JPS62120354A - 高純度スルホプロピル(メタ)アクリレート塩類の製造方法 - Google Patents

高純度スルホプロピル(メタ)アクリレート塩類の製造方法

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JPS62120354A
JPS62120354A JP60257736A JP25773685A JPS62120354A JP S62120354 A JPS62120354 A JP S62120354A JP 60257736 A JP60257736 A JP 60257736A JP 25773685 A JP25773685 A JP 25773685A JP S62120354 A JPS62120354 A JP S62120354A
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sulfoalkyl
acrylate
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椿本 恒雄
Tadao Shimomura
下村 忠生
Hiroya Kobayashi
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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、・純度の高いスルホアルキル(メタ)アクリ
レート塩類の製造方法に関する。
(従来の技術) スルホアルキル(メタ)アクリレート塩は、(メタ)ア
クリル酸とヒドロ主シアルカンスルホン酸塩との脱水エ
ステル化反応によって製造され、それ自身の重合体ある
いは他のビニル単量体との共重合体として、スケール防
止剤、掘削泥水調整剤、吸水性樹脂等の分野に使用され
ている。下記反応式に示す脱水エステル化反応は、不活
性有機溶媒中で行われ、エステル化反応によって生成す
る水を共沸混合物の形で留出させながら脱水する方法が
一般的である。
R5RIR3 CI−12=C−C00)l+HO−C−C−303X
2 R4 一−−−)CH2=C−C00C−C−3O3X+H2
0(ただし、式中R1、R2、R3およびR4はそれぞ
れ独立に水素、メチル基またはエチル基を示し、R5は
水素またはメチル基を示し、Xは1〜3価の金属、アン
モニウム基、または置換アンモニウム基を示す。) このエステル化反応の触媒としては、従来、比較的多患
の硫酸あるいはパラトルエンスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸等の有機スルホン酸が用いられていた。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、エステル化反応触媒と反応生成物である
スルホアルキル(メタ)アクリレート塩とは溶解性等の
物理的性状が類似しているため、反応終了後、触媒を分
離・除去することは困難である。従って、使用した触媒
がそのまま製品に混入してくるので、純度の高いスルホ
アルキル(メタ)アクリレート塩を製造することは困難
であった。
このような事態に鑑み、本発明者らは、純度の高いスル
ホアルキル(メタ)アクリレート塩類の製造方法につい
て鋭意検討した結果、本発明に到達した。
(問題点を解決するための手段および作用)本発明は、
一般式 (ただし、式中R1、R2、R3およびR4はそれぞれ
独立に水素、メチル基またはエチル基を示し、Xは1〜
3価の金属、アンモニウム基またはM換アンモニウム基
を示す。) で表わされるヒドロ主シアルカンスルホン酸塩(A)と
(メタ)アクリル酸のエステル化反応を不活性有機溶媒
中で行い、一般式 %式% (ただし、式中R、R、R、Rおよび Xは前記の通りであり、R5は水素またはメチル基を示
す。) で表わされるスルホアルキル(メタ)アクリレート塩類
を製造するに際し、 エステル化反応触媒として、一般式 (タタシ、式中R’、@ R2、a R3J5J:ヒR
ハ前記の通りである。) で表わされるヒドロキシアルカンスルホン酸(13)を
使用することを特徴とする高純度スルホアルキル(メタ
)アクリレート塩類の製造方法を提供するものである。
本発明において原料として用いられるヒドロキシアルカ
ンスルホン酸塩(A)は、前記一般式で示されるもので
あり、例えば2−ヒドロキシェタンスルホン酸(イセチ
オンM)、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸、
