JPS62126384A - 光学的物体検知装置 - Google Patents
光学的物体検知装置Info
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- JPS62126384A JPS62126384A JP60266928A JP26692885A JPS62126384A JP S62126384 A JPS62126384 A JP S62126384A JP 60266928 A JP60266928 A JP 60266928A JP 26692885 A JP26692885 A JP 26692885A JP S62126384 A JPS62126384 A JP S62126384A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/32—Investigating bands of a spectrum in sequence by a single detector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光学的物体検知′３Ａ＠に関し、より詳細には
入出力接続線数を極少シこした、安価で製造が容易な光
学・的物体検知装置に関する。
入出力接続線数を極少シこした、安価で製造が容易な光
学・的物体検知装置に関する。
光学的物体検知装置はオートメーション機器における物
体通過検知に種々用いられており、基本的には、第６図
にその一例を示す如く、２本の接続線で電源を供給され
る投光器ｌと、この投光器１からの光を受光し、その通
過光量の変化を検知して信号として送出する受光器２と
から構成されている。なお、第６図において、記号３は
被検知物体を示している。
体通過検知に種々用いられており、基本的には、第６図
にその一例を示す如く、２本の接続線で電源を供給され
る投光器ｌと、この投光器１からの光を受光し、その通
過光量の変化を検知して信号として送出する受光器２と
から構成されている。なお、第６図において、記号３は
被検知物体を示している。
上記投光器１．受光器２の内部構造は第７図に示すよう
になっており、投光器部１１は発光素子（発光ダイオー
ド等）１４を、受光器部１２は受光素子（フォトトラン
ジスタ等）１５をそれぞれ含んでいる。また、１７は本
光学的物体検知装置を動作させるに必要な電力供給線お
よび検知出力をオートメーション装置の本体の受信側回
路１６等に接続する信号線を示しており、この例では５
本が用いられている。
になっており、投光器部１１は発光素子（発光ダイオー
ド等）１４を、受光器部１２は受光素子（フォトトラン
ジスタ等）１５をそれぞれ含んでいる。また、１７は本
光学的物体検知装置を動作させるに必要な電力供給線お
よび検知出力をオートメーション装置の本体の受信側回
路１６等に接続する信号線を示しており、この例では５
本が用いられている。
上述の如く、従来の光学的物体検知装置においては、電
源電力供給線や信号線としてそれぞれの接続線が必要で
、最低でも、電源、アース、出力の３本の接続線が必要
であり、更に、多数の個別電気部品を組合せた付属回路
が必要で、このような物量の多さが従来の光学的物体検
知装置の重大な問題となっていた。
源電力供給線や信号線としてそれぞれの接続線が必要で
、最低でも、電源、アース、出力の３本の接続線が必要
であり、更に、多数の個別電気部品を組合せた付属回路
が必要で、このような物量の多さが従来の光学的物体検
知装置の重大な問題となっていた。
すなわち、最近の複雑なオートメーション機器において
は、一つのシステム内で数十個の物体検９３１装置を組
込む必要があり、従来の光学的物体検知装置の如く多数
の配線や個別電気部品を必要とする装置は、オートメー
ション８１器の小形化、高信頼性ｆヒに大きな障害とな
っていた。
は、一つのシステム内で数十個の物体検９３１装置を組
込む必要があり、従来の光学的物体検知装置の如く多数
の配線や個別電気部品を必要とする装置は、オートメー
ション８１器の小形化、高信頼性ｆヒに大きな障害とな
っていた。
なお、この種の光学的物体検知ｖＡｌｉに関しては、例
