JPS6212688B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6212688B2 JPS6212688B2 JP54025253A JP2525379A JPS6212688B2 JP S6212688 B2 JPS6212688 B2 JP S6212688B2 JP 54025253 A JP54025253 A JP 54025253A JP 2525379 A JP2525379 A JP 2525379A JP S6212688 B2 JPS6212688 B2 JP S6212688B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- current
- collector
- transistors
- base
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- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
トランジスタアンプの出力段は、一般にＢ級プ
ツシユプルとされているが、このＢ級プツシユプ
ル回路では、クロスオーバー歪みを減らすため、
出力用のトランジスタにかなりの大きさのバイア
ス電流を流さなければならない。アンプのアイド
リング電流が多いと、電源が電池の場合、その電
池の寿命が短くなつてしまう。
ツシユプルとされているが、このＢ級プツシユプ
ル回路では、クロスオーバー歪みを減らすため、
出力用のトランジスタにかなりの大きさのバイア
ス電流を流さなければならない。アンプのアイド
リング電流が多いと、電源が電池の場合、その電
池の寿命が短くなつてしまう。
この発明は、このような点にかんがみ、アイド
リング電流を大幅に減らすことのできるプツシユ
プルアンプを提供しようとするものである。
リング電流を大幅に減らすことのできるプツシユ
プルアンプを提供しようとするものである。
以下その一例について説明しよう。
第１図において、トランジスタQ1，Q2のエミ
ツタが抵抗器R1に接続されて差動アンプが構成
され、トランジスタQ1のベースが入力端子T1に
接続され、トランジスタQ1，Q2のコレクタにト
ランジスタQ3，Q4が接続されると共に、電源端
子T2を基準電位点としてトランジスタQ3，Q4に
よりカレントミラー回路が構成される。
ツタが抵抗器R1に接続されて差動アンプが構成
され、トランジスタQ1のベースが入力端子T1に
接続され、トランジスタQ1，Q2のコレクタにト
ランジスタQ3，Q4が接続されると共に、電源端
子T2を基準電位点としてトランジスタQ3，Q4に
よりカレントミラー回路が構成される。
さらに、トランジスタQ1のコレクタが、トラ
ンジスタQ5のベースに接続され、このトランジ
スタQ5のコレクタが定電流源用のトランジスタ
Q6のコレクタに接続されてトランジスタQ5はエ
ミツタ接地とされる。そして、トランジスタQ5
のコレクタがトランジスタQ7のベース及びコレ
クタに接続されると共に、端子T2を基準電位点
としてトランジスタQ7，Q8によりカレントミラ
ー回路が構成され、トランジスタQ8のコレクタ
が出力用トランジスタQ12のベースに接続され
る。さらに、トランジスタQ5のコレクタがトラ
ンジスタQ9のベース及びコレクタに接続される
と共に、トランジスタQ9，Q10によりカレントミ
ラー回路が構成され、トランジスタQ10のコレク
タが出力用トランジスタQ11のベースに接続され
る。
ンジスタQ5のベースに接続され、このトランジ
スタQ5のコレクタが定電流源用のトランジスタ
Q6のコレクタに接続されてトランジスタQ5はエ
ミツタ接地とされる。そして、トランジスタQ5
のコレクタがトランジスタQ7のベース及びコレ
クタに接続されると共に、端子T2を基準電位点
としてトランジスタQ7，Q8によりカレントミラ
ー回路が構成され、トランジスタQ8のコレクタ
が出力用トランジスタQ12のベースに接続され
る。さらに、トランジスタQ5のコレクタがトラ
ンジスタQ9のベース及びコレクタに接続される
と共に、トランジスタQ9，Q10によりカレントミ
ラー回路が構成され、トランジスタQ10のコレク
タが出力用トランジスタQ11のベースに接続され
る。
また、トランジスタQ11，Q12がコンプリメン
タリプツシユプル接続され、そのコレクタに負荷
としてスピーカSpが接続されると共に、トラン
ジスタQ2のベースとの間に負帰還用の抵抗器R2
が接続される。
タリプツシユプル接続され、そのコレクタに負荷
としてスピーカSpが接続されると共に、トラン
ジスタQ2のベースとの間に負帰還用の抵抗器R2
が接続される。
さらに、エミツタ接地のトランジスタQ17が設
けられ、このトランジスタQ17のコレクタ及びベ
