JPS62102409A - 磁気ヘツドコア - Google Patents
磁気ヘツドコアInfo
- Publication number
- JPS62102409A JPS62102409A JP24138585A JP24138585A JPS62102409A JP S62102409 A JPS62102409 A JP S62102409A JP 24138585 A JP24138585 A JP 24138585A JP 24138585 A JP24138585 A JP 24138585A JP S62102409 A JPS62102409 A JP S62102409A
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- Japan
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- magnetic
- core
- gap
- faces
- magnetic head
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気ヘッドコアに関し、さらに詳しくは磁気キ
ャップを介して一対のコア半体を接合して構成され、磁
気記録媒体に摺接して情報の記録再生を行なう誘導型の
磁気ヘッドコアに関するものである。
ャップを介して一対のコア半体を接合して構成され、磁
気記録媒体に摺接して情報の記録再生を行なう誘導型の
磁気ヘッドコアに関するものである。
[従来の技術]
上記の種類の磁気ヘッドコアで特に高保磁力記録媒体に
記録再生を行なうものでは、従来コア材料として高保磁
力媒体に対応した高飽和磁束密度を有するセンダストの
ような磁性合金を用いていた。しかし、このような金属
磁性材をコア材に用いた場合、その電気比抵抗が小さい
ために渦電流損失が問題となり、高周波領域における透
磁率が大幅に低下する欠点があった。
記録再生を行なうものでは、従来コア材料として高保磁
力媒体に対応した高飽和磁束密度を有するセンダストの
ような磁性合金を用いていた。しかし、このような金属
磁性材をコア材に用いた場合、その電気比抵抗が小さい
ために渦電流損失が問題となり、高周波領域における透
磁率が大幅に低下する欠点があった。
そこで高保磁力媒体に対応でき、しかも高周波領域での
透磁率の低下が少ない磁気ヘッドコアとして第3図に模
式的に示すような構造が提案されている。
透磁率の低下が少ない磁気ヘッドコアとして第3図に模
式的に示すような構造が提案されている。
すなわちこの構造では磁気ギャップGを介して接合され
るコア半体1 、 l’のギャップ近傍部分、すなわち
接合面部分を磁気的に飽和しないように高飽和磁束密度
の金属磁性膜2,2′から構成し、コア半体1,1′の
残りの部分を電気比抵抗が大きなフェライ)3.3’か
ら構成している。
るコア半体1 、 l’のギャップ近傍部分、すなわち
接合面部分を磁気的に飽和しないように高飽和磁束密度
の金属磁性膜2,2′から構成し、コア半体1,1′の
残りの部分を電気比抵抗が大きなフェライ)3.3’か
ら構成している。
ところがこの構造では記録特性は良好であるものの、フ
ェライト3.3’と金属磁性膜2,2′の境界部4,4
′が磁気ギャップGと平行となるため疑似ギャップとし
て作用し、その結果再生出力のSN比が劣化する欠点が
あった。
ェライト3.3’と金属磁性膜2,2′の境界部4,4
′が磁気ギャップGと平行となるため疑似ギャップとし
て作用し、その結果再生出力のSN比が劣化する欠点が
あった。
そこで第4図に模式的に示すような構造が特開昭55−
58824号により提案されている。
58824号により提案されている。
この構造では第3図とほぼ同様の構造において、コア半
体5.5′のフェライト9.9’ と金属磁性膜6,6
′の境界部7.7′の境界面を断面が鋸歯状の凹凸面に
している。具体的にはフェライ)9.9’の境界面を例
えば15μm程度の粒径の大きなダイヤモンド等の研摩
材で粗?研摩して上記の凹凸面とし、その上に金属磁性
膜6゜6′をスパッタリング法等で形成し、次に前記形
成面に平面ラップ、ポリシングを施した後コア半体9.
