JPS62115188A - Elパネル - Google Patents

Elパネル

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JPS62115188A
JPS62115188A JP60255271A JP25527185A JPS62115188A JP S62115188 A JPS62115188 A JP S62115188A JP 60255271 A JP60255271 A JP 60255271A JP 25527185 A JP25527185 A JP 25527185A JP S62115188 A JPS62115188 A JP S62115188A
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JP
Japan
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electrode
striped
panel
electrodes
light emitting
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Pending
Application number
JP60255271A
Other languages
English (en)
Inventor
佐野 與志雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60255271A priority Critical patent/JPS62115188A/ja
Publication of JPS62115188A publication Critical patent/JPS62115188A/ja
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエレクトロルミネッセンス素子を用いた平面型
表示パネルの構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来交流動作の薄膜KLパネルに用いられる薄膜EL素
子においては輝度と発光効率を改善し、長時間にわたる
動作の安定性を得るために、発光中心として0.5〜3
 ma!!%のMnあるいはTbF、 。
8mFB、 PrFs等を添加したZn8 、 Zn5
e等の発光層を、Y、0.あるいはAI!203. P
bTi01. BaTi0H8i1N4等の絶縁体層で
両側よりはさんだいわゆる二重絶縁構造の薄膜EL素子
が用いられている。
従来の二重絶縁型薄膜EL素子の基本断面構造の一例を
第3図に示す〔ニスアイディーインターナシ冒ナルシン
ポジウムダイジェストオプテクニカルペーパーズ(SI
D International!9ymposium
 Digest of Technical Pape
rs(1974)84)]。
第3図において、31はガラス基板、32はこのガラス
基板31の上に設けられたIn20B、 5n02@I
TOあるいは金属薄膜等からなる透明電極、11はこの
透明電極32の上に電子ビームあるいはスパッタ蒸着法
等により蒸着されたYlOle A/!01sPbTi
O@、 BaTi01.811N4等の絶縁体層、9は
絶縁体層11の上に蒸着されたMn @ ’rbr、 
@ 8mF BgP rFB等の発光中心を含むZnS
からなる発光層であシ、この発光層9も電子ビーム蒸着
法あるいはスパッタ蒸着法等により製造される。10は
発光層9の上に蒸着された絶縁体層であυその蒸着法及
び材料は絶縁体層11と同様である・33は絶縁体J−
10の上に蒸着されたA/またはITO等よシなる背面
電極、、34はB L素子を駆動する交流電源であり、
電極32と電極33に接続されている。
次に二重絶縁型薄膜ELJ子の発光原理を第3図に示す
構造の素子について簡単に説明する。
発光層9は発光開始前は単純なコンデンサと考えられる
。従って電極32と33との間に電源34の交流電圧を
印加すると、発光層9及び絶縁体層10.11には各々
の静電容量に応じた電圧が加。
えられる。発光ノー9に加えられる電界が十分高くなる
と(約106V/m以上)発光層9の伝導帯に電子が励
起される。この電子は電界によって加速され発光中心を
励起するのに十分なエネルギーを持って発光中心に衝突
する。これにより適当な励起状態にあがった発光中心の
電子が基底状態へ戻る際に、発光中心に固有なエネルギ
ー値を持った光が放出される。実際には結晶格子との相
互作用等によシ発光スペクトルはある程度の拡がシを持
つ。
発光中心としてMn e Tb F * −8mF s
またはPrFlを用贋た場合はそれぞれ黄橙色、緑色、
赤色、白色の発光が観測される〇 以上二重絶縁型薄膜EL素子について述べたが上述した
ことは二重絶縁型薄膜EL素子の絶縁体層10または1
1のいずれか一方をとり除いた構造を有するいわゆる月