ースにトランジスタQ18のベース及びエミツタが
接続され、トランジスタQ18のコレクタがトラン
ジスタQ16のベース及びコレクタに接続されると
共に、接地を基準電位点としてトランジスタ
Q6，Q15，Q16によりカレントミラー回路が構成
される。そして、トランジスタQ15のコレクタに
ダイオードD2，D3が接続され、このダイオード
D2，D3を基準電圧源としてトランジスタQ13，
Q14により定電圧回路が構成され、その出力端が
トランジスタQ9，Q10のカレントミラー回路の基
準電位点とされる。
けられ、このトランジスタQ17のコレクタ及びベ
ースにトランジスタQ18のベース及びエミツタが
接続され、トランジスタQ18のコレクタがトラン
ジスタQ16のベース及びコレクタに接続されると
共に、接地を基準電位点としてトランジスタ
Q6，Q15，Q16によりカレントミラー回路が構成
される。そして、トランジスタQ15のコレクタに
ダイオードD2，D3が接続され、このダイオード
D2，D3を基準電圧源としてトランジスタQ13，
Q14により定電圧回路が構成され、その出力端が
トランジスタQ9，Q10のカレントミラー回路の基
準電位点とされる。
このような構成によれば、トランジスタQ17の
コレクタ電流の変化が、トランジスタQ18によつ
てトランジスタQ17のベースに負帰還されるの
で、トランジスタQ17のコレクタ電流が一定とな
ると共に、これによりトランジスタQ18のコレク
タ電流も一定となる。そして、トランジスタ
Q15，Q16はカレントミラー回路を構成している
ので、トランジスタQ18のコレクタ電流が一定で
あれば、トランジスタQ15のコレクタ電流も一定
となつてダイオードD2，D3には一定の基準電圧
が得られる。
コレクタ電流の変化が、トランジスタQ18によつ
てトランジスタQ17のベースに負帰還されるの
で、トランジスタQ17のコレクタ電流が一定とな
ると共に、これによりトランジスタQ18のコレク
タ電流も一定となる。そして、トランジスタ
Q15，Q16はカレントミラー回路を構成している
ので、トランジスタQ18のコレクタ電流が一定で
あれば、トランジスタQ15のコレクタ電流も一定
となつてダイオードD2，D3には一定の基準電圧
が得られる。
そして、トランジスタQ13において、抵抗器R3
の端子間電圧がダイオードD2，D3の基準電圧と
比較され、その比較出力がトランジスタQ14に供
給されてトランジスタQ14のコレクタ・エミツタ
間インピーダンスが制御されるので、トランジス
タQ9，Q10のエミツタは、端子T2の電位＋Vccに
対して一定の電位とされる。なお、この場合、ト
ランジスタQ13のエミツタ・ベース間電圧と、ダ
イオードD1の端子間電圧は等しいので、トラン
ジスタQ9，Q10のエミツタの電位はトランジスタ
Q13のベースの電位に等しい。
の端子間電圧がダイオードD2，D3の基準電圧と
比較され、その比較出力がトランジスタQ14に供
給されてトランジスタQ14のコレクタ・エミツタ
間インピーダンスが制御されるので、トランジス
タQ9，Q10のエミツタは、端子T2の電位＋Vccに
対して一定の電位とされる。なお、この場合、ト
ランジスタQ13のエミツタ・ベース間電圧と、ダ
イオードD1の端子間電圧は等しいので、トラン
ジスタQ9，Q10のエミツタの電位はトランジスタ
Q13のベースの電位に等しい。
また、トランジスタQ6，Q16がカレントミラー
回路を構成すると共に、トランジスタQ16のコレ
クタ電流は一定なので、トランジスタQ6のコレ
クタ電流I6も一定となり、トランジスタQ6は吸い
込み型の定電流源として作用する。なお、このト
ランジスタQ6のコレクタ電流I6は、無信号時のト
ランジスタQ5のコレクタ電流I5に等しくされる。
回路を構成すると共に、トランジスタQ16のコレ
クタ電流は一定なので、トランジスタQ6のコレ
クタ電流I6も一定となり、トランジスタQ6は吸い
込み型の定電流源として作用する。なお、このト
ランジスタQ6のコレクタ電流I6は、無信号時のト
ランジスタQ5のコレクタ電流I5に等しくされる。
そして、端子T1に例えば第２図Ａに示すよう
な信号Siが供給されると、この信号Siはトランジ
スタQ1〜Q4により電流増幅され、その出力電流
がトランジスタQ5に供給されてトランジスタQ5
には第２図Ｂに示すようなコレクタ電流I5が流れ
る。ただし、電流I5のうち、Idは直流分、Iaは信
号Siによる交流分である。
な信号Siが供給されると、この信号Siはトランジ
スタQ1〜Q4により電流増幅され、その出力電流
がトランジスタQ5に供給されてトランジスタQ5
には第２図Ｂに示すようなコレクタ電流I5が流れ
る。ただし、電流I5のうち、Idは直流分、Iaは信
号Siによる交流分である。
そして、直流分IdはトランジスタQ6のコレク