9′を磁気ギャップGを介して突き合わせ、接合してい
る。
体5.5′のフェライト9.9’ と金属磁性膜6,6
′の境界部7.7′の境界面を断面が鋸歯状の凹凸面に
している。具体的にはフェライ)9.9’の境界面を例
えば15μm程度の粒径の大きなダイヤモンド等の研摩
材で粗?研摩して上記の凹凸面とし、その上に金属磁性
膜6゜6′をスパッタリング法等で形成し、次に前記形
成面に平面ラップ、ポリシングを施した後コア半体9.
9′を磁気ギャップGを介して突き合わせ、接合してい
る。
[発明が解決しようとする問題点]
第4図の構造では境界部7.7′の境界面の断面が鋸歯
状の凹凸面であり、磁気ギャップGとの平行成分が少な
いため、境界部7.7′が疑似ギャップとして作用する
ことは少なくなる。
状の凹凸面であり、磁気ギャップGとの平行成分が少な
いため、境界部7.7′が疑似ギャップとして作用する
ことは少なくなる。
ところがフェライl−9,9’の境界面を凹凸面にする
ラップ加「により、境界面に沿って加工変質層8,8′
が形成され この加工変質層8゜8′部分で磁気抵抗が
増大し、透磁率が低ドすることによって磁気ヘッドコア
の再生効率が低下してしまうという問題があった。
ラップ加「により、境界面に沿って加工変質層8,8′
が形成され この加工変質層8゜8′部分で磁気抵抗が
増大し、透磁率が低ドすることによって磁気ヘッドコア
の再生効率が低下してしまうという問題があった。
[問題点を解決するための手段]
上述の問題点を解決するため本発明にあっては、磁気ギ
ヤングを介して一対のコア半体を接合して構成され、前
記コア半体の接合面部分が金属磁性膜からなり、残りの
部分が単結晶フェライトからなる磁気ヘッドコアにおい
て、前記1i結晶フエライトの金属磁性膜との境界面は
単結晶フェライトの(100)面、(010)面。
ヤングを介して一対のコア半体を接合して構成され、前
記コア半体の接合面部分が金属磁性膜からなり、残りの
部分が単結晶フェライトからなる磁気ヘッドコアにおい
て、前記1i結晶フエライトの金属磁性膜との境界面は
単結晶フェライトの(100)面、(010)面。
(001)菌量外の結晶方位面に形成したエッチピット
面を含む構造を採用した。
面を含む構造を採用した。
[作 用]
上記の構造によればコア半体の単結晶フェライトの境界
面のエッチピット面は断面が鋸歯状の凹凸面になり、し
かもエツチングにより単結晶フェライトの加工変質層が
容易に除去できる。従って、単結晶フェライトと金属磁
性膜間の境界部において磁気ギャップに対する平行成分
が殆んど存在しないため疑似ギャップ作用を極めて小さ
く抑えることができるとともに加工変質層による単結晶
フェライトの磁気抵抗の増大、透磁率の低下を解消でき
る。
面のエッチピット面は断面が鋸歯状の凹凸面になり、し
かもエツチングにより単結晶フェライトの加工変質層が
容易に除去できる。従って、単結晶フェライトと金属磁
性膜間の境界部において磁気ギャップに対する平行成分
が殆んど存在しないため疑似ギャップ作用を極めて小さ
く抑えることができるとともに加工変質層による単結晶
フェライトの磁気抵抗の増大、透磁率の低下を解消でき
る。
[実施例]
以下、本発明の実施例の詳細を説明する。
第1図は本実施例による磁気ヘッドコアの構造を模式的
に示す斜視図であg。
に示す斜視図であg。
符号to、10’ で示すものはコア半体であり、この
コア半体10.10’ どうしを磁気ギャップGを介し
て突き合わせ、接合して磁気ヘッドコアが形成されてい
る。なお一方のコア半体10の突き合わせ面の中間部に
は不図示の巻線を磁気ヘッドコアに巻回するための巻線
溝14が形成されている。
コア半体10.10’ どうしを磁気ギャップGを介し
て突き合わせ、接合して磁気ヘッドコアが形成されてい
る。なお一方のコア半体10の突き合わせ面の中間部に
は不図示の巻線を磁気ヘッドコアに巻回するための巻線
溝14が形成されている。
コア半体10.10’はギャップ近傍部分、すなわち接
合面部分が例えばセンダスト等の高飽和磁束密度の磁性
合金からなる金属磁性膜11゜11′から構成されてお
り、残りの部分が電気比抵抗の大きな、例えばM n
−Z n系の単結晶フェライ)12,12’から構成S
れている。
合面部分が例えばセンダスト等の高飽和磁束密度の磁性
