JPS62109387A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS62109387A JPS62109387A JP25020885A JP25020885A JPS62109387A JP S62109387 A JPS62109387 A JP S62109387A JP 25020885 A JP25020885 A JP 25020885A JP 25020885 A JP25020885 A JP 25020885A JP S62109387 A JPS62109387 A JP S62109387A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor
- laminates
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信や光ディスク等の光源として用いられる
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザは、光通信や光ディスク等の光情報処理用
光源として利用されており、各種構造の半導体レーザが
提案されている。従来レーザの一例として、屯流狭容構
造と光導波構造とを兼ね備えれ自己整合型レーザがあり
、アプライド・フィジックス・レターズ第４５巻、８号
、８１８頁〜８２０頁、１９８４年１０月号（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ４５（８）、１５．Ｏｃｔ、１
９８４ ）に報告されている。
光源として利用されており、各種構造の半導体レーザが
提案されている。従来レーザの一例として、屯流狭容構
造と光導波構造とを兼ね備えれ自己整合型レーザがあり
、アプライド・フィジックス・レターズ第４５巻、８号
、８１８頁〜８２０頁、１９８４年１０月号（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ４５（８）、１５．Ｏｃｔ、１
９８４ ）に報告されている。
上述した従来の半導体レーザは、第２図に示す如く、平
坦な活性ｔ−ｚｚｓの近傍にストライプ状の湾を有する
光吸収層としてのＧａＡｓ１ｍ６を形成し、溝の中央部
分の発光に対しては光吸収効果を少なく、一方、溝の両
側に於ては、光吸収効果を大きくすることによって光導
波機能を備、えた構造としているため、レーザ発振光は
、光吸収効果の少ない溝の中央部分の設面の位相に対し
て光吸収効果の影響を強く受ける溝の両側においては、
設面の位相遅れが避けられず、従って、１０ミクロン以
上の大きな非点収差を有し、１ミクロン以下の微少スポ
ットに光ビームをしぼシ込むことが困難となる欠点を有
したものであった。
坦な活性ｔ−ｚｚｓの近傍にストライプ状の湾を有する
光吸収層としてのＧａＡｓ１ｍ６を形成し、溝の中央部
分の発光に対しては光吸収効果を少なく、一方、溝の両
側に於ては、光吸収効果を大きくすることによって光導
波機能を備、えた構造としているため、レーザ発振光は
、光吸収効果の少ない溝の中央部分の設面の位相に対し
て光吸収効果の影響を強く受ける溝の両側においては、
設面の位相遅れが避けられず、従って、１０ミクロン以
上の大きな非点収差を有し、１ミクロン以下の微少スポ
ットに光ビームをしぼシ込むことが困難となる欠点を有
したものであった。
本発明は、この様な従来型半導体レーザの欠点を除去し
、非点収差の少ない光ビームを有する半導体レーザを提
供することを目的とし、半導体基板上に、発光領域とな
る半導体層をこれよりも禁制帯幅の大きい半導体層では
さむ第１の結晶積層体を備え、前記第１の結晶積層体に
隣接して、ストライプ状の溝を有しかつ前記発光領域と
なる半導体層よりも禁制帯幅の大きな半導体層を少なく
とも有する第２の結晶積層体を備え、前記第１及び第２
の結晶積層体に隣接して、第３の結晶積層体を備えた構
造としている。
、非点収差の少ない光ビームを有する半導体レーザを提
供することを目的とし、半導体基板上に、発光領域とな
る半導体層をこれよりも禁制帯幅の大きい半導体層では
さむ第１の結晶積層体を備え、前記第１の結晶積層体に
隣接して、ストライプ状の溝を有しかつ前記発光領域と
なる半導体層よりも禁制帯幅の大きな半導体層を少なく
とも有する第２の結晶積層体を備え、前記第１及び第２
の結晶積層体に隣接して、第３の結晶積層体を備えた構
造としている。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第３図（Ａ） 、
（Ｂ）は本発明の製造工程を説明する図である。まず
第３図（Ａ）に示す様に第１の結晶成長工程によシ、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上に約１．５ミクロン厚のｎ型Ａ１６
