JPS62102497A - ランダム・アクセス・メモリ - Google Patents

ランダム・アクセス・メモリ

Info

Publication number
JPS62102497A
JPS62102497A JP61214229A JP21422986A JPS62102497A JP S62102497 A JPS62102497 A JP S62102497A JP 61214229 A JP61214229 A JP 61214229A JP 21422986 A JP21422986 A JP 21422986A JP S62102497 A JPS62102497 A JP S62102497A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
register
bits
bit
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61214229A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0531176B2 (ja
Inventor
フレデリツク・ジヨン・アイケルマン、ジユニア
ヴインセント・フランシス・ソリツト、ジユニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS62102497A publication Critical patent/JPS62102497A/ja
Publication of JPH0531176B2 publication Critical patent/JPH0531176B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/04Addressing variable-length words or parts of words
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Bus Control (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は、一般に半導体メモリに関するものである。具
体的には、本発明はマルチビット出力を有するメモリ・
チップに刻するランダム・アクセスに関するものである
B、従来技術 大型コンピュータで用いられるような高度な記憶システ
ム・アプリケーションでは、記憶システムの1つは主記
憶装置である。主記憶装置は、典型的にはデータおよび
命令をキャッシュ・メモリに供給するために使われる非
常に大きな半導体記憶システムである。典型的な場合、
主記憶装置はデータのブロック転送ができるように設計
されている。すなわち、主記憶装置から使用システムに
、ブロックを構成するワードの多重転送が行われる。
ブロック転送速度および各転送のサイズはメモリの各特
定アプリケーションによって異なっているが、それに続
くコメントはどのアプリケーションにも共通になってい
る。各マルチワード・ブロック転送の開始アドレスは、
要求された記憶座標を含む最初の取出しに関してランダ
ムである。一度ブロック内のどこかで転送が開始すると
、必要ならば、循環を使ってブロック全体の転送を完了
させる。
従来技術の記憶システムの典型的な構成を第6図に示す
が、ユーザ10は、メモリに対するタイミング、制御お
よびデータ緩衝論理をもたらすインターフェース12を
介して、メモリに接続されている。メモリは、インター
フェース12に並列に接続されたN個のメモリ・アレイ
14がら成る。
通常、各メモリ・アレイは1つの並列データ・ピッ1〜
を生じる。メモリ・アレイ14の数は、FCC(エラー
訂正)ワード内のビットの数に等しくなるように選ばれ
、これは多くの大型コンピュータでは72である。した
がって、ECCワードの各ビットは個々のメモリ・アレ
イ14に記憶されたり、そこから取り出されたりする。
メモリ・アレイ14が比較的小さいときは、各メモリ・
アレイ14を第7図に示す16個のメモリ・チップ16
で実施することによってブロック転送が可能になる。各
チップ16はレジスタ18に1ビツトを与える。ピッ1
−はすべて並列に転送され、最初の転送の後、レジスタ
18内の任意のアドレスから使用システムへのブロック
転送が開始できる。第8図に示すメモリ・アーキテクチ
ャは、各々が16個のチップ16から成るN個のメモリ
・アレイ・グループ20を有する。メモリ・チップ16
は共通アドレス制御バス22を介してアドレス選択論理
24により制御される。各メモリ・アレイ・グループ2
0は、データ緩衝回路26に16ビツトを並列に与える
。N個のメモリ・アレイ・グループ20の各々からの1
6ビツトは、1回の転送で緩衝され、データはECCワ
ード中で使用システムに転送される。
メモリ・アレイの密度が大きくなるにつれて、必要とさ
れる全メモリ容置に対して、メモリ・アレイの数が第7
および第8図の1ビツト出力構成をサポートするのに必
要な数以下に減少するところまできた。1つの手法はマ
ルチビット・メモリ、すなわち、複数の並列な出力線を