給縁型薄膜EL素子についても適用される。
このように薄膜EL素子の発光は電極32と33が相対
する部分においてのみ生ずる。そこで電極32と33を
どちらも縞状とし互いに直交するように配置すればドツ
トマトリックス表示が可能な薄[ELパネルが得られる
。このようなバネルの断面斜視図を第4図に示す。第4
図において35は縞状の基板側透明電極、36は縞状の
背面電極である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のドツトマトリックス表示が可能な薄膜ELパネル
の縞状電極は第4図に示したように画素に駆動電圧を供
給する機能を兼備するとともに画素を確定する機能を有
しているため縞状電極の少くとも一方は透明電極を用い
なければならない。
ところが透明電極はその抵抗値が金属電極にくらべては
るかに大きいため透明電極における電力損失が大きく電
力効率を低下させるとともにジ^−ル熱の発生によ、9
HLパネルの劣化を速める問題があったO さらに、前記透明電極の抵抗値が大きいために透明電極
における電圧降下が大きく、従って透明電極の末端にお
ける画素に十分な駆動電圧が供給されないため十分な輝
度かえられずこのため大型のELパネルでは輝度むらが
激しく実用的な表示品質を得がたい欠点があった〇 〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明によれば、マトリックスアドレス型のELパネル
において、第1の縞状電極と該第1の縞状電極と直交す
る方向に絶縁層を介して第2の縞状電極を設け、該第2
の縞状電極の上に絶縁層を介してEL発光画素を確定す
る背面電極と透明導電体からなる表示側電極とを有した
前記EL発光画素を島状に設け、前記第1の縞状電極と
該表示側電極が、前記第2の縞状電極と該背面電極が接
続されていることを特徴とするELパネルが得られる。
ここで、第1の縞状電極と背面電極、第2の縞状電極と
表示側電極を接続することも可能である。なお、第2の
縞状電極が背面電極をかねることもできる。
〔作用〕
本発明は上述の構成をとることによ〕従来技術の問題点
を解決した。すなわち従来は同一の電極が画素を確定す
る機能と画素に駆動電圧を供給する機能を兼備していた
点を改め、画素を確定する機能は背面電極及び表示側電
極にもたせ、画素に駆動電圧を供給する機能は第1及び
第2の縞状電極にもたせ、背面電極及び表示側電極と第
1及び第2の縞状電極を接続電極により接続する◎この
ように各機能を別々の電極にもたせることによシ第1及
び第2の縞状電極は金属電極のように不透明な材料を用
いることができ、従って低抵抗な材料を用いて構成でき
る。これにより電極における電力損失が減少しまた発熱
もtlとんどなくなる。
また縞状電極の末端においても電圧降下が非常に少いた
め縞状電極の末端にある画素の輝度が低下することがな
く実用的な表示品質をもった大型のELパネルが実現さ
れる。
〔実施例〕
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する〇 第1図は本発明の第1の実施例の構造を示した断面図で
ある。第1図において、1は基板、2は第1の縞状電極
、3は第2の縞状電極、4は第1の縞状電極2と第2の
縞状電極3を絶縁する絶縁層、5は背面電極、6は表示
側電極、7aは第1の縞状電極2と表示側電極6を接続
する接続電極、7bは第2の縞状電極3と背面電極5を
接続する接続電極、8は第2の縞状電極3と背面電極5
を分離する絶縁層、9は薄膜EL素子の発光層、1o。
11は薄膜EL素子の絶縁層である。
第1及び第2の縞状電極としては0.3ミクロン厚さの
人l膜を使用し、絶縁層4.8にはそれぞれ2ミクロン
及び1ミクロン厚さの8i0.膜をスパッタによシ形成
して使用した。背面電極5は0.05ミクロンのC「を
使用し、表示側電極6としてo、o3ミクロンのITO
膜を形成した。従来のELパネルではITOの抵抗を下
げるだめに0.2ミクロン程度の“ 厚さとしていたが
1本実施例ではITO膜は微小な一画素に電圧印加する
だけであシ、面積抵抗が約100オームと高くても支障
がない。発光部を形成する絶縁体層としてTa−8i−
0の非晶質酸化物薄膜をスパッタによシ形成した。厚さ
は0.3ミクロンであり口また発光層はZn8:Mnを
0.4ミクロン蒸着法によシ形成した。
第1図の構造から明らかなように抵抗の低い第1及び第
2のA/の縞状電極によりパネル全面の画素に電圧が印
加される/ζめに、この配線部での電力消費、発熱が少
なく、壕だ電圧降下もほとんどなく電極端部での輝度低
下がない。従って大型のELパネルが実現される。史に
本実施例では表示側1!4t6と背向電極5の間で絶縁
破壊が発生しても縞状電極まで損傷を与えることがなく
、単なる画素欠陥となるだけでありパネルとして致命的
なライン欠陥を発生させない利点もあった。
構造を簡略化した第2の実施例を第2図に示す。