1−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、2−ヒドロ
キシブタン−1−スルホン酸、1−ヒトOキシブタンー
2−スルホン酸、3−ヒドロキシブタン−2−スルホン
酸等のヒドロキシアルカンスルホン酸のナトリウム塩、
カリウム塩、カルシウム塩、アルミニウム塩等の1〜3
価の金属塩:メチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニ
ウム塩、エチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩等の置換アンモニウム塩
またはアンモニウム塩が挙げられる。
本発明において(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸又
はメタクリル酸を示す。
本発明で得られるスルホアルキル(メタ)アクリレート
塩は、前記一般式で示されるものであり、例えば2−ス
ルホエチルアクリレート、2−スルホエチルメタクリレ
ート、1−スルホプロパン−2−イルアクリレート、1
−スルホプロパン−2−イルメタクリレート、2−スル
ホプロピルアクリレート、2−スルホプロピルメタクリ
レート、1−スルホブタン−2−イルアクリレート、1
−スルホブタン−2−イルメタクリレート、2−スルホ
ブチルアクリレート、2−スルホブチルメタクリレート
、3−スルホブタン−2−イルアクリレート、3−スル
ボブタン−2−イルメタクリレート等のスルホアルキル
(メタ)アクリレートのナトリウム塩、カリウム塩、カ
ルシウム塩、アルミニウム塩等の1〜31i1jの金」
塩:メチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、
エチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリ
エチルアンモニウム塩等の置換アンモニウム塩またはア
ンモニウム塩が挙げられる。
本発明では、(メタ)アクリル酸とヒドロキシアルカン
スルホン酸塩(A)とのエステル化反応を、ヒドロキシ
アルカンスルホン酸(B)を触媒として、不活性有機溶
媒中で、エステル化反応に伴って生成する水を不活性有
機溶媒との共沸混合物として留出しながら行って、目的
とするスルホアルキル(メタ)アクリレート塩類が得ら
れる。
本発明においてエステル化反応触媒として用いられるヒ
ドロキシアルカンスルホン酸(B)は、前記一般式で示
されるものであり、例えば2−ヒドロキシエタンフルホ
ン酸(イセチオン酸)、2ヒドロキシプロパン−1−ス
ルホン酸、1−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、
2−ヒドロキシブタン−1−スルホン酸、1−ヒト0キ
シブタン−2−スルホン酸、3−ヒドロキシブタン−2
−スルホン酸等が挙げられ、エステル化しようとするヒ
ドロキシアルカンスルホンFIiJM<A>の酸型が用
いられる。ヒドロキシアルカンスルホン酸(B)は、該
当するヒドロキシアルカンスルホンMl (A>よりイ
オン交換法等により製造することが可能である。ヒドロ
キシアルカンスルホン酸(B)の使用ばは、ヒドロキシ
アルカンスルホン酸塩(A>に対して3〜30モル%の
範囲が好ましい。3モル%未満では反応速度が小さくな
り、一方、30モル%を越える過剰間を用いても反応速
度はあまり大きくはならない。
本発明において、(メタ)アクリル酸とヒドロキシアル
カンスルホン酸塩(A)とを反応する際のm比は、反応
速度、収量及び純度に影響を与えるので、適宜最適の醋
比を選んで反応すればよい。
一般に、ヒドロキシアルカンスルホン のモル数と触媒として用いるヒドロキシアルカンスルホ
ンM (B)のモル数の和の1.2〜3.0倍の(メタ
)アクリル酸を用いることが好ましい。1。
2倍未満では反応速度が遅くなり、3.0倍を越える過
剰間を用いても反応速度はあまり大きくはならない。
本発明において用いられる不活性有機溶媒は、水と共沸
混合物を形成して脱水操作を容易ならしめ且つ原料及び
反応生成物に対して不活性であるものなら、いかなる有
機溶媒でも使用可能であるが、該有機溶媒の沸点で脱水
エステル化反応を行うので、沸点が70〜160℃のも
のが好ましい。
沸点が70℃未満であれば反応速度が小さくなり、沸点
が160℃を越えると原料あるいは反応生成物の重合等
の副反応が多くなる。このような不活性有機溶媒として
は、例えばベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン、Lノクロロベンゼン等が挙げら
れる。また、該有渋溶媒の使用但としては、ヒドロキシ