備えたメモリ・チップを使用することである。複数の出
力メモリ・チップの例はフラナガン(Franagan
 )等が米国特許4−453237号に開示している。
複数出力メモリを使用すると、さらにテストなどの利点
がある。アイ・ビー・エム・ジャーナル・オブ・リサー
チ・アンド・デベロップメント(IBM Journa
lof Re5earch and Developm
ent) 、Vol、 28、No。
2.1984年3月、P、177−183に掲載された
[半導体メモリ・アプリケーションに対する障害許容設
計技術(Faul、t−Tolerant Desig
nTCchnique for 50m1conduc
tor MemoryAppljcat、jons) 
Jと題する技術論文で本発明者の1人であるアイヒエル
マン(Aichelman)が記載しているように、た
とえ複数出力を有するものでも、1つのメモリ・チップ
は、ECCワードに1ビツトより多いビットを与えるべ
きではない。この制限により、故障した1つのチップが
エラー訂正能力を上回ることが防Iにされる。この制限
がないと、ブロック転送において、マルチピッ1〜・メ
モリの並列ビットが、ブロック内の異なるビットおよび
ワードに使われる。この後者の技術の一例は、[アイ・
ビー・エム・テクニカル・ディスクロージャ・プルテン
」第24巻、No、1、B、1981年6月、P、48
5−488に掲載された「分散されたバッファリングを
伴わない複数ビット・アレイからのページング(r”t
igj ngFromMultiple Bit Ar
ray 1llj、thout Di9trj、but
adBuffering) Jと題する技術論文にアイ
ヒエルマンが記載している。
第9図に示すように、4ピッI−のメモリ・チップ28
は一度に4ピツ1へのデータをレジスタ30に転送でき
る。レジスタ3oは、一杯になったとき、16ワードの
ブロック転送に対するECCワードのN個のビットの1
つに関連するすべてのビットを含んでいる。したがって
、データ緩衝回路26にはN個のレジスタ3oがあるこ
とになる。
前述したように、ブロック転送では最初のワードはラン
ダムにアドレス可能であること、さらにブロック全体が
最終的に転送されることが必要である。第9図の構成に
おいて、16ビツトのうちのどれかがランダムにアクセ
スされる前に、レジスタ30をメモリ・チップ28に対
する4回のアクセスの間に16ビツトで完全に満たすこ
とができる。しかし、この手段では、初期アクセス時間
1、Aに許容できない遅延が導入される。
別法によれば、メモリ・チップ28からの転送は転送の
最初のアドレスをもたらすことができ、まずアドレスさ
れたビットをレジスタ30に転送し、次にこのビットを
直ちに使用システムに転送することができる。選択的ア
ドレッシングおよび即時直列化の一例が第10図に示さ
れている。ただしピッ1〜5(16のブロックの5番目
のFCCワード)が最初のアドレスであると仮定する。
選択信号がピッ1−5ないし8をアドレスし、メモリ・
チップ28を使用可能にした後で、ビット5ないし8の
4ビツトがレジスタ30に転送される。この転送が完了
すると直ちに、ビット5がレジスタ30でランダムにア
ドレスされて使用システムに読み出される。最初のアク
セスの時間は、アクセス時間tAである。続いて、ビッ
ト6ないし8がアクセス時間tAよりもかなり短いレジ
スタ読取り速度周期tNで読み出される。
レジスタ読取り速度周期tNは、チップ読取り速度周期
tCよりもかなり小さい。たとえば、t  =4t  
である。しかし、ビットを使用シス    N テムに転送中に、別の選択信号がビット9ないし12を
レジスタ30に転送できる。したがって、周期tNとt
Cの違いにもかかわらず、ビット9はすぐに同じ読取り
速度周期で直列転送ができる状態にある。
あいにく上記の説明は最初のアドレスが下位4ビツトの
境界と整合する場合にしかあてはまらない。もう一方の
極端な状態では、最初のアドレスが上位4ビツトの境界
と整合する。たとえば、ビット8がアドレスされるとす
る。この場合、ビット5ないし8がレジスタ30に転送
される。レジスタ30に関連するアドレッシング回路は
、第11図に示すようにビット8を使用システムに直ち
に出力し、したがってアクセス時間tAを維持する。し
かし、チップ読取り速度周期t。に対する制限のため、
次に直列化されるべきビット9は直ちに使用できない。
その代り、最初のアドレスが何であるかに応じてレジス
タ読取り速度周期tNの倍数になり得るギャップ時間t
。が生じる。
C0発明が解決しようとする問題点 ギャップ時間t。が好ましくないことは言うまでもない
。これは第2の緩衝転送が可能になるだけアクセス時間
tAを長くすることによって取り除くことができる。し
かし、アクセス時間が長くなるのもまた好ましくない。
D0問題点を解決するための手段 したがって、本発明の目的は、ブロック転送に使用でき
る複数出力のメモリ・チップを用いたランダム・アクセ
ス・メモリを提供することである。
本発明は、またギャップ時間のないかかる記憶システム