えば、昭和５７年１月発行のシャープ電子部品Ａｐｐｌ
ｉｃａｔ、ｉｏｎ Ｍａｎｕａｌの記載を参照されたい
。
えば、昭和５７年１月発行のシャープ電子部品Ａｐｐｌ
ｉｃａｔ、ｉｏｎ Ｍａｎｕａｌの記載を参照されたい
。
本発明の目的は、従来の光学的物体検知装置における」
二連の如き問題を解消し、オートメーション機器の小形
化、高信頼性化に有効な、小形かつ高信頼性を有する光
学的物体検知装置を提供することにある。
二連の如き問題を解消し、オートメーション機器の小形
化、高信頼性化に有効な、小形かつ高信頼性を有する光
学的物体検知装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、Ｊ！光素子を含む発光部と該発光
部からの光を受光し、その受光光量の変化を検知して信
号を出力する受光部とを有する光学的物体検知装置にお
いて、前記発光部を、外部電源にインピーダンス素子を
介して接続される発光素子と、該発光素子に直列に接続
される定電圧素子と、該定電圧素子に並列に接続される
トランジスタとで構成し、前記定電圧素子を、これに並
列に接続される前記トランジスタのエミッタおよびコレ
クタで短絡可能に接続するとともに、前記トランジスタ
のベースを、前記インピーダンス素子と前記発光素子と
の接続点に、前記受光素子を介して接続したことを特徴
とする光学的物体検知装置によって達成される。
部からの光を受光し、その受光光量の変化を検知して信
号を出力する受光部とを有する光学的物体検知装置にお
いて、前記発光部を、外部電源にインピーダンス素子を
介して接続される発光素子と、該発光素子に直列に接続
される定電圧素子と、該定電圧素子に並列に接続される
トランジスタとで構成し、前記定電圧素子を、これに並
列に接続される前記トランジスタのエミッタおよびコレ
クタで短絡可能に接続するとともに、前記トランジスタ
のベースを、前記インピーダンス素子と前記発光素子と
の接続点に、前記受光素子を介して接続したことを特徴
とする光学的物体検知装置によって達成される。
以下、本発明をその実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す光学的物体検知装置の
模式外観図、第２図はその回路構成図である０両国にお
いて、２１は投光器、２２は受光器、３０は上記投光器
２１．受光器２２を含む本光学的物体検知装［１２３と
オートメーション装置本体とを接続する、電力供給線と
検知出力信号線とを兼用する唯１本の配線である。本実
施例に示す装置においては、電力の帰路は各光学的物体
検知装置で共通の接地を利用している。なお、記号３は
前記被検知物体である。
模式外観図、第２図はその回路構成図である０両国にお
いて、２１は投光器、２２は受光器、３０は上記投光器
２１．受光器２２を含む本光学的物体検知装［１２３と
オートメーション装置本体とを接続する、電力供給線と
検知出力信号線とを兼用する唯１本の配線である。本実
施例に示す装置においては、電力の帰路は各光学的物体
検知装置で共通の接地を利用している。なお、記号３は
前記被検知物体である。
また、第２図において、２４はトランジスタ、２５は受
光素子としてのフォトトランジスタ、２６はインピーダ
ンス素子としての抵抗、２７は発光素子としての発光ダ
イオード、２８は定電圧素子としての定電圧ダイオード
、２９はオートメーション装置本体の受信側回路を示し
ている。
光素子としてのフォトトランジスタ、２６はインピーダ
ンス素子としての抵抗、２７は発光素子としての発光ダ
イオード、２８は定電圧素子としての定電圧ダイオード
、２９はオートメーション装置本体の受信側回路を示し
ている。
第２図に示した回路構成においては、そのカソード側が
前記定電圧ダイオード２８に直列に接続された発光ダイ
オード２７のアノード側は、抵抗２Ｇを介して電源（Ｖ
ｃｃ）に接続されており、発光ダイオード通過電流ｒｄ
は Ｖｃｃ−Ｖｐ−ＶＦ Ｉｄ＝ □ Ｒυ で示される。
前記定電圧ダイオード２８に直列に接続された発光ダイ
オード２７のアノード側は、抵抗２Ｇを介して電源（Ｖ
ｃｃ）に接続されており、発光ダイオード通過電流ｒｄ
