JPS6212041A - パラレルスキヤナ− - Google Patents
パラレルスキヤナ−Info
- Publication number
- JPS6212041A JPS6212041A JP15110785A JP15110785A JPS6212041A JP S6212041 A JPS6212041 A JP S6212041A JP 15110785 A JP15110785 A JP 15110785A JP 15110785 A JP15110785 A JP 15110785A JP S6212041 A JPS6212041 A JP S6212041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- scanner
- entire face
- plates
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は荷電粒子ビーム（以下、単にビームという）を
ビームの進行方向（２軸）に垂直な面上（Ｘ、Ｙ平面）
で走査させる為に、電界又は磁界を使用してビームをＺ
軸に対して平行に偏向させるスキャナーの構造に関する
ものである・〔従来の技術〕 従来のスキャナーの構造は、第４図に示すように縦方向
（Ｙ方向）の偏向を行うＹスキャナープレート１と、横
方向（Ｘ方向）の偏向を行うＸスキャナープレート２の
２組から構成されている。
ビームの進行方向（２軸）に垂直な面上（Ｘ、Ｙ平面）
で走査させる為に、電界又は磁界を使用してビームをＺ
軸に対して平行に偏向させるスキャナーの構造に関する
ものである・〔従来の技術〕 従来のスキャナーの構造は、第４図に示すように縦方向
（Ｙ方向）の偏向を行うＹスキャナープレート１と、横
方向（Ｘ方向）の偏向を行うＸスキャナープレート２の
２組から構成されている。
その為に半導体基板等のターゲットに当るビームは、Ｘ
、Ｙスキャナーで受けた偏向角を持つことになる・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、従来例では第４，６図に示すように荷電粒子
ビーム４がターゲット（半導体基板）３の中央部ではほ
ぼターゲツト面に垂直に、また周辺部では斜めに入射す
るため、ターゲットの中央部でのビーム強度（密度）は
周辺部より大きくなる。このようなスキャナーを使用し
ているイオン注入装置においてはターゲットの径が大き
くなって、デバイスの設計パターン幅が小さくなってく
ると、上記の問題点の為に周辺部のデバイスの歩留りが
悪くなる。なぜならば、普通半導体デバイスの製造工程
において、イオン注入を行う場合、半導体基板上にレジ
スト等でマスクパターンを作り、必要箇所にだけ注入を
行う。しかし、半導体基板にビームが科目に入射する部
分では、第６図に示すようにマスクパターンの影になる
部分には注入されず、又マスクパターンの下へもぐり込
みが生じる。更に中央部ではビーム強度（濃度）が大き
い為、周辺よりも多く注入されることになる。
、Ｙスキャナーで受けた偏向角を持つことになる・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、従来例では第４，６図に示すように荷電粒子
ビーム４がターゲット（半導体基板）３の中央部ではほ
ぼターゲツト面に垂直に、また周辺部では斜めに入射す
るため、ターゲットの中央部でのビーム強度（密度）は
周辺部より大きくなる。このようなスキャナーを使用し
ているイオン注入装置においてはターゲットの径が大き
くなって、デバイスの設計パターン幅が小さくなってく
ると、上記の問題点の為に周辺部のデバイスの歩留りが
悪くなる。なぜならば、普通半導体デバイスの製造工程
において、イオン注入を行う場合、半導体基板上にレジ
スト等でマスクパターンを作り、必要箇所にだけ注入を
行う。しかし、半導体基板にビームが科目に入射する部
分では、第６図に示すようにマスクパターンの影になる
部分には注入されず、又マスクパターンの下へもぐり込
みが生じる。更に中央部ではビーム強度（濃度）が大き
い為、周辺よりも多く注入されることになる。
これらの現象はターゲットの周辺部になる程顕著となる
。この為に、大口径ターゲットの場合周辺部では、設計
値どうりの特性を持ったデバイスを作れない。
。この為に、大口径ターゲットの場合周辺部では、設計
値どうりの特性を持ったデバイスを作れない。
本発明は前記問題点を解消するもので、ビームをターゲ
ットの全面に対し垂直に当てるようにしたパラレルスキ
ャナーを提供するものである。
ットの全面に対し垂直に当てるようにしたパラレルスキ
ャナーを提供するものである。
本発明は電界又は磁界全使用して荷電粒子ビームを偏向
させるスキャナーにおいて、荷電粒子ビームをターゲッ
ト全面に対し垂直に偏向させる電極を有することを特徴
とするパラレルスキャナーである。
させるスキャナーにおいて、荷電粒子ビームをターゲッ
ト全面に対し垂直に偏向させる電極を有することを特徴
とするパラレルスキャナーである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、本発明はスキャナープレート１．２の
後に、Ｙ方向の偏向角を補正する第２のＸスキャナープ
レート５を置き、次にＸ方向の偏向角を補正する第２の
Ｘスキャナープレート６を置いたものである。第２図は
このような構造を持つスキャナーを２次元的に示したも
のである。前段のスキャナープレート１，２で偏向され
たビーム４は後段のスキャナープレート５，６で補正を
受はターゲット（半導体基板）３に垂直に入射すること
ができる。第３図はこのような構造を持つイオン注入装
置を使用してイオン注入を行った様子を示すものである
。イオンビーム４はターゲット３の全面に対して垂直に
入射する為、マスク等の影になる部分や、マスク下への
もぐり込みがなくなる。又、ターゲットの全面で均一な
ドーズ量を得ることができる。従ってこのようにして注
入された半導体基板では中央部と周辺部との差はなくな