タ電流I6に等しいと共に、トランジスタQ6は吸い
込み型の定電流源として作用しているので、この
直流分IdだけがトランジスタQ6に流れる。従つ
て、残る交流分IaはトランジスタQ7，Q9を流れ
ることになり、交流分Iaのうち、正の半サイクル
は第２図Ｃに示すようにトランジスタQ9のコレ
クタ電流I9となり、負の半サイクルは第２図Ｄに
示すようにトランジスタQ7のコレクタ電流I7とな
る。すなわち、I5＝Idのときには、電流I5は電流
I6となつてトランジスタQ6に流れるが、I5＞Idの
ときには、その増加分（交流分Iaの正の半サイク
ル）は電流I9となつてトランジスタQ9に流れ、I5
＜Idのときには、その減少分（交流分Iaの負の半
サイクル）はトランジスタQ7からの電流I7によつ
て電流I6の一部となる。
タ電流I6に等しいと共に、トランジスタQ6は吸い
込み型の定電流源として作用しているので、この
直流分IdだけがトランジスタQ6に流れる。従つ
て、残る交流分IaはトランジスタQ7，Q9を流れ
ることになり、交流分Iaのうち、正の半サイクル
は第２図Ｃに示すようにトランジスタQ9のコレ
クタ電流I9となり、負の半サイクルは第２図Ｄに
示すようにトランジスタQ7のコレクタ電流I7とな
る。すなわち、I5＝Idのときには、電流I5は電流
I6となつてトランジスタQ6に流れるが、I5＞Idの
ときには、その増加分（交流分Iaの正の半サイク
ル）は電流I9となつてトランジスタQ9に流れ、I5
＜Idのときには、その減少分（交流分Iaの負の半
サイクル）はトランジスタQ7からの電流I7によつ
て電流I6の一部となる。
そして、トランジスタQ9，Q10はカレントミラ
ー回路を構成しているので、トランジスタQ10に
は第２図Ｃに示すように電流I9に等してコレクタ
電流I10が流れると共に、このコレクタ電流I10は
トランジスタQ11のベース電流でもあるから、ト
ランジスタQ11には信号Siの正の半サイクル期間
に、この正の半サイクルに対応したコレクタ電流
が流れる。また、同様にしてトランジスタQ8に
は第２図Ｄに示すように電流I7に等しいコレクタ
電流I8が流れ、従つて、トランジスタQ12には信
号Siの負の半サイクル期間に、その負の半サイク
ルに対応したコレクタ電流が流れる。従つて、ト
ランジスタQ11，Q12はＢ級プツシユプル増幅を
行うことになり、スピーカSpには、信号Spの増
幅された出力が供給されることになる。
ー回路を構成しているので、トランジスタQ10に
は第２図Ｃに示すように電流I9に等してコレクタ
電流I10が流れると共に、このコレクタ電流I10は
トランジスタQ11のベース電流でもあるから、ト
ランジスタQ11には信号Siの正の半サイクル期間
に、この正の半サイクルに対応したコレクタ電流
が流れる。また、同様にしてトランジスタQ8に
は第２図Ｄに示すように電流I7に等しいコレクタ
電流I8が流れ、従つて、トランジスタQ12には信
号Siの負の半サイクル期間に、その負の半サイク
ルに対応したコレクタ電流が流れる。従つて、ト
ランジスタQ11，Q12はＢ級プツシユプル増幅を
行うことになり、スピーカSpには、信号Spの増
幅された出力が供給されることになる。
こうしてプツシユプル増幅が行われるが、この
場合、この発明によれば、プツシユプル用のトラ
ンジスタQ11，Q12を定電流信号でドライブして
いるので、トランジスタQ11，Q12のベース電流
は信号レベルにかかわらず信号電流に比例し、従
つて、トランジスタQ11，Q12のコレクタ電流も
信号電流に比例するので、信号歪みを生じること
がない。
場合、この発明によれば、プツシユプル用のトラ
ンジスタQ11，Q12を定電流信号でドライブして
いるので、トランジスタQ11，Q12のベース電流
は信号レベルにかかわらず信号電流に比例し、従
つて、トランジスタQ11，Q12のコレクタ電流も
信号電流に比例するので、信号歪みを生じること
がない。
しかも、Ｂ級プツシユプル接続されたそれぞれ
のトランジスタQ11，Q12のバイアス設定は第１
のカレントミラー回路を構成するPNPトランジス
タQ8のベースと第２のカレントミラー回路を構
成するNPNトランジスタQ10のベースとを接続
し、これらのトランジスタのエミツタ間に所定の
電圧を与えることで行われる。従つて、この電圧
に対応してそれぞれのトランジスタQ11，Q12に
同一のバイアス電流を設定することができ、しか
もそれぞれのトランジスタのバイアス電流は同時
設定されるというすぐれた作用効果を奏する。し
かも、この電圧は低電圧でよいためアンプが電池
駆動されるような場合に生じる電池電圧の低下の
影響を受けることなく低電圧を保持することがで
きる。従つて、電源電圧が変化することがあつて
もＢ級プツシユプル接続されたそれぞれのトラン
ジスタに対し常に最適なバイアス電流を設定する