を提供する。
8一 本発明は、並列なチップの各出力が同時に第ルジスタに
転送される、複数出力メモリ・チップ対を用いた記憶シ
ステムであると要約できる。各メモリ・チップの−に1
位アドレスは同じであるが、下位アドレスはブロック転
送の最初のアドレスがどこに置かれているかによりチッ
プ毎に変り得る。
第2のレジスタの内容は、第2のレジスタに迅速に転送
できる。どちらのレジスタも一度に1ビツトを読み出す
ことができる。
第2のレジスタの読取りが完了する前に、メモリ・チッ
プから第1の1ノジスタへの次の転送が完了できるので
、ギャップ時間が生じない。
E、実施例 第1図に示す本発明の一実施例には、第9図に示したシ
ステムで使用されるものと同じ種類の一対のアレイ・チ
ップ28がある。複数対のアレイ・チップ28を、もつ
と長いブロックに、または4個未満の出力を有するアレ
イ・チップに使用することができる。各アレイ・チップ
28は、同じチップ選択信号、すなわちタイミング線3
2−ヒの行アドレス選択信号RASとタイミング線34
」二の列アドレス選択信号CASによって選択される。
チップ28の4つの出力36は、幅広い第1のレジスタ
38に接続されている。それぞれ4つの出力36を有す
るアレイ・チップ28が2個あるので、第1のレジスタ
38は8つの入力を有する。
第1のレジスタ38の内容は、並列に第2のレジスタ4
0に転送できる。この転送は線42上のレジスタ転送信
号の制御下で非常に速く、レジスタ読取り速度周期tN
より速く実行できる。入力線44」―のビット選択信号
は、レジスタ38と40のどちらのレジスタ中の記憶位
置情報を1ビツトの出力線46に読み取るべきかを選択
する。本発明者のL人であるアイヒエルマンは、IBM
テクニカル・ディスクロージャ・プルテン、Vol、 
24、No、4.1981年9月、P、2194−21
96に掲載された「複数ビット・チップのメモリ・アプ
リケーション(Memory Application
 ofMultj、p]CBit Chips) Jと
題する技術論文で、複数出力のメモリ・チップと一緒に
2つのラッチを使用することを開示した。
第1のレジスタ38に転送さオしるべきアレイ・チップ
28内の位置は、チップ28のアドレス入力によって決
定される。しかし、アドレス入力は2つのアレイ・チッ
プ28上で異なっている。」二位アドレス入力は、通常
は−1−位アドレス・バス48に接続されている。一方
、f位アドレス入力は、別々の下位アドレス・バス50
および52に接続されている。別々の下位アドレス・バ
ス50および52により、上位アドレス・バス48によ
って決定される同一周辺部の異なる部分が別々のアレイ
・チップ28から第1のレジスタ38に転送される。
1か616まで番号をつけた16ビツ1−の情報が2つ
のアレイ・チップ28内のそれぞれのブロックに記憶さ
れる場合を考える。2つのメモリ・アレイ・チップ28
があり、各ブロックがそれぞれ16ビツトを含むとする
と、2つのチップはOからMまで番号をつけた各ブロッ
クを記憶できる。
各チップは、そのチップ」−の各アドレス毎に4つのデ
ータ出力を有する。要求されたブロック転送が、1か4
まで番号をつけた位置のうちのいずれかの位置から始ま
る場合、アレイ・チップ28から第1のレジスタ38へ
の転送は1次の順序になる。最初の取出しで、ビット1
ないし4が第1のアレイ・チップ28から転送され、ビ
ット5ないし8が第2のアレイ・チップ28から転送さ
れる。
次にビット選択信号44が最初のアドレス1.2゜3ま
たは4から始めて第1のレジスタ38からこれらのビッ
トを順序選択し始め、次に残りのビットに進む。
順序選択のある時点で、第1のレジスタ38内のビット
が第2のレジスタ40に転送される。この転送が、レジ
スタ読取り速度周期tNで出力線46にビットを順次直
列転送する操作を割込む必要はない。その後で、ビット
選択信号は第2のレジスタ40からビットを選択し、ビ
ット8を含む残りのビットの読取りを完了する。
第2のレジスタ40からの逐次読取り中に、第2の転送
で同様にビット9ないし16が並列に第一12= 1のレジスタ38に転送される。この順序は、第2の転
送の前にレジスタ38からもつと多くのビットが読取ら
れる点を除いて、従来技術とは著しい相異はない。すな
わち、同じ下位アドレスがアレイ・チップ28の両方に
印加される。
しかし、ブロック転送の開始点がビット5ないし8のう
ちのいずれかから始まる場合は、状況は幾分異なる。第
2のアレイ・チップに接続された下位アドレス・バスは
、ビット5ないし8を第1のレジスタ38に転送させる
。一方、第1のチップに印加された異なる下位アドレス
が、最初の取出しでビット9ないし]2を第1−のレジ
スタ38に転送させる。次にビット選択信号は示された
開始ビット5.6.7または8からその順序づけを開始
し、次にビット5ないし12を選択する。ビット5ない
し12の逐次読取り中に、第1のレジスタ38の内容が
第2のレジスタ40に転送される。次に、ピッ1〜12
の読取り完了前に、下位アドレス・バスを変更した第2
の転送が、ビット13ないし16と1ないし4を第1の