これは第1図に示した実施例の第2の縞状電極をそのま
た背面電極としたものである。この電極23として0.
3ミクロンのAI!を使用した。他の構成部分は前述の
実施例と回帰である。この第2の実施例では非常に大き
な絶縁破壊が電極23と表示側電極6の間で発生した1
合は、電極23が切断きれライン切れを発生するととも
あったが、配線抵抗低下による電力消費、配線部での発
熱の改善、大型パネル実現の点では第1図の実施例と同
様の効果があった。
上述の実施例では基板は透明である必要はなく。
セラミックを使用しても良い。この場合は縞状電極や絶
縁層の多層配線を厚膜技術により製造することもできる
。また、基板として透明ガラス板を使用し、まず表示制
電゛極を形成する第1図や第2図と上下を逆転させた構
造としてもよい。この場合は多層配線部の絶縁層として
樹脂を使用することができる。
〔発明の効果〕
以上述べた通り本発明の構造を有するELパネルは画素
を確定する電極と駆動電圧を供給する電極が分離されて
いるため、駆動電圧を供給する電極は透明である必要が
なくなる。このため駆動電圧を供給する電極として抵抗
値が十分低い金属電極を用いることができ、従って駆動
電圧を供給する[&での電力損失が非常に減少し、EL
パネルの効率が改善される。またこの電極の発熱が少い
ためELパネルのうける熱サイクルの濃度差が小さくな
り、よってELパネルの寿命がのびELパネルの信頼性
が向上する。
また電圧を供給する[極として十分抵抗値の低い金属電
極を用いることができるため、この′「電極における電
圧降下が非常に小さくなり、従ってこの電極の末端にお
けるIl!AI累に対しても十分な駆動電圧が供給され
十分輝度が得られるため良好な表示品質をもった大型の
ELパネルがえられる0また、従来のように電極が画素
確定機能と駆動電圧を供給する機能をかねそなえている
ELパネルでは一画素が破壊しこれにより電極が切断さ
れるとこの画素に続く複数の画素が点灯しなくなるのと
異なシ、一画素が破壊しても駆動電圧を供給する電極は
破壊されずKQるので他の画素が点灯しなくなるといっ
たことがなくなυ、ELパネルの信頼性が著しく向上す
る効果もあった。
なお実施例においては1シI、素子として薄膜E L素
子を用いた場合について述べたが、本発明の構造は薄膜
EL素子に限らず分数型EL素子などを用いたELパネ
ルに対しても適用できるものである口
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係る画素を確立する電極と画素に駆動
電圧を供給する電極を備えた構造を有するELパネルの
第1の実施例を示す断面図、第2図は本発明の第2の実
施例を示す断面図、第3図は従来の薄膜EL素子の断面
図、第4図は従来の薄膜E Lパネルの断面斜視図であ
る。 1・・・基板、2.22・・・第1の縞状電極、3・・
・第2の縞状電極、4,8・・・MI3縁層、5.33
・・・背面電極、6・・・表)]マ側電極、7a、7b
、24・・・接続電極、9・・・薄膜F3 L素子の発
光層、10.11・・・薄膜HL素子の絶縁体層% 2
3・・・背面電極をかねた第2の縞状電極、31・・・
ガラス基板、32・・・透明室&、34・・・交流電源
、35・・・縞状の基板側透明電極、36・・・縞状の
背面電極。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マトリックスアドレス型のELパネルにおいて、
    基板上に第1の縞状電極と該第1の縞状電極と直交する
    方向に絶縁層を介して第2の縞状電極を設け、該第2の
    縞状電極の上に絶縁層を介して、EL発光画素を確定す
    る背面電極と透明導電体からなる表示側電極を有した前
    記発光画素を島状に設け、前記第1の縞状電極と該表示
    側電極が、前記第2の縞状電極と該背面電極が接続され
    ていること特徴とするELパネル。
  2. (2)前記ELパネルにおいて第2の縞状電極が背面電
    極をかねたことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
    載のELパネル。
JP60255271A 1985-11-13 1985-11-13 Elパネル Pending JPS62115188A (ja)

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JP60255271A JPS62115188A (ja) 1985-11-13 1985-11-13 Elパネル

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JPS62115188A true JPS62115188A (ja) 1987-05-26

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