アルカンスルホン酸塩(A)の重量の1〜4倍徂用いる
ことが好ましい。有機溶媒の使用過が1倍量未満では反
応中の撹拌が困難になり、4倍量を越えると反応速度が
小さくなる。
エステル化反応中に原料の(メタ)アクリル酸や生成す
るスルホアルキル(メタ)アクリレート塩が手合するの
を防止するために、公知の重合禁止剤を用いることが好
ましい。重合禁止剤の添加mとしては、反応前の原料混
合物の全かに対してioo〜1o、oooppmである
ことが好ましい。
用いられる重合禁止剤としては、例えばヒト[:、] 
:i=ノミニノンロキノンモノメチルエーテル、2.6
−ジーt−ブチル−4メチルフエノール、2,4−ジメ
チル−6−t−ブチルフェノール、フェノチアジン等が
挙げられる。
また、本発明において、エステル化反応中に、重合を防
止する目的で空気又は酸素を系内に吹き込んでも良い。
(発明の効果) 本発明の製造方法によれば、エステル化反応触媒として
用いたヒドロキシアルカンスルホン酸(B)も(メタ)
アクリル酸とエステル化反応し、対応するスルホアルキ
ル(メタ)アクリレ−1〜となり、また、エステル化反
応後、必要によりスルホアルキル(メタ)アクリレート
を中和して塩とすることは自在であるため、用いた触媒
が不純物とならず、製品とすることができる。従って、
本発明の方法によれば、反応生成物の精製を行わなくて
も、純度の高いスルホアルキル(メタ)アクリレ−1〜
塩が得られることになる。
さらに、本発明において触媒として用いるヒドロキシア
ルカンスルホンlit (B)は、反応中に上述した如
く変質するにもかかわらず、その触媒活性は従来公知慣
用の硫酸や有機スルホン酸に比較して何ら劣るものでは
ない。
次に実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、本
発明の範囲がこれらの例により限定されるものではない
。なお、例中の%は特にことわりのない限り重量%を示
すものとする。
参考例 1 内径25M1長さ1500#の円筒形ガラス管に、強酸
型イオン交換樹脂(Dowex  HCR−W 2− 
)−1■、交換容量 1.7 m(!Q / ml、ダ
ウケミカル社fA)500dを充填し、水洗した後、イ
セチオン酸ナトリウムの10%水溶液900gを30分
間で流下した。流出液を集めエバポレーターで水を、留
、去すると、粘稠液体が79.8 gI!1られた。
この粘稠液体を細管式等速電気泳動分析法及び酸・塩基
滴定により分析したところ、その組成はイセチオン酸8
6.3%、水13,7%であった。
参考例 2 参考例1においるイセチオン酸ナトリウム水溶液の代わ
りに2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸アンモニ
ウム10%水溶液を使用する以外は参考例1と全く同様
にして、粘稠液体82. OrJが(9られた。この粘
稠液体を細管式等速電気泳動分析法及び酸・塩基滴定に
より分析したどころ、その組成は2−ヒドロキシプロパ
ン−1−スルホン酸85.4%、水14.6%であった
実施例 1 撹拌機、温度計および水分離装置の付いた還流冷却器を
漏えた11のフラスコ中に、メタクリルM189Q(2
,2モル)、イセチオン酸ナトリウム148g(1モル
)、参考例1で得られたイセチオン酸の粘稠液体(水1
3.7%含む)14.6Q(0,1モル)、フェノチア
ジン0.5 gおよびキシレン400gを仕込み、撹拌
しながら外部からオイルバスで加熱して、内温を139
℃に上がせしめた。イセチオン酸の粘稠液体に含まれて
いた水および反応によって生成した水がキシレンとの共
8!i混合物として留出し、水分離器中で水が分離して
くるのが認められた。留出開始後7時間経過すると、留
出水が21.8−となり、水の留出が停止したので、反
応を終了し冷却した。次いで、反応生成物を吸引濾過し
て分離し、さらにアセトン200戴で4回洗浄した。そ
の後、減圧乾燥して淡黄色粉末231gを得た。得られ
た粉末を細管式等速電気泳動分析法及び酸・塩基滴定に
より分析したところ、このものの組成は2−スルホエチ
ルメタクリレート・ナトリウム1290.1%、2−ス
ルホエチルメタクリレート8.1%(2−スルホエチル
メタクリレート・ナトリウム塩と2−スルホエチルメタ
クリレートの合計98.2%)であった。
−実゛施飛、 2 実施例1で用いたのと同じ反応容器に、アクリル酸15
8a(2,2モル)、2−ヒドロキシプロパン−1−ス
ルホン酸アンモニウムの70%水溶液224Q(1,0
モル)、参考例2で得られた2−ヒドロキシプロパン−
1−スルホン酸の粘稠液体(水14.6%含む>16.
