JPS6211238A - 金属細線の接続方法 - Google Patents
金属細線の接続方法Info
- Publication number
- JPS6211238A JPS6211238A JP60150387A JP15038785A JPS6211238A JP S6211238 A JPS6211238 A JP S6211238A JP 60150387 A JP60150387 A JP 60150387A JP 15038785 A JP15038785 A JP 15038785A JP S6211238 A JPS6211238 A JP S6211238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- laser beams
- bonded
- section
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/8521—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/85214—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程におけるワイヤボンデ
ィングに関する。
ィングに関する。
従来、半導体のワイヤボンディングとしては、主として
熱圧着法と超音波ボンディング法とが行なわれている。
熱圧着法と超音波ボンディング法とが行なわれている。
熱圧着法は、被着物(半導体チップあるいはパッケージ
の電極パッド)を加熱した状態にしておいて、金属細線
(以下ではワイヤという)を加圧接触して接合させる方
法である。一方超音波ボンデイング法は、常温において
ボンディングツールでワイヤを加圧するとともに、ツー
ルに超音波振動を与え摩擦熱を利用して接合させる方法
である。
の電極パッド)を加熱した状態にしておいて、金属細線
(以下ではワイヤという)を加圧接触して接合させる方
法である。一方超音波ボンデイング法は、常温において
ボンディングツールでワイヤを加圧するとともに、ツー
ルに超音波振動を与え摩擦熱を利用して接合させる方法
である。
熱圧着法では、加熱された被着物との接続強度を強める
ため、ワイヤとしては、金・銀などρ高価な材質の線を
使用する。また被着物としては結合力の弱いニッケルな
どの金属を用いることが出来なかった。一方超音波ボン
デイング法では、ワイヤとして安価なアルミ線を使用で
きるが、被着物の表面粗さ、固定状態によって超音波の
伝導が影響され、摩擦熱の発生の度合いが一様でなく、
接着強度にバラツキが大きいという欠点があった。
ため、ワイヤとしては、金・銀などρ高価な材質の線を
使用する。また被着物としては結合力の弱いニッケルな
どの金属を用いることが出来なかった。一方超音波ボン
デイング法では、ワイヤとして安価なアルミ線を使用で
きるが、被着物の表面粗さ、固定状態によって超音波の
伝導が影響され、摩擦熱の発生の度合いが一様でなく、
接着強度にバラツキが大きいという欠点があった。
特に、最も普通に用いられる熱圧着法では、接続個所が
多数であると、加熱温度状態が長時間になるので、接合
部分のアルミニウム膜ト金線との間に金属間化合物がで
き脆弱になる。これをさけるために力[J熱温度を下げ
ると十分な接着強度が得られない。
多数であると、加熱温度状態が長時間になるので、接合
部分のアルミニウム膜ト金線との間に金属間化合物がで
き脆弱になる。これをさけるために力[J熱温度を下げ
ると十分な接着強度が得られない。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもの
で、被着物に、ワイヤを接続部位に圧着した状態で、レ
ーザ光を該接続部位に向けて照射することによってワイ
ヤ接続を行なうものである。
で、被着物に、ワイヤを接続部位に圧着した状態で、レ
ーザ光を該接続部位に向けて照射することによってワイ
ヤ接続を行なうものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
1図、第2図は、本発明を実施中の状態を示す断面図で
ある。第1図では、やへ面積の大きい接合を得るように
、被着物2の上に配置したワイヤlを幅の広い先端部を
有する圧着用ツール4で圧着する、この圧着用ツール4
は、その中心軸部にレーザ光の誘導路3をもっている。
1図、第2図は、本発明を実施中の状態を示す断面図で
ある。第1図では、やへ面積の大きい接合を得るように
、被着物2の上に配置したワイヤlを幅の広い先端部を
有する圧着用ツール4で圧着する、この圧着用ツール4
は、その中心軸部にレーザ光の誘導路3をもっている。
誘導路3は、誘導管あるいは誘導体である。第2図では
、や−面積の小さい接合の場合で、圧着用ツール4の径
は小さく、また先端部をせばめている。レーザ光は、図
示のように圧着用ツール4の外側から誘導路3を介して
所定の部位に向けて照射される。
、や−面積の小さい接合の場合で、圧着用ツール4の径
は小さく、また先端部をせばめている。レーザ光は、図
示のように圧着用ツール4の外側から誘導路3を介して
所定の部位に向けて照射される。
レーザ光の照射によって、局部的にワイヤlと被着物2
との圧着部5が加熱され、その熱によって良好な接合が
得られる。ワイヤ、被着物の材質、形状などの状況によ
り、レーザ光のエネルギーを最適に調整することができ
る。
との圧着部5が加熱され、その熱によって良好な接合が
得られる。ワイヤ、被着物の材質、形状などの状況によ
り、レーザ光のエネルギーを最適に調整することができ
る。
以上、説明したように、本発明によれば被着物を全体的
に加熱しないで、局所的にワイヤと被着物との接触圧着
された部分のみを加熱することができるので、ワイヤの
材質およびパッケージの構造、材質などの制限が少なく
良好な接合が得られる。また、レーザ光のエネルギーを
調節して、発生する熱エネルギーを選択することで、従
来の熱圧着型のボンディングから、ワイヤと被接着物の
金属層を溶融結合させるなどのボンディングまでの広範
囲にわたる条件で、ボンディングが可能になる。
に加熱しないで、局所的にワイヤと被着物との接触圧着
された部分のみを加熱することができるので、ワイヤの
材質およびパッケージの構造、材質などの制限が少なく
良好な接合が得られる。また、レーザ光のエネルギーを
調節して、発生する熱エネルギーを選択することで、従
