JPS62118522A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体製造装置に係り、特に炉心管に導かれ
る反応ガスの予備加熱に関するものである。

〔従来の技術］ 第４図は従来の酸化、拡散炉等半導体製造装置を示す断
面図である。図において、１０は半導体基板（２）を処
理する炉心管、（３）は炉心管を囲繞し、この炉心管を
加熱するヒータ（４）はヒータ（３）と炉心管との間に
設けられた炉心管１１）の均熱性を改善するライナー管
、（５）は半導体基板（２）８載せるボート。

（６）はボート（５）を出し入れするレバー又はノ（ド
ル。

（１）は反応ガスボンベ％（８）は反応ガスボンベと炉
心管＋１）を結ぶガスバイフ゛％（９）ハ炉心管（１）
の反応ガス流入部、ＱＯは使用ずみの反応ガスの排気部
、０］）はレバーやパドル（６）の駆動部、及び炉温、
ガス流量。

ボートの位置を制御するコントローラー（図示しない）
からなる。

次に動作について説明する。酸化拡散炉（ま所定）酸化
、　拡ｅプロセスのプログラムに従ってコントローラー
（図示しない）１こよって反応ガス流普や炉温やボート
位置を制御して、ボー）０１）ｌこ載せた半導体基板（
２）を処理する。反応ガスはガスボンベ（７）からガス
パイプ（８）を通り反応ガス流入ＦＭ５１９）より炉心
管（１）内に入り、半導体基板（２）と反応後、反応ガ
ス排気部θ１よりタクト・＼排気される〇〔発明か解決
【、ようとする問題点］ 従来の半導体製造装置は以上のよう蔭こ構成されている
ので炉心管ガス流入部には室温状態のガスが流入し、こ
のガス墨こよる冷却で半導体の膜厚にバラツキを生じる
という問題点があった。

この発明は上記のような従来のものの問題点を解決する
ためになされ１こものであり、反応ガスの温度を設定炉
温に近づけた後、反応ガスを炉心管内へ送り、半導体基
板の温１ｆ分布を均−葛こすることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体製造装置は炉心管内にガスを流入
する前にガスを予備加熱する反応ガス予熱手段を有する
ものである。

〔作　用〕

この発明は反応ガス予熱手段により流入ガスの温度を炉
心管内温度に近づかせるよう番こしたものである。

〔実施例〕

以下この発明の一実施例を図番こ基ついて説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す立体図及び横断面図で
ある。図中第３図と同一符号は同一または相当部分を辰
わすものであり説明は省略する。従来のものと変るもの
は炉心管のみであり、第１図には炉心管のみを示しであ
る。（Ｉ４は炉心管（１００）の外壁、（至）は炉心管
（１００）の内壁、外壁αのと内壁０１とは内聞（４）
をなし、この空間はボート出入部（ト）で閉じている空
間（イ）はしきりα４１１こよって２室に分れボート出
入部０→の近傍に設けられた反応ガス通路←Φを介して
通じている。この空間ωは反応ガスの予備加熱を行う。

（Ｉηは予備加熱された反応ガスを炉心管（１）内へ導
くガス流出部である。

半導体基板（２）を炉心管（１３内に収容し処理するに
際して流入する反応ガスは炉心管＋１１の外壁と内壁間
の空間田の上部室四を通り、やがて下部室０９へ行き反
応ガス流出部０乃−こ向って流れる。反応ガス流出部ａ
″Ｉ）付近では反応ガスの温度は炉温−こ近ついていて
炉心管＋１）内部を冷却することなく半導体基板（２）
と反応する。

また、この実施例では便宜上土部室０均、下部室［１９
１こ分けたが空間田の分は方及びしきり０弔の位置は任
意である。

第２図はこの発明の他の実施例を示すものであり、炉心
管の外側にガスパイプ（８）を螺線上状４こ形成し、こ
れを炉心管１１）ｔこ接触させて上記実施例と同じ効果
をなすようにしたものである。

第３図はざら鳴こ他の実施例を示したものであり、反応
ガスが炉温まであ１こたまる猿で十分長く炉心管＋１）
内部てるようにガスを導くパイプをコイル状に形成して
上記実施例と同（二効果をｒｌすよう１こしたものであ
る。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとＳリガス予備加熱手段を設け
たので半導体基板の温度分布を均一にする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す立体図とその横断面図、第２図は他の実施例を示す説
明図、第３図はざらに他実施例を示す説明図、第４図は
従来の実施例を示す半導体製造装置の断面図である。 図におい−Ｃ１（１）は炉心管、（３）はヒータ、（８
）はガスパイプ、θ４は外壁、０３は内壁、α→はしき
り、（ト）はボート出入部、ｑＱはガス通路、（Ｌηは
反応ガス流出部、（ト）は空間上部室、　（ＩＧＩは空
間下部室、■は空間％　（１１）０）　２重壁を有する
炉心管である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板を熱処理する炉心管と、この炉心管の
   外周部に設けられた加熱手段と、前記炉心管に導入され
   る反応ガスを予め加熱する反応ガス予備加熱手段とを備
   えた半導体製造装置。
2. （２）反応ガス予備加熱手段は炉心管の壁部と、この壁
   部を空間を介して前記炉心管を包囲する外壁から構成さ
   れる特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
3. （３）反応ガス予備加熱手段は上記空間を複数の室に分
   けその中を反応ガスが流れたのち炉心管内に流入するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体製造
   装置。
4. （４）反応ガス予備加熱手段は炉心管に接触するパイプ
   により形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体製造装置。
5. （５）反応ガス予備加熱手段は炉心管内に設けられるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体製造
   装置。