レジスタ38に転送させる。ブロック全体を読み取らな
ければならないので、ビット1ないし4が転送され、し
たがって循環が必要となる。ビット選択信号は最初の取
出しで中止した連続シーケンス中の同じ点から、第2の
転送からの第1のレジスタ38中のビットの選択を継続
する。レジスタ38および40からのこのインタリーブ
読取りにより、チップ読取り速度周期t。がレジスタ読
取り速度周期tNの5倍にすぎない場合、ギャップ時間
の発生が防止される。
第1−図の回路はECCワードについて72回反復され
るが、RAS線32、CAS線34、アドレス・バス4
8.50および52、レジスタ転送線42およびビット
選択線44は反復された回路に共通であることに留意す
べきである。またM+1より多いブロックが必要な場合
、それより上位のブロック番号およびアドレスを周知の
方法で他のチップーヒで継続することができる。
本発明の詳細な説明は幾分機能的なものであり、本発明
を実施するための回路についてもつと完全トこ説明する
には、メモリ構成のさらに具体的な例が必要である。2
つのチップ28内のビットは、アドレスAA=A、−=
=A、、A4A3A2AIAoによって別々にアドレス
可能である。アドレス・ビットA。は最下位ビットであ
る。2つの下位アドレス・ビットAよAoは、チップの
4つのデータ出力をアドレスする。3つの下位アドレス
・ビットA、AIA、は、8ビツトのレジスタ38と4
0のうちのどちらかのレジスタ中のピッ1−をアドレス
する。したがって、下位から;3番目のアドレス・ビッ
トA2は2つのアレイ・チップ28の一方を識別する。
4つの下位アドレス・ビットA3A2A、 A、は、ブ
ロック内のすべてのピッ1〜をアドレスする。上位アド
レス・ピッl−A L・・・・・・A5A、は、個別の
ブロックをアドレスする。下位4番目のアドレス・ビッ
トA3は、」−位アドレス・ビットAL・・・・・・A
sA4によってブロックに対する2つのチップ・アドレ
スのどちらが選択されたかを決定する。
したがって第1図に示す上位アドレス・バス48は、」
二位アドレス・ビットAL・・・・・・A、A4を運ぶ
ことが分る。2本の下位アドレス・バス50ないし52
は、下位4番目のビットA3に対応するピッ1〜を運ぶ
。しかし、下位4番目のアドレス・ビットは、2本の下
位アドレス・バス50ないし52上で異なることがあり
得る。これらの部分的に異なる2つのビットを、それぞ
れA′3およびA″つとして識別することにする。ビッ
ト選択信号は、3つのアドレス・ビットA2A、A、+
2つのレジスタ38および40の一方を表わす信号から
導かれるはずである。これらのアドレス・ビットがどの
ように印加されるかについては、後段で説明する。
本発明におけるメモリ構成を次に示す。すなわち、 必要なアドレッシング信号をもたらす回路を次に説明す
る。使用システムは、目的アドレス即ち開始アドレスA
A=Arj−=−A、A、A3A、AlA。
を第2図に示す[1的アドレス・レジスタ54にロード
する。この14的アドレスは、所期ブロック内の最初の
アドレスであり、またブロック自体をアドレスする。」
二位アドレス・ピッ1〜AL・・・・・・A3A4は1
両方のアレイ・チップ28に共通アドレスを与える上位
アドレス・バス48に置かれる。
3つの下位ビットA2A、A、は3本の線56に置かれ
、後で詳述するレジスタ1−1的アドレスを形成する。
ビットA3A2はアレイ・チップ28のインターリーブ
読取り、したがって下位アドレス・バス50および52
−ヒを伝えられるアドレス・ピッ1−A’3A”、の値
を決定する。メモリ・ブロックおよびアレイ・チップ2
8の数の本構成では、下位アドレス・バス50および5
2はそれぞれ単一のアドレス線から構成できる。
発生しなければならない2つのアドレス・ビットA’3
A”、の値は、次の表で与えられる。
目 的      第1の転送 第2の転送旦スΣ A
、紅  Mユ 八  yユ ら5−801.  10 
  01 9−121. 0  1  1   0  01.3−
16 0 1.  0  1   1  0目的ビツト
は第1列に示される。これはブロック内の最初のアドレ
スであり、最下位の4つのアドレス・ビットA3A2A
1Aoに対応する。アドレス・ビットA3およびA2は
次の2列に含まれる。
これらの値に応じて、第1の転送に対するアドレス・ビ
ットA ’ 3およびA″3は続く次の2列でr5.え
られ、第2の転送に対するアドレス・ビットは最後の2
列で与えれる。アトIノス・ビットA″3およびA″、
の値は、第1の転送と第2の転送の間に補数化される。
再び第2図を参照すると、第Jの転送選択線58と第2
の転送選択線60は、アレイ・チップ28に対するアク
セス時に交互に変化する相補信号を運び、そのアクセス
が第1の転送であるか、それとも第2の転送であるかを
示す。第2のチップに対するアドレス・ビットA″3の
値は第1の転送におけるアドレス・ビットA3の値であ
り、かつ第2の転送におけるその補数である。これは、
インバータ62を使って、アドレス・ビットA3の真値
および補数値が、それぞれANDゲートに導かれるよう