合金からなる金属磁性膜11゜11′から構成されてお
り、残りの部分が電気比抵抗の大きな、例えばM n
−Z n系の単結晶フェライ)12,12’から構成S
れている。
金属磁性膜11.11’ と単結晶フェライト12.1
2’間の境界部13.13’ に面する単結晶フェライ
ト12.12’の境界面は、rli結晶結晶チェライ2
.12’の結晶方位面の(111)面を加I面とし、こ
れをラッピングして粗面化した後、エツチングして形成
したエッチピット面からなっており、この境界面」―に
金属磁性膜t t 、 i i’がスパッタリング等に
より形成されている。
2’間の境界部13.13’ に面する単結晶フェライ
ト12.12’の境界面は、rli結晶結晶チェライ2
.12’の結晶方位面の(111)面を加I面とし、こ
れをラッピングして粗面化した後、エツチングして形成
したエッチピット面からなっており、この境界面」―に
金属磁性膜t t 、 i i’がスパッタリング等に
より形成されている。
ここで上記ラッピングは例えばグリーンカーポランダム
の# 2000または粒径15pm程度のダイヤモンド
等の研摩材により行ない、エツチングは例えばリン酸水
溶液により数#Lmの深さで行なう。
の# 2000または粒径15pm程度のダイヤモンド
等の研摩材により行ない、エツチングは例えばリン酸水
溶液により数#Lmの深さで行なう。
この場合ラッピングにより単結晶フェライト12.12
’に形成された加工変質層がエツチングにより除去され
、加圧変質層による単結晶フェライ)12.12’の透
磁率の劣化が解消される。第2図はこの様子を示すもの
で、単結晶フェライトからなるテストリング(外径、内
径。
’に形成された加工変質層がエツチングにより除去され
、加圧変質層による単結晶フェライ)12.12’の透
磁率の劣化が解消される。第2図はこの様子を示すもの
で、単結晶フェライトからなるテストリング(外径、内
径。
厚さがφ5×φ3 X Q、5mm)について円外側面
を(111)面とし、この外側面に−1−記のラッピン
グとエツチングを施し、ラッピング直後と、その後のエ
ツチング直後に透磁率の周波数特性を測定した結果を示
すものである。この第2図から明らかなようにエツチン
グ後の透磁率の周波数特性がラッピング後のそれよりも
」二回っており、ラッピングにより劣化した特性の改善
にエツチングが有効であることがわかる。
を(111)面とし、この外側面に−1−記のラッピン
グとエツチングを施し、ラッピング直後と、その後のエ
ツチング直後に透磁率の周波数特性を測定した結果を示
すものである。この第2図から明らかなようにエツチン
グ後の透磁率の周波数特性がラッピング後のそれよりも
」二回っており、ラッピングにより劣化した特性の改善
にエツチングが有効であることがわかる。
またこのエツチングは単結晶フェライトの直方形の結晶
の外形に沿って行なわれる。すなわち結晶の外側面に対
応する結晶方位面の(100)面、(010)面あるい
は(001)面に沿って行なわれる。従ってもしここで
単結晶フェライト12.12′の境界の加工面を(10
0)面。
の外形に沿って行なわれる。すなわち結晶の外側面に対
応する結晶方位面の(100)面、(010)面あるい
は(001)面に沿って行なわれる。従ってもしここで
単結晶フェライト12.12′の境界の加工面を(10
0)面。
(o i o)面あるいは(001)面とした場合には
、加工面はエツチングによる穴、くぼみ、いわゆるエッ
チピットが多数形成され、その間に突起が形成された凹
凸のエッチピット面となるが、個々のエッチピッI・及
び突起は直方形ないし段階状になる。この結果、このエ
ッチピット面を境界面とする境界部13.13’におい
ては磁気ギャップGに対する平行成分が多くなってしま
い、疑似ギャップ作用が強く働いてしまう。
、加工面はエツチングによる穴、くぼみ、いわゆるエッ
チピットが多数形成され、その間に突起が形成された凹
凸のエッチピット面となるが、個々のエッチピッI・及
び突起は直方形ないし段階状になる。この結果、このエ
ッチピット面を境界面とする境界部13.13’におい
ては磁気ギャップGに対する平行成分が多くなってしま
い、疑似ギャップ作用が強く働いてしまう。
これに対して本実施例では(100)面。
(010)面、および(001)面に対して傾斜した(