来の熱圧着型のボンディングから、ワイヤと被接着物の
金属層を溶融結合させるなどのボンディングまでの広範
囲にわたる条件で、ボンディングが可能になる。
図面は本発明の一実施例を示し、第1図、第2図は被着
物にワイヤを圧着させた状況の断面図である。 1・・・ワイヤ(金属細線)、 2・・・被着物、 3・・・レーザ光の誘導路、 4・・・圧着用ツール、 5・・・圧着部。
物にワイヤを圧着させた状況の断面図である。 1・・・ワイヤ(金属細線)、 2・・・被着物、 3・・・レーザ光の誘導路、 4・・・圧着用ツール、 5・・・圧着部。
Claims (1)
- 半導体チップの電極パッドとパッケージの電極パッドと
の間を金属細線で電気接続をなさしめるワイヤパンディ
ングにおいて、各電極パッドにおける金属細線の接続が
前記金属細線を接続部位に圧着した状態で、レーザ光を
該接続部位に向けて照射することでなされることを特徴
とする金属細線の接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150387A JPS6211238A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 金属細線の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60150387A JPS6211238A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 金属細線の接続方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6211238A true JPS6211238A (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=15495879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60150387A Pending JPS6211238A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 金属細線の接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6211238A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6397465B1 (en) * | 1995-10-31 | 2002-06-04 | Hewlett-Packard Company | Connection of electrical contacts utilizing a combination laser and fiber optic push connect system |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60150387A patent/JPS6211238A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6397465B1 (en) * | 1995-10-31 | 2002-06-04 | Hewlett-Packard Company | Connection of electrical contacts utilizing a combination laser and fiber optic push connect system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
JPS6211238A (ja) | 金属細線の接続方法 | |
JPS6342855B2 (ja) | ||
US6135341A (en) | Room temperature gold wire wedge bonding process | |
JPH0212919A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
JPS5940537A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03152945A (ja) | 半導体チップのワイヤボンディング方法 | |
JPS62136835A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6313337A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
JP2821777B2 (ja) | フリップチップ用ic及びその製造方法 | |
JP2792337B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH0748507B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3368140B2 (ja) | 電子部品の実装方法及びその構造 | |
JPS6316632A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0547825A (ja) | キヤピラリチツプおよび半導体装置 | |
JPS6378543A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH04334035A (ja) | 半田ワイヤとそのワイヤを使用した半田バンプの形成方法 | |
JPH0430546A (ja) | 被覆線の超音波ワイヤボンディング方法及び被覆線の超音波ワイヤボンディング用外部リード | |
JP3445687B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JP2000286287A (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
JP2523861B2 (ja) | ワイヤ―ボンディング装置およびワイヤ―ボンディング方法 | |
JPS6211239A (ja) | 金属細線の接続方法 | |
JPH07283265A (ja) | ボンディング用加熱装置 | |
JPH0422332B2 (ja) | ||
JPH04359440A (ja) | 液晶表示装置の駆動電極接続方法 |