンを形成し、次いで
過マンガン酸カリウム／苛性ソーダ系喝蝕液にてエツチ
ングして放１１領域及びシール部領域に位ｉｑせしめら
れるクロム最上層部分を除去した。次いで成極パターン
上に更に硫酸ニッケル１５０ ’ｊ／ｌ／塩化アンモニ
ウム１５ ｙ／ｇ／ 硼＃１５！９．＃浴にて、温度３
０℃ ｐＨ６，電流密度１．０ノ輪−にてニッケルめっ
きを行い、２００ＱＡ厚の銀拡散防止層を形成した。史
に抵融点ガラスペーストをスクリーン印刷法により２０
μ厚にデ布し、５５０℃にて焼成して誘電体層を形成し
、間接放電パネル用電極基板を作製した。
上記のようにして得られた間接放送パネル用′電極基は
、誘′屯体層にフレバスが存在しないものであり、誘電
体層のフレパスに起因した放電特性の不安定化が解消さ
れたものであった。
、誘′屯体層にフレバスが存在しないものであり、誘電
体層のフレパスに起因した放電特性の不安定化が解消さ
れたものであった。
以上、詳記した通り、本発明によれば誘電体層にフレバ
スが存在しない間接放電パネル用電障基板を製造するこ
とができ、誘電体層のフレパスに起因した放電特性の不
安定化を解消することができる。
スが存在しない間接放電パネル用電障基板を製造するこ
とができ、誘電体層のフレパスに起因した放電特性の不
安定化を解消することができる。
第１図（ａｌないしくｆｌは本発明の製造法の過程を示
す断面図、第２図は本発明の製造法によシ製造した１＋
基板を用いて形成した間接放電パネルの断面図、第３図
は第２図示のＡ −Ａ／線矢視断面図、第４図は従来の
電極基板を用いて形成した間接放電パネルの断面図、第
５図は第４図示のＢ −Ｂ／線矢視断面図である。
す断面図、第２図は本発明の製造法によシ製造した１＋
基板を用いて形成した間接放電パネルの断面図、第３図
は第２図示のＡ −Ａ／線矢視断面図、第４図は従来の
電極基板を用いて形成した間接放電パネルの断面図、第
５図は第４図示のＢ −Ｂ／線矢視断面図である。
Claims (1)
- ガラス基板の全面にクロム下地層、銅導電層、及びクロ
ム最上層の３層を順次積層する過程と、クロム最上層上
に複数の電極及びそれらのリード部領域に相当する領域
を被覆するパターン形状のレジストパターンを設ける過
程と、該レジストパターンをマスキング層として、クロ
ム最上層、銅導電層、及びクロム最下層の３層をエッチ
ングして複数の電極及びそれらのリード部を形成する過
程と、次いで放電領域及びシール部領域に位置せしめら
れるクロム最上層部分をエッチングにより除去する過程
と、クロム最上層の一部を除去した後、露出せしめられ
た銅導電層を銅拡散防止層で被覆する過程と銅拡散防止
層を誘電体層で被覆する過程とからなることを特徴とす
る間接放電パネル用電極基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270499A JPS62131433A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 間接放電パネル用電極基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270499A JPS62131433A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 間接放電パネル用電極基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131433A true JPS62131433A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17487116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270499A Pending JPS62131433A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 間接放電パネル用電極基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000046689A (ko) * | 1998-12-31 | 2000-07-25 | 구자홍 | 플라즈마 표시장치의 기판 제조방법 |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP60270499A patent/JPS62131433A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000046689A (ko) * | 1998-12-31 | 2000-07-25 | 구자홍 | 플라즈마 표시장치의 기판 제조방법 |
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