JPS6212909A - 複合型消去ヘツド - Google Patents
複合型消去ヘツドInfo
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- JPS6212909A JPS6212909A JP15027485A JP15027485A JPS6212909A JP S6212909 A JPS6212909 A JP S6212909A JP 15027485 A JP15027485 A JP 15027485A JP 15027485 A JP15027485 A JP 15027485A JP S6212909 A JPS6212909 A JP S6212909A
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- magnetic
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- magnetic material
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の机用分野〕
本発明は編集機能付VTR等に用いられる消去ヘッドに
係り、特に消去能力を高めた複合型消去ヘッドに関する
。
係り、特に消去能力を高めた複合型消去ヘッドに関する
。
8ミリVTR用に高保磁力記録媒体を用いて編集機能を
付加するためには、消去能力を高めた消去ヘッドが必要
となる。これを実現すべく消去ヘッドの例とじてヲ工、
IMBE Trans、 onMagnetics、
MAG −20、P869 (1984年)における
K 、 Yamashi ta他4名による5endu
st 5putteredFerri te Flyi
ng Erase Head ’ と題する文献にお
いて論じられている。
付加するためには、消去能力を高めた消去ヘッドが必要
となる。これを実現すべく消去ヘッドの例とじてヲ工、
IMBE Trans、 onMagnetics、
MAG −20、P869 (1984年)における
K 、 Yamashi ta他4名による5endu
st 5putteredFerri te Flyi
ng Erase Head ’ と題する文献にお
いて論じられている。
この様な構造の消去ヘッドでは、磁気ギャップ近傍に設
けられたセンダスト(Fe−8i−A1合金)等の磁性
体について見れば、トラック幅と同一幅となっており磁
束を絞る構造となっていないために高効率に磁気ギャッ
プ部において充分大きな消去磁界を発生することかでき
ないという問題および、フェライト磁性体とセンダスト
磁性体との境界面と磁気ギャップ面とが平行となるため
、記録媒体の走行方向によっては、該境界面により消去
信号が磁気ギャップ面と平行の同一位相で残るという問
題がある。
けられたセンダスト(Fe−8i−A1合金)等の磁性
体について見れば、トラック幅と同一幅となっており磁
束を絞る構造となっていないために高効率に磁気ギャッ
プ部において充分大きな消去磁界を発生することかでき
ないという問題および、フェライト磁性体とセンダスト
磁性体との境界面と磁気ギャップ面とが平行となるため
、記録媒体の走行方向によっては、該境界面により消去
信号が磁気ギャップ面と平行の同一位相で残るという問
題がある。
〔発明の目的j
本発明の目的は、高効率に消去能力を高めた、編集機能
付VTR用の複合型消去ヘッドを提供することにある。
付VTR用の複合型消去ヘッドを提供することにある。
本発明の特徴は、記録媒体摺動面における断面形状が凸
状突起でかつ突起頂上部の幅がほぼトランク幅である第
1の高透磁率フェライトブロックと、くさび状妨面形状
の突起を有する高透磁率フェライトブロックまたは非磁
性体ブロック上に高飽和磁束密度の磁性体を被着させ該
磁性体のくさび状突起の頂点がトラック幅だけ平担化さ
れた第2の磁性体複合ブロックとを、所定のギャップ長
を規制する非磁性体を挟んで1体化した構造とし、かつ
該磁性体を多層構造とし層間材を消去用ギャップと用い
たことである。このため該磁性体に磁束の絞りを持たせ
ることにより高効率で消去能力を高めることができると
ともに、第2の複合ブロックの磁性体とフェライトとの
境界面あるいは該磁性体の層間材層が、磁気ギャップ面
と非平行となるため、該境界面によ゛る消去信号が磁気