り歩留りを上げることができる。
後に、Ｙ方向の偏向角を補正する第２のＸスキャナープ
レート５を置き、次にＸ方向の偏向角を補正する第２の
Ｘスキャナープレート６を置いたものである。第２図は
このような構造を持つスキャナーを２次元的に示したも
のである。前段のスキャナープレート１，２で偏向され
たビーム４は後段のスキャナープレート５，６で補正を
受はターゲット（半導体基板）３に垂直に入射すること
ができる。第３図はこのような構造を持つイオン注入装
置を使用してイオン注入を行った様子を示すものである
。イオンビーム４はターゲット３の全面に対して垂直に
入射する為、マスク等の影になる部分や、マスク下への
もぐり込みがなくなる。又、ターゲットの全面で均一な
ドーズ量を得ることができる。従ってこのようにして注
入された半導体基板では中央部と周辺部との差はなくな
り歩留りを上げることができる。
本発明は以上説明したように、マスク等の影になる部分
やマスクパターン下へのもぐり込みがなくなり、又ター
ゲットの全面に対してビームが垂直に当ることで、ター
ゲットの中央部と周辺部でのビーム強度（濃度）差がな
くなり均一に注入することができる。更にスキャナーと
ターゲットの間隔を短くし、装置をコンパクトにするこ
とができる効果を有するものである。
やマスクパターン下へのもぐり込みがなくなり、又ター
ゲットの全面に対してビームが垂直に当ることで、ター
ゲットの中央部と周辺部でのビーム強度（濃度）差がな
くなり均一に注入することができる。更にスキャナーと
ターゲットの間隔を短くし、装置をコンパクトにするこ
とができる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明における荷電粒子ビームの動きを２次元的に示す模式
図、第３図は本発明におけるイオン注入状態を示す模式
図、第４図は従来例を示す斜視図、第５図は従来例にお
ける荷電粒子ビームの動きを２次元的に示す模式図、第
６図は従来例におけるイオン注入状態を示す模式図であ
る。 １．３・・・Ｙスキャナープレート、２．４・・・Ｘス
キャナープレート 特許出願人 九州日本電気株式会社 ”’：：’ＷＩＥ ７．５：Ｙスヘヤ丈−フし一ト ２．４：Ｘスキャナープレート 第１図 馬３図 ３： ターグント（半暮不谷顯） ４ 祠電粗子ビーム 第４図
明における荷電粒子ビームの動きを２次元的に示す模式
図、第３図は本発明におけるイオン注入状態を示す模式
図、第４図は従来例を示す斜視図、第５図は従来例にお
ける荷電粒子ビームの動きを２次元的に示す模式図、第
６図は従来例におけるイオン注入状態を示す模式図であ
る。 １．３・・・Ｙスキャナープレート、２．４・・・Ｘス
キャナープレート 特許出願人 九州日本電気株式会社 ”’：：’ＷＩＥ ７．５：Ｙスヘヤ丈−フし一ト ２．４：Ｘスキャナープレート 第１図 馬３図 ３： ターグント（半暮不谷顯） ４ 祠電粗子ビーム 第４図
Claims (1)
- （１）電界又は磁界を使用して荷電粒子ビームを偏向さ
せるスキャナーにおいて、荷電粒子ビームをターゲット
全面に対し全て垂直に偏向させる電極を有することを特
徴とするパラレルスキャナー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15110785A JPS6212041A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | パラレルスキヤナ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15110785A JPS6212041A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | パラレルスキヤナ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212041A true JPS6212041A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15511501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15110785A Pending JPS6212041A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | パラレルスキヤナ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471047A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-16 | Ulvac Corp | Ion beam parallel scanning system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5353975A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-16 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15110785A patent/JPS6212041A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5353975A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-16 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471047A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-16 | Ulvac Corp | Ion beam parallel scanning system |
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