111)面を境界の加工面としているので、(111)
面に対して傾斜した(100)面、(010)面、(0
01)面に沿ってエツチングが行なわれることにより、
底面が傾斜したエッチピットが無数に形成され、エッチ
ビット間には正三角錐形の突起が無数に存在するエッチ
ピット面が形成される。−に記加工の場合高さ2JLm
程度の突起が無数に存在するエッチピット面が形成され
る。
111)面を境界の加工面としているので、(111)
面に対して傾斜した(100)面、(010)面、(0
01)面に沿ってエツチングが行なわれることにより、
底面が傾斜したエッチピットが無数に形成され、エッチ
ビット間には正三角錐形の突起が無数に存在するエッチ
ピット面が形成される。−に記加工の場合高さ2JLm
程度の突起が無数に存在するエッチピット面が形成され
る。
この結果、it結結晶フチライ12.12’の境界部1
3 、13’の境界面は第1図に模式的に示すように断
面が鋸歯状で平均面粗Rが2μm程度のエッチピット面
となり、境界部13.13’ には磁気ギャップGに対
する平行成分が殆んど存在しなくなる。
3 、13’の境界面は第1図に模式的に示すように断
面が鋸歯状で平均面粗Rが2μm程度のエッチピット面
となり、境界部13.13’ には磁気ギャップGに対
する平行成分が殆んど存在しなくなる。
このため境界部13.13’の疑似ギヤ、2プとしての
再生感度はアジマス損失によって極めて小さくなり、疑
似ギャップ作用による再生出力特性のSN比の劣化をほ
ぼ完全に解消することができる。
再生感度はアジマス損失によって極めて小さくなり、疑
似ギャップ作用による再生出力特性のSN比の劣化をほ
ぼ完全に解消することができる。
なお以上の実施例では単結晶フェライト12゜12’
の境界の加工面を(111)面としたが、(100)面
、(010)面、(001)菌量外の他の結晶方位面、
例えば(110)面としでも前記3面に対して傾斜して
いるので前述の(111)面とした場合と同様の作用効
果が得られる。
の境界の加工面を(111)面としたが、(100)面
、(010)面、(001)菌量外の他の結晶方位面、
例えば(110)面としでも前記3面に対して傾斜して
いるので前述の(111)面とした場合と同様の作用効
果が得られる。
また金属磁性111J10,10’ をセンダストから
形成するとしたが、これより飽和磁束密度が高いFe−
5i系結晶合金あるいは非晶質合金(Fe−Co−3i
−B系、Co−Mo−Zr系、Co−Nb−Zr系、G
o−W−Zr系。
形成するとしたが、これより飽和磁束密度が高いFe−
5i系結晶合金あるいは非晶質合金(Fe−Co−3i
−B系、Co−Mo−Zr系、Co−Nb−Zr系、G
o−W−Zr系。
Co−Cr−Zr系、Co−Zr−B系、Co−Ni−
Zr系)等から形成することにより記録効率をさらに向
上できる。
Zr系)等から形成することにより記録効率をさらに向
上できる。
[効 果]
以上の説明から明らかなように、本発明の磁気ヘッドコ
アによれば、コア半体の磁気ギャップに面する接合面部
分が高飽和磁束密度の金属磁性膜から構成され、残りの
部分が電気比抵抗の大きな単結晶フェライトからなるの
で、高保磁力記録媒体にも充分に記録が行なえるととも
に高周波領域でも優れた電磁変換特性が得られる。また
、金属磁性膜と単結晶フェライトの境界部には磁気ギャ
ップとの平行成分が極めて少ないので疑似ギャップ作用
による再生出力のSN比の劣化が少ない。さらに単結晶
フェライトの加工変質層を容易に除去でき、これに伴な
い透磁率特性が改善され再生効率が向上するという優れ
た効果が得られる。
アによれば、コア半体の磁気ギャップに面する接合面部
分が高飽和磁束密度の金属磁性膜から構成され、残りの
部分が電気比抵抗の大きな単結晶フェライトからなるの
で、高保磁力記録媒体にも充分に記録が行なえるととも
に高周波領域でも優れた電磁変換特性が得られる。また
、金属磁性膜と単結晶フェライトの境界部には磁気ギャ
ップとの平行成分が極めて少ないので疑似ギャップ作用
による再生出力のSN比の劣化が少ない。さらに単結晶
フェライトの加工変質層を容易に除去でき、これに伴な
い透磁率特性が改善され再生効率が向上するという優れ
た効果が得られる。
第1図は4:発明の実施例による磁気ヘッドコアの構造
を模式的に示す斜視図、第2図は単結晶フェライトのラ
ッピング後とエツチング後の透磁率の周波数特性を示す
線図、第3図および第4図はそれぞれ異なる従来の磁気
ヘッドコアの構造を模式的に示す斜視図である。 10.1.0’・・・コア半体 tt、ti’・・・金属磁性膜 12.12’ ・・・単結晶フェライト13.13’・
・・境界部 G・・・磁気ギャップ
を模式的に示す斜視図、第2図は単結晶フェライトのラ
ッピング後とエツチング後の透磁率の周波数特性を示す
線図、第3図および第4図はそれぞれ異なる従来の磁気
ヘッドコアの構造を模式的に示す斜視図である。 10.1.0’・・・コア半体 tt、ti’・・・金属磁性膜 12.12’ ・・・単結晶フェライト13.13’・
・・境界部 G・・・磁気ギャップ
Claims (1)
- 磁気ギャップを介して一対のコア半体を接合して構成さ
れ、前記コア半体の接合面部分が金属磁性膜からなり、
残りの部分が単結晶フェライトからなる磁気ヘッドコア
において、前記単結晶フェライトの金属磁性膜との境界
面は、単結晶フェライトの(100)面、(010)面
、(001)面以外の結晶方位面に形成したエッチピッ
チ面を含むことを特徴とする磁気ヘッドコア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24138585A JPS62102409A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 磁気ヘツドコア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24138585A JPS62102409A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 磁気ヘツドコア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62102409A true JPS62102409A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=17073496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24138585A Pending JPS62102409A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 磁気ヘツドコア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62102409A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133204A (ja) * | 1987-07-14 | 1989-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
JPH02183407A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁器ヘッド及びその製造方法 |
JPH02216603A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24138585A patent/JPS62102409A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133204A (ja) * | 1987-07-14 | 1989-05-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
JPH02183407A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁器ヘッド及びその製造方法 |
JPH02216603A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 複合型磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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