JPS62124645A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

光磁気メモリ装置

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JPS62124645A
JPS62124645A JP26675285A JP26675285A JPS62124645A JP S62124645 A JPS62124645 A JP S62124645A JP 26675285 A JP26675285 A JP 26675285A JP 26675285 A JP26675285 A JP 26675285A JP S62124645 A JPS62124645 A JP S62124645A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
peak position
circuit
recording
memory device
Prior art date
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Pending
Application number
JP26675285A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Fuji
寛 藤
Shigemi Maeda
茂己 前田
Takeshi Yamaguchi
毅 山口
Toshihisa Deguchi
出口 敏久
Shozo Kobayashi
省三 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Priority to DE86307782T priority patent/DE3688669T2/de
Priority to EP86307782A priority patent/EP0220023B1/en
Publication of JPS62124645A publication Critical patent/JPS62124645A/ja
Priority to US07/214,930 priority patent/US4939710A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は磁性膜を記録媒体とし、レーザ光等の光ビーム
をその記録媒体に照射することにより、情報の記録・再
生又は消去を行なう光磁気メモリ装置に関するものであ
る。
〈従来技術〉 光磁気メモリ装置の1つとして光磁気ディスクメモリ装
置を例に挙げて従来技術を説明する。
第4図に示すように光磁気ディスクメモリ装置は膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を持つ磁性膜42を基板上に製
膜して記録媒体とし、レーザビーム40を対物レンズ4
1で集光して上記記録媒体に照射して、情報の記録・再
生又は消去を行なうものである。
次に光磁気ディスクメモリ装置における記録・再生の方
法に関し第4図に基いて詳しく説明する。
同図(a)の如く記録時は対物レンズ41で1μmφ程
度に集光さり、たレーザビーム40を記録信号に応じて
強度変調し、磁性膜42に照射すると、磁性膜42の温
度が局所的に上昇する0この温度上昇した部分では保磁
力が減少するため、同時に外部よりバイアス磁場HBを
印加すると磁化の向きがバイアス磁場HBの方向に反転
して記録が行なわれる。
再生時は記録された磁性膜42に記録時よりも弱い光量
のレーザの直線偏光を照射する。すると反射光は磁性膜
42の磁気光学効果(カー効果)により偏光面の傾きを
生じる。この傾きを検光子により検波して光の強弱に変
え、それを光検出路で検出すれば、同図(b)に示すよ
うに正方向のピーク位置が記録マークに対応する再生信
号43が得られる。従ってこの再生信号43からピーク
位置を検出すれば情報が再生できる。
次に第5図を用いて上記再生信号からの情報データの再
生手順を示す。
再生ヘッド1で再生された再生信号はアンプ2によって
増幅される。増幅された再生信号12はピーク位置検出
回路3(破線で囲まれた部分)における微分回路4と振
幅検出回路11に入力される。微分回路4の出力信号1
3はゼロクロス検出回路5においてディジタル信号に変
換された後、以下の方法でピーク位置が検出される。即
ちインバータ6、抵抗7.コンデンサ8及びNORゲー
ト9で構成された回路部分でゼロクロス検出回路5の出
力信号の立ち下がりすなわち再生信号12の正方向のピ
ーク位置を検出した信号14が出力され、この信号14
と振幅検出回路11の出力信号15との論理積がAND
ゲート10においてとられ、正方向のピーク位置だけに
対応したピーク位置検出信号16が出力される。このピ
ーク位置検出信号16はデータ復調回路に送られ情報デ
ータに変換される。
以上のことを第6図の波形を用いて説明する。
第6図の符号は第5図における符号と同じものを表わす
。再生信号12は図に示す正方向のピーク位置が情報デ
ータに対応する。この再生信号12は微分回路4におい
て微分信号13となる。微分信号13は再生信号12の
正方向のピーク位置で正から負へ向けてゼロレベルをク
ロスする。従ってゼロクロス検出回路5の出力信号は正
方向のピーク位置で立ち下がるため、これを検出した信
号14は再生信号12の正方向のピーク位置を検出して
いる。この信号14はANDゲート10において振幅検
出信号15との論理積がとられ、正方向のピーク位置だ
けに対応したピーク位置検出信号16が出力される。
さて情報の書き換えが可能な記録媒体である光磁気ディ
スクは上述した様に磁性膜を有する記録媒体であり、第
7図及び第8図に示すように磁性膜42を2面もつ光磁
気ディスクに対しては当然にディスクの両面から個別に
記録・再生又は消去する装置構成が必要である。
これを以下に説明する。尚、2面の磁性膜をA面、B面
(この2面は分離層43によって分離されている。)と
呼ぶことにする。この両面ともあらかじめ同一方向にイ
ニシャライズすなわち同一方向に磁化されているものと
する。
まずA面の記録・再生の方法に関して第7図(a)を用
いて説明する。記録時に対物レンズ41で集光されたレ
ーザビーム40を磁性膜42のA面に照射すると磁化の
向きがバイアス磁場HBの方向に反転して記録が行なわ
れる。再生時は同図(b)に示すように正方向のピーク
位置が記録マークに対応するような再生信号44が得ら
れる。
一方、B面では第8図(a)に示すように記録時あらか
じめA面と同一方向にイニシャライズされていたため、
バイアス磁場HBの方向すなわち記録の方向を反転させ
る必要がある。従って記録マークの磁化の方向がA面と
B面では反転しており、B面の再生信号45はA面の再
生信号44に対して極性が反転する。すなわちB面では
負方向のピーク位置が記録マークに対応するので、同図
(b)に示すように負方向のピーク位置を検出する必要
があする。