ギャップ面と平行となり同一位相に残るという問題が解
決できる。
状突起でかつ突起頂上部の幅がほぼトランク幅である第
1の高透磁率フェライトブロックと、くさび状妨面形状
の突起を有する高透磁率フェライトブロックまたは非磁
性体ブロック上に高飽和磁束密度の磁性体を被着させ該
磁性体のくさび状突起の頂点がトラック幅だけ平担化さ
れた第2の磁性体複合ブロックとを、所定のギャップ長
を規制する非磁性体を挟んで1体化した構造とし、かつ
該磁性体を多層構造とし層間材を消去用ギャップと用い
たことである。このため該磁性体に磁束の絞りを持たせ
ることにより高効率で消去能力を高めることができると
ともに、第2の複合ブロックの磁性体とフェライトとの
境界面あるいは該磁性体の層間材層が、磁気ギャップ面
と非平行となるため、該境界面によ゛る消去信号が磁気
ギャップ面と平行となり同一位相に残るという問題が解
決できる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。第1図
(α)は、本発明の第一および第二の実施例である複合
型消去ヘッドの斜視図、(2)は記録媒体摺動面で゛あ
る。第一の実施例では、1および2はMn−Zn系ある
いはNi −Zn系高透磁率フェライト材よりなる第1
および第2のフェライトブロック、6は該フェライトよ
り飽和磁束密度が扁<、磁歪定数がほぼ零で高透磁率を
示すFe−Si系合金、Fe −AA!−8i系合金、
Ni −Fe合金もしくは高透出率非晶質合金等で、5
は磁気ギャップ長を規制するだめのSiO象、 Itl
tOm等の非磁性体、4は該ブロック1,2を接着する
時に用いられるガラス等の非磁性体、6は巻線を施すた
めの巻線溝である。第2の実施例では、2がフェライト
、セラミック、ガラス等の非磁性体ブロックとなり、他
の構成は第1の実施例と同じである。特に、非磁性体2
としてMnOとNiOを含むセラミックとすれば耐摩耗
性が向上する。第2図は第3の実施例である複合型消去
ヘッドの斜視図で、8が高透磁率フェライト材よりなる
が、そのくさび状突起が磁気ギャップ5の近傍のみにあ
り、リア部では磁性体3かなく高透磁率フェライトで磁
気回路を構成する構造となっている。この第3の実施例
の複合型消去ヘッドの記録媒体摺動面の形状は、第1の
実施例と同じとなる。
(α)は、本発明の第一および第二の実施例である複合
型消去ヘッドの斜視図、(2)は記録媒体摺動面で゛あ
る。第一の実施例では、1および2はMn−Zn系ある
いはNi −Zn系高透磁率フェライト材よりなる第1
および第2のフェライトブロック、6は該フェライトよ
り飽和磁束密度が扁<、磁歪定数がほぼ零で高透磁率を
示すFe−Si系合金、Fe −AA!−8i系合金、
Ni −Fe合金もしくは高透出率非晶質合金等で、5
は磁気ギャップ長を規制するだめのSiO象、 Itl
tOm等の非磁性体、4は該ブロック1,2を接着する
時に用いられるガラス等の非磁性体、6は巻線を施すた
めの巻線溝である。第2の実施例では、2がフェライト
、セラミック、ガラス等の非磁性体ブロックとなり、他
の構成は第1の実施例と同じである。特に、非磁性体2
としてMnOとNiOを含むセラミックとすれば耐摩耗
性が向上する。第2図は第3の実施例である複合型消去
ヘッドの斜視図で、8が高透磁率フェライト材よりなる
が、そのくさび状突起が磁気ギャップ5の近傍のみにあ
り、リア部では磁性体3かなく高透磁率フェライトで磁
気回路を構成する構造となっている。この第3の実施例
の複合型消去ヘッドの記録媒体摺動面の形状は、第1の
実施例と同じとなる。
この様に構成された、第1および第3の実施例では、第
1図(b)のX軸方向にヘッドの洩れ磁界強度を見ると
第3図の様になる。高透磁率フェライト2と磁性体3の
境界x會において、両値性材料の透磁率の違いにより微
少の洩れ磁界が発生し、磁気ギャップ5の付近の+r、
では最も大きな洩れ磁界が発生しこの磁界は両側の磁性
材料の飽和磁束密度の大小により磁性体3側に急激に、
フェライト1側に緩かに減少する。この状態で、記録媒
体が第1図(b)の7の方向に走行する場合には、前記
文献に示されている様に、消去信号として短波長領域を
用いていることから、緩かな洩れ磁界による記録減磁効
果により比較的少ない消去電流で消去か可能である。一
方、記録媒体か7とは逆方向に走行した場合には、x!