にすることによって達成される。これらのANDゲー1
〜の出力は、A N I) / OR回路64のORゲ
ートで結合される。ANDゲートの他の入力は、第1お
よび第2の転送選択線58および601こよって制御さ
れる。AND10R回路64の出力は、第2のチップに
対する下位アドレス・バス52に接続されており、信号
A″3を運ぶ。
第1のチップに対するアドレス・ビットA ’ 3につ
いては、排他的ORゲート66中でのアドレス・ビット
A3およびA2が比較される。これは、インバータ68
とA N D / OR回路70からなる同様な構成へ
の入力である。AND10R回路70の出力は、第1の
チップに対する下位アドレス・バス50に接続されてお
り、アドレス・ビットA ’ 3を運ぶ。第2図の回路
は、」二記の表の要件に合致する。
2つのレジスタ38および40は、第3図の回路によっ
て与えられる。第3図は第1図に示した8ビツトのうち
1ビツトのみを示す。実際には、IBM社製造の多くの
メモリ製品では、第3図の回路がアレイ・チップ28内
に含まれている。この構造はLSSD (レベル感知走
査設計)ラッチと呼ばれ、論理チップのテスト用に使わ
れる。第3図は、単一ビットの場合に、非緩衝出力ビッ
トが出力線36上をクロック入力線741zのクロック
信号Aによって制御される第1−のラッチへ導かれるこ
とを示したものである。第1のラッチ72のラッチ出力
は、A N D / OR回路76と、もう1本のクロ
ック入力線80」二のクロック信号Bによって制御され
る第2のクラッチ78の両方に導かれる。2つのクロッ
ク信号の形を第4図に示す。
クロック・パルスAが最初に発生したとき、第1のラッ
チ72への第1の転送が行われる。その後、クロック信
号Bに対するパルスが、第1のラッチ72の内容を第2
のランチ78中にもラッチさせる。その後、クロック信
号Aに対する第2のパルスが、第1のラッチ72への第
2の転送を起こさせる。その時点で、1つのブロックに
対するアレイ・チップ28の読取りは完了し、すべての
データが2つのラッチ72および78で使用可能である
しかし、第1のラッチ72は、第1のクロック・パルス
Aの発生直後に読取ることができる。ゲート経路選択線
82上の制御信号が、2つのラッチ72および78のど
ちらが読取られているかを決定する。第1のクロック・
パルスAの後では、この制御信号は真である。制御信号
は、クロック・パルスBの発生によってもビットの実際
の読取りによっても変更される。クロック・パルスBが
発生したときそのビットが未だ読取られていないと仮定
すると、読取られていないデータが第2のランチ78に
転送され、したがって、現在偽である制御信号がインバ
ータ84によって反転されて第2のラッチ78を選択す
る。一度第2のラッチ78内のデータが読取られると、
それに続く制御信号の変化によって第1のラッチ72の
読取りが再び可能になる。AND10R回路76の出力
は、第5図に示す選択機構88への8つの入力の1.つ
である出力線86に接続されている。ダブル・レジスタ
90には、第3図の回路が8個存在する。
セレクタ88は、単一ビットの出力線46に接続するた
め8つの入力86の1つを選択する。セレクタ88は、
プリセット・カウンタ92のカウンタ出力によって制御
される。このカウンタは、テキサス・インスツルメンツ
(Texas Instruments)製造の5N5
4AT、5190型に類似のものとすることができる。
カウンタ92は、線56上のレジスタ目的ア1くレス・
ピッ1〜A、 、 A t A 、のレジスタ目的アド
レスによってブリセラ1−される。このプリセットは、
制御入力線94にパルスを与えることによって制御され
る。一度カウンタ92がプリセットされると、クロック
入力線96上のクロック信号はレジスタ読取り速度t 
で動作してカウンタ92を循環式に増分し、セレクタ8
8に対する入力線86の別々の1本を選択する。カウン
タ92の上位出力は、ゲート経路選択線82上の制御信
号を変更するために使用4できる。
F0発明の効果 上述したように、本発明は、アレイ・チップとバッファ
からの読取り速度が異なるために生じるギャップ時間と
いう欠点がない。支援回路は比較的簡単であり、その多
くはFCCワード内の72ビツトすべてによって共用で
きる。それにより、ブロック転送用に複数出力のメモリ
・アレイが使用できるようになる。個々のチップを各複
数ビット毎に付勢する必要がないため、複数出力メモリ
・アレイの消費電力が減る。この電力減少により、メモ
リ・アクセスに関連する電力サージも減少する。ブロッ
ク内で複数出力を使用すると、エラー訂正能力に影響を
及ぼすことなく、FCCワードの72ビツトを異なるメ
モリ・チップ間に分散させることができる。また単一ビ
ット出力を供給する複数出力チップの使用により、配線
効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
第]−図は、本発明の記憶システムのブロック図、第2
図は、第1図のためのアドレッシング制御のブロック図
、第3図は、第1図の2個のレジスタの実施例のブロッ