ことができ、このために、無駄な電力消費がな
く、電池で動作させるときには、その電池の寿命
を長くすることができる。
のトランジスタQ11，Q12のバイアス設定は第１
のカレントミラー回路を構成するPNPトランジス
タQ8のベースと第２のカレントミラー回路を構
成するNPNトランジスタQ10のベースとを接続
し、これらのトランジスタのエミツタ間に所定の
電圧を与えることで行われる。従つて、この電圧
に対応してそれぞれのトランジスタQ11，Q12に
同一のバイアス電流を設定することができ、しか
もそれぞれのトランジスタのバイアス電流は同時
設定されるというすぐれた作用効果を奏する。し
かも、この電圧は低電圧でよいためアンプが電池
駆動されるような場合に生じる電池電圧の低下の
影響を受けることなく低電圧を保持することがで
きる。従つて、電源電圧が変化することがあつて
もＢ級プツシユプル接続されたそれぞれのトラン
ジスタに対し常に最適なバイアス電流を設定する
ことができ、このために、無駄な電力消費がな
く、電池で動作させるときには、その電池の寿命
を長くすることができる。
さらに、トランジスタQ11，Q12として電流増
幅率ｈFEのリニアリテイーが小電流から大電流ま
で良いものを使用すれば、さらに良好な効果を得
ることができる。
幅率ｈFEのリニアリテイーが小電流から大電流ま
で良いものを使用すれば、さらに良好な効果を得
ることができる。
第１図はこの発明の一例の系統図、第２図はそ
の説明のための図である。 Q1〜Q18はトランジスタである。
の説明のための図である。 Q1〜Q18はトランジスタである。
Claims (1)
- １ 第１のカレントミラー回路を構成するPNP型
トランジスタのベースと第２のカレントミラー回
路を構成するNPN型トランジスタのベースとを
接続し、このベースに信号を入力し、上記PNP型
トランジスタ及びNPN型トランジスタのそれぞ
れのコレクタから出力される信号をＢ級プツシユ
プル接続されたそれぞれのトランジスタに供給す
ると共に、このプツシユプル接続されたそれぞれ
のトランジスタをバイアスするために上記PNP型
トランジスタ及びNPN型トランジスタのそれぞ
れのエミツタ間に所定の電圧を与えるための定電
圧回路を備えるプツシユプルアンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525379A JPS55118213A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Push pull amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2525379A JPS55118213A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Push pull amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55118213A JPS55118213A (en) | 1980-09-11 |
| JPS6212688B2 true JPS6212688B2 (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=12160829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2525379A Granted JPS55118213A (en) | 1979-03-05 | 1979-03-05 | Push pull amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55118213A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1235857B (it) * | 1983-08-05 | 1992-11-16 | Sgs Microelettronica Spa | Stadio di uscita per amplificatori di potenza. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272451U (ja) * | 1975-11-27 | 1977-05-30 |
-
1979
- 1979-03-05 JP JP2525379A patent/JPS55118213A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55118213A (en) | 1980-09-11 |
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