JPS621202B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS621202B2 JPS621202B2 JP55070682A JP7068280A JPS621202B2 JP S621202 B2 JPS621202 B2 JP S621202B2 JP 55070682 A JP55070682 A JP 55070682A JP 7068280 A JP7068280 A JP 7068280A JP S621202 B2 JPS621202 B2 JP S621202B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- radiant energy
- radiation
- emissivity
- laser light
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004861 thermometry Methods 0.000 claims 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010902 straw Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/52—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、炉内移動物体の測温に好適な放射測
温方法に関する。
温方法に関する。
鏡面反射を利用する第1図に示す如き放射測温
は被測温物体の放射率と共に温度を測定すること
ができ、炉内移動物体例えばストリツプの測温に
有効である。この図で10は炉壁、12は炉内被
測温体本例ではストリツプ、14は黒体放射源、
16は放射温度計である。放射源14および温度
計16は法線Nの両側に角θが等しくなるように
置かれる。温度計16は、放射源14から放出さ
れ、ストリツプ12の表面で鏡面反射した放射エ
ネルギおよびストリツプそれ自身から放出された
放射エネルギを受光し、下式によりストリツプ1
2の放射率ε(θ)、温度Tを算出する。
は被測温物体の放射率と共に温度を測定すること
ができ、炉内移動物体例えばストリツプの測温に
有効である。この図で10は炉壁、12は炉内被
測温体本例ではストリツプ、14は黒体放射源、
16は放射温度計である。放射源14および温度
計16は法線Nの両側に角θが等しくなるように
置かれる。温度計16は、放射源14から放出さ
れ、ストリツプ12の表面で鏡面反射した放射エ
ネルギおよびストリツプそれ自身から放出された
放射エネルギを受光し、下式によりストリツプ1
2の放射率ε(θ)、温度Tを算出する。
ε(θ)
=1―E1−E2/K(1−P){Eb(T1)−
Eb(T2)……(1) Eb(T)=E2/ε(θ)・K−1−ε(θ)/ε(
θ) ・(1−P)Eb(T2)−1−ε(θ)/ε(θ)
・P・Eb (T3) ……(2) こゝでE1,E2は黒体放射源14の温度がT1,
T2のときの放射温度計16の受光出力、Kは炉
内雰囲気の放射エネルギ透過係数、Pは物体12
の拡散反射係数、T3は炉壁温度、Eb(T)は温
度Tの黒体の放射エネルギである。
Eb(T2)……(1) Eb(T)=E2/ε(θ)・K−1−ε(θ)/ε(
θ) ・(1−P)Eb(T2)−1−ε(θ)/ε(θ)
・P・Eb (T3) ……(2) こゝでE1,E2は黒体放射源14の温度がT1,
T2のときの放射温度計16の受光出力、Kは炉
内雰囲気の放射エネルギ透過係数、Pは物体12
の拡散反射係数、T3は炉壁温度、Eb(T)は温
度Tの黒体の放射エネルギである。
黒体放射源(黒体炉ともいう)とは黒体放射を
なすもの、つまり温度がTなら例えばプランクの
法則で示される。
なすもの、つまり温度がTなら例えばプランクの
法則で示される。
Eb(T)〕C1λ-5・e〓〓〓 ……(3)
なるエネルギ放射を行なうものをいゝ、形式とし
ては加熱される球体の周壁一部に小孔を開けたも
の、細長い円筒体、円錐形の凹部を持つものなど
があるが、いずれも藁張る欠点がある。しかも上
式に示されるように黒体炉は原理的には温度
T1,T2のもの2つが必要であり、その一方を冷
却板などで置き換えたとしても1つの黒体炉と附