は Ｖｃｃ−Ｖｐ−ＶＦ Ｉｄ＝ □ Ｒυ で示される。
ここで、ＶＤは定電圧ダイオード２８の特性で定まる標
準電圧、ＶＦは発光ダイオード２７の立上り電圧で通常
１．２ｖ程度であるｗ Ｖｃｃは電源電圧である。
準電圧、ＶＦは発光ダイオード２７の立上り電圧で通常
１．２ｖ程度であるｗ Ｖｃｃは電源電圧である。
なお、ＲＬは抵抗２６のインピーダンスである。
上記定電圧ダイオード２８には、これと並列にトランジ
スタ２４のコレクタおよびエミッタが接続されており、
そのベースはフォトトランジスタ２５を通して信号線３
０に接続されている。この信号線３０は前述の如く電力
供給線と兼用されており、前記抵抗２６を通して電源（
Ｖｃｃ）に接続されている。
スタ２４のコレクタおよびエミッタが接続されており、
そのベースはフォトトランジスタ２５を通して信号線３
０に接続されている。この信号線３０は前述の如く電力
供給線と兼用されており、前記抵抗２６を通して電源（
Ｖｃｃ）に接続されている。
以下、上述の如く構成された本実施例装置の動作を、第
３図に基づいて説明する。
３図に基づいて説明する。
第３図は本実施例装置の回路の動作を示すものである。
投光器２１内の発光ダイオード２７から出た光は、受光
器２２内のフォトトランジスタ２５により受光される。
器２２内のフォトトランジスタ２５により受光される。
上記投光器２１．受光器２２間に物体３が存在し光が遮
光された場合には、フォトトランジスタ２５のインピー
ダンスが高くフォトトランジスタ通過電流１ｐとしては
暗電流のみとなる。また、上記物体３が移動して、投光
器２１と受光器２２との間を光が十分通過するような状
態（′ｉ１光状腐）になると、フォトトランジスタ２５
のインピーダンスが低下して、電源→抵抗２６→フォト
１−ランジスタ２５→トランジスタ２４のベース→接地
と流れるｌｐ酸成分増大し、トランジスタ２４のコレク
タ電流Ｉｃ Ｉｃ＝β・Ｉｐ が流れ始める。ここでβはトランジスタ２４の電流増幅
率である。
光された場合には、フォトトランジスタ２５のインピー
ダンスが高くフォトトランジスタ通過電流１ｐとしては
暗電流のみとなる。また、上記物体３が移動して、投光
器２１と受光器２２との間を光が十分通過するような状
態（′ｉ１光状腐）になると、フォトトランジスタ２５
のインピーダンスが低下して、電源→抵抗２６→フォト
１−ランジスタ２５→トランジスタ２４のベース→接地
と流れるｌｐ酸成分増大し、トランジスタ２４のコレク
タ電流Ｉｃ Ｉｃ＝β・Ｉｐ が流れ始める。ここでβはトランジスタ２４の電流増幅
率である。
上記電流１ｃが
の閾値を越えるまでは発光ダイオード２７を流れる電流
Ｔｄは変らないが、受光量が増大して上記閾値を越える
と９発光ダイオード２７を流れる電流Ｉｄは、定電圧ダ
イオード２８を通らずトランジスタ２４を通ることによ
り増大を始め、その結果、投光光量の増大から受光光量
の増大、すなわち、Ｉｐの増大から１発光ダイオード２
７の通過電流Ｉｄの増大（第３図（ａ）参照）という急
速な正帰還を起こし、トランジスタ２４は完全に導通し
飽和状態となり、そのエミッタ、コレクタ間の電圧はＶ
ｃＥｓａｔ、となる。
Ｔｄは変らないが、受光量が増大して上記閾値を越える
と９発光ダイオード２７を流れる電流Ｉｄは、定電圧ダ
イオード２８を通らずトランジスタ２４を通ることによ
り増大を始め、その結果、投光光量の増大から受光光量
の増大、すなわち、Ｉｐの増大から１発光ダイオード２
７の通過電流Ｉｄの増大（第３図（ａ）参照）という急
速な正帰還を起こし、トランジスタ２４は完全に導通し
飽和状態となり、そのエミッタ、コレクタ間の電圧はＶ
ｃＥｓａｔ、となる。
すなわち、定電圧ダイオード２８の特性で決まる閾値電
圧ＶＤと、上記ｖｃｓ：ｓａｔで決まる閾値電圧との間
の領域で、発光ダイオード２７の発光量とフォトトラン
ジスタ２５の受光量で正帰還がかかり、Ｖａ点の電位は
定電圧ダイオード２８の特性で与えられるｖＤから、ト
ランジスタ２４の飽和特性で決まる前記ＶＣＢ５ａｔま
で、急速に変化する（第３図（ｂ）参照）、物体の移動
によって透光から遮光の状態に転移する場合には、やは
り正帰還により、電位は逆にｖｃＥＳａｔ、からｖＤに