における微少磁界により消去信号が残るが、本実施例で
は第1図<b>に見る様にフェライト2と磁性体3の境
界面が磁気ギャップ5に対して角度θだけ傾いているこ
とから、θを記録再生磁気ヘッド(図示せすりのアジマ
ス角度(一般には10度以内)より大きく例えば20〜
60度とすれば、アジマス損失効果により全く問題ない
レベルまで残留消去信号を低減することかできる。また
、第1図(b)の磁性体3の構造を見れば、該文献では
磁性体がトラック幅(Tw)と同一幅となっており、磁
束の絞り、構造となっていないのに対して、本実施例で
は、トラック幅(Tw)に対してくさび状突起の両側面
に磁性体3かあり光分に断面積か大きいことから磁束の
絞りが可能となり、強い洩れ磁界を高効率に発生するこ
とが出来、消去能力が高まる。
1図(b)のX軸方向にヘッドの洩れ磁界強度を見ると
第3図の様になる。高透磁率フェライト2と磁性体3の
境界x會において、両値性材料の透磁率の違いにより微
少の洩れ磁界が発生し、磁気ギャップ5の付近の+r、
では最も大きな洩れ磁界が発生しこの磁界は両側の磁性
材料の飽和磁束密度の大小により磁性体3側に急激に、
フェライト1側に緩かに減少する。この状態で、記録媒
体が第1図(b)の7の方向に走行する場合には、前記
文献に示されている様に、消去信号として短波長領域を
用いていることから、緩かな洩れ磁界による記録減磁効
果により比較的少ない消去電流で消去か可能である。一
方、記録媒体か7とは逆方向に走行した場合には、x!
における微少磁界により消去信号が残るが、本実施例で
は第1図<b>に見る様にフェライト2と磁性体3の境
界面が磁気ギャップ5に対して角度θだけ傾いているこ
とから、θを記録再生磁気ヘッド(図示せすりのアジマ
ス角度(一般には10度以内)より大きく例えば20〜
60度とすれば、アジマス損失効果により全く問題ない
レベルまで残留消去信号を低減することかできる。また
、第1図(b)の磁性体3の構造を見れば、該文献では
磁性体がトラック幅(Tw)と同一幅となっており、磁
束の絞り、構造となっていないのに対して、本実施例で
は、トラック幅(Tw)に対してくさび状突起の両側面
に磁性体3かあり光分に断面積か大きいことから磁束の
絞りが可能となり、強い洩れ磁界を高効率に発生するこ
とが出来、消去能力が高まる。
第2の実施例では、2を非磁性体ブロックとしたことで
、第1および第6の実施例に見られたフェライト2と磁
性体3の境界面における洩れ磁界を更に小さくすること
が可能であるとともに、ヘッドのインダクタンスを低減
できるという特徴を更に有する′。
、第1および第6の実施例に見られたフェライト2と磁
性体3の境界面における洩れ磁界を更に小さくすること
が可能であるとともに、ヘッドのインダクタンスを低減
できるという特徴を更に有する′。
第4図は本発明の第4の実施例である複合消去ヘッドの
記録媒体摺動面である。1は、第1の高透磁率フェライ
トブロック、2は高透磁率フェライトあるいは非磁性体
ブロック、5は磁気ギャップ、4は接着のための非磁性
体、9および10はそれぞれ第1層、第2層磁性体、1
1はS i O,、AA、0.等の非磁性層間材である
。該眉間材11の膜厚としては0.05μmから4μm
までが選ばれ、はぼ該磁気ギャップ長と同程度が好適で
ある。この様に構成した消去ヘッドでは、X軸方向にお
ける洩れ磁界の分布は第5図に示す様になり、層間材1
1付近のxlと、磁気ギャップ。
記録媒体摺動面である。1は、第1の高透磁率フェライ
トブロック、2は高透磁率フェライトあるいは非磁性体
ブロック、5は磁気ギャップ、4は接着のための非磁性
体、9および10はそれぞれ第1層、第2層磁性体、1
1はS i O,、AA、0.等の非磁性層間材である
。該眉間材11の膜厚としては0.05μmから4μm
までが選ばれ、はぼ該磁気ギャップ長と同程度が好適で
ある。この様に構成した消去ヘッドでは、X軸方向にお
ける洩れ磁界の分布は第5図に示す様になり、層間材1
1付近のxlと、磁気ギャップ。
5付近のx4との2個所で大きな洩れ磁界を発生するた
め、消去能力が更に増す。他の効果についても、先の実
施例とほぼ同等の効果を示す。
め、消去能力が更に増す。他の効果についても、先の実
施例とほぼ同等の効果を示す。
第6図は、本発明の第5の実施例である複合型消去ヘッ
ドの記録媒体摺動面である。第4図の第4の実施例にお
ける、第2層磁性体10をブロック2のくさび状突起の
両側面に°延在させたところに特徴があり、有効トラッ
ク幅が若干広がることを除けば第4の実施例とほぼ同等
の効果を示す。また、第4および第5の実施例では磁性
体3として2層構造を示したが、それ以上の多層構造で