属部材が必要になる。また(1),(2)に示されるよう
に炉壁から放出される放射エネルギつまり背光雑
音の影響を受け、測定精度の向上に制約がある。
ては加熱される球体の周壁一部に小孔を開けたも
の、細長い円筒体、円錐形の凹部を持つものなど
があるが、いずれも藁張る欠点がある。しかも上
式に示されるように黒体炉は原理的には温度
T1,T2のもの2つが必要であり、その一方を冷
却板などで置き換えたとしても1つの黒体炉と附
属部材が必要になる。また(1),(2)に示されるよう
に炉壁から放出される放射エネルギつまり背光雑
音の影響を受け、測定精度の向上に制約がある。
そこで本発明は、レーザを用いて放射率ε
(θ)を測定し、被測温物体から出て温度計に入
る放射エネルギを該物体から放出される放射エネ
ルギのみとし、該温度計の出力を上記ε(θ)で
除して物体温度を求めようとするものである。こ
のようにすると、レーザのエネルギ密度は高いの
で、背光雑音などは無視でき、演算装置の簡略
化、測定精度向上が図れる。以下図面を参照しな
がらこれを更に詳細に説明する。
(θ)を測定し、被測温物体から出て温度計に入
る放射エネルギを該物体から放出される放射エネ
ルギのみとし、該温度計の出力を上記ε(θ)で
除して物体温度を求めようとするものである。こ
のようにすると、レーザのエネルギ密度は高いの
で、背光雑音などは無視でき、演算装置の簡略
化、測定精度向上が図れる。以下図面を参照しな
がらこれを更に詳細に説明する。
第2図は本発明の測定原理を示し、第1図と同
じ部分には同じ符号が付してある。両図を対比す
れば明らかなように本発明では黒体炉14の代り
に水冷遮蔽板18とレーザ光源20を用いる。遮
蔽板18は上記(1),(2)式の温度T1,T2の低温側
のもの例えばT2の温度を被測定物体温度Tに比
べ十分に低くするものである。即ちこれを黒体炉
としてみると温度が低いからその放出エネルギ
Eb(T2)はEb(T)に比べ無視することがで
き、またこの遮蔽板18が有る方向から入射して
ストリツプで鏡面反射し温度計16へ入る背光雑
音も該板18で遮蔽されて零と見なせ、こうして
Eb(T2)≒0となる。レーザ光源20はストリツ
プ12の放射率εを測定するものである。即ちレ
ーザ光源20から放出されるレーザのエネルギを
Ii、放射温度計16で受光されるレーザエネルギ
(これにはストリツプ表面で鏡面反射したレーザ
の他にストリツプが放出する放射エネルギなども
含まれる)をI0とすれば、 Io=Iir(1−P)+εEb(T)+ηEb(T3)
……(4) レーザエネルギ密度は加熱物体が放出する放射
エネルギ密度より遥かに高いから(4)式の第2項以
下は無視することができ、結局 Io/Ii=r(1−P) ……(5) となる。ここでrは反射率で、1−εに等しい。
じ部分には同じ符号が付してある。両図を対比す
れば明らかなように本発明では黒体炉14の代り
に水冷遮蔽板18とレーザ光源20を用いる。遮
蔽板18は上記(1),(2)式の温度T1,T2の低温側
のもの例えばT2の温度を被測定物体温度Tに比
べ十分に低くするものである。即ちこれを黒体炉
としてみると温度が低いからその放出エネルギ
Eb(T2)はEb(T)に比べ無視することがで
き、またこの遮蔽板18が有る方向から入射して
ストリツプで鏡面反射し温度計16へ入る背光雑
音も該板18で遮蔽されて零と見なせ、こうして
Eb(T2)≒0となる。レーザ光源20はストリツ
プ12の放射率εを測定するものである。即ちレ
ーザ光源20から放出されるレーザのエネルギを
Ii、放射温度計16で受光されるレーザエネルギ
(これにはストリツプ表面で鏡面反射したレーザ
の他にストリツプが放出する放射エネルギなども
含まれる)をI0とすれば、 Io=Iir(1−P)+εEb(T)+ηEb(T3)
……(4) レーザエネルギ密度は加熱物体が放出する放射
エネルギ密度より遥かに高いから(4)式の第2項以
下は無視することができ、結局 Io/Ii=r(1−P) ……(5) となる。ここでrは反射率で、1−εに等しい。
従つて(5)式は
ε=1−1/1−P・Io/Ii ……(6)
と変形でき、ストリツプの放射率εが求まる。次
に遮蔽板18については次式が成立する。
に遮蔽板18については次式が成立する。
E=εEb(T)+ηEb(T3) ……(7)