急速に変化する（第３図（ｂ）参照）。
圧ＶＤと、上記ｖｃｓ：ｓａｔで決まる閾値電圧との間
の領域で、発光ダイオード２７の発光量とフォトトラン
ジスタ２５の受光量で正帰還がかかり、Ｖａ点の電位は
定電圧ダイオード２８の特性で与えられるｖＤから、ト
ランジスタ２４の飽和特性で決まる前記ＶＣＢ５ａｔま
で、急速に変化する（第３図（ｂ）参照）、物体の移動
によって透光から遮光の状態に転移する場合には、やは
り正帰還により、電位は逆にｖｃＥＳａｔ、からｖＤに
急速に変化する（第３図（ｂ）参照）。
例えば、定電圧ダイオード２８として、ＶＤ＝２．
ＩＶ の定電圧ダイオードを使用したとき、電源電圧５Ｖで、
Ｖ Ｆ＝１ 、２Ｖ、 ＶＣＥ ｓａｔ ＝
０． ３Ｖとすると。
ＩＶ の定電圧ダイオードを使用したとき、電源電圧５Ｖで、
Ｖ Ｆ＝１ 、２Ｖ、 ＶＣＥ ｓａｔ ＝
０． ３Ｖとすると。
で、Ｖａ＝２．ＩＶとなり、
〔透光時〕
で、Ｖａ＝０．３Ｖとなり、遮光時と透光時とで発光素
子の電流を約２倍の幅で変化する。この結果、信号振幅
１．８Ｖの検出信号を送信することができ、信号検出の
信頼度が極めて高くなる。
子の電流を約２倍の幅で変化する。この結果、信号振幅
１．８Ｖの検出信号を送信することができ、信号検出の
信頼度が極めて高くなる。
発光ダイオード２７の通過電流Ｉｄは、Ｍ売時から透光
時で上記Ｉｄ、Ｉｄ’で説明した如く大きく変化する。
時で上記Ｉｄ、Ｉｄ’で説明した如く大きく変化する。
投光器２１の回路電圧Ｖａは遮光時ＶＤ、透光時Ｖ（Ｈ
Ｅｓａｔ に近くなり、光学的物体検知装置２３とし
ての検知信号電圧ＶｉはＶ １ ＃ Ｖ ａ ＋ Ｖ
ｙ となる（第３図（ｄ）参照）。
Ｅｓａｔ に近くなり、光学的物体検知装置２３とし
ての検知信号電圧ＶｉはＶ １ ＃ Ｖ ａ ＋ Ｖ
ｙ となる（第３図（ｄ）参照）。
フォトトランジスタ２５の通過電流Ｉｐは、遮光時はぼ
Ｏ（暗電流のみ）で、透光時は受光量に応じてトランジ
スタ２４を充分飽和駆動するに足りる値となる（第３図
（ｃ）参照）、また、オートメーション装置内の受信側
回路２９まで、１本の信号線で送信された検知信号電圧
Ｖｉは、シュミットトリガ−素子２９で遮光状態あるい
は透光状態の区別が容易に可能な電圧にまで増幅されて
いるので、それぞれの状態に応じてＶｔ、ｏｗおよびＶ
Ｈ□（第３図（ｅ）参照）の状態信号を発生させること
が可能である。
Ｏ（暗電流のみ）で、透光時は受光量に応じてトランジ
スタ２４を充分飽和駆動するに足りる値となる（第３図
（ｃ）参照）、また、オートメーション装置内の受信側
回路２９まで、１本の信号線で送信された検知信号電圧
Ｖｉは、シュミットトリガ−素子２９で遮光状態あるい
は透光状態の区別が容易に可能な電圧にまで増幅されて
いるので、それぞれの状態に応じてＶｔ、ｏｗおよびＶ
Ｈ□（第３図（ｅ）参照）の状態信号を発生させること
が可能である。
第４図は本発明の他の実施例を示すもので、定電圧素子
として、先の実施例に示した定電圧ダイオード２８の代
りにｎ個のダイオード２８−１〜２８−ｎのフォワード
・ドロップ電圧を利用したものである１通常のシリコン
ダイオードのｐｎ接合のフォワード・ドロップ電圧は１
個当り０．７Ｖであるので、例えば、ＶＤ＝２．ＩＶに
相当する電圧を形成するには、上記ダイオードを３個直
列に接続すれば良い。
として、先の実施例に示した定電圧ダイオード２８の代
りにｎ個のダイオード２８−１〜２８−ｎのフォワード
・ドロップ電圧を利用したものである１通常のシリコン
ダイオードのｐｎ接合のフォワード・ドロップ電圧は１
個当り０．７Ｖであるので、例えば、ＶＤ＝２．ＩＶに
相当する電圧を形成するには、上記ダイオードを３個直
列に接続すれば良い。
以上の説明からも明らかな如く、本発明によれば、光学
的物体検知装置の投光器、受光器の電子回路部分をすべ
て半導体素子で構成することができるので、半導体集積
回路技術で回路の集積が可能である。第５図はその一例
を示すもので、先の実施例において示した投光器および
受光器の全回路部分を、一枚のシリコン基板上に実現し
た光学的物体検知装置の構造を示すものである。
的物体検知装置の投光器、受光器の電子回路部分をすべ