もかまわない。
ドの記録媒体摺動面である。第4図の第4の実施例にお
ける、第2層磁性体10をブロック2のくさび状突起の
両側面に°延在させたところに特徴があり、有効トラッ
ク幅が若干広がることを除けば第4の実施例とほぼ同等
の効果を示す。また、第4および第5の実施例では磁性
体3として2層構造を示したが、それ以上の多層構造で
もかまわない。
以下、本実施例の製造法について説明する。
第7図(イ)では、高透磁率フェライト基板あるいは非
磁性基板2に、くさび状突起を形成するために12およ
び13の溝を機械加工等により入れる。次に、(ロ)に
示す様に、磁性体3を、単層あるいは、多層構造に、ス
パッタ等の方法により形成する。更に(ハ)では、該、
くさび状突起上の磁性体3がトラック幅Twとなる様に
ラップ等の手法により平担化する。この様にして、第2
の磁性体複合ブロック2が得られる。一方、に)では、
高透磁率フェライト基板1に溝14 、15を基板端部
に設はトラック幅Twを規制する。(ホ)では、更に巻
線用の溝6を形成し、更に(へ)において磁気ギャップ
長を規制するだめの非磁性体5をスパッタ等で所定の膜
厚だけ形成する。このことにより、第1の高透磁率フェ
ライトブロック1が得られる。次に、第8図に示す様に
、該第1の高透磁率フェライトブロック1と第2の磁性
体複合ブロック2とを突き合わせ、低融点ガラス4等で
接着すればボンディングフロックが得られる。更にA−
A’ 、B−B’面で切断すれば第1図に示した本発明
の複合型消去ヘッドが得られる。第2図に示した第3の
実施例である複合型消去ヘッドの製造のためには、第9
図に示す様に、高透磁率フェライト基板2の端部にのみ
溝16および17を入れくさび状突起を形成する。この
基板を用いて、後は前記の製造法と同様とすることによ
り、第3の実施例である複合型消去ヘッドが得られる。
磁性基板2に、くさび状突起を形成するために12およ
び13の溝を機械加工等により入れる。次に、(ロ)に
示す様に、磁性体3を、単層あるいは、多層構造に、ス
パッタ等の方法により形成する。更に(ハ)では、該、
くさび状突起上の磁性体3がトラック幅Twとなる様に
ラップ等の手法により平担化する。この様にして、第2
の磁性体複合ブロック2が得られる。一方、に)では、
高透磁率フェライト基板1に溝14 、15を基板端部
に設はトラック幅Twを規制する。(ホ)では、更に巻
線用の溝6を形成し、更に(へ)において磁気ギャップ
長を規制するだめの非磁性体5をスパッタ等で所定の膜
厚だけ形成する。このことにより、第1の高透磁率フェ
ライトブロック1が得られる。次に、第8図に示す様に
、該第1の高透磁率フェライトブロック1と第2の磁性
体複合ブロック2とを突き合わせ、低融点ガラス4等で
接着すればボンディングフロックが得られる。更にA−
A’ 、B−B’面で切断すれば第1図に示した本発明
の複合型消去ヘッドが得られる。第2図に示した第3の
実施例である複合型消去ヘッドの製造のためには、第9
図に示す様に、高透磁率フェライト基板2の端部にのみ
溝16および17を入れくさび状突起を形成する。この
基板を用いて、後は前記の製造法と同様とすることによ
り、第3の実施例である複合型消去ヘッドが得られる。
次に、第4図に示す第4の実施例の場合には、第10図
に示す様に、くさび状ブロック2の上に第1層磁性体9
.眉間材11.第2層磁性体10を形成し、該くさび状
突起上の磁性体10を平担化した後、該第2層磁性体1
0のみを所定のトラック幅(Tw)となる様C−C’
、D−D’面に沿って、機械加工あるいはエツチング等
の手法により整形し、後の製造工程は前記した製造工程
と同じくすることにより第4の実施例である複合型消去
ヘッドが得られる。
に示す様に、くさび状ブロック2の上に第1層磁性体9
.眉間材11.第2層磁性体10を形成し、該くさび状
突起上の磁性体10を平担化した後、該第2層磁性体1
0のみを所定のトラック幅(Tw)となる様C−C’
、D−D’面に沿って、機械加工あるいはエツチング等
の手法により整形し、後の製造工程は前記した製造工程
と同じくすることにより第4の実施例である複合型消去
ヘッドが得られる。
〔発明の効果」
本発明によれば、第2の磁性体複合ブロックにおいてく
さび状突起の両側面に軟磁性体3を形成した構造である
ため、磁気ギャップ5の近傍において該磁性体3の断面
が充分大きくとれ磁束の絞りが有効に行えることから高
効率に消去能力を高めることが出来るとともに、擬似磁
気ギャップとなる該ブロック2と磁性体3との境界面が
磁気ギャップ5に対して充分傾いた構造であるため、記
録媒体走行方向によって残る消去信号をアジマス効果で
問題ないレベルまで低減することができ、高効率に消去