以上に示したように、あらかじめ同一方向にイニシャラ
イズされている2面の磁性膜を用いた場合、再生信号は
A面とB面では極性が反転する。
この場合、記録方式として記録マークの間隔を検出する
方式を用いるとすると、第5図に示すような正方向のみ
のピーク位置検出を行なう情報再生装置では、B面にお
ける負方向のピーク位置検出が困難になるため、情報デ
ータの再生ができなくなるという問題がある。
〈発明の目的〉 本発明の目的は上述の従来技術の問題点に鑑み、記録方
式として記録マークの間隔を検出する方式を用いる場合
、あらかじめ同一方向にイニシャライズされた2面の磁
性膜の記録・再生において、どちらの面でも情報データ
の再生が行なえるような光磁気メモリ装置を提供するこ
とにある。
〈実施例〉 以下に本発明に係る光磁気メモリ装置の実施例を図面を
用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例による光磁気メモリ装置におけ
る情報再生装置を示す図、第2図は第1図の装置におけ
るA面での再生時の波形を示す図、第3図は第1図の装
置におけるB面での再生時の波形を示す図である。第1
図と第2図及び第3図の同一符号部分は同じものを表わ
す。
第1図において再生ヘッド1で再生され、アンプ2によ
って増幅された再生信号12は正方向ピーク位置検出回
路3(破線で四重れた部分)及び負方向ピーク位置検出
回路17(破線で四重れた部分)に導ひかれる。
まず正方向ピーク位置検出回路3における正方向のピー
ク位置の検出について説明する。微分回路4の出力信号
13はゼロクロス検出回路5でディジタル信号に変換さ
れ、以下の方法で正方向のピーク位置が検出される。即
ちインバータ6、抵抗7.コンデンサ8及びNORゲー
ト9で構成された回路部分でゼロクロス検出回路5の出
力信号の立ち下がりすなわち再生信号12の正方向のピ
ーク位置を検出した信号14が出力され、この信号14
と振幅検出回路11の出力信号15との論理積がAND
ゲート10においてとられ、正方向のピーク位置だけに
対応した正方向ピーク位置検出信号16が出力される。
このピーク位置検出信号16はスイッチング回路30の
一方の入力に導ひかれる。
次に上記負方向ピーク位置検出回路17における負方向
のピーク位置の検出について説明する。
微分回路18の出力信号26はゼロクロス検出回路19
でディジタル信号に変換され、以下の方法で負方向のピ
ーク位置が検出される。尚、微分回路18及びゼロクロ
ス検出回路19は正方向ピーク位置検出回路3における
微分回路4及びゼロクロス検出回路5と共用してもよい
。インバータ20゜抵抗21.コンデンサ22及びAN
Dゲート23で構成された回路部分でゼロクロス検出回
路19の出力信号の立ち上がりすなわち再生信号12の
負方向のピーク位置を検出した信号27が出力され、こ
の信号27と振幅検出回路25の出力信号28との論理
積がANDゲート24においてとられ、負方向のピーク
位置だけに対応した負方向ピーク位置検出信号29が出
力される。このピーク位置検出信号29はスイッチング
回路30の他方の入力に導びかれる。
上記スイッチング回路30に導びかれた正方向及び負方
向のピーク位置検出信号16と29は記録面認識信号等
の制御信号32によって、それぞれの面に応じて切り換
えられ出力信号31が得られる。この出力信号31はデ
ータ復調回路において情報データに変換される。
第2図はA面における正方向のピーク位置検出に係る信
号波形を示す図、第3図はB面における負方向のピーク
位置検出に係る信号波形を示す図である。第2図及び第
3図に示すように再生信号12はA面とB面では極性が
反転しているOA面では微分回路4の出力信号13は正
方向のピーク位置で正から負へ向けてゼロレベルをクロ
スし、B面では微分回路19の出力信号26は負方向の
ピーク位置で負から正へ向けてゼロレベルをクロスする
。従ってA面ではゼロクロス検出回路5の出力信号の立
ち下がりを検出し、B面ではゼロクロス検出回路19の
出力信号の立ち上がりを検出すればよい。A面では立ち
下がりを検出した信号14から振幅検出信号15との論
理積をとり正方向のピーク位置だけに対応した正方向ピ
ーク位置検出信号16が得られ、B面では立ち上がりを
検出した信号27から振幅検出信号28との論理積をと
り負方向のピーク位置だけに対応した負方向のピーク位
置検出信号29が得られる。A面、B面に対応するこの
2つのピーク位置検出信号16と29は第1図における
スイッチング回路30において制御信号32に従ってA
面とB面で切り換えられ、データ復調回路に送られる。
以上に示したように記録方式として記録マークの間隔を
検出する方式を用いる場合、A面とB面では正方向ある
いは負方向のピーク位置検出信号を制御信号に基づいて
選択すればA面でもB面でもデータ再生が可能となる。
寸だA面を正方向のピーク位置検出に、B面を負方向の
ピーク位置検出に対応させて説明したが、この逆の場合
でももちろん可能である。
尚、光磁気メモリ装置として光磁気ディスクメモリ装置
を例に挙げて説明したが、記録媒体がディスクに限らず
2面の磁性膜を記録媒体とするテープ等地の光磁気メモ
リ装置に適用可能である。
〈発明の効果〉 以上の本発明によれば、記録方式として記録マークの間
隔を検出する方式を用いる場合、あらかじめ同一方向に
イニシャライズされた2面の磁性膜の記録・再生におい
て、どちらの面においても情報データの再生が可能な光
磁気メモリ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る実施例の光磁気メモリ装置の情報
再生装置を示す回路構成図、第2図はA面の正方向のピ
ーク位置検出時の波形を示す信号波形図、第3図はB面
の負方向のピーク位置検出時の波形を示す信号波形図、
第4図(a)は従来の光磁気メモリ装置の説明図、同図
(b)はその再生信号を示す図、第5図は従来の光磁気
メモリ装置の情報再生装置を示す回路構成図、第6図は
第5図における波形を示す信号波形図、第7図(a)は
2面の磁性膜をもつ光磁気メモリ装置の説明図、第7図
(b)はその再生信号を示す信号波形図、第8図(a)
は光磁気メモリ装置の説明図、第8図(b)はその再生
信号を示す信号波形図である。 図中、1・・再生ヘッド   2・・アンプ3・・・正
方向ピーク位置検出回路 4・・・微分回路 5 ゼロクロス検出回路6 ・イン
バータ    7・・・抵抗8・・・コンデンサ   
9・・・NORゲート18・・微分回路  19・・・
ゼロクロス検出回路20・・インバータ   21・・
・抵抗22・・コンデンサ   23・・・ANDゲー
ト24・・・ANDゲート  25・・・振幅検出回路
30 スイッチング回路 40・・・レーザビーム41
・・・対物レンズ   42・・・磁性膜43・分離層 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)I6 第2図 第3図 第4図 I:I     凸 \−−Q へ首 マ噴宅