ク図、第4図は、第3図の回路の動作のタイミングを示
す説明図、第5図は、第1図の直列側部分のブロック図
、第6図は、コンピュータ・システムのブロック図、第
7図は、ブロック転送用に使用される1ビツト・メモリ
・チップの説明図、第8図は、従来技術のブロック転送
メモリ・システムのブロック図、第9図は、ブロック転
送用に使用される複数ビット・メモリ・チップの説明図
、第10および第11図は、ギャップ時間とブロック転
送の開始アドレスとの関係を示す説明図である。 28・・・・アレイ・チップ、38.40・・・・レジ
スタ。 出願人  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人  弁理人  岡  1) 次  生(外1名)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少くとも一対のメモリ・アレイ・チップと、レジ
    スタと、 第1のアドレスに応じて、前記チップの1つから前記レ
    ジスタの第1の部分に第1のビット・グループを印加す
    る手段と、 第2のアドレスに応じて、前記チップの別の1つから前
    記レジスタの第2の部分に第2のビット・グループを印
    加する手段と、 前記レジスタからのビットをブロック転送するための開
    始アドレスを決定する手段と、 前記決定手段に応じて、前記開始アドレスの値にもとづ
    いて前記第1および第2のアドレスを与える手段と、 から成るランダム・アクセス・メモリ。
  2. (2)前記第1および第2のアドレスに応答する前記手
    段によつて前記レジスタに印加された前記ビットを前記
    ブロック転送方式で順次転送する手段を備えた、 特許請求の範囲第(1)項記載のメモリ。
JP61214229A 1985-10-28 1986-09-12 ランダム・アクセス・メモリ Granted JPS62102497A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/791,833 US4796222A (en) 1985-10-28 1985-10-28 Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi-bit chips
US791833 1985-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62102497A true JPS62102497A (ja) 1987-05-12
JPH0531176B2 JPH0531176B2 (ja) 1993-05-11

Family

ID=25154925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61214229A Granted JPS62102497A (ja) 1985-10-28 1986-09-12 ランダム・アクセス・メモリ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4796222A (ja)
EP (1) EP0220535A3 (ja)
JP (1) JPS62102497A (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992979A (en) * 1985-10-28 1991-02-12 International Business Machines Corporation Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi bit chips
US5274596A (en) * 1987-09-16 1993-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Dynamic semiconductor memory device having simultaneous operation of adjacent blocks
DE3776798D1 (de) * 1987-11-23 1992-03-26 Philips Nv Schnell arbeitender statischer ram-speicher mit grosser kapazitaet.
US4912631A (en) * 1987-12-16 1990-03-27 Intel Corporation Burst mode cache with wrap-around fill
JPH01226057A (ja) * 1988-03-07 1989-09-08 Toshiba Corp データエラー検出方法
US5109485A (en) * 1988-08-30 1992-04-28 Ncr Corporation Method for transferring data between memories