て半導体素子で構成することができるので、半導体集積
回路技術で回路の集積が可能である。第５図はその一例
を示すもので、先の実施例において示した投光器および
受光器の全回路部分を、一枚のシリコン基板上に実現し
た光学的物体検知装置の構造を示すものである。
本実施例においては、シリコン載板３１上ノ発光ダイオ
ード相当部分３７からレンズ３２を通って投光された光
が、物体３３の表面で反射され、集光レンズ３４により
同一基板上のフォトトランジスタ相当部分３５にて検知
される。なお、その出力信号は電力供給線と共用された
信号線３０で送出される。物体３３が存在しない場合に
は、光は反射されず、受光もされない。
ード相当部分３７からレンズ３２を通って投光された光
が、物体３３の表面で反射され、集光レンズ３４により
同一基板上のフォトトランジスタ相当部分３５にて検知
される。なお、その出力信号は電力供給線と共用された
信号線３０で送出される。物体３３が存在しない場合に
は、光は反射されず、受光もされない。
上記実施例においては、物体３３からの反射光を検知す
る如く構成しているが、レンズ３２と３４との間の光路
中に反射用ミラーを配置して、物体３３からの反射光で
なく物体３３による遮光。
る如く構成しているが、レンズ３２と３４との間の光路
中に反射用ミラーを配置して、物体３３からの反射光で
なく物体３３による遮光。
透光状態を検知する如く構成することも可能である。こ
の場合には、物体３３の通過位置による受光光量の変動
が無くなるという利点がある。
の場合には、物体３３の通過位置による受光光量の変動
が無くなるという利点がある。
また、本実施例においては、光学的物体検知装置を単一
の半導体集積素子により構成することができるため、オ
ートメーション機器を小形化、高機能化する上で格段の
効果がある。更に、光学的物体検知装置のセンサ部分は
すべて半導体素子で構成されるため、高信頼度であり、
集積化による低価格化も可能である。
の半導体集積素子により構成することができるため、オ
ートメーション機器を小形化、高機能化する上で格段の
効果がある。更に、光学的物体検知装置のセンサ部分は
すべて半導体素子で構成されるため、高信頼度であり、
集積化による低価格化も可能である。
上記各実施例に示した如く、本発明によれば、光学的物
体検知装置の投光器および受光器部への電力供給線と信
号線とを、上記投光器および受光器１組当り１本で済ま
せることが可能になり、接続配線本数が激減し、多数の
光学的物体検知装置を用いるオートメーシ目ン装置、シ
ステムでその利点は大きい。
体検知装置の投光器および受光器部への電力供給線と信
号線とを、上記投光器および受光器１組当り１本で済ま
せることが可能になり、接続配線本数が激減し、多数の
光学的物体検知装置を用いるオートメーシ目ン装置、シ
ステムでその利点は大きい。
また、光学的物体検知装置の投光器と受光器の電子回路
部分をすべて半導体素子で構成することができるため、
半導体集積回路技術で回路の集積を行うことが可能とな
り、ディスクリート部品の接続を排し１組立工数の低減
と機器の小形化が可能となる。
部分をすべて半導体素子で構成することができるため、
半導体集積回路技術で回路の集積を行うことが可能とな
り、ディスクリート部品の接続を排し１組立工数の低減
と機器の小形化が可能となる。
更に、本発明による光学的物体検知Ｖｉｌの検出信号線
は、電力供給線と共用するとともに、その出力信号線は
定インピーダンス素子で終端されているため、伝送波形
の歪が少なく、高信頼度化が可能である。
は、電力供給線と共用するとともに、その出力信号線は
定インピーダンス素子で終端されているため、伝送波形
の歪が少なく、高信頼度化が可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す光学的物体検知装置の
模式外観図、第２図はその回路構成図、第３図はその動
作説明図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す
回路構成図、第６図は従来の光学的物体検知装置の模式
外観図、第７図はその回路構成図である。 ３．３３：液検知物体、２１：投光器、２２：受光器、