ここで、水冷遮蔽板により背光雑音は遮蔽される
ので上式右辺第2項は ∴Eb(T)≒E/ε ……(7)′ 従つて(6),(7)′よりストリツプの温度Tを求める
ことができる。なのこの測定を行なうに当つては
遮蔽板18とレーザ光源20とは図面に垂直な方
向で前後にずらし、温度計16には走査機構を設
けてレーザ光源側および遮蔽板から交互にエネル
ギビームを取込むようにするか、または遮蔽板1
8を回転セクタとし、レーザビーム通路に周期的
に出入するようにしたりする。また温度計16に
は放射エネルギおよびレーザに対し共通の検出素
子を置くので、測定対象の放射エネルギとレーザ
光の各波長はほぼ等しいようにしておく。これに
より、放射率εは波長λによつて変るが、この点
の考慮もされることになり、正しい測温結果とす
ることができる。
ので上式右辺第2項は ∴Eb(T)≒E/ε ……(7)′ 従つて(6),(7)′よりストリツプの温度Tを求める
ことができる。なのこの測定を行なうに当つては
遮蔽板18とレーザ光源20とは図面に垂直な方
向で前後にずらし、温度計16には走査機構を設
けてレーザ光源側および遮蔽板から交互にエネル
ギビームを取込むようにするか、または遮蔽板1
8を回転セクタとし、レーザビーム通路に周期的
に出入するようにしたりする。また温度計16に
は放射エネルギおよびレーザに対し共通の検出素
子を置くので、測定対象の放射エネルギとレーザ
光の各波長はほぼ等しいようにしておく。これに
より、放射率εは波長λによつて変るが、この点
の考慮もされることになり、正しい測温結果とす
ることができる。
第3図は処理回路を示す。温度計16は集光レ
ンズ22、スキヤナ24、検出素子26などを備
え、該スキヤナは遮蔽板18とレーザ光源20
(第1図の場合なら2つの黒体炉14に相当)が
並設される場合それから放射エネルギおよびレー
ザ光を交互に、Si、Geなどからなる検出素子2
6に取込む。前述のようにレーザのエネルギ密度
は極めて高い(黒体放射に比べ2〜3桁高い)の
で、セクタ型の減衰器28を設け、レーザを受光
する場合は該減衰器で減衰させて検出素子26に
は該レーザ光および黒体放射光がほぼ等しい強さ
で入入するようにする。30,32はスキヤナ2
4、減衰器28を駆動するモータで、これらは同
期して回転し、上記関係が満足されるようにす
る。34は該同期化のためのタイミング信号を発
生する信号発生器で、アンドゲート36,38へ
も信号を送り、放射エネルギ受光出力E、レーザ
受光出力Ioをそれぞれの処理回路へ分離して取出
す。レーザ光源20が出力するレーザエネルギIi
は別途測定し、又は既知ならその値を設定器40
により出力させ、割算器42でIo/Iiを求める。
また設定器44で定数1,1−Pを出力させ、割
算器46、減算器48で1/1−P、Io/Ii、1−
1/1−P、Io/Ii を作れば前記(6)式から明らかなように物体の放射
率εが求まる。また炉壁など背光雑音源の温度
T3を検出器50で検出し、それを変換器52で
Eb(T3)に変換し、掛算器54でηを乗じ、割算
器58でεで割れば前記(7)式の第2項が得られ、
減算器62で割算器60の出力E/εから引けばEb (T)が得られ、変換器64で変換して物体温度
Tを得る。
ンズ22、スキヤナ24、検出素子26などを備
え、該スキヤナは遮蔽板18とレーザ光源20
(第1図の場合なら2つの黒体炉14に相当)が
並設される場合それから放射エネルギおよびレー
ザ光を交互に、Si、Geなどからなる検出素子2
6に取込む。前述のようにレーザのエネルギ密度
は極めて高い(黒体放射に比べ2〜3桁高い)の
で、セクタ型の減衰器28を設け、レーザを受光
する場合は該減衰器で減衰させて検出素子26に
は該レーザ光および黒体放射光がほぼ等しい強さ
で入入するようにする。30,32はスキヤナ2
4、減衰器28を駆動するモータで、これらは同
期して回転し、上記関係が満足されるようにす
る。34は該同期化のためのタイミング信号を発
生する信号発生器で、アンドゲート36,38へ
も信号を送り、放射エネルギ受光出力E、レーザ
受光出力Ioをそれぞれの処理回路へ分離して取出
す。レーザ光源20が出力するレーザエネルギIi
は別途測定し、又は既知ならその値を設定器40
により出力させ、割算器42でIo/Iiを求める。