，４５ Ｇ ａ ｏ、ｓｓ Ａ ３層２、約０．０５〜
０．０８８ミクロン厚活性層となるｎ型Ａ！ ｏ、１１
Ｇ ＩＩＬ ６３ ｇ Ａ ３層３、約０．２ミクロ
ン厚のＰ ｆｉｌ Ａ１６，４ Ｇａ ６．６ Ａｓ層
４、約０．７ミクロン厚のｎ型Ａ！ ０．５ Ｇ ａ
ｏ５ Ａ ８層５約０．３ミクロン厚のｎ型ＧａＡｓＪ
ｉ６を順次形成する。
（Ｂ）は本発明の製造工程を説明する図である。まず
第３図（Ａ）に示す様に第１の結晶成長工程によシ、ｎ
型ＧａＡｓ基板１上に約１．５ミクロン厚のｎ型Ａ１６
，４５ Ｇ ａ ｏ、ｓｓ Ａ ３層２、約０．０５〜
０．０８８ミクロン厚活性層となるｎ型Ａ！ ｏ、１１
Ｇ ＩＩＬ ６３ ｇ Ａ ３層３、約０．２ミクロ
ン厚のＰ ｆｉｌ Ａ１６，４ Ｇａ ６．６ Ａｓ層
４、約０．７ミクロン厚のｎ型Ａ！ ０．５ Ｇ ａ
ｏ５ Ａ ８層５約０．３ミクロン厚のｎ型ＧａＡｓＪ
ｉ６を順次形成する。
次に第３図（Ｂ）に示す様に、通常良く用いるホトレジ
スト工程及びエツチング工程によりＰ型Ａ１６，４ Ｇ
ａ Ｏ，６Ａ ８層４に達する、溝幅約３ミクロンの
ストライプ状溝を形成する。
スト工程及びエツチング工程によりＰ型Ａ１６，４ Ｇ
ａ Ｏ，６Ａ ８層４に達する、溝幅約３ミクロンの
ストライプ状溝を形成する。
次に、第２の結晶成長工程により、結晶表面全体を覆う
様に、Ｐ型Ａｊ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ８層７、
Ｐ型ＧａＡｓ層８を１＠次形成した後、Ｐ型オーミック
電極９及びｎＭオーミック′Ｉｌ極１０を形成し第１図
に示す本発明に係る半導体レーザが構成される。
様に、Ｐ型Ａｊ ｏ、４ Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ８層７、
Ｐ型ＧａＡｓ層８を１＠次形成した後、Ｐ型オーミック
電極９及びｎＭオーミック′Ｉｌ極１０を形成し第１図
に示す本発明に係る半導体レーザが構成される。
尚、この実施例では、半導体層２，３．４で第１の結晶
積層体を構成し、半導体層５，６、で第２の結晶積層体
を構成し、半導体層７，８、で第３の結晶積層体を構成
している。
積層体を構成し、半導体層５，６、で第２の結晶積層体
を構成し、半導体層７，８、で第３の結晶積層体を構成
している。
本構造に於ては、他のどの層よ勺も禁制帯幅が大きく屈
折率の小さなｎ型Ｍ Ｏ，５Ｇ ａ ｇ Ａ ８層５を
約３ミクロンのスト２イブ状の溝を形成して、Ｐ型ｆｉ
Ｊ、６．４ Ｇ ａ ０．６ Ａ ６層４の上に配置す
ることによシ、溝の中央部と、両側部においても、レー
ザ発振光に対す光吸収効果は無く、かつ、溝の中央部と
側部における屈折率差として（３〜５）ｘｔｏ−３を得
、光吸収効果によらない屈折率導波機能を設けることが
でき、レーザ発振光ビームの中央部と側部における仮面
位相遅れを発生せず、非点収差のない光ビームを得るこ
とが可能となった。
折率の小さなｎ型Ｍ Ｏ，５Ｇ ａ ｇ Ａ ８層５を
約３ミクロンのスト２イブ状の溝を形成して、Ｐ型ｆｉ
Ｊ、６．４ Ｇ ａ ０．６ Ａ ６層４の上に配置す
ることによシ、溝の中央部と、両側部においても、レー
ザ発振光に対す光吸収効果は無く、かつ、溝の中央部と
側部における屈折率差として（３〜５）ｘｔｏ−３を得
、光吸収効果によらない屈折率導波機能を設けることが
でき、レーザ発振光ビームの中央部と側部における仮面
位相遅れを発生せず、非点収差のない光ビームを得るこ
とが可能となった。
なお、本構造に於ては、ｎ型Ａ！ （１，５Ｇ ＩＬ
６，５ Ａ ８５の上に設けたｎ４１ＧａＡｓ層６は、
第２の結晶成長工程において、結晶表面全体にわたって
Ｐ型ＡｌＱ、４Ｇａｏ、６Ａｓ層７を形成するに際し、
再現性良く第２の結晶成長を可能にするために設けたも
のであり、レーザ特性上に影響をおよぼすものではない
。
６，５ Ａ ８５の上に設けたｎ４１ＧａＡｓ層６は、
第２の結晶成長工程において、結晶表面全体にわたって
Ｐ型ＡｌＱ、４Ｇａｏ、６Ａｓ層７を形成するに際し、
再現性良く第２の結晶成長を可能にするために設けたも
のであり、レーザ特性上に影響をおよぼすものではない
。
以上述べた様に、本発明の構造に於ては、発光領域とな
る活性層３の近傍に、レーザ発振光を吸収しない、禁制
帯幅が大きく、屈折率が小さなストライプ状の半導体層
５を設けることによシ、吸収効果に依存しない、屈折率
導波機能を備えることが可能となり、非点収差のない、
１ミクロン以下の微少スポットにしぼシ込むことのでき
る良質の光ビームを有する半導体レーザを構成すること
が出来た。
る活性層３の近傍に、レーザ発振光を吸収しない、禁制
帯幅が大きく、屈折率が小さなストライプ状の半導体層
５を設けることによシ、吸収効果に依存しない、屈折率
導波機能を備えることが可能となり、非点収差のない、
１ミクロン以下の微少スポットにしぼシ込むことのでき