US4993028A (en) * 1988-09-07 1991-02-12 Thinking Machines Corporation Error detection and correction coding
JP2993671B2 (ja) * 1989-01-07 1999-12-20 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5278967A (en) * 1990-08-31 1994-01-11 International Business Machines Corporation System for providing gapless data transfer from page-mode dynamic random access memories
EP0473804A1 (en) * 1990-09-03 1992-03-11 International Business Machines Corporation Alignment of line elements for memory to cache data transfer
US5195097A (en) * 1990-10-19 1993-03-16 International Business Machines Corporation High speed tester
JP3096362B2 (ja) 1992-10-26 2000-10-10 沖電気工業株式会社 シリアルアクセスメモリ
US6005811A (en) * 1994-08-17 1999-12-21 Oak Technology, Incorporated Method for operating a memory
EP0700050A3 (en) * 1994-08-17 1997-07-23 Oak Technology Inc Multi-page storage
WO2000041182A1 (en) * 1998-12-30 2000-07-13 Intel Corporation Memory array organization
TW200423139A (en) * 2003-04-22 2004-11-01 Via Tech Inc Control circuit and method capable of testing high memory address

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133698A (ja) * 1982-02-02 1983-08-09 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPS5962959A (ja) * 1982-10-04 1984-04-10 Mitsubishi Electric Corp 記憶装置
JPS607678A (ja) * 1983-06-25 1985-01-16 Fujitsu Ltd メモリ構成方式
JPS6043742A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Toshiba Corp 可変長デ−タ読出し回路
JPS6097454A (ja) * 1983-11-01 1985-05-31 Nec Corp デ−タ処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE534009A (ja) * 1950-11-08
US3064080A (en) * 1959-02-19 1962-11-13 Bell Telephone Labor Inc Transmission system-selection by permutation of parity checks
US3331061A (en) * 1963-11-27 1967-07-11 Ibm Drive-sense arrangement for data storage unit
US3685020A (en) * 1970-05-25 1972-08-15 Cogar Corp Compound and multilevel memories
US3895360A (en) * 1974-01-29 1975-07-15 Westinghouse Electric Corp Block oriented random access memory
US4450538A (en) * 1978-12-23 1984-05-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Address accessed memory device having parallel to serial conversion
US4467443A (en) * 1979-07-30 1984-08-21 Burroughs Corporation Bit addressable variable length memory system