また設定器44で定数1,1−Pを出力させ、割
算器46、減算器48で1/1−P、Io/Ii、1−
1/1−P、Io/Ii を作れば前記(6)式から明らかなように物体の放射
率εが求まる。また炉壁など背光雑音源の温度
T3を検出器50で検出し、それを変換器52で
Eb(T3)に変換し、掛算器54でηを乗じ、割算
器58でεで割れば前記(7)式の第2項が得られ、
減算器62で割算器60の出力E/εから引けばEb (T)が得られ、変換器64で変換して物体温度
Tを得る。
以上説明したように本発明ではレーザで放射率
を求め、その放射率を用いて放射測温するので黒
体炉などが不要になり、また測定精度も上る利点
が得られる。またレーザの破長は黒体放射の波長
群から著しくは離れていないので、検出素子に同
じものを利用でき、測定系が簡単になる。
を求め、その放射率を用いて放射測温するので黒
体炉などが不要になり、また測定精度も上る利点
が得られる。またレーザの破長は黒体放射の波長
群から著しくは離れていないので、検出素子に同
じものを利用でき、測定系が簡単になる。
第1図は鏡面反射を利用する放射測温の説明
図、第2図は本発明の原理説明図、第3図は信号
処理回路の構成を示すブロツク図である。 図面で14は黒体炉、12は被測温物体、16
は放射温度計、18は冷却遮蔽板、20はレーザ
光源である。
図、第2図は本発明の原理説明図、第3図は信号
処理回路の構成を示すブロツク図である。 図面で14は黒体炉、12は被測温物体、16
は放射温度計、18は冷却遮蔽板、20はレーザ
光源である。
Claims (1)
- 1 黒体炉から被測温物体へ放射エネルギを投射
し、該物体の表面で鏡面反射した該放射エネルギ
および該物体それ自身が放出する放射エネルギを
放射温度計で受けて該物体の放射率と共に温度を
測定する放射測温方法において、該黒体炉の代り
に冷却遮蔽板およびレーザ光源を用い、該レーザ
光源から投射され前記物体表面で鏡面反射して放
射温度計で受光されるレーザ光により該物体の放
射率を求め、該冷却遮蔽板で遮蔽され該物体から
放出されるもののみとなつて放射温度計で受光さ
れる放射エネルギで該物体の温度を求めることを
特徴とする放射測温方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7068280A JPS56166436A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Radiation temperature measurement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7068280A JPS56166436A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Radiation temperature measurement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56166436A JPS56166436A (en) | 1981-12-21 |
JPS621202B2 true JPS621202B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=13438656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7068280A Granted JPS56166436A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Radiation temperature measurement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS56166436A (ja) |
-
1980
- 1980-05-27 JP JP7068280A patent/JPS56166436A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56166436A (en) | 1981-12-21 |
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