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、表裏2面の記録用磁性膜を備え、あらかじめ同一方
    向にイニシャライズされた光磁気媒体を用い、記録方式
    として記録マークの間隔を検出する方式を用いる光磁気
    メモリ装置であつて、再生信号の正方向のピーク位置と
    負方向のピーク位置を検出する手段を備え、該検出出力
    のいずれか一方の出力を記録面認識信号等の制御信号に
    基づいて選択しデータ再生を行なうことを特徴とする光
    磁気メモリ装置。
JP26675285A 1985-10-08 1985-11-25 光磁気メモリ装置 Pending JPS62124645A (ja)

Priority Applications (4)

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JP26675285A JPS62124645A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 光磁気メモリ装置
DE86307782T DE3688669T2 (de) 1985-10-08 1986-10-08 Magnetooptische Speichervorrichtung.
EP86307782A EP0220023B1 (en) 1985-10-08 1986-10-08 Optical magnetic memory device
US07/214,930 US4939710A (en) 1985-10-08 1988-07-01 Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data

Applications Claiming Priority (1)

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JP26675285A JPS62124645A (ja) 1985-11-25 1985-11-25 光磁気メモリ装置

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JPS62124645A true JPS62124645A (ja) 1987-06-05

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JP26675285A Pending JPS62124645A (ja) 1985-10-08 1985-11-25 光磁気メモリ装置

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