２３：光学的物体検知装置、２４：トランジスタ、２５
：フォトトランジスタ、２６：インピーダンス素子、２
７；発光ダイオード、２８；定電圧ダイオード、２９：
受信側回路、３０：電力線兼用出力信号線。
模式外観図、第２図はその回路構成図、第３図はその動
作説明図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す
回路構成図、第６図は従来の光学的物体検知装置の模式
外観図、第７図はその回路構成図である。 ３．３３：液検知物体、２１：投光器、２２：受光器、
２３：光学的物体検知装置、２４：トランジスタ、２５
：フォトトランジスタ、２６：インピーダンス素子、２
７；発光ダイオード、２８；定電圧ダイオード、２９：
受信側回路、３０：電力線兼用出力信号線。
Claims (1)
- （１）発光素子を含む発光部と、該発光部からの光を受
光し、その受光光量の変化を検知して信号を出力する受
光部とを有する光学的物体検知装置において、前記発光
部を、外部電源にインピーダンス素子を介して接続され
る発光素子と、該発光素子に直列に接続される定電圧素
子と、該定電圧素子に並列に接続されるトランジスタと
で構成し、前記定電圧素子を、これに並列に接続される
前記トランジスタのエミッタおよびコレクタで短絡可能
に接続するとともに、前記トランジスタのベースを、前
記インピーダンス素子と前記発光素子との接続点に、前
記受光素子を介して接続したことを特徴とする光学的物
体検知装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60266928A JPS62126384A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光学的物体検知装置 |
| KR1019860009945A KR900001583B1 (ko) | 1985-11-27 | 1986-11-25 | 광학적 물체검지장치 |
| US06/935,172 US4808809A (en) | 1985-11-27 | 1986-11-26 | Device for optically detecting the presence or absence of an object on an optical path including a variable I-V characteristic circuit to effect in a positive feedback relationship between the radiation source and the radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60266928A JPS62126384A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光学的物体検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126384A true JPS62126384A (ja) | 1987-06-08 |
Family
ID=17437629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60266928A Pending JPS62126384A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光学的物体検知装置 |
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| JP (1) | JPS62126384A (ja) |
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- 1986-11-26 US US06/935,172 patent/US4808809A/en not_active Expired - Fee Related
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