る良質の光ビームを有する半導体レーザを構成すること
が出来た。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体レーザの実施例を説明する
図、第３図、 （Ａ） 、 （Ｂ）は本発明の製造工
程を説明する図、第２図は従来型半導体レーザの一例を
示す図である。 図において、１・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・
・・・・ｎ型Ａ！ ６，４５ Ｇ ａ Ｏ，５５Ａ Ｉ
！１層）３°°゛−ｎ型ＡＪＬ Ｏ，１１Ｇ ａ Ｏ，
Ｂｇ Ａ １１層、４・・・・・・Ｍｏ、４０＆ｏ、ｅ
ＡＢ層、５ ・・−−−−ｎ型ＡＪ１．５Ｇａ、。 Ａｓ層、５−−−−−−ｎ ｍＧａＡｓ層、７ 、、、
、、、 Ｐ型ＡＡ Ｑ、４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ｓ層、
８・・・・・・Ｐ型ＧａＡｓ層、９・・・・・・Ｐ型オ
ーミック電極、１０・・・・・・ｎ型オーミック電極、
２ｌ−−−−−−ｎ型Ａ２ｏ、４ｓＧａ ｏ、５ｓＡＪ
層、２２・・・・・・活性層、２３、、、、、、ｐ型Ａ
ｔＯ，４５Ｇａ ０５５ＡＢ層、２４−−−− Ｐ ｕ
Ａｇｏ、４ｓＧａｏ、５５Ａｓ層をそれぞれ示す。 （ｌＯ
図、第３図、 （Ａ） 、 （Ｂ）は本発明の製造工
程を説明する図、第２図は従来型半導体レーザの一例を
示す図である。 図において、１・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・
・・・・ｎ型Ａ！ ６，４５ Ｇ ａ Ｏ，５５Ａ Ｉ
！１層）３°°゛−ｎ型ＡＪＬ Ｏ，１１Ｇ ａ Ｏ，
Ｂｇ Ａ １１層、４・・・・・・Ｍｏ、４０＆ｏ、ｅ
ＡＢ層、５ ・・−−−−ｎ型ＡＪ１．５Ｇａ、。 Ａｓ層、５−−−−−−ｎ ｍＧａＡｓ層、７ 、、、
、、、 Ｐ型ＡＡ Ｑ、４Ｇ ａ Ｏ，６Ａ ｓ層、
８・・・・・・Ｐ型ＧａＡｓ層、９・・・・・・Ｐ型オ
ーミック電極、１０・・・・・・ｎ型オーミック電極、
２ｌ−−−−−−ｎ型Ａ２ｏ、４ｓＧａ ｏ、５ｓＡＪ
層、２２・・・・・・活性層、２３、、、、、、ｐ型Ａ
ｔＯ，４５Ｇａ ０５５ＡＢ層、２４−−−− Ｐ ｕ
Ａｇｏ、４ｓＧａｏ、５５Ａｓ層をそれぞれ示す。 （ｌＯ
Claims (1)
- 半導体基板上に、発光領域となる半導体層をこれよりも
禁制帯幅の大きい半導体層ではさむ第１の結晶積層体を
備え、前記第１の結晶積層体に隣接して、ストライプ状
の溝を有しかつ前記発光領域となる半導体層よりも禁制
帯幅の大きな半導体層を少なくとも有する第２の結晶積
層体を備え、前記第１及び第２の結晶積層体に隣接して
、第３の結晶積層体を備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25020885A JPS62109387A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25020885A JPS62109387A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109387A true JPS62109387A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17204427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25020885A Pending JPS62109387A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221691A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2009158552A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hosiden Corp | Ｐｔｃサーミスタの取り付け構造 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP25020885A patent/JPS62109387A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63221691A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2009158552A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Hosiden Corp | Ｐｔｃサーミスタの取り付け構造 |
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