JPS61270169A - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、サーマルヘッドの製造方法に係り、特に抵抗
体と導電体の形成方法に関する。

（従来の技術） 第５図はラインプリンタ等に使用されるサーマルヘッド
の要部を示す平面図であり、基板ｌ上には多数の抵抗体
層２が一直線上に配設され、その各一端には共通導電体
層３ｂが形成され、他端には各抵抗体層２毎に個別の導
電体層３ａが電気的に接続して形成されている。

このような抵抗体Ｍ２および導電体層３ａ、３ｂを基板
上ｌに形成する場合、マスク合わせに熟練を要しない方
法として、特公昭５５−７１５５号公報に記載のように
、基板１上に一様に抵抗体層および導電体層を順次重ね
て形成した後、導電体層上にフォトレジストを一様に塗
布し、次に第３図に示すようなくし形のパターン４を有
するマスク５を用いて露光し、さらに現像を行なう−次
に、前記導電体層法いで抵抗体層をエツチング除去する
。この結果個別導電体層３ａと共通導電体層３ｂとが一
体となったくし形部、すなわち第３図のパターン４に対
応した導電体パターンが基板１上に形成される０次に該
導電体ノぐターン−Ｈに残っているフォトレジストを溶
解除去する０次の工程として第４図に示す細長いパター
ン６を有するマスク７を用いて、前記導電体パターンの
くし歯の部分を横断するようにマスク合わせを行ない、
前述と同様のフォトリソ技術によりパターン６の部分に
対応する導電体層をエツチング除去する。この結果、第
５図に示すように、基板１上に抵抗体層２、個別導電体
Ｒ３ａおよび共通導電体層３ｂからなるサーマルヘッド
が形成される。

（発明が解決しようとする問題点） 上述した従来の製造方法は、抵抗体層上に導電体層を一
様に形成した後の第３図のパターンによる導電体層およ
び抵抗体層のエツチング、および第４図のパターンによ
る導電体層のエツチングを行なうには、どちらもそれぞ
れ独立に次の工程を経る必要がある。

Ｉフォトレジスト塗布、乾燥 ＩＩ露光 ■現像、ボストベーク ■エツチング ■フォトレジスト除去 このように、従来の製造方法は、２つのパターン形成の
ために上記の各工程を必要とするので。

工程数が多くなるという問題点がある。

（問題点を解決するための手段） 本発明のサーマルヘッドの製造方法は、基板上に抵抗体
層および導電体層を順次積層して形成する工程と、導電
体層上にフォトレジストを塗布する工程と、くし形のパ
ターンを有する第１のマスクとそのくしの歯を横断する
パターンを有する第２のマスクと使用し、これらのマス
ク使用の場合の露光量が異なるように露光し現像するこ
とにより、くし形でかつ前記横断するパターンに対応し
たフォトレジスト膜厚の薄い部分を有するフォトレジス
トパターンを前記導電体層上に形成する工程と、導電体
層の露出部分をエツチングする工程と、ａＡエッチング
工程により露出した抵抗体層をエツチングすると同時に
、前記フォトレジスト膜厚の薄い部分を除去する工程と
、該フォトレジスト膜厚の薄い部分の除去により露出し
た導電体層をエツチングする工程と、フォトレジストを
除去する工程とからなるもので、導電体層形成後の工程
において、フォトレジスト塗布と、現像およびこれに関
連するボストベークと、フォトレジスト除去の工程が１
回ですむため、大幅な工程削減と使用部材費の低減が可
能となる。

（実施例） 以下本発明の一実施例を第１図により説明する。まず（
Ａ）の断面図およびＣＢ）の平面図に示すように、基板
１上に薄膜形成技術により抵抗体層２を形成する０次に
（Ｃ）の断面図および（Ｄ）の平面図に示すように、該
抵抗体層２上にＩｎ形成技術により導電体層３を形成す
る。なおこの例では、抵抗体層２を導電体Ｍ３と同じ範
囲に形成しているが、これは第５図に示した抵抗体層２
よりやや広い範囲にのみ形成するようにしてもよい。

次に導電体層３土にポジタイプのフォトレジスト８を塗
布する。この場合のフォトレジスト８の膜厚は２〜４Ｉ
Ｌｍであることが好ましい、また、使用するフォトレジ
スト８は、第２図の感度曲線Ｅのように、ある程度以上
の露光量によってレジスト残存率が急激に低下するよう
な通常のフォトレジストでなく、感度曲線Ｆに示すよう
に、露光量の増加に従ってレジスト残存率が次第に低下
するような特性のものが、後述の処理を行なう上で好ま
しい。

次に、第３図に示したくし形の遮光パターン４を有する
マスク５を用いて露光し、続いて第４図のように細長い
透光パターン６を有するマスク７を用いて露光する。露
光後、現像し、ボストベークを行なう、ここで、前記露
光を行なう際に、第４図のマスク７を用いて露光する場
合は、第２図のＡに示すように、現像の際に一部しシス
トが残るような露光量により露光し、これにより第１図
（Ｆ）に示すように、透光パターン６に対応した部分に
溝９が形成され、Ｈに示す膜厚０．３〜ｌｊＬｍ程度の
薄いフォトレジストが残るようにする。一方、第３図の
マスク５を用いて露光する場合は、第２図のＢに示すよ
うに、現像の際に露光部分にレジストが残らない大きな
露光量により露光し、これにより、第１図（Ｆ）のＰ−
Ｐ断面図である第１図（Ｇ）に示すように、遮光パター
ン４に対応した部分以外のフォトレジストが除去されて
溝１０が形成されるようにする。

次に導電体層３のみを湿式エツチングするエツチング液
を用いて第１図（Ｇ）に示したｙｔｌｏの部分の導電体
層３を溶解させ、第１図（Ｈ）に示すように溝１１を形
成する。

次に、ＣＣＩＬＸ　Ｆｙ　　（ｘ＋ｙ＝４）で表示され
るハロゲン化物および０２の混合プラズマ放電により、
第１図（Ｈ）に示した溝１１の下の抵抗体層２をエツチ
ングし、第１図ＣＩ）のＳ−８断面図である第１図（Ｊ
）に示す溝１２を形成する。

この時、０２の混合比を適当に選ぶことにより（０２が
！Ｉ！ｕ％として１０〜５０％程度となるように濃度を
調整する）ことにより、フォトレジストを１−１．５ｐ
ｍの厚さ分だけ除去し、これにより、第１図（Ｆ）にＨ
の厚さだけ残っていた溝９の部分のフォトレジストを除
去し、第１図（Ｉ）に示すように、この部分の導電体層
３を露出（１３）させる。

次に第１図（Ｋ）に示すように、導電体層３の前記露出
部１３を、導電体層３のみをエツチングさせるエツチン
グ手段により除去して抵抗体層２の露出部１４を形成し
、続いてフォトレジスト８を溶剤またはｏ２プラズマに
より除去し、第１図（Ｌ）に示すように、個別導電体層
３ａと共通導電体層３ｂ間に抵抗体Ｍ２が介在する回路
を得る。

（発明の効果） 以上述べたように１本発明は、導電体層形成後の工程に
おいて、露光を行なう際に、２つのマスクを使用する際
の露光量を変化させることにより、フォトレジスト塗布
と、現像およびこれに関連するポストベークと、フォト
レジスト除去の工程が１回ですむようにしたので、大幅
な工程削減と使用部材費の低減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）ないしくＬ）は本発明の工程順序を説明す
る図で、第２図は本発明に用いるに好適なフォトレジス
トの感度曲線図、第３図および第４図は本発明において
用いるマスクの一例をそれぞれ説明する平面図、第５図
は本発明により得られるサーマルヘッドの要部を示す平
面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に抵抗体層および導電体層を順次積層して形成
   する工程と、導電体層上にフォトレジストを塗布する工
   程と、くし形のパターンを有する第１のマスクとそのく
   しの歯を横断するパターンを有する第２のマスクと使用
   し、これらのマスク使用の場合の露光量が異なるように
   露光し現像することにより、くし形でかつ前記横断する
   パターンに対応したフォトレジスト膜厚の薄い部分を有
   するフォトレジストパターンを前記導電体層上に形成す
   る工程と、導電体層の露出部分をエッチングする工程と
   、該エッチング工程により露出した抵抗体層をエッチン
   グすると同時に、前記フォトレジスト膜厚の薄い部分を
   除去する工程と、該フォトレジスト膜厚の薄い部分の除
   去により露出した導電体層をエッチングする工程と、フ
   ォトレジストを除去する工程とからなることを特徴とす
   るサーマルヘッドの製造方法。