4g(0,1モル)、ヒドロキノン0.5 gおよびシ
クロヘキサン400gを仕込み、撹拌しながら内温を8
0℃に加熱して、実施例1と同様にしてエステル化反応
を行った。
水の留出開始後10時間経過すると、留出水が89、4
7となり、水の留出が停止したので、反応を終了し冷却
した。次いで、反応生成物を吸引濾過して分離し、さら
にアセトン200 nrl、で4回洗浄した。その後、
減圧乾燥して淡黄色粉末226gを得た。得られた粉末
を細管式等速電気泳動分析法及び酸・塩基滴定により分
析したところ、このものの組成は1−スルホプロパン−
2−イルアクリレート・アンモニウム塩89.8%、1
−スルホプロパン−2−イルアクリレート8.2%(1
−スルホプロパン−2−イルアクリレート・アンモニウ
ムJ!iと7−スルホプロパン−2−イルアクリレート
の合計98. Q%)であった。
比較例 1 実施例1におけるイセチオン酸の粘稠液体の代わりにパ
ラトルエンスルホンl!17.2g(0,1モル)を使
用する以外は実施例1と全く同様にして、淡黄色粉末2
299を得た。得られた粉末をIII管式等速電気泳動
分析法及び酸・塩基滴定で分析したところ、このものの
組成は2−スルホエチルメタクリレート・ナトリウム塩
90.8%、バラ1−ルエンスルボン!7.4%であっ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中R^1、R^2、R^3およびR^4は
    それぞれ独立に水素、メチル基またはエ チル基を示し、Xは1〜3価の金属、アン モニウム基または置換アンモニウム基を示 す。) で表わされるヒドロキシアルカンスルホン酸塩(A)と
    (メタ)アクリル酸のエステル化反応を不活性有機溶媒
    中で行い、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中R^1、R^2、R^3、R^4および
    Xは前記の通りであり、R^5は水素またはメチル基を
    示す。) で表わされるスルホアルキル(メタ)アクリレート塩類
    を製造するに際し、 エステル化反応触媒として一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中R^1、R^2、R^3およびR^4は
    前記の通りである。) で表わされるヒドロキシアルカンスルホン酸(B)を使
    用することを特徴とする高純度スルホアルキル(メタ)
    アクリレート塩類の製造方法。
JP60257736A 1985-11-19 1985-11-19 高純度スルホプロピル(メタ)アクリレート塩類の製造方法 Granted JPS62120354A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008218A (en) * 1988-09-20 1991-04-16 Hitachi, Ltd. Method for fabricating a thin film transistor using a silicide as an etch mask
US6023308A (en) * 1991-10-16 2000-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix device with two TFT's per pixel driven by a third TFT with a crystalline silicon channel
US6331723B1 (en) 1991-08-26 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device having at least two transistors having LDD region in one pixel
US6693301B2 (en) 1991-10-16 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving and manufacturing the same
US7071910B1 (en) 1991-10-16 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same
US7154147B1 (en) 1990-11-26 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
US7253440B1 (en) 1991-10-16 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least first and second thin film transistors
JP2019531313A (ja) * 2016-10-12 2019-10-31 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ヒドロキシアルキルカルボン酸エステルを調製する方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008218A (en) * 1988-09-20 1991-04-16 Hitachi, Ltd. Method for fabricating a thin film transistor using a silicide as an etch mask
US7154147B1 (en) 1990-11-26 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
US6331723B1 (en) 1991-08-26 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device having at least two transistors having LDD region in one pixel
US6803600B2 (en) 1991-08-26 2004-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulated gate field effect semiconductor devices and method of manufacturing the same
US6023308A (en) * 1991-10-16 2000-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix device with two TFT's per pixel driven by a third TFT with a crystalline silicon channel
US6693301B2 (en) 1991-10-16 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving and manufacturing the same
US6759680B1 (en) 1991-10-16 2004-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having thin film transistors
US7071910B1 (en) 1991-10-16 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same
US7116302B2 (en) 1991-10-16 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of operating active matrix display device having thin film transistors
US7253440B1 (en) 1991-10-16 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least first and second thin film transistors
JP2019531313A (ja) * 2016-10-12 2019-10-31 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ヒドロキシアルキルカルボン酸エステルを調製する方法

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