能力を高めた編集機能付VTR用の複合型消去ヘッドを
実現できる。
さび状突起の両側面に軟磁性体3を形成した構造である
ため、磁気ギャップ5の近傍において該磁性体3の断面
が充分大きくとれ磁束の絞りが有効に行えることから高
効率に消去能力を高めることが出来るとともに、擬似磁
気ギャップとなる該ブロック2と磁性体3との境界面が
磁気ギャップ5に対して充分傾いた構造であるため、記
録媒体走行方向によって残る消去信号をアジマス効果で
問題ないレベルまで低減することができ、高効率に消去
能力を高めた編集機能付VTR用の複合型消去ヘッドを
実現できる。
第1図(a) 、 (b)は本発明の第1および第2の
実施例である複合型消去ヘッドの斜視図および記録媒体
摺動面の詳細図、第2図は第3の実施例の斜視図、第3
図はその説明図、第4図は第4の実施例の摺動面の詳細
図、第5図はその説明図、第6図は第5の実施例の摺動
面の詳細図、第7図、第8図、第9図および第10図は
製造法の説明図である。 2.8・第2の磁性体複合ブロック、 5 、9 、10・・磁性体、 5・・・磁気ギャップ、
実施例である複合型消去ヘッドの斜視図および記録媒体
摺動面の詳細図、第2図は第3の実施例の斜視図、第3
図はその説明図、第4図は第4の実施例の摺動面の詳細
図、第5図はその説明図、第6図は第5の実施例の摺動
面の詳細図、第7図、第8図、第9図および第10図は
製造法の説明図である。 2.8・第2の磁性体複合ブロック、 5 、9 、10・・磁性体、 5・・・磁気ギャップ、
Claims (1)
- 1、磁気コア突き合わせ面における形状が凸状突起でか
つ突起頂上部の幅がほぼトラック幅である第1の高透磁
率フェライトブロックと、同じくコア突き合わせ面側が
くさび状の突起を有する高透磁率フェライトブロックの
突起上面側に少なくも該フェライトより飽和磁束密度の
高い磁性体が被着され該磁性体のくさび状突起の頂点が
トラック幅だけ平担化された第2の磁性体−フェライト
複合型ブロックとを、所定の磁気ギャップ長を規制する
非磁性体を挟んで1体化したことを特徴とする複合型消
去ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15027485A JPS6212909A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 複合型消去ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15027485A JPS6212909A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 複合型消去ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6212909A true JPS6212909A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15493372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15027485A Pending JPS6212909A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 複合型消去ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6212909A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11702964B2 (en) | 2020-10-30 | 2023-07-18 | Doosan Enerbility Co., Ltd. | Hybrid power generation equipment and control method thereof |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15027485A patent/JPS6212909A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11702964B2 (en) | 2020-10-30 | 2023-07-18 | Doosan Enerbility Co., Ltd. | Hybrid power generation equipment and control method thereof |
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