DE3015125A1 (de) * 1980-04-19 1981-10-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Einrichtung zur speicherung und darstellung graphischer information
JPS58149548A (ja) * 1982-03-02 1983-09-05 Hitachi Ltd メモリ制御方式
DE3374462D1 (en) * 1982-07-21 1987-12-17 Marconi Avionics Multi-dimensional-access memory system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133698A (ja) * 1982-02-02 1983-08-09 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPS5962959A (ja) * 1982-10-04 1984-04-10 Mitsubishi Electric Corp 記憶装置
JPS607678A (ja) * 1983-06-25 1985-01-16 Fujitsu Ltd メモリ構成方式
JPS6043742A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Toshiba Corp 可変長デ−タ読出し回路
JPS6097454A (ja) * 1983-11-01 1985-05-31 Nec Corp デ−タ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0531176B2 (ja) 1993-05-11
EP0220535A3 (en) 1989-09-13
EP0220535A2 (en) 1987-05-06
US4796222A (en) 1989-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4597061A (en) Memory system using pipeline circuitry for improved speed
JP2740063B2 (ja) 半導体記憶装置
US7302545B2 (en) Method and system for fast data access using a memory array
US4751671A (en) Size configurable data storage system
EP0016827B1 (en) High density memory system
JPS62102497A (ja) ランダム・アクセス・メモリ
US4665506A (en) Memory system with write protection
US4528666A (en) Memory system with built in parity
JPS6373447A (ja) ランダム・アクセス・メモリ・チップ
JPH059872B2 (ja)
JPH05506113A (ja) 並列プロセッサメモリシステム
EP1415304B1 (en) Memory device having different burst order addressing for read and write operations
WO1997029430A1 (en) Fast access to a shared resource on a computer bus
JPH0746507B2 (ja) 二重ポート読出し/書込みメモリー
JP3577119B2 (ja) 半導体記憶装置
KR19980702386A (ko) 메모리 확장을 위한 로직을 갖는 동기식 sram
US20050180240A1 (en) Method and system for fast memory access
US5146572A (en) Multiple data format interface
US4639894A (en) Data transferring method
US4992979A (en) Memory structure for nonsequential storage of block bytes in multi bit chips
US6094703A (en) Synchronous SRAM having pipelined memory access enable for a burst of addresses
US6205514B1 (en) Synchronous SRAM having global write enable
JPH06214871A (ja) デュアルポート電子データ記憶システム及び電子データ記憶システム、並びに同時アクセス方法
US4964037A (en) Memory addressing arrangement
EP0479919A1 (en) Method and circuit for